JPH01214038A - プローブカード - Google Patents
プローブカードInfo
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- JPH01214038A JPH01214038A JP3992588A JP3992588A JPH01214038A JP H01214038 A JPH01214038 A JP H01214038A JP 3992588 A JP3992588 A JP 3992588A JP 3992588 A JP3992588 A JP 3992588A JP H01214038 A JPH01214038 A JP H01214038A
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 13
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Landscapes
- Details Of Measuring And Other Instruments (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハ上に形成された半導体素子の電気的
特性を測定する際に用いられるプローブカードに関する
。
特性を測定する際に用いられるプローブカードに関する
。
従来から、この種のプローブカードとして、第４図（ａ
） 、 （ｂ）に示すような構成のものが知られている
。このプローブカード１０は、プローブカード基板１）
と、この基板１）に形成された貫通孔１２の内周縁部に
配設された固定部材１３と、半導体素子（図示していな
い）に測定用入出力信号を印加する複数のプローブ針１
４とを備えている。
） 、 （ｂ）に示すような構成のものが知られている
。このプローブカード１０は、プローブカード基板１）
と、この基板１）に形成された貫通孔１２の内周縁部に
配設された固定部材１３と、半導体素子（図示していな
い）に測定用入出力信号を印加する複数のプローブ針１
４とを備えている。
そして、このプローブカード１０による半導体素子の電
気的特性測定は、つぎのような手順で行われている。
気的特性測定は、つぎのような手順で行われている。
まず、プローブ針１４それぞれの位置をウェハ（図示し
ていない）上に形成された測定すべき半導体素子のパッ
ドと対応する位置となるように設定し、プローブ針１４
の先端側１４ａをプローブカード基板１）の貫通孔１２
から下方に突出させたうえで固定部材１３を介してプロ
ーブカード基板１）に固定配置する。ついで、このプロ
ーブカードｌＯと被測定用のウェハとを互いに対向配置
した状態でウェハプロービング装置、いわゆるプローバ
（図示していない）に装着し、プローブ針１４などの測
定系を通じて半導体素子と外部電源や測定機器などとの
間で測定用入出力信号の授受を行うことにより、半導体
素子の電気的特性を測定する。
ていない）上に形成された測定すべき半導体素子のパッ
ドと対応する位置となるように設定し、プローブ針１４
の先端側１４ａをプローブカード基板１）の貫通孔１２
から下方に突出させたうえで固定部材１３を介してプロ
ーブカード基板１）に固定配置する。ついで、このプロ
ーブカードｌＯと被測定用のウェハとを互いに対向配置
した状態でウェハプロービング装置、いわゆるプローバ
（図示していない）に装着し、プローブ針１４などの測
定系を通じて半導体素子と外部電源や測定機器などとの
間で測定用入出力信号の授受を行うことにより、半導体
素子の電気的特性を測定する。
ところで、前記構成のプローブカード１０においては、
これを用いて半導体素子の電気的特性を測定する際、半
導体素子の入力側および出力側のそれぞれに対応するプ
ローブ針１４間に存在する寄生容量を介して入出力間に
高周波成分の帰還がかかってしまうため、発振現象が発
生してしまい、この発振現象の影響によって半導体素子
の電気的特性を精度よく測定することが極めて困難にな
ってしまうという問題点があった。
これを用いて半導体素子の電気的特性を測定する際、半
導体素子の入力側および出力側のそれぞれに対応するプ
ローブ針１４間に存在する寄生容量を介して入出力間に
高周波成分の帰還がかかってしまうため、発振現象が発
生してしまい、この発振現象の影響によって半導体素子
の電気的特性を精度よく測定することが極めて困難にな
ってしまうという問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たものであって、半導体素子の電気的特性測定時に発生
する発振現象を抑制し、測定精度の向上を図ることがで
きるプローブカードの提供この発明は、貫通孔を有する
プローブカード基板と、前記貫通孔の内周縁部に配設さ
れた固定部材と、この固定部材を介して前記プローブカ
ード基板に固定配置されたプローブ針とを備えたプロー
ブカードにおいて、少なくとも前記プローブ針が配置さ
れた領域近傍の前記固定部材に電波吸収材を配設した構
成に特徴を有するものである。
たものであって、半導体素子の電気的特性測定時に発生
する発振現象を抑制し、測定精度の向上を図ることがで
きるプローブカードの提供この発明は、貫通孔を有する
プローブカード基板と、前記貫通孔の内周縁部に配設さ
れた固定部材と、この固定部材を介して前記プローブカ
ード基板に固定配置されたプローブ針とを備えたプロー
ブカードにおいて、少なくとも前記プローブ針が配置さ
れた領域近傍の前記固定部材に電波吸収材を配設した構
成に特徴を有するものである。
上記構成によれば、プローブ針が配置された領域近傍に
電波吸収材を配設しているので、この電波吸収材によっ
て半導体素子およびプローブ針などの測定系を通じて発
生する発振現象によるｔ磁波が吸収されることになるた
め、発振現象の発生が有効に抑制され、半導体素子の電
気的特性が精度よく測定されることになる。
電波吸収材を配設しているので、この電波吸収材によっ
て半導体素子およびプローブ針などの測定系を通じて発
生する発振現象によるｔ磁波が吸収されることになるた
め、発振現象の発生が有効に抑制され、半導体素子の電
気的特性が精度よく測定されることになる。
（実施例〕
以下、この発明の実施例を図に基づいて説明する。
第１図（８）は本発明の一実施例に係るプローブカード
の構成を示す平面図、第１図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿
う断面図であり、これらの図における符号１はプローブ
カード、２は電波吸収材である。
の構成を示す平面図、第１図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿
う断面図であり、これらの図における符号１はプローブ
カード、２は電波吸収材である。
なお、このプローブカード１における電波吸収材２を配
設した以外の構成については、前述した第４図に示す従
来例と同様であるから、第１図（ａ）。
設した以外の構成については、前述した第４図に示す従
来例と同様であるから、第１図（ａ）。
（ｂ）において、第４図（ａ） 、 （ｂ）と同一もし
くは相当する部品、部分には同一符号を付している。
くは相当する部品、部分には同一符号を付している。
このプローブカード１は、貫通孔１２を有するプローブ
カード基板１）と、前記貫通孔１２の内周縁部に配設さ
れたエポキシ系樹脂などからなる円輪状の固定部材１３
と、この固定部材１３を介して前記プローブカード基板
１）に固定配置された複数のプローブ針１４とを備えて
いる。そして、この固定部材１３の下面側には、これよ
りも幅狭の円輪状に形成されたフェライトなどの磁性材
料からなる電波吸収材２が接着などの手段によって固定
的に配設されている。なお、これらの図における符号３
はプローブカード基板１）の端部に配設されたエツジコ
ネクタ端子であり、４はエツジコネクタ端子３とプロー
ブ針１４とを個別に接続する配線である。
カード基板１）と、前記貫通孔１２の内周縁部に配設さ
れたエポキシ系樹脂などからなる円輪状の固定部材１３
と、この固定部材１３を介して前記プローブカード基板
１）に固定配置された複数のプローブ針１４とを備えて
いる。そして、この固定部材１３の下面側には、これよ
りも幅狭の円輪状に形成されたフェライトなどの磁性材
料からなる電波吸収材２が接着などの手段によって固定
的に配設されている。なお、これらの図における符号３
はプローブカード基板１）の端部に配設されたエツジコ
ネクタ端子であり、４はエツジコネクタ端子３とプロー
ブ針１４とを個別に接続する配線である。
ところで、この電波吸収材２の配設位置については固定
部材１３の下面側に限定されるものではなく、例えば、
第２図の変形例で示すように、固定部材１３の上面側も
しくは固定部材１３の内周面側（図において、仮想線で
示す）に配設されていてもよい、また、この電波吸収材
２は、必ずしもプローブカード基板１）の貫通孔１２を
全面的に堰り囲むように形成されている必要はなく、少
なくともプローブ針１４が配置された領域近傍の固定部
材１３にのみ配設されていればよい。さらに、本実施例
においては、成形体としての電波吸収材２を固定部材１
３に配設するものとしているが、このような成形体に代
えて、粉末状の磁性材料からなる導電ペーストを塗布す
ることによって形成してもよいことはいうまでもない。
部材１３の下面側に限定されるものではなく、例えば、
第２図の変形例で示すように、固定部材１３の上面側も
しくは固定部材１３の内周面側（図において、仮想線で
示す）に配設されていてもよい、また、この電波吸収材
２は、必ずしもプローブカード基板１）の貫通孔１２を
全面的に堰り囲むように形成されている必要はなく、少
なくともプローブ針１４が配置された領域近傍の固定部
材１３にのみ配設されていればよい。さらに、本実施例
においては、成形体としての電波吸収材２を固定部材１
３に配設するものとしているが、このような成形体に代
えて、粉末状の磁性材料からなる導電ペーストを塗布す
ることによって形成してもよいことはいうまでもない。
つぎに、上記構成とされたプローブカードｌによる半導
体素子の電気的特性の測定手順を、第３図の特性測定時
の状態を示す概略構成図に基づいて説明する。
体素子の電気的特性の測定手順を、第３図の特性測定時
の状態を示す概略構成図に基づいて説明する。
まず、プローブカードｌのプローブ針１４それぞれの位
置をウェハ５の表面に形成された半導体素子のパッド６
と互いに対応する位置に設定したうえ、これらのプロー
ブ針１４の先端側１４ａをプロープカード基板１）の貫
通孔１２から下方に突出させ、固定部材１３を介してプ
ローブカード基板１）に固定配置する。つぎに、ブロー
パ（図示していない）を構成するステージ７上に被測定
用のウェハ５を載置して固定するとともに、このウェハ
５と対向する状態で配置されたプローブカード１をプロ
ーバに装着する。そして、プローブカードｌのプローブ
針１４を所定の被測定用半導体素子のパッド６にそれぞ
れ接触させ、これらのプローブ針１４とエツジコネクタ
端子３と配線４とを通じて半導体素子と外部電源や測定
機器など（いずれも図示していない）との間で測定用入
出力信号の授受を行い、この半導体素子の有する電気的
特性を測定する。
置をウェハ５の表面に形成された半導体素子のパッド６
と互いに対応する位置に設定したうえ、これらのプロー
ブ針１４の先端側１４ａをプロープカード基板１）の貫
通孔１２から下方に突出させ、固定部材１３を介してプ
ローブカード基板１）に固定配置する。つぎに、ブロー
パ（図示していない）を構成するステージ７上に被測定
用のウェハ５を載置して固定するとともに、このウェハ
５と対向する状態で配置されたプローブカード１をプロ
ーバに装着する。そして、プローブカードｌのプローブ
針１４を所定の被測定用半導体素子のパッド６にそれぞ
れ接触させ、これらのプローブ針１４とエツジコネクタ
端子３と配線４とを通じて半導体素子と外部電源や測定
機器など（いずれも図示していない）との間で測定用入
出力信号の授受を行い、この半導体素子の有する電気的
特性を測定する。
ところで、この際、半導体素子の入力側および出力側の
それぞれに対応するプローブ針１４間に存在する寄生容
量を介して入出力間に高周波成分の帰還がかかって発振
現象が発生することになるが、本実施例においては、少
なくともプローブ針１４が配置された領域近傍の固定部
材１３に電波吸収材２が配設されているので、この電波
吸収材２によって半導体素子およびプローブ針１４など
の測定系を通じて発生する発振現象による電磁波が吸収
されることになり、発振現象の発生が有効に抑制される
ことになる。そして、１つの半導体素子の測定が終了す
るごとに、ブローバのステージを所定距離ずつ移動させ
ることにより、ウェハ５に形成された半導体素子の電気
的特性を順次測定する。
それぞれに対応するプローブ針１４間に存在する寄生容
量を介して入出力間に高周波成分の帰還がかかって発振
現象が発生することになるが、本実施例においては、少
なくともプローブ針１４が配置された領域近傍の固定部
材１３に電波吸収材２が配設されているので、この電波
吸収材２によって半導体素子およびプローブ針１４など
の測定系を通じて発生する発振現象による電磁波が吸収
されることになり、発振現象の発生が有効に抑制される
ことになる。そして、１つの半導体素子の測定が終了す
るごとに、ブローバのステージを所定距離ずつ移動させ
ることにより、ウェハ５に形成された半導体素子の電気
的特性を順次測定する。
以上説明したように、この発明に係るプローブカードに
おいては、プローブカード基板に形成された貫通孔の内
周縁部に配設された固定部材の少なくともプローブ針が
配置された領域近傍に電波吸収材を配設しているので、
この電波吸収材によって半導体素子および測定系を通じ
て発生する発振現象による電磁波が吸収されることにな
る。したがって、電波吸収材によって発振現象の発生が
有効に抑制されることになる結果、半導体素子における
電気的特性の測定精度の向上を図ることができる。
おいては、プローブカード基板に形成された貫通孔の内
周縁部に配設された固定部材の少なくともプローブ針が
配置された領域近傍に電波吸収材を配設しているので、
この電波吸収材によって半導体素子および測定系を通じ
て発生する発振現象による電磁波が吸収されることにな
る。したがって、電波吸収材によって発振現象の発生が
有効に抑制されることになる結果、半導体素子における
電気的特性の測定精度の向上を図ることができる。
第１図ないし第３図は本発明に係り、第１図（ａ）は本
発明の一実施例に係るプローブカードの構成を示す平面
図、第１図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第２図
はその変形例を示す断面図であり、第３図は半導体素子
の電気的特性測定時の状態を示す概略構成図である。 また、第４図は従来例に係り、第４図（ａ）はプローブ
カードの構成を示す平面図、第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ
線に沿う断面図である。 図における符号ｌはプローブカード、２は電波吸収材、
１）はプローブカード基板、１２は貫通孔、１３は固定
部材、１４はプローブ針である。 なお、図中の同一符号は、同一または相当する部品、部
分を示している。
発明の一実施例に係るプローブカードの構成を示す平面
図、第１図（ｂ）はそのＢ−Ｂ線に沿う断面図、第２図
はその変形例を示す断面図であり、第３図は半導体素子
の電気的特性測定時の状態を示す概略構成図である。 また、第４図は従来例に係り、第４図（ａ）はプローブ
カードの構成を示す平面図、第４図（ｂ）はそのＡ−Ａ
線に沿う断面図である。 図における符号ｌはプローブカード、２は電波吸収材、
１）はプローブカード基板、１２は貫通孔、１３は固定
部材、１４はプローブ針である。 なお、図中の同一符号は、同一または相当する部品、部
分を示している。
Claims (1)
- （１）貫通孔を有するプローブカード基板と、前記貫通
孔の内周縁部に配設された固定部材と、この固定部材を
介して前記プローブカード基板に固定配置されたプロー
ブ針とを備えたプローブカードにおいて、 少なくとも前記プローブ針が配置された領域近傍の前記
固定部材に、電波吸収材を配設したことを特徴とするプ
ローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3992588A JPH01214038A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | プローブカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3992588A JPH01214038A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | プローブカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01214038A true JPH01214038A (ja) | 1989-08-28 |
Family
ID=12566512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3992588A Pending JPH01214038A (ja) | 1988-02-22 | 1988-02-22 | プローブカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01214038A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921401A1 (en) * | 1996-06-28 | 1999-06-09 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Probe and method for inspection of electronic circuit board |
| US7138813B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-11-21 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
| US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
-
1988
- 1988-02-22 JP JP3992588A patent/JPH01214038A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0921401A1 (en) * | 1996-06-28 | 1999-06-09 | Shin-Etsu Polymer Co., Ltd. | Probe and method for inspection of electronic circuit board |
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| US7492175B2 (en) | 2001-08-21 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7876115B2 (en) | 2003-05-23 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US8013623B2 (en) | 2004-09-13 | 2011-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
| US10267848B2 (en) | 2008-11-21 | 2019-04-23 | Formfactor Beaverton, Inc. | Method of electrically contacting a bond pad of a device under test with a probe |
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