JPH11111789A - ウエハプローバ - Google Patents
ウエハプローバInfo
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- JPH11111789A JPH11111789A JP9265808A JP26580897A JPH11111789A JP H11111789 A JPH11111789 A JP H11111789A JP 9265808 A JP9265808 A JP 9265808A JP 26580897 A JP26580897 A JP 26580897A JP H11111789 A JPH11111789 A JP H11111789A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の電極間に流れる微弱電流を高い
精度で計測するようにしたウエハプローバを提供する。 【解決手段】 ウエハプローバ３５は、昇降動自在なス
テージ１８と、ステージ上方に設けられ、載置された半
導体装置１１の電極に接触するプローブピン１４Ａ、Ｂ
を有するプローブカード１６とを備えている。また、半
導体装置１１及びプローブピン１４Ａ、Ｂの周囲を開閉
自在に電磁遮蔽する上部シールド体３６及び下部シール
ド体３８を備えている。上部シールド体３６は、プロー
ブカード１６の下面に設けられた平板状のものであり、
下部シールド体３８は、短筒状で、ステージ１８の上昇
により上部シールド体３６の下面に上端４１で接触する
ようにした筒部４２を有する。これにより、上部シール
ド体３６及び下部シールド体３８によって半導体装置１
１及びプローブカード１６が電磁遮蔽される。
精度で計測するようにしたウエハプローバを提供する。 【解決手段】 ウエハプローバ３５は、昇降動自在なス
テージ１８と、ステージ上方に設けられ、載置された半
導体装置１１の電極に接触するプローブピン１４Ａ、Ｂ
を有するプローブカード１６とを備えている。また、半
導体装置１１及びプローブピン１４Ａ、Ｂの周囲を開閉
自在に電磁遮蔽する上部シールド体３６及び下部シール
ド体３８を備えている。上部シールド体３６は、プロー
ブカード１６の下面に設けられた平板状のものであり、
下部シールド体３８は、短筒状で、ステージ１８の上昇
により上部シールド体３６の下面に上端４１で接触する
ようにした筒部４２を有する。これにより、上部シール
ド体３６及び下部シールド体３８によって半導体装置１
１及びプローブカード１６が電磁遮蔽される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハプローバに
関し、更に詳しくは、半導体装置に通電される微弱電流
を高い精度で計測するようにしたウエハプローバに関す
るものである。
関し、更に詳しくは、半導体装置に通電される微弱電流
を高い精度で計測するようにしたウエハプローバに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】ウエハに形成された各半導体装置は、通
常、ダイシングされる前にウエハプローバによりそれぞ
れ試験される。ウエハプローバとは、ウエハに形成され
た半導体装置の電極にプローブピンを接触させ、電極間
に流れる電流を計測し、不良品を識別する装置である。
図６は、従来のウエハプローバの構成の一例を示す側面
図である。従来のウエハプローバ１０は、テストヘッド
１２と、テストヘッド１２に付けられ、プローブピン１
４Ａ、Ｂを有するプローブカード１６と、テストヘッド
１２の下方に、昇降動自在なステージ１８とを備えてい
る。尚、プローブピンは、プローブカードに多数本付い
ていることが多い。
常、ダイシングされる前にウエハプローバによりそれぞ
れ試験される。ウエハプローバとは、ウエハに形成され
た半導体装置の電極にプローブピンを接触させ、電極間
に流れる電流を計測し、不良品を識別する装置である。
図６は、従来のウエハプローバの構成の一例を示す側面
図である。従来のウエハプローバ１０は、テストヘッド
１２と、テストヘッド１２に付けられ、プローブピン１
４Ａ、Ｂを有するプローブカード１６と、テストヘッド
１２の下方に、昇降動自在なステージ１８とを備えてい
る。尚、プローブピンは、プローブカードに多数本付い
ていることが多い。
【０００３】テストヘッド１２は、プローブピン１４
Ａ、Ｂに電圧を印加する電源２４や種々の計測器を有す
るテストヘッド本体２７と、テストヘッド本体２７の下
側に接続する平板状のヘッドプレート２８とを備えてい
る。ヘッドプレート２８は、カード状のプローブカード
１６を下面に有しており、プローブカード１６は、載置
板３２の上面に載置された半導体装置１１の電極に接触
するプローブピン１４Ａ、Ｂを下面に有する。ステージ
１８は、上下方向（図６のＺ方向）に昇降動自在なステ
ージ本体２６と、ステージ本体２６の上面に設けられた
円盤状の電気絶縁体３０と、電気絶縁体３０の上面に設
けられた円盤状の載置板３２とを備えている。ステージ
本体２６は、半導体装置１１の電極にプローブピン１４
Ａ、Ｂを接触させることができるよう、水平なＸーＹ平
面のＸ、Ｙ両方向に位置決め可能なようにされている
（Ｘ方向は図６参照。Ｙ方向は紙面に垂直な方向）。載
置板３２は、ステージ本体２６から発せられる電磁波が
半導体装置１１に入ることを防止するために、電場及び
磁場をシールドする電磁遮蔽材からなる。また、載置板
３２は、測定精度の向上のために０Ｖに近い一定電位、
例えばマイナス２Ｖに維持できるように、テストヘッド
１２に電気配線３４で接続されている。
Ａ、Ｂに電圧を印加する電源２４や種々の計測器を有す
るテストヘッド本体２７と、テストヘッド本体２７の下
側に接続する平板状のヘッドプレート２８とを備えてい
る。ヘッドプレート２８は、カード状のプローブカード
１６を下面に有しており、プローブカード１６は、載置
板３２の上面に載置された半導体装置１１の電極に接触
するプローブピン１４Ａ、Ｂを下面に有する。ステージ
１８は、上下方向（図６のＺ方向）に昇降動自在なステ
ージ本体２６と、ステージ本体２６の上面に設けられた
円盤状の電気絶縁体３０と、電気絶縁体３０の上面に設
けられた円盤状の載置板３２とを備えている。ステージ
本体２６は、半導体装置１１の電極にプローブピン１４
Ａ、Ｂを接触させることができるよう、水平なＸーＹ平
面のＸ、Ｙ両方向に位置決め可能なようにされている
（Ｘ方向は図６参照。Ｙ方向は紙面に垂直な方向）。載
置板３２は、ステージ本体２６から発せられる電磁波が
半導体装置１１に入ることを防止するために、電場及び
磁場をシールドする電磁遮蔽材からなる。また、載置板
３２は、測定精度の向上のために０Ｖに近い一定電位、
例えばマイナス２Ｖに維持できるように、テストヘッド
１２に電気配線３４で接続されている。
【０００４】ウエハプローバ１０を用いて、例えばウエ
ハに形成された半導体装置１１の電極間に流れる電流値
を計測するには、電極を有する被試験面を上向きにして
半導体装置１１を載置板上に載置し、更に、ステージ１
８を所定高さにまで上昇させたときを想定して、プロー
ブピン１４Ａ、Ｂの先端が半導体装置１１の電極に接触
するように、Ｘ、Ｙ両方向の位置決めを行う。次いで、
ステージ１８を所定高さにまで上昇させ、プローブピン
１４Ａ、Ｂの先端を半導体装置１１の電極に接触させ
る。次いで、電源２４によりプローブピン１４Ａ、Ｂに
電圧を印加し、電極間に通電される電流値を計測する。
電圧は、通常、直流電圧である。
ハに形成された半導体装置１１の電極間に流れる電流値
を計測するには、電極を有する被試験面を上向きにして
半導体装置１１を載置板上に載置し、更に、ステージ１
８を所定高さにまで上昇させたときを想定して、プロー
ブピン１４Ａ、Ｂの先端が半導体装置１１の電極に接触
するように、Ｘ、Ｙ両方向の位置決めを行う。次いで、
ステージ１８を所定高さにまで上昇させ、プローブピン
１４Ａ、Ｂの先端を半導体装置１１の電極に接触させ
る。次いで、電源２４によりプローブピン１４Ａ、Ｂに
電圧を印加し、電極間に通電される電流値を計測する。
電圧は、通常、直流電圧である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のウエハ
プローバにより、半導体装置の電極間に流れる微弱な電
流値（以下、微弱電流値という）を計測すると、空中を
飛来する電磁波によるノイズ電流が計測値に含まれるこ
とが多く、このため、微弱電流値を正確に計測すること
ができないという問題があった。以上のような事情に照
らして、本発明の目的は、半導体装置に通電される微弱
電流を高い精度で計測するようにしたウエハプローバを
提供することである。
プローバにより、半導体装置の電極間に流れる微弱な電
流値（以下、微弱電流値という）を計測すると、空中を
飛来する電磁波によるノイズ電流が計測値に含まれるこ
とが多く、このため、微弱電流値を正確に計測すること
ができないという問題があった。以上のような事情に照
らして、本発明の目的は、半導体装置に通電される微弱
電流を高い精度で計測するようにしたウエハプローバを
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は、半導体装置
及びプローブカードの周囲を電磁遮蔽することを鋭意検
討し、本発明を完成するに至った。上記目的を達成する
ために、本発明に係るウエハプローバは、テストヘッド
と、テストヘッドの下面に付けられ、半導体装置の電極
に接触するプローブピン有するプローブカードと、テス
トヘッドの下方に位置し、ウエハに形成された半導体装
置を載置する載置板を上面に有して昇降動自在なステー
ジとを備え、半導体装置の電極にプローブピンを接触さ
せて半導体装置の特性を試験するウエハプローバにおい
て、テストヘッドの下面に設けられ、電磁遮蔽材からな
る平板状の上部シールド体と、ステージに設けられ、載
置板及び載置板上の半導体装置の周囲を囲む有底筒状の
電磁遮蔽材からなる下部シールド体とを備え、ステージ
を上昇させて半導体装置の電極をプローブピンに接触さ
せた際に、下部シールド体が上端で上部シールド体下面
に接触することを特徴としている。
及びプローブカードの周囲を電磁遮蔽することを鋭意検
討し、本発明を完成するに至った。上記目的を達成する
ために、本発明に係るウエハプローバは、テストヘッド
と、テストヘッドの下面に付けられ、半導体装置の電極
に接触するプローブピン有するプローブカードと、テス
トヘッドの下方に位置し、ウエハに形成された半導体装
置を載置する載置板を上面に有して昇降動自在なステー
ジとを備え、半導体装置の電極にプローブピンを接触さ
せて半導体装置の特性を試験するウエハプローバにおい
て、テストヘッドの下面に設けられ、電磁遮蔽材からな
る平板状の上部シールド体と、ステージに設けられ、載
置板及び載置板上の半導体装置の周囲を囲む有底筒状の
電磁遮蔽材からなる下部シールド体とを備え、ステージ
を上昇させて半導体装置の電極をプローブピンに接触さ
せた際に、下部シールド体が上端で上部シールド体下面
に接触することを特徴としている。
【０００７】下部シールド体及び上部シールド体の材質
は、例えば銅を含有する電気伝導率の高い磁性体であ
り、厚みは、通常、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であ
る。上部シールド体及び下部シールド体は、薄板状であ
っても網目状であってもよい。本発明により、半導体装
置及びプローブカードの周囲を電磁遮蔽した状態で微弱
電流値を計測することができる。しかも、半導体装置
は、載置板及びシールド体によって２重に電磁遮蔽され
ている。よって、本発明に係るウエハプローバを用いて
微弱電流値を計測すると、電磁波によるノイズ電流が計
測値に含まれることはないので、微弱電流値を高い精度
で計測することができる。電気絶縁体や下部シールド体
の底の平面形状は、円形でも長方形でもよく、特に限定
しない。
は、例えば銅を含有する電気伝導率の高い磁性体であ
り、厚みは、通常、０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲であ
る。上部シールド体及び下部シールド体は、薄板状であ
っても網目状であってもよい。本発明により、半導体装
置及びプローブカードの周囲を電磁遮蔽した状態で微弱
電流値を計測することができる。しかも、半導体装置
は、載置板及びシールド体によって２重に電磁遮蔽され
ている。よって、本発明に係るウエハプローバを用いて
微弱電流値を計測すると、電磁波によるノイズ電流が計
測値に含まれることはないので、微弱電流値を高い精度
で計測することができる。電気絶縁体や下部シールド体
の底の平面形状は、円形でも長方形でもよく、特に限定
しない。
【０００８】好適には、下部シールド体は、上下方向に
柔軟で、上部シールド体の下面に全周にわたり接触する
接触部を上端全周にわたって備えている。これにより、
半導体装置の電極にプローブピンを接触させた際に上部
シールド体及び下部シールド体によって形成されるゾー
ンは、完全に電磁遮蔽される。また、微弱電流値の計測
中にヘッドプレートとステージとが相対的に多少移動し
て、上部シールド体の下面と下部シールド体の上端との
上下方向の間隔が多少変動しても、接触部が上下方向に
伸縮し、上記ゾーンを完全に電磁遮蔽している状態が維
持される。よって、半導体装置の微弱電流値を更に高い
精度で測定することが可能になる。
柔軟で、上部シールド体の下面に全周にわたり接触する
接触部を上端全周にわたって備えている。これにより、
半導体装置の電極にプローブピンを接触させた際に上部
シールド体及び下部シールド体によって形成されるゾー
ンは、完全に電磁遮蔽される。また、微弱電流値の計測
中にヘッドプレートとステージとが相対的に多少移動し
て、上部シールド体の下面と下部シールド体の上端との
上下方向の間隔が多少変動しても、接触部が上下方向に
伸縮し、上記ゾーンを完全に電磁遮蔽している状態が維
持される。よって、半導体装置の微弱電流値を更に高い
精度で測定することが可能になる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明の好適な例である。図１は、本
実施形態例のウエハプローバの側面図であり、図２は矢
視Ｉ−Ｉから見た平面図でる。本実施形態例のウエハプ
ローバ３５は、従来のウエハプローバ１０に比べ、半導
体装置１１及びプローブピン１４Ａ、Ｂの周囲を電磁遮
蔽する上部シールド体３６及び下部シールド体３８を備
えている。本実施形態例では、従来と同じものには同じ
符号を付してその説明を省略する。上部シールド体３６
及び下部シールド体３８の材質は、例えば銅を含有する
電磁遮蔽材からなる。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより
詳細に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明の好適な例である。図１は、本
実施形態例のウエハプローバの側面図であり、図２は矢
視Ｉ−Ｉから見た平面図でる。本実施形態例のウエハプ
ローバ３５は、従来のウエハプローバ１０に比べ、半導
体装置１１及びプローブピン１４Ａ、Ｂの周囲を電磁遮
蔽する上部シールド体３６及び下部シールド体３８を備
えている。本実施形態例では、従来と同じものには同じ
符号を付してその説明を省略する。上部シールド体３６
及び下部シールド体３８の材質は、例えば銅を含有する
電磁遮蔽材からなる。
【００１０】上部シールド体３６は、テストヘッド１２
の下面に設けられた平板状のものであり、また、接地さ
れている。下部シールド体３８は、ステージ１８に設け
られ、載置板３２及び載置板上の半導体装置１１の周囲
を囲む有底筒状で、電磁遮蔽材からなる底部４０及び筒
部４２とから構成される。底部４０は、ステージ本体２
６と電気絶縁体３０との間に設けられた円盤状のもので
あり、電気絶縁体３０及び載置板３２よりも大きく、か
つ、上部シールド体３６よりも小さい平面寸法を有す
る。筒部４２は、底部４０の周縁から上方に延びた短円
筒状のものであり、ステージ１８を上昇させて半導体装
置１１の電極をプローブピン１４Ａ、Ｂに接触させた際
に、下部シールド体３８が上端４１で上部シールド体３
６下面に接触するように、Ｚ方向の寸法が決定されてい
る。尚、電気配線３４は、筒部４２を貫通して載置板３
２に電気接続している。
の下面に設けられた平板状のものであり、また、接地さ
れている。下部シールド体３８は、ステージ１８に設け
られ、載置板３２及び載置板上の半導体装置１１の周囲
を囲む有底筒状で、電磁遮蔽材からなる底部４０及び筒
部４２とから構成される。底部４０は、ステージ本体２
６と電気絶縁体３０との間に設けられた円盤状のもので
あり、電気絶縁体３０及び載置板３２よりも大きく、か
つ、上部シールド体３６よりも小さい平面寸法を有す
る。筒部４２は、底部４０の周縁から上方に延びた短円
筒状のものであり、ステージ１８を上昇させて半導体装
置１１の電極をプローブピン１４Ａ、Ｂに接触させた際
に、下部シールド体３８が上端４１で上部シールド体３
６下面に接触するように、Ｚ方向の寸法が決定されてい
る。尚、電気配線３４は、筒部４２を貫通して載置板３
２に電気接続している。
【００１１】図３は図２の矢視ＩＩ−ＩＩの部分拡大断
面図である。図２及び図３に示すように、筒部４２は、
上端４１に、上下方向（Ｚ方向）に柔軟で、上部シール
ド体３６の下面に全周にわたり接触するリング状の接触
部４４を上端４１の全周にわたって備えている。接触部
４４は、先端同士で互いに連続し、外向けにやや凸に湾
曲している外側部４６Ａと、内向けにやや凸に湾曲して
いる内側部４６Ｂとから構成され、先端５０が上方から
下方（図３のＵ方向）に押圧されると、先端５０で上方
に伸びる反発力を及ぼしながら、押圧力と反発力とが釣
り合う状態にまで先端５０の高さ位置が下がるような構
造を有する（図５参照）。外側部４６Ａ及び内側部４６
Ｂは、何れも、薄板を成形してなるものであり、材質
が、銅等の電気伝導率の高い物質を含有する磁性体で、
厚みｔが通常０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍである。尚、プ
ローブカード１６は、上部シールド体３６の下面に設け
られており、テストヘッド本体１２に電気的に接続する
ように配線されている。
面図である。図２及び図３に示すように、筒部４２は、
上端４１に、上下方向（Ｚ方向）に柔軟で、上部シール
ド体３６の下面に全周にわたり接触するリング状の接触
部４４を上端４１の全周にわたって備えている。接触部
４４は、先端同士で互いに連続し、外向けにやや凸に湾
曲している外側部４６Ａと、内向けにやや凸に湾曲して
いる内側部４６Ｂとから構成され、先端５０が上方から
下方（図３のＵ方向）に押圧されると、先端５０で上方
に伸びる反発力を及ぼしながら、押圧力と反発力とが釣
り合う状態にまで先端５０の高さ位置が下がるような構
造を有する（図５参照）。外側部４６Ａ及び内側部４６
Ｂは、何れも、薄板を成形してなるものであり、材質
が、銅等の電気伝導率の高い物質を含有する磁性体で、
厚みｔが通常０．０１ｍｍ〜０．５ｍｍである。尚、プ
ローブカード１６は、上部シールド体３６の下面に設け
られており、テストヘッド本体１２に電気的に接続する
ように配線されている。
【００１２】ウエハプローバ３５を用いて半導体装置の
微弱電流値を測定するには、先ず、ステージ１８を下降
させて下部シールド体３８の開口５２を開放し、半導体
装置１１を載置板３２の上面に載置し、更に、ステージ
１８をＸ、Ｙ両方向に位置決めする。次いで、ステージ
１８を所定高さにまで上昇させ、接触部４４がＺ方向に
充分に縮むようにして上部シールド体３６の下面と接触
部４４の先端５０とを接触させ、ステージ１８の上昇を
停止する。この結果、図４に示すように、プローブピン
１４Ａ、Ｂの先端が半導体装置１１の電極に接触し、か
つ、図５に示すように、接触部４４が全周にわたり上部
シールド体３６の下面に接触して、上部シールド体３６
及び下部シールド体３８によって形成されるゾーン５４
（図４参照）が完全に電磁遮蔽される。次いで、従来と
同様、プローブピン１４Ａ、Ｂに直流電圧を印加し、半
導体装置１１の電極間を流れる微弱電流値を計測する。
微弱電流値を測定するには、先ず、ステージ１８を下降
させて下部シールド体３８の開口５２を開放し、半導体
装置１１を載置板３２の上面に載置し、更に、ステージ
１８をＸ、Ｙ両方向に位置決めする。次いで、ステージ
１８を所定高さにまで上昇させ、接触部４４がＺ方向に
充分に縮むようにして上部シールド体３６の下面と接触
部４４の先端５０とを接触させ、ステージ１８の上昇を
停止する。この結果、図４に示すように、プローブピン
１４Ａ、Ｂの先端が半導体装置１１の電極に接触し、か
つ、図５に示すように、接触部４４が全周にわたり上部
シールド体３６の下面に接触して、上部シールド体３６
及び下部シールド体３８によって形成されるゾーン５４
（図４参照）が完全に電磁遮蔽される。次いで、従来と
同様、プローブピン１４Ａ、Ｂに直流電圧を印加し、半
導体装置１１の電極間を流れる微弱電流値を計測する。
【００１３】本実施形態例では、上部シールド体３６及
び下部シールド体３８によりゾーン５４が完全に電磁遮
蔽されるので、プローブカード１６及び半導体装置１１
は完全に電磁遮蔽される。また、半導体装置１１の微弱
電流値の計測中にヘッドプレート２８とステージ１８と
が相対的に多少移動して、上部シールド体３６の下面と
下部シールド体３８の上端４１との上下方向、すなわち
Ｚ方向の間隔が多少変動しても、接触部４４がＺ方向に
伸縮し、ゾーン５４を完全に電磁遮蔽している状態が維
持される。よって、微弱電流値の計測中にゾーン５４内
に電磁波が入ることが完全に防止され、半導体装置１１
の微弱電流値を大変高い精度で測定することが可能にな
る。尚、本実施形態例では、ヘッドプレート２８とステ
ージ１８とが、Ｘ又はＹ方向に相対的に移動しても、ゾ
ーン５４を完全に電磁遮蔽している状態が維持される。
び下部シールド体３８によりゾーン５４が完全に電磁遮
蔽されるので、プローブカード１６及び半導体装置１１
は完全に電磁遮蔽される。また、半導体装置１１の微弱
電流値の計測中にヘッドプレート２８とステージ１８と
が相対的に多少移動して、上部シールド体３６の下面と
下部シールド体３８の上端４１との上下方向、すなわち
Ｚ方向の間隔が多少変動しても、接触部４４がＺ方向に
伸縮し、ゾーン５４を完全に電磁遮蔽している状態が維
持される。よって、微弱電流値の計測中にゾーン５４内
に電磁波が入ることが完全に防止され、半導体装置１１
の微弱電流値を大変高い精度で測定することが可能にな
る。尚、本実施形態例では、ヘッドプレート２８とステ
ージ１８とが、Ｘ又はＹ方向に相対的に移動しても、ゾ
ーン５４を完全に電磁遮蔽している状態が維持される。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、テストヘッドの下面に
設けられ、電磁遮蔽材からなる平板状の上部シールド体
と、ステージに設けられ、載置板及び載置板上の半導体
装置の周囲を囲む有底筒状の電磁遮蔽材からなる下部シ
ールド体とを備えている。また、ステージを上昇させて
半導体装置の電極をプローブピンに接触させた際に、下
部シールド体が上端で上部シールド体下面に接触するよ
うにされている。これにより、半導体装置及びプローブ
ピンの周囲を電磁遮蔽した状態で、半導体装置の電極間
に流れる微弱電流の値（微弱電流値）を計測することが
できる。よって、電磁波によるノイズ電流がこの微弱電
流値に加えられて計測されることはないので、微弱電流
値を高い精度で計測することができる。
設けられ、電磁遮蔽材からなる平板状の上部シールド体
と、ステージに設けられ、載置板及び載置板上の半導体
装置の周囲を囲む有底筒状の電磁遮蔽材からなる下部シ
ールド体とを備えている。また、ステージを上昇させて
半導体装置の電極をプローブピンに接触させた際に、下
部シールド体が上端で上部シールド体下面に接触するよ
うにされている。これにより、半導体装置及びプローブ
ピンの周囲を電磁遮蔽した状態で、半導体装置の電極間
に流れる微弱電流の値（微弱電流値）を計測することが
できる。よって、電磁波によるノイズ電流がこの微弱電
流値に加えられて計測されることはないので、微弱電流
値を高い精度で計測することができる。
【００１５】好適には、下部シールド体は、上下方向に
柔軟で、上部シールド体の下面に全周にわたり接触する
接触部を上端全周にわたって備えている。これにより、
半導体装置の微弱電流値の計測中にヘッドプレートとス
テージとが相対的に多少移動して、上部シールド体の下
面と下部シールド体の上端との上下方向の間隔が多少変
動しても、接触部が上下に伸縮するので、シールド体に
よって形成されるゾーンを電磁遮蔽している状態が維持
される。よって、半導体装置の微弱電流値を更に高い精
度で測定することが可能になる。
柔軟で、上部シールド体の下面に全周にわたり接触する
接触部を上端全周にわたって備えている。これにより、
半導体装置の微弱電流値の計測中にヘッドプレートとス
テージとが相対的に多少移動して、上部シールド体の下
面と下部シールド体の上端との上下方向の間隔が多少変
動しても、接触部が上下に伸縮するので、シールド体に
よって形成されるゾーンを電磁遮蔽している状態が維持
される。よって、半導体装置の微弱電流値を更に高い精
度で測定することが可能になる。
【図１】実施形態例のウエハプローバの構成を示す側面
図である。
図である。
【図２】矢視Ｉ−Ｉから見た平面図である。
【図３】矢視ＩＩ−ＩＩから見た平面図である。
【図４】実施形態例で、シールド体により電磁遮蔽した
状態を示す側面図である。
状態を示す側面図である。
【図５】実施形態例で、シールド体により電磁遮蔽した
状態を示す部分拡大断面図である。
状態を示す部分拡大断面図である。
【図６】従来のウエハプローバの構成の一例を示す側面
図である。
図である。
１０……ウエハプローバ、１１……半導体装置、１２…
…テストヘッド、１４Ａ、Ｂ……プローブピン、１６…
…プローブカード、１８……ステージ、２４……電源、
２６……ステージ本体、２７……テストヘッド本体、２
８……ヘッドプレート、３０……電気絶縁体、３２……
載置板、３４……電気配線、３５……ウエハプローバ、
３６……上部シールド体、３８……下部シールド体、４
０……底部、４１……上端、４２……筒部、４４……接
触部、４６Ａ……外側部、４６Ｂ……内側部、５０……
先端、５２……開口、５４……ゾーン。
…テストヘッド、１４Ａ、Ｂ……プローブピン、１６…
…プローブカード、１８……ステージ、２４……電源、
２６……ステージ本体、２７……テストヘッド本体、２
８……ヘッドプレート、３０……電気絶縁体、３２……
載置板、３４……電気配線、３５……ウエハプローバ、
３６……上部シールド体、３８……下部シールド体、４
０……底部、４１……上端、４２……筒部、４４……接
触部、４６Ａ……外側部、４６Ｂ……内側部、５０……
先端、５２……開口、５４……ゾーン。
Claims (2)
- 【請求項１】 テストヘッドと、テストヘッドの下面に
付けられ、半導体装置の電極に接触するプローブピン有
するプローブカードと、テストヘッドの下方に位置し、
ウエハに形成された半導体装置を載置する載置板を上面
に有して昇降動自在なステージとを備え、半導体装置の
電極にプローブピンを接触させて半導体装置の特性を試
験するウエハプローバにおいて、 テストヘッドの下面に設けられ、電磁遮蔽材からなる平
板状の上部シールド体と、 ステージに設けられ、載置板及び載置板上の半導体装置
の周囲を囲む有底筒状の電磁遮蔽材からなる下部シール
ド体とを備え、ステージを上昇させて半導体装置の電極
をプローブピンに接触させた際に、下部シールド体が上
端で上部シールド体下面に接触することを特徴とするウ
エハプローバ。 - 【請求項２】 下部シールド体は、上下方向に柔軟で、
上部シールド体の下面に全周にわたり接触する接触部を
上端全周にわたって備えていることを特徴とする請求項
１に記載のウエハプローバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265808A JPH11111789A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9265808A JPH11111789A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11111789A true JPH11111789A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17422343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9265808A Pending JPH11111789A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | ウエハプローバ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11111789A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100577554B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 노이즈 억제부를 가지는 반도체 소자 테스트용 프로브 장치 및그에 따른 노이즈 억제방법 |
| JP2008131047A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 標本支持台と標本支持台の使用の下で検査物質を検査する方法 |
| JP2009032902A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造方法及び製造装置 |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP9265808A patent/JPH11111789A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100577554B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 노이즈 억제부를 가지는 반도체 소자 테스트용 프로브 장치 및그에 따른 노이즈 억제방법 |
| JP2008131047A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 標本支持台と標本支持台の使用の下で検査物質を検査する方法 |
| JP2009032902A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Renesas Technology Corp | 半導体製造方法及び製造装置 |
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