JPS60236241A - ウエハプローブ - Google Patents

ウエハプローブ

Info

Publication number
JPS60236241A
JPS60236241A JP60090791A JP9079185A JPS60236241A JP S60236241 A JPS60236241 A JP S60236241A JP 60090791 A JP60090791 A JP 60090791A JP 9079185 A JP9079185 A JP 9079185A JP S60236241 A JPS60236241 A JP S60236241A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
probe
wafer
transmission line
wafer probe
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP60090791A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0650753B2 (ja
Inventor
ラリー・アール・ロツクウツド
キムベリー・アール・グリーソン
エリツク・ダブリユー・ストリツド
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
KASUKEEDO MAIKUROTETSUKU Inc
Original Assignee
KASUKEEDO MAIKUROTETSUKU Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by KASUKEEDO MAIKUROTETSUKU Inc filed Critical KASUKEEDO MAIKUROTETSUKU Inc
Publication of JPS60236241A publication Critical patent/JPS60236241A/ja
Publication of JPH0650753B2 publication Critical patent/JPH0650753B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/06772—High frequency probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
    • G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の技術分子Ｐ］ 本発明は集積回路（Ｉ　Ｃ）用測定装置、特にＹ４体又
は絶縁ウェハ４二に製造したプレーナ素ｆ（ＩＣ素子）
の電気的緒特性を測定するウェハプローブ装置に関する
。
［背景技術］ ウェハプローブはネットワークアナライザ、オシロスコ
ープ等の試験計測機器をウェハｌ−のＩＣ素子の微小端
子点（ポンディングパッド）に一時的に接続する装置で
ある。このウェハプローブを使用することにより、ウェ
ハ上に製造された多数のＩＣ素子を分割し、ワイヤポン
ディングし、パッケージングを行なう前に、各ＩＣ素子
を動作させてテストし、ウェハ上各部に形成されたＩＣ
Ｊ子の特性、バラツキその他を知ることが可能になる。
従来のウェハプローブの最大の問題点は、例えば２ＧＨ
ｚ以上の高周波信号を印加して低インピーダンス点にコ
ンタクトする際に、デバイスの電気的緒特性が高精度で
測定できないということである。この精度の問題は、プ
ローブ自体の高周波特性に起因するものである。このよ
うな高周波では、プローブの大きなインダクタンス或い
はプローブの放射インピーダンスの変化が実施するテス
トの精度を大幅に減少してしまう、コンピュータを用い
て測定値の補正を行なうと、高インピーダンスによる悪
影響はある程度軽減できようが、放射は一般に反復再現
性に欠けるので補正しえない。
これらの精度の問題は、本願発明者が１９８１年１１月
４日付で米国に出願した先願（出願番号節３１８，０８
４号）に開示する改良したウェハプローブにより大幅に
軽減できた０本願発明はウェハプローブの一層の改善を
図るものであって、プローブの高インダクタンス及びプ
ローブ放射インピーダンスの変化を軽減しなければ一層
明白になる非反復性の測定不正確さの他の源を軽減する
ことである。
この付加的な測定不正確さの源は、従来のウェハプロー
ブで被測定デバイス（ＤＵＴ）から伝達又は反射された
エネルギの一部が、伝送線モートをエキサイトするとき
生じる。この伝送線モートは、プローブ伝送線のシール
ド即ぢ接Ｊ′１！！線が一方の導体となり、ウェハステ
ージ、ウェハ又はその他近傍の導体が他方の導体となる
ことにより生ずる。この「外部導体」モードのエネルギ
は、典型的にはプローブ板を伝播し、プローブの取（す
はブロック又は他の不連続点で反射され、再びプローブ
板を逆方向に伝播する。ＤＵＴに到達すると、「外部導
体」モードエネルギのいくらかはノーマルモードにカッ
プリングされ、残りはＤＵＴで熱となり、或いは再びプ
ローブに反射される。よって、ＤＵＴとプローブ取付は
部間で交互に反射するエネルギによる共振器が生ずる。
「外部導体Ｊモードはプローブ板上で共振するが、その
エネルギの一部はまた放射される。
「外部導体」モード共振からのこの放射は、放射された
エネルギが導体からウェハステージの付近に反射され、
これら導体はウェハに対して動くのが普通であるので、
非反復再現性の測定結果化ずるので特に好ましくない。
したがって、必要であり且つ有用なことは、プローブの
過大なインダクタンス及び変化するプローブ放射インピ
ーダンスによる誤差を最小にし、グローブ接地に沿った
伝送線モード共振による放射を最小にすることにより、
ウェハ上で高精瓜の測定ができるようにウェハプローブ
のインダクタンスを低くすることである。
［発明の目的］ したがって１本発明の目的は、ウェハ上のＩＣ素子を高
精度で測定できるウェハプローブを提供することである
。
本発明の他の目的は、プローブのインピーダンスの過大
又は変化、インピーダンス不整合及びプローブ接地に沿
う伝送線モード共振による悪影響を軽減したウェハプロ
ーブを提供することである。
［発明の概要］ 本発明によるウェハプローブは、ウェハプローブの接地
プレーンに沿って伝播するマイクロ波エネルギを減衰す
るべく配したマイクロ波吸収体を有する。このマイクロ
波吸収体の付加により、プローブ接地導体内の伝送線モ
ード共振を大幅に軽減し、その結果発生する放射を減少
する。
本発明の特定実施例では、マイクロ波吸収体は前述した
先願発明に開示する如き形式のウェハプローブに組み込
んでいる。この改良プローブは伝送線アセンブリ、取付
はブロックに取り付けた同軸ケーブルコネクタ、及び伝
送線アセンブリの周囲のマイクロ波吸収体層とより成る
。この伝送線アセンブリは、テーパを付したアルミナ基
板に被着形成した接地及び信号導体より成り、ＤＵＴの
ポンディングパッドとコネクタ間に信号を導き、このコ
ネクタから同軸ケーブルで信号をプローブと計測機器間
で伝達する。伝送線の接地及び信号導体の寸法と構造は
同軸ケーブルの特性インピーダンスと一致するように調
整される。この構成により同軸ケーブルの例えば５０Ω
の環境をＤＵＴのホンディングパッドまで延長するので
、高いテスト周波数での過度のプローブインピーダンス
。
インピーダンス不整合及びプローブの放射インピーダン
スの変化による誤差を大幅に減少できる。
伝送線アセンブリをほぼ取り囲み、またプローブ接地と
接触してもよいマイクロ波吸収体はプローブの接地プレ
ーンを伝播するエネルギを吸収して、このエネルギが共
振し、放射し又はノーマル伝送線モードを再度エキサイ
トするのを阻止する。
よって、本発明のマイクロ波つエノ＼プローブは、トラ
ンジスタ、インダクタ、コンデンサ、抵抗器、ＩＣ１表
面弾性波（ＳＡＷ）フィルタ等のＤＣＮ１８ＧＨｚの高
周波広帯域デバイスの如き微小ブレーナデバイスのウェ
ハ上での高精度測定を可能にする。このプローブにネッ
トワークアナライザを接続し、波長より十分小さい標準
インピーダンスを使用して校正することにより、十分高
精度のチップ測定が可能になる。この精度改善は治具、
パッケージ及びポンドワイヤの再現不能な寄生インピー
ダンスの排除、及びプローブ接地に沿う伝送線モード共
振による放射の排除ないし大幅な軽減によるものである
。
本発明のウェハプローブによると、チップ−１−の１以
上のポンディングパッドに、ウニ八分割、取付は及びポ
ンディングを行なうことなく、迅速１１つ同時に測定が
可能になる。また、このウェハプローブはポンディング
を実施する前にＲＦ動作特性につきダイの選択を可能と
し、またウェハ状！と。
のままでＩＣデバイスのマイクロ波特性を自動的にトリ
ミングすることを５丁能にする。
本発明の要旨とするところは、特許請求の範囲に明記し
ている。しかし、本発明の新規な構成。
動作方法、作用効果等については、添付図を参ｉＱ１し
て行なう下記の実施例に関する説明を読めばよく理解で
きよう。
［実施例］ 先ず、本発明のウェハプローブの分解組立図を示す第１
図を参照する。このウェハプローブは取伺はブロック１
７、伝送線アセンブリ１９、金属製チャンネル３５、上
部吸収体層２１、中間吸収体層２３、下部吸収体層２５
及びコネクタ２７より構成される。第２図及び第３図は
、プレーナデバイス１５の中から選択された回路部品を
テストする為に、ウェハ１６上のプレーナデバイス１５
のポンディングパッドに最小スペースで接触するウェハ
プローブ１１を示す。
第１図において、伝送線アセンブリ１９はテーパを有す
る厚さ約１０ミル（０，２５＋ａｍ）のアルミナ（ＡＩ
□０３）の如き調型体製プローブ板３３に被着した信号
導体２９と１対の接地導体３１より成る。
信号導体２９と接地導体３１はプローブ板３３のアルミ
ナ基板上に被着した金等の導電体ストリップである。第
６図で明らかな如く、導体２９と３１とはプローブ板の
先端４１に向って細くなり、ＤＵＴのポンディングパッ
ドと合致するよう構成される。デバイスのポンディング
パッドとの接触は信号導体２９と接地導体３１の先端に
取付けた小さい金製接触パッド３７で行なう。
第６図中、信号導体２９の幅と内接地導体３１からの間
隔はプローブ先端４１の極近傍まで一定に維持される。
そして、信号導体２９と接地導体３１どはプローブ板先
端４１で、例えばｌＯミル（０，２５ｍｍ）からｌミル
（０，０２５腸ｌ）の幅にテーパ状に狭くなっている。
信号導体２９と接地導体３１との間隔もこれに応じてプ
ローブ板先端４１ではテーパ状に狭くなり、信号導体２
９と接地導体３１とで形成される伝送線がＤＵＴのポン
ディングパッドとの接触点まで含めて伝送線アセンブリ
１９の全長にわたって一定特性インピーダンス（例えば
５０Ω）となることに注目されたい。（尚、パッドはプ
ローブ板先端４１における導体２９及び３１の幅と略同
じであって、表面積が約２ミル（０，０５ｔ＋ｗ）平方
であり、中心間隔は約４ミル（０，１＋ｉｍ）である、
） 第１図に示す始く、伝送線アセンブリ１９はマイクロ波
吸収体層２１．２３．２５で略完全に取り囲まれている
。これら吸収体層は空中の相対特性インピーダンスに近
い（ｌ　Ｚ　ｌ／Ｉ　Ｚｏｌ　＝０．５〜０゜７）が高
い磁性損失係数のマイクロ波吸収体製である。この特性
インピーダンスの材料はマイクロ波エネルギを反射せず
、また誘電体伝送線モードを形成することはない、適当
なマイクロ波吸収体の例としては、エマーノンｅアンド
・カミング・インコーホレイテッド製の「エコンーブ（
Ｅｃｃｏｓｏｒｂ）Ｊブランドモデル名ＧＤＳ、ＭＦ−
Ｓ、ＭＦ及びＣＲ−３等の鉄又はフェライト含有体があ
る。第５図に示すとおり、上部吸収体層２１は、信号導
体２９から吸収体を離間すべく四部が形成されており、
プローブ板３３の上側に取付けられている。中間及び下
部吸収体層２３及び２５はプローブ板３３の下側に金属
製チャンネル３５と接触して取付けられる。この金属チ
ャンネル３５は接地導体３１に接触し、信号導体２９を
またぎ、信号導体２９のまわりに吸収空間を設け、両側
の接地導体３１を電気的に結合することにより伝送線ア
センブリ１９の構造上の一体性を改善し、且つ信号導体
２９をシールドする。伝送線アセンブリ１９とコネクタ
２７とは、第４図に明示する如く数句はブロック１７に
取付けられている。この好適実施例では、ブロック１７
もまたマイクロ波吸収体であって、吸収体層２１．２３
．２５と類似の特性を有する。信号導体２９は導電タブ
３７によりコネクタ２７１−で終端される。コネクタ２
７は外部ケーブル（例えば５０Ω同軸ケーブル、図示せ
ず）をウェハプローブ１１に接続して外部計測機器へ信
号伝達を可能にする。
このウェハプローブの構造は、ＤＵＴの形状に応じて変
更できる。単一信号導体を有するプローブにつき説明し
てきたが、プレーナデバイスの複数のポンディングパッ
ドを同時にプロービングできるように複数の信号導体及
び接地導体を具える同様のウェハプローブを作ることも
０■能である。
例えば、第７図及び第８図は本発明の他の実施例による
多信号用ウェハグローブ４３であって、複数の信号導体
２９と接地面プローブ導体３１とが台形状の単一ウニバ
ブローブ板３３内に組合わせ形成されている。第７図は
多信号用ウェハプローブ４３の■面図（第５図相当）で
あって、に部、中間及び底部吸収層２１．２３及び２５
がプローブ板３３を略包囲する。金属チャンネル３５は
接地導体３１のすべてを電気的に接続すると共に信号導
体２９にはスペースを設ける。コネクタ２７は信号導体
２９と外部ケーブルを接続するためである。第８図は多
信号用ウェハプローブ４３のプローブ板３３の下側先端
部４１の拡大図である。
プローブ板３３の先端に向って導体２９と３１がテーパ
形成され、例えば中心間隔４ミル（０，１腸ｍ）びデへ
イスポンディングパッドと合致させている。第７図中、
信号導体２９はプローブ板３３の左側の幅広端部では十
分なスペース（例えば４００ミル（約１０＋ａ＋ｍ）　
）であって、取付ブロック１７上に取付けた各ケーブル
コネクタ２７の下側に一致するように構成される。単一
信号導体プローブの場合と同様に、多信号導体ウェハプ
ローブの信号及び接地導体幅及びスペースは、プローブ
板３３の全長にわたり伝送線特性インピーダンスが一定
となるように選定される。
以上の好適実施例で、伝送線アセンブリ１９は第５図に
示す如く略マイクロ波吸収体で包囲しているが、中間吸
収体Ｐ＃２３及びＦ部吸収体層２５がなくとも、上部吸
収体層２１のみで伝送線アセンブリの接地面の好ましく
ない伝送線モード共振の低減に大変効果を呈し、ウェハ
プローブがらのマイクロ波放射を十分低減することに留
意されたい。中間及び下部マイクロ波吸収体層２３及び
２５を付加すると、ウェハプローブの特性が更に改善で
きることは勿論である。よって、本発明のその他の実施
例では、中間及び下部吸収体層２３及び２５は除いても
よい。その場合でもウェハプローブの精度低下は少々で
あって大幅ではない。
この吸収体層はテーパを形成してプローブの接地導体を
伝播する信号波を徐々に吸収して反射を殆どなくすよう
にする。伝送線アセンブリを包囲する吸収体は４層構造
となっているが、それ以外の構造であってもよい。
尚、ここに説明した実施例のウェハプローブはコプレー
ナ（平面構造）導波構造であるが、同軸、ノンコプレー
ナ金属ストリップ又は他の伝送線構造のウェハプローブ
であっても、その周囲の適当な場所に適当なマイクロ波
吸収体を配置することにより、性能の改善が可能である
ことが理解できよう。
以に、本発明のウェハプローブを複数の好適実施例につ
き説明した。しかし、本発明は伺らこれら実施例のみに
限定すべきではなく、本発明の要旨を逸脱することなく
種々の変形変更が可能であること当業者には明らかであ
ろう。
［発明の効果］ ］−述の説明から明らかな如く、本発明のウェハプロー
ブによると、略台形状の誘電体プローブ板の下面（ＤＵ
Ｔ側）に少なくとも１つの信号導体と接地導体を含む伝
送線アセンブリを形成し、そのプローブ板の少なくとも
−Ｌ側、好ましくは外周をマイクロ波吸収体層で覆うこ
とにより、放射を排除又は大幅に低減させている。よっ
て、信号反射、放射による悪影響が改善されて、従来の
ものに比して、高精度のウェハプローブが得られるとい
う実用」二の効果が得られる。その結果、ウェハ上に製
造したＩＣ等のブレーナデバイスの電気的緒特性が一層
高精度で測定できるので、ＩＣ等の試験、評価、設計等
に使用して極めて効果的である。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明によるウェハプローブの分解組立斜視図
、第２図はウェハプローブと被測定ウェハ素子（ＤＵＴ
）との関係を示すＬ面図、第３図は第２図のウェハプロ
ーブの側面図、第４図は第２図のウェハプローブのＡ−
Ａ　′線に沿った断面図、第５図は第２図のウェハプロ
ーブのＢ−Ｂ′線に沿った断面図、第６図は第２図のウ
ェハプローブのプローブ板先端の拡大底面図、第７図は
本発明のウェハプローブの他の実施例の断面図、そして
第８図は第７図のウェハプローブのプローブ板の先端部
の拡大底面図を示す。 図中、１１はウェハプローブ、１７はプローブ取付ブロ
ック、１９は伝送線アセンブリ、２１．２３．２５はマ
イクロウェーブ吸収体層、２７はコネクタ、２９は信号
導体、３１は接地導体、３７はコンタクトパッドを示す
。 特工１出願人 カスケード−マイクロチック・ インコーホレイテッド 代理人　弁理士　森崎　俊明 ＦＩＧ、Ｉ ＦＩＧ、３ ＦＩＧ、２ ＦＩＧ、　４

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 （＋）　！電体プローブ板の一面に形成した伝送線の一
    端にコネクタを他端に接点部材を設けたウェハプローブ
    において、上記プローブ板の少なくとも他面近傍にマイ
    クロ波吸収部材を設けたことを特徴とするウェハプロー
    ブ。 （２）　−１−記伝送線として少なくとも１本の信号導
    体とその両面に設けた接地導体とより成るコプレーナ構
    造とした特許請求の範囲第１項記載のウェハプローブ。 （３）上記マイクロ波吸収部材としてフェライト含有材
    を使用する特許請求の範囲第１項記載のウェハプローブ
    。 （４）　上記マイクロ波吸収部材は上記プローブ板の両
    面に設け、上記−面のマイクロ波吸収部材は上記伝送線
    の接地導体間を接続する金属チャンネルを介して設けた
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハプ
    ローブ。
JP60090791A 1984-04-30 1985-04-26 ウエハプロ−ブ Expired - Lifetime JPH0650753B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/605,462 US4697143A (en) 1984-04-30 1984-04-30 Wafer probe
US605462 2000-06-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60236241A true JPS60236241A (ja) 1985-11-25
JPH0650753B2 JPH0650753B2 (ja) 1994-06-29

Family

ID=24423760

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60090791A Expired - Lifetime JPH0650753B2 (ja) 1984-04-30 1985-04-26 ウエハプロ−ブ

Country Status (2)

Country Link
US (1) US4697143A (ja)
JP (1) JPH0650753B2 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62177454A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62177456A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62177455A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62190738A (ja) * 1985-12-23 1987-08-20 テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド ウエハプロ−ブ
JPS62199025A (ja) * 1986-02-27 1987-09-02 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62233778A (ja) * 1986-04-03 1987-10-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 素子特性測定治具
JPS62279650A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62279651A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ
JPS6365638A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 テクトロニクス・インコーポレイテツド 集積回路ウエハ・プローブ装置
JPH01214038A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JPH01296167A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JPH11258270A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Nec Corp 先端脱着式高周波プローブ
US6242930B1 (en) 1997-11-21 2001-06-05 Nec Corporation High-frequency probe capable of adjusting characteristic impedance in end part and having the end part detachable
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures

Families Citing this family (109)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5829128A (en) * 1993-11-16 1998-11-03 Formfactor, Inc. Method of mounting resilient contact structures to semiconductor devices
US5476211A (en) 1993-11-16 1995-12-19 Form Factor, Inc. Method of manufacturing electrical contacts, using a sacrificial member
US4891577A (en) * 1986-10-31 1990-01-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Apparatus for measuring noise characteristics
US4827211A (en) * 1987-01-30 1989-05-02 Cascade Microtech, Inc. Wafer probe
US4795977A (en) * 1987-03-19 1989-01-03 Pacific Western Systems, Inc. Interface system for interfacing a device tester to a device under test
JPS63231858A (ja) * 1987-03-20 1988-09-27 Hitachi Ltd 電子ビ−ム装置
US4894612A (en) * 1987-08-13 1990-01-16 Hypres, Incorporated Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit
US4851794A (en) * 1987-10-09 1989-07-25 Ball Corporation Microstrip to coplanar waveguide transitional device
US4829242A (en) * 1987-12-07 1989-05-09 Microelectronics And Computer Technology Corporation Multigigahertz probe
US4871964A (en) * 1988-04-12 1989-10-03 G. G. B. Industries, Inc. Integrated circuit probing apparatus
US5225771A (en) * 1988-05-16 1993-07-06 Dri Technology Corp. Making and testing an integrated circuit using high density probe points
US5020219A (en) * 1988-05-16 1991-06-04 Leedy Glenn J Method of making a flexible tester surface for testing integrated circuits
US5512397A (en) * 1988-05-16 1996-04-30 Leedy; Glenn J. Stepper scanner discretionary lithography and common mask discretionary lithography for integrated circuits
US4994735A (en) * 1988-05-16 1991-02-19 Leedy Glenn J Flexible tester surface for testing integrated circuits
US4998062A (en) * 1988-10-25 1991-03-05 Tokyo Electron Limited Probe device having micro-strip line structure
US4849689A (en) * 1988-11-04 1989-07-18 Cascade Microtech, Inc. Microwave wafer probe having replaceable probe tip
GB8829273D0 (en) * 1988-12-15 1989-01-25 Bath Scient Ltd Electrical testing probe
US4965514A (en) * 1989-06-05 1990-10-23 Tektronix, Inc. Apparatus for probing a microwave circuit
US4980636A (en) * 1989-08-10 1990-12-25 The United States Of America As Represented By The Administrator, National Aeronautics And Space Administration Universal nondestructive MM-wave integrated circuit test fixture
US5041782A (en) * 1989-09-20 1991-08-20 Design Technique International, Inc. Microstrip probe
US5012187A (en) * 1989-11-03 1991-04-30 Motorola, Inc. Method for parallel testing of semiconductor devices
US4994737A (en) * 1990-03-09 1991-02-19 Cascade Microtech, Inc. System for facilitating planar probe measurements of high-speed interconnect structures
US5204616A (en) * 1990-04-26 1993-04-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force In-circuit test fixture for leaded packages
US5012186A (en) * 1990-06-08 1991-04-30 Cascade Microtech, Inc. Electrical probe with contact force protection
US5162728A (en) * 1990-09-11 1992-11-10 Cray Computer Corporation Functional at speed test system for integrated circuits on undiced wafers
US5148103A (en) * 1990-10-31 1992-09-15 Hughes Aircraft Company Apparatus for testing integrated circuits
US5389874A (en) * 1991-09-18 1995-02-14 Hewlett-Packard Company Method for control of ground bounce above an internal ground plane in a short-wire board test fixture
US5225796A (en) * 1992-01-27 1993-07-06 Tektronix, Inc. Coplanar transmission structure having spurious mode suppression
JPH0634715A (ja) * 1992-07-17 1994-02-10 Mitsubishi Electric Corp 高周波帯プローブヘッド
US5477159A (en) * 1992-10-30 1995-12-19 Hewlett-Packard Company Integrated circuit probe fixture with detachable high frequency probe carrier
US5594358A (en) * 1993-09-02 1997-01-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Radio frequency probe and probe card including a signal needle and grounding needle coupled to a microstrip transmission line
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
JP3565893B2 (ja) * 1994-02-04 2004-09-15 アジレント・テクノロジーズ・インク プローブ装置及び電気回路素子計測装置
US5604375A (en) * 1994-02-28 1997-02-18 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Superconducting active lumped component for microwave device application
US5543386A (en) * 1994-02-28 1996-08-06 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Joint device including superconductive probe-heads for capacitive microwave coupling
US5538941A (en) * 1994-02-28 1996-07-23 University Of Maryland Superconductor/insulator metal oxide hetero structure for electric field tunable microwave device
CN1036945C (zh) * 1994-03-15 1998-01-07 吉林大学 共面集成电路芯片微波探针
US5486770A (en) * 1994-06-27 1996-01-23 Motorola, Inc. High frequency wafer probe apparatus and method
US5561378A (en) * 1994-07-05 1996-10-01 Motorola, Inc. Circuit probe for measuring a differential circuit
US5565788A (en) * 1994-07-20 1996-10-15 Cascade Microtech, Inc. Coaxial wafer probe with tip shielding
EP0707214A3 (en) * 1994-10-14 1997-04-16 Hughes Aircraft Co Multiport membrane probe to test complete semiconductor plates
US5625299A (en) * 1995-02-03 1997-04-29 Uhling; Thomas F. Multiple lead analog voltage probe with high signal integrity over a wide band width
US5621333A (en) * 1995-05-19 1997-04-15 Microconnect, Inc. Contact device for making connection to an electronic circuit device
JPH0926457A (ja) * 1995-07-12 1997-01-28 Mitsubishi Electric Corp 半導体素子評価装置
US5642054A (en) * 1995-08-08 1997-06-24 Hughes Aircraft Company Active circuit multi-port membrane probe for full wafer testing
US5729150A (en) 1995-12-01 1998-03-17 Cascade Microtech, Inc. Low-current probe card with reduced triboelectric current generating cables
US5734268A (en) * 1996-04-08 1998-03-31 Motorola, Inc. Calibration and measurment technique and apparatus for same
US6046599A (en) * 1996-05-20 2000-04-04 Microconnect, Inc. Method and device for making connection
US5914613A (en) 1996-08-08 1999-06-22 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system with local contact scrub
US5907817A (en) 1996-12-24 1999-05-25 Ericsson Inc. Radiotelephones with coplanar antenna connectors and related assembly methods
US5905421A (en) * 1997-02-18 1999-05-18 Wiltron Company Apparatus for measuring and/or injecting high frequency signals in integrated systems
US5945835A (en) * 1997-03-05 1999-08-31 Lucent Technologies Inc. Radio frequency test probe with integral mount for circuit board under test
US6025731A (en) * 1997-03-21 2000-02-15 Micron Technology, Inc. Hybrid interconnect and system for testing semiconductor dice
US6034533A (en) 1997-06-10 2000-03-07 Tervo; Paul A. Low-current pogo probe card
TW345713B (en) * 1997-09-02 1998-11-21 United Semiconductor Corp Connection structure of testkey and probe card suitable for testing electrical properties of integrated circuits
CN1299524A (zh) * 1998-04-24 2001-06-13 恩德威夫公司 具有抑制不需要模式的共平面微波电路
US6256882B1 (en) 1998-07-14 2001-07-10 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6777965B1 (en) 1998-07-28 2004-08-17 Micron Technology, Inc. Interposer for electrically coupling a semiconductive device to an electrical apparatus
US6343369B1 (en) * 1998-09-15 2002-01-29 Microconnect, Inc. Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same
US6578264B1 (en) 1999-06-04 2003-06-17 Cascade Microtech, Inc. Method for constructing a membrane probe using a depression
US6445202B1 (en) 1999-06-30 2002-09-03 Cascade Microtech, Inc. Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current
DE19945178C2 (de) * 1999-09-21 2003-05-28 Rosenberger Hochfrequenztech Meßspitze zur Hochfrequenzmessung und Verfahren zu deren Herstellung
US6838890B2 (en) 2000-02-25 2005-01-04 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6496026B1 (en) 2000-02-25 2002-12-17 Microconnect, Inc. Method of manufacturing and testing an electronic device using a contact device having fingers and a mechanical ground
US6653852B1 (en) * 2000-03-31 2003-11-25 Lam Research Corporation Wafer integrated plasma probe assembly array
US6798223B2 (en) 2000-07-28 2004-09-28 Hei, Inc. Test methods, systems, and probes for high-frequency wireless-communications devices
US6914423B2 (en) 2000-09-05 2005-07-05 Cascade Microtech, Inc. Probe station
US6965226B2 (en) 2000-09-05 2005-11-15 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
DE20114544U1 (de) 2000-12-04 2002-02-21 Cascade Microtech Inc Wafersonde
AU2002327490A1 (en) 2001-08-21 2003-06-30 Cascade Microtech, Inc. Membrane probing system
US6930497B2 (en) * 2001-12-19 2005-08-16 Chung Shan Institute Of Science And Technology Armaments Bureau, M.N.D. Flexible multi-layered probe for measuring a signal from an object
US6759859B2 (en) 2001-12-19 2004-07-06 Chung-Shan Institute Of Science And Technology Resilient and rugged multi-layered probe
DE10201491C1 (de) * 2002-01-16 2003-08-28 Gfd Ges Fuer Diamantprodukte M Meßspitzensystem und Verfahren zu dessen Herstellung
WO2003100445A2 (en) 2002-05-23 2003-12-04 Cascade Microtech, Inc. Probe for testing a device under test
US6724205B1 (en) * 2002-11-13 2004-04-20 Cascade Microtech, Inc. Probe for combined signals
US6956448B1 (en) 2002-12-17 2005-10-18 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Electromagnetic energy probe with integral impedance matching
US7057404B2 (en) 2003-05-23 2006-06-06 Sharp Laboratories Of America, Inc. Shielded probe for testing a device under test
US7492172B2 (en) 2003-05-23 2009-02-17 Cascade Microtech, Inc. Chuck for holding a device under test
US7173442B2 (en) * 2003-08-25 2007-02-06 Delaware Capital Formation, Inc. Integrated printed circuit board and test contactor for high speed semiconductor testing
US7250626B2 (en) * 2003-10-22 2007-07-31 Cascade Microtech, Inc. Probe testing structure
US7388279B2 (en) * 2003-11-12 2008-06-17 Interconnect Portfolio, Llc Tapered dielectric and conductor structures and applications thereof
DE202004021093U1 (de) 2003-12-24 2006-09-28 Cascade Microtech, Inc., Beaverton Aktiver Halbleiterscheibenmessfühler
US7187188B2 (en) 2003-12-24 2007-03-06 Cascade Microtech, Inc. Chuck with integrated wafer support
EP1766426B1 (en) 2004-07-07 2013-09-11 Cascade Microtech, Inc. Probe head having a membrane suspended probe
DE202004019636U1 (de) * 2004-12-20 2005-03-03 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Meßspitze für HF-Messung
US7535247B2 (en) 2005-01-31 2009-05-19 Cascade Microtech, Inc. Interface for testing semiconductors
US7656172B2 (en) 2005-01-31 2010-02-02 Cascade Microtech, Inc. System for testing semiconductors
US7403028B2 (en) 2006-06-12 2008-07-22 Cascade Microtech, Inc. Test structure and probe for differential signals
US7764072B2 (en) 2006-06-12 2010-07-27 Cascade Microtech, Inc. Differential signal probing system
US7723999B2 (en) 2006-06-12 2010-05-25 Cascade Microtech, Inc. Calibration structures for differential signal probing
US20080186036A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Brian Shumaker High Speed Electrical Probe
US7595651B2 (en) * 2007-02-13 2009-09-29 Mpi Corporation Cantilever-type probe card for high frequency application
US7876114B2 (en) 2007-08-08 2011-01-25 Cascade Microtech, Inc. Differential waveguide probe
US7888957B2 (en) 2008-10-06 2011-02-15 Cascade Microtech, Inc. Probing apparatus with impedance optimized interface
US8410806B2 (en) 2008-11-21 2013-04-02 Cascade Microtech, Inc. Replaceable coupon for a probing apparatus
US8319503B2 (en) 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
IT1395368B1 (it) 2009-08-28 2012-09-14 St Microelectronics Srl Schermatura elettromagnetica per il collaudo di circuiti integrati
US9880118B2 (en) * 2011-05-12 2018-01-30 The Trustees Of Dartmouth College Planar Probe and system for measuring dielectric properties of biological materials
US9063172B1 (en) 2013-05-16 2015-06-23 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Step connectors in test fixture for packaged device measurement
TWI506280B (zh) * 2013-12-13 2015-11-01 Mpi Corp Probe module (2)
TWI522623B (zh) * 2013-12-13 2016-02-21 Mpi Corp Probe module (1)
TWI495880B (zh) * 2013-12-31 2015-08-11 Mpi Corp Probe module
DE202014002841U1 (de) * 2014-04-01 2014-06-25 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Kontaktieranordnung, insbesondere HF-Messspitze
JP6983688B2 (ja) * 2018-02-05 2021-12-17 日本メクトロン株式会社 カテーテル用フレキシブルプリント配線板およびその製造方法
US11002763B2 (en) 2018-08-10 2021-05-11 Globalfoundries U.S. Inc. Probe for pic die with related test assembly and method
DE102019102457B3 (de) 2019-01-31 2020-07-09 Infineon Technologies Ag Prüfvorrichtung mit sammelschienenmechanismus zum testen einer zu testenden vorrichtung
US11650227B2 (en) * 2020-01-06 2023-05-16 Xcerra Corporation System and method for attenuating and/or terminating RF circuit
TW202212836A (zh) * 2020-06-11 2022-04-01 美商鋒法特股份有限公司 多導體傳輸線探針
TWI739592B (zh) * 2020-09-09 2021-09-11 旺矽科技股份有限公司 探針組件

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5295182A (en) * 1976-02-06 1977-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer
JPS594189U (ja) * 1982-06-30 1984-01-11 富士通株式会社 高周波同軸接続体

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3596228A (en) * 1969-05-29 1971-07-27 Ibm Fluid actuated contactor
US3654573A (en) * 1970-06-29 1972-04-04 Bell Telephone Labor Inc Microwave transmission line termination
JPS5219046A (en) * 1975-08-04 1977-01-14 Tdk Corp Microwave absorver
US4186338A (en) * 1976-12-16 1980-01-29 Genrad, Inc. Phase change detection method of and apparatus for current-tracing the location of faults on printed circuit boards and similar systems
US4371742A (en) * 1977-12-20 1983-02-01 Graham Magnetics, Inc. EMI-Suppression from transmission lines
JPS58130602A (ja) * 1982-01-29 1983-08-04 Toshiba Corp マイクロストリツプ線路

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5295182A (en) * 1976-02-06 1977-08-10 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer
JPS594189U (ja) * 1982-06-30 1984-01-11 富士通株式会社 高周波同軸接続体

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62190738A (ja) * 1985-12-23 1987-08-20 テクトロニツクス・インコ−ポレイテツド ウエハプロ−ブ
JPS62177454A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62177456A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62177455A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62199025A (ja) * 1986-02-27 1987-09-02 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62233778A (ja) * 1986-04-03 1987-10-14 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 素子特性測定治具
JPS62279650A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針
JPS62279651A (ja) * 1986-05-28 1987-12-04 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ
JPS6365638A (ja) * 1986-09-05 1988-03-24 テクトロニクス・インコーポレイテツド 集積回路ウエハ・プローブ装置
JPH01214038A (ja) * 1988-02-22 1989-08-28 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
JPH01296167A (ja) * 1988-05-24 1989-11-29 Mitsubishi Electric Corp プローブカード
US6242930B1 (en) 1997-11-21 2001-06-05 Nec Corporation High-frequency probe capable of adjusting characteristic impedance in end part and having the end part detachable
JPH11258270A (ja) * 1998-03-16 1999-09-24 Nec Corp 先端脱着式高周波プローブ
US7420381B2 (en) 2004-09-13 2008-09-02 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures
US8013623B2 (en) 2004-09-13 2011-09-06 Cascade Microtech, Inc. Double sided probing structures

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0650753B2 (ja) 1994-06-29
US4697143A (en) 1987-09-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS60236241A (ja) ウエハプローブ
US6194739B1 (en) Inline ground-signal-ground (GSG) RF tester
US7173433B2 (en) Circuit property measurement method
Wartenberg RF measurements of die and packages
CA1271848A (en) Wafer probe
US7208935B2 (en) Apparatus for measuring parasitic capacitance and inductance of I/O leads on an electrical component using a network analyzer
JPS63313832A (ja) ウェハプローブ
Carlton et al. Accurate measurement of high-speed package and interconnect parasitics
Wartenberg Selected topics in RF coplanar probing
GB2197081A (en) Coplanar waveguide probe
JP7206140B2 (ja) 検査装置
JPH1130630A (ja) 探針用プローブ及びプローブカード
JP3217312U (ja) プローブカード
KR100227283B1 (ko) 고주파용 프로브 카드
US7053638B2 (en) Surrounding structure for a probe card
WO1986006495A1 (en) A coplanar waveguide probe
JPH01214038A (ja) プローブカード
JPH04206845A (ja) 高周波プローブ針
JP2568495B2 (ja) 半導体装置
KR100549932B1 (ko) 에폭시형 프로브 카드
JPH11352172A (ja) 高周波測定用基板
JPH0262064A (ja) セラミックパッケージ
JP2001343406A (ja) 同軸プローブ
JP2668423B2 (ja) 高周波回路の測定装置
JPH0864643A (ja) 高周波集積回路装置および高周波測定システム

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term