JPS63138745A - プロ−バ用載置台の構造 - Google Patents
プロ−バ用載置台の構造Info
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- JPS63138745A JPS63138745A JP28418486A JP28418486A JPS63138745A JP S63138745 A JPS63138745 A JP S63138745A JP 28418486 A JP28418486 A JP 28418486A JP 28418486 A JP28418486 A JP 28418486A JP S63138745 A JPS63138745 A JP S63138745A
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims abstract description 8
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハやプリント基板等の被測定物を測定す
るためのプローバ用の載置台に関し、特に、微小電流で
動作する半導体のウェハを測定するウエハプローバ用載
置台の特殊構造に関するものである。
るためのプローバ用の載置台に関し、特に、微小電流で
動作する半導体のウェハを測定するウエハプローバ用載
置台の特殊構造に関するものである。
（従来技術とその問題点）
最近、半導体集積回路は高集積化が著しく、１Ｍビット
や２Ｍビットのものが開発されている。
や２Ｍビットのものが開発されている。
このような微細化により、流れる電流も著しく小さな微
小電流となる。
小電流となる。
従って、この種の半導体ウェハを測定する場合、微小電
流で測定するため、ノイズを極力少なくし、かつ、絶縁
抵抗を大きくする必要がある。
流で測定するため、ノイズを極力少なくし、かつ、絶縁
抵抗を大きくする必要がある。
ところで、従来のプローバ用の載置台は、アルミニュウ
ム製の基台上面を真空金蒸着したものである。この載置
台を用いて上記集積化ＩＣを測定した結果、リークが多
く測定困難であることが判った・ そこで、種々検討した結果、基台から電流がリークした
り、プローバ匡体内の駆動系のモータ等の静電気に影響
されて微小電流による被測定物の測定には、全く適さな
いものであることが判った。
ム製の基台上面を真空金蒸着したものである。この載置
台を用いて上記集積化ＩＣを測定した結果、リークが多
く測定困難であることが判った・ そこで、種々検討した結果、基台から電流がリークした
り、プローバ匡体内の駆動系のモータ等の静電気に影響
されて微小電流による被測定物の測定には、全く適さな
いものであることが判った。
本発明は、上記の点に対処してなされたもので、微小電
流の測定にも適するプローバ用の載置台の構造を提供す
るものである。即ち、微小電流による８１’ｌ定に際し
、ノイズを除去し、しかも、絶縁抵抗を大きくして静電
気をシールドするようにして高精度の測定を行えるブロ
ーバ用の載置台を提供せんとするものである。
流の測定にも適するプローバ用の載置台の構造を提供す
るものである。即ち、微小電流による８１’ｌ定に際し
、ノイズを除去し、しかも、絶縁抵抗を大きくして静電
気をシールドするようにして高精度の測定を行えるブロ
ーバ用の載置台を提供せんとするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達成するため、本発明は、石英ガラス又は
ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材からなる被測定
物を載置する基台と、この基台の被測定物載置面上に設
けられた導電体層と、上記基台の他方面上に設けられた
シールド部とを具備してなる構成を採用した。
ポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材からなる被測定
物を載置する基台と、この基台の被測定物載置面上に設
けられた導電体層と、上記基台の他方面上に設けられた
シールド部とを具備してなる構成を採用した。
（作用）
本発明によると、絶縁材で形成した基台上にウェハ、プ
リント基板等の被測定物を載置し、例えば、ウエハプロ
ーバにおけるテストヘッドに設けたプローブカードのプ
ローブ針を被測定物に接触させて測定する場合、基台の
上面に設けた導電体層の載置面と上記したテストヘッド
とがテスト回路により接続されているので、被測定物の
下面も微小電流により確実に測定することができること
は勿論のこと、基台を石英ガラス又はポリテトラフルオ
ロエチレン等の絶縁材で形成し、この基台の下面をシー
ルド部材で被覆するようにしたので。
リント基板等の被測定物を載置し、例えば、ウエハプロ
ーバにおけるテストヘッドに設けたプローブカードのプ
ローブ針を被測定物に接触させて測定する場合、基台の
上面に設けた導電体層の載置面と上記したテストヘッド
とがテスト回路により接続されているので、被測定物の
下面も微小電流により確実に測定することができること
は勿論のこと、基台を石英ガラス又はポリテトラフルオ
ロエチレン等の絶縁材で形成し、この基台の下面をシー
ルド部材で被覆するようにしたので。
基台から電流がリークしたりすることなく、シかも、ノ
イズが極力少なくなり、又、プローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもなく、絶縁抵抗が
保持されて静電気を確実にシールドするようにしたので
、微小電流によるウェハ等の測定が高精度に行われるこ
とになる。
イズが極力少なくなり、又、プローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもなく、絶縁抵抗が
保持されて静電気を確実にシールドするようにしたので
、微小電流によるウェハ等の測定が高精度に行われるこ
とになる。
（実施例）
次に、本発明におけるウェハ載置台の構造の一実施例を
図面を参照して説明する。
図面を参照して説明する。
基台１は絶縁材例えば石英ガラス又はポリテトラフルオ
ロエチレン等で構成する。この基台１は。
ロエチレン等で構成する。この基台１は。
ウェハ、プリント基板等の被測定物２を載置して測定す
るためのものであり、この基台１の下部には図示しない
ｘｙｚ＠動系が配置される。上記基台１の一面上には、
導電体層例えば金蒸着等の手段で導電性素材を被覆して
載置面３を設ける。この載置面３は、ウェハ等の被測定
物２の下面を電気的に測定する場合、この載置面３とテ
ストヘッド４がテスト回路５を介して接続されており、
テストヘッド４には、プローブ針６を有するプローブカ
ード７が設けられている。しかも、この載置面３は被測
定物をバキューム等の手段でフラット状態で高精度に固
着するための機能を有している。
るためのものであり、この基台１の下部には図示しない
ｘｙｚ＠動系が配置される。上記基台１の一面上には、
導電体層例えば金蒸着等の手段で導電性素材を被覆して
載置面３を設ける。この載置面３は、ウェハ等の被測定
物２の下面を電気的に測定する場合、この載置面３とテ
ストヘッド４がテスト回路５を介して接続されており、
テストヘッド４には、プローブ針６を有するプローブカ
ード７が設けられている。しかも、この載置面３は被測
定物をバキューム等の手段でフラット状態で高精度に固
着するための機能を有している。
更に、上記基台１の下面には、金属性のシールド部材８
を積層しており、このシールド部材８はアース回路９に
よりアースされ、静電気をシールドするようにしている
。
を積層しており、このシールド部材８はアース回路９に
よりアースされ、静電気をシールドするようにしている
。
次に上記実施例の作用を説明する。
絶縁材で形成した基台１上に集積回路の形成された半導
体ウェハやプリント基板等の被測定物２を載置する０例
えば、ウエハプローバにおいてはテストヘッド４に設け
たプローブカード７のプローブ針６を上記被測定物２の
電極パッドに接触させて測定する。この実施例では、基
台１の上面に設けた導電体層の載置面３と上記したテス
トヘッド４とがテスト回路５により接続されているので
。
体ウェハやプリント基板等の被測定物２を載置する０例
えば、ウエハプローバにおいてはテストヘッド４に設け
たプローブカード７のプローブ針６を上記被測定物２の
電極パッドに接触させて測定する。この実施例では、基
台１の上面に設けた導電体層の載置面３と上記したテス
トヘッド４とがテスト回路５により接続されているので
。
被測定物２の下面を微小電流（１０ｆＡ）により確実に
測定することができる。しかも、基台１を石英ガラス又
はポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材で形成したの
で、絶縁抵抗を保持し、かつ。
測定することができる。しかも、基台１を石英ガラス又
はポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材で形成したの
で、絶縁抵抗を保持し、かつ。
この基台１の下面をシールド部材８で被覆するようにし
たので、基台１から電流がリークするおそれもなく、ノ
イズも極力少なくなり、又、ブローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもなく、静電気を確
実にシールドし、微小電流（１０ｆ Ａ）によって動作
するウェハ等の測定物を確実に測定することができる。
たので、基台１から電流がリークするおそれもなく、ノ
イズも極力少なくなり、又、ブローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもなく、静電気を確
実にシールドし、微小電流（１０ｆ Ａ）によって動作
するウェハ等の測定物を確実に測定することができる。
（発明の効果）
以上のことから明らかなように、ウェハ、プリント基板
等の被測定物を載置する基台を石英ガラス又はポリテト
ラフルオロエチレン等の絶縁材で形成し、この基台上に
導電体層を設け、基台の下面をシールド部材で被覆する
ようにしたから、基台から電流がリークすることなく、
又、ノイズもなく、シかも、プローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもないので、絶縁抵
抗が保持され、静電気を確実にシールドするため、微小
電流によって動作する半導体の被測定物を高精度に測定
することができる等の効果がある。
等の被測定物を載置する基台を石英ガラス又はポリテト
ラフルオロエチレン等の絶縁材で形成し、この基台上に
導電体層を設け、基台の下面をシールド部材で被覆する
ようにしたから、基台から電流がリークすることなく、
又、ノイズもなく、シかも、プローバ匡体内の駆動系の
モータ等の静電気に影響されることもないので、絶縁抵
抗が保持され、静電気を確実にシールドするため、微小
電流によって動作する半導体の被測定物を高精度に測定
することができる等の効果がある。
図面は、本発明の一実施例を示したプローバにおける載
置台の縦断面図である。 １・・・基台、２・・・ウェハ等の被測定物３・・・載
置面、８・・・シールド部材。
置台の縦断面図である。 １・・・基台、２・・・ウェハ等の被測定物３・・・載
置面、８・・・シールド部材。
Claims (1)
- 石英ガラス又はポリテトラフルオロエチレン等の絶縁材
からなる被測定物を載置する基台と、この基台の被測定
物載置面上に設けられた導電体層と、上記基台の他方面
上に設けられたシールド部とを具備してなることを特徴
とするプローバ用載置台の構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284184A JPH067562B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | プロ−バ用載置台の構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284184A JPH067562B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | プロ−バ用載置台の構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63138745A true JPS63138745A (ja) | 1988-06-10 |
| JPH067562B2 JPH067562B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=17675262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284184A Expired - Lifetime JPH067562B2 (ja) | 1986-12-01 | 1986-12-01 | プロ−バ用載置台の構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067562B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02220453A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエファ上電子回路検査装置 |
| US6424141B1 (en) | 2000-07-13 | 2002-07-23 | The Micromanipulator Company, Inc. | Wafer probe station |
| WO2003063234A1 (fr) * | 2002-01-23 | 2003-07-31 | Tokyo Electron Limited | Dispositif supprimant l'electricite statique d'une table et appareil d'essai |
| US6700397B2 (en) | 2000-07-13 | 2004-03-02 | The Micromanipulator Company, Inc. | Triaxial probe assembly |
| JP2006128351A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 容量測定システム及び容量測定方法 |
| JP2006194699A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | プロービング装置 |
| JP2008004673A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ用チャック |
| CN101950010A (zh) * | 2010-08-25 | 2011-01-19 | 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 | 一种负荷箱全自动测量装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58220438A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 半導体ウエハ測定載置台 |
-
1986
- 1986-12-01 JP JP61284184A patent/JPH067562B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58220438A (ja) * | 1982-06-17 | 1983-12-22 | Nippon Maikuronikusu:Kk | 半導体ウエハ測定載置台 |
Cited By (11)
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|---|---|---|---|---|
| JPH02220453A (ja) * | 1989-02-21 | 1990-09-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウエファ上電子回路検査装置 |
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| KR100745861B1 (ko) * | 2002-01-23 | 2007-08-02 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 재치대의 정전기 제거 기구 및 검사 장치 |
| US7336471B2 (en) | 2002-01-23 | 2008-02-26 | Tokyo Electron Limited | Charge eliminating mechanism for stage and testing apparatus |
| JP2006128351A (ja) * | 2004-10-28 | 2006-05-18 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 容量測定システム及び容量測定方法 |
| JP2006194699A (ja) * | 2005-01-12 | 2006-07-27 | Tokyo Cathode Laboratory Co Ltd | プロービング装置 |
| JP2008004673A (ja) * | 2006-06-21 | 2008-01-10 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | プローバ用チャック |
| CN101950010A (zh) * | 2010-08-25 | 2011-01-19 | 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司 | 一种负荷箱全自动测量装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH067562B2 (ja) | 1994-01-26 |
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