JPS62177455A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
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- JPS62177455A JPS62177455A JP61019816A JP1981686A JPS62177455A JP S62177455 A JPS62177455 A JP S62177455A JP 61019816 A JP61019816 A JP 61019816A JP 1981686 A JP1981686 A JP 1981686A JP S62177455 A JPS62177455 A JP S62177455A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 17
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 9
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
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- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハ（以下単にウェーハと云う）
のＩＣ，ＬＳＩ等の電気的特性を測定する為のプローブ
針に関する。
のＩＣ，ＬＳＩ等の電気的特性を測定する為のプローブ
針に関する。
（従来の技術）
従来、第６図に示すウェーハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等の電
気的特性を測定するのに、近時高い周波数領域でも電気
的特性の測定が可能なプローブ針として、第５図に示す
如く同軸ケーブル３の先端中心に信号線４を突出し、同
軸ケーブル３の先端外周にグランド部５を取付けてその
尖端を信号線４の尖端に平行に２００μ程度接近させて
成る同軸型プローブ針６を、第６図の如く計測器７のＸ
、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし、つ工
−ハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のバッド２に接触させて電気
的特性を測定する方法が採られている。
気的特性を測定するのに、近時高い周波数領域でも電気
的特性の測定が可能なプローブ針として、第５図に示す
如く同軸ケーブル３の先端中心に信号線４を突出し、同
軸ケーブル３の先端外周にグランド部５を取付けてその
尖端を信号線４の尖端に平行に２００μ程度接近させて
成る同軸型プローブ針６を、第６図の如く計測器７のＸ
、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし、つ工
−ハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のバッド２に接触させて電気
的特性を測定する方法が採られている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上記の同軸型プローブ針６は、信号線４とグ
ランド部５が同軸ケーブル３の先端で数朋にわたって同
軸構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。
ランド部５が同軸ケーブル３の先端で数朋にわたって同
軸構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。
またこの構造では多端子化が不可能であった。
一方、近時ＩＣ，ＬＳＩは高密度、高速化の開発が進め
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のパッドとの確実なコンタクトを図れるプローブ針を
備えることが必要で、これの開発が急がれている。
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のパッドとの確実なコンタクトを図れるプローブ針を
備えることが必要で、これの開発が急がれている。
そこで本発明は、特性インピーダンスの設定に対する安
定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周波
数領域で正確な電気的特性測定をできるプローブ針を提
供しようとするものである。
定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周波
数領域で正確な電気的特性測定をできるプローブ針を提
供しようとするものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、誘
電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各伝
送線路の先端に導電板を接続して設けて接触部となした
ものである。また、導電板の接触部は誘電体基板より突
出させたものもある。
電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各伝
送線路の先端に導電板を接続して設けて接触部となした
ものである。また、導電板の接触部は誘電体基板より突
出させたものもある。
（実施例）
本発明のプローブ針の一実施例を第１図によって説明す
る。１０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）より成る長さ４０ｍ
ｍ、幅１０鰭、厚さ０．６鰭の誘電体基板で、この誘電
体基板１０上の長手方向に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕ
より成る伝送線路１１が２００μの間隔を存して３列平
行に設けられている。各伝送線路１１の先端には厚さ５
０μ、長さ２５０μ、幅１６０μの導電板１２が接続し
て設けられて、これが接触部となっている。
る。１０はアルミナ（Ａｌ２Ｏ２）より成る長さ４０ｍ
ｍ、幅１０鰭、厚さ０．６鰭の誘電体基板で、この誘電
体基板１０上の長手方向に厚さ３μ、幅１５０μのＣｕ
より成る伝送線路１１が２００μの間隔を存して３列平
行に設けられている。各伝送線路１１の先端には厚さ５
０μ、長さ２５０μ、幅１６０μの導電板１２が接続し
て設けられて、これが接触部となっている。
第２図に示す他の実施例は、第１図に示される導電板１
２を誘電体基板１０の先端より長さ５０μだけ突出させ
て伝送線路１１の先端に設けたものである。
２を誘電体基板１０の先端より長さ５０μだけ突出させ
て伝送線路１１の先端に設けたものである。
第３図に示すさらに他の実施例は、第２図に示される導
電板１２の先端部を円弧上に弯曲させて、この弯曲部１
３を接点となしたものである。
電板１２の先端部を円弧上に弯曲させて、この弯曲部１
３を接点となしたものである。
上述の如く本発明のプローブ針１４．１４’、１４’は
、誘電体基板１０上に伝送線路１１が３列平行に設けら
れているので、伝送線路１１はストリップ線路構造とな
っていて、伝送線路１１の特性インピーダンスはどの部
分でも一定となる。そこで、本発明のプローブ針１４．
１４ ’ 、１４“を第４図に示す如く計測器７のＸ、
Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし、ウェー
ハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２に接触させて、電気
的特性を測定した処、高周波数領域で、本例では３０Ｇ
Ｈｚの高周波数で正確に電気的特性測定ができた。また
この測定を繰り返し行っても、本発明のプローブ針は各
伝送線路１１の先端に導電板１２を接続して設けて接触
部としているので、伝送線路１１の消耗が無く、測定す
るＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２との接触も安定する。特に
導電板１２を誘電体基板１０の先端より突出させた第２
図のプローブ針１４′においては、電気的特性測定時、
顕微鏡にてウェーハ１上のＩＣ２ＬＳＩ等のパッド２と
の位置合わせする際、接触部分が誘電体基板１０の外側
に見えるので、簡単に位置合わせできて測定作業が能率
良く行われる。
、誘電体基板１０上に伝送線路１１が３列平行に設けら
れているので、伝送線路１１はストリップ線路構造とな
っていて、伝送線路１１の特性インピーダンスはどの部
分でも一定となる。そこで、本発明のプローブ針１４．
１４ ’ 、１４“を第４図に示す如く計測器７のＸ、
Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム８にセットし、ウェー
ハ１上のＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２に接触させて、電気
的特性を測定した処、高周波数領域で、本例では３０Ｇ
Ｈｚの高周波数で正確に電気的特性測定ができた。また
この測定を繰り返し行っても、本発明のプローブ針は各
伝送線路１１の先端に導電板１２を接続して設けて接触
部としているので、伝送線路１１の消耗が無く、測定す
るＩＣ，ＬＳＩ等のパッド２との接触も安定する。特に
導電板１２を誘電体基板１０の先端より突出させた第２
図のプローブ針１４′においては、電気的特性測定時、
顕微鏡にてウェーハ１上のＩＣ２ＬＳＩ等のパッド２と
の位置合わせする際、接触部分が誘電体基板１０の外側
に見えるので、簡単に位置合わせできて測定作業が能率
良く行われる。
さらに誘電体基板１０の先端より突出させた導電板１２
の先端に弯曲部１３を形成して接点となした第３図のプ
ローブ針１４′においては、電気的特性測定時、ウェー
ハｌ上のパッド２との接触が確実となる。
の先端に弯曲部１３を形成して接点となした第３図のプ
ローブ針１４′においては、電気的特性測定時、ウェー
ハｌ上のパッド２との接触が確実となる。
尚、上記実施例のプローブ針１４．１４’、１４”の誘
電体基板１０は、アルミナより成るが、石英でも良いも
のである。
電体基板１０は、アルミナより成るが、石英でも良いも
のである。
また上記実施例では伝送線路１１が３列であるが、これ
に限るものではなく、２列以上何列でも良いものである
。
に限るものではなく、２列以上何列でも良いものである
。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のプローブ針は、誘電体
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンス
を一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子
化が実現できる。その上本発明のプローブ針は、伝送線
路上の先端に導電板を接続して設けて接触部としている
ので、伝送線路の消耗が無く、測定物との接触も安定し
、特に導電板を誘電体基板の先端より突出した場合は、
顕微鏡で測定物と位置合わせすることが容易となる。か
くして、高密度、高速化されるウェーハ上のＩＣ，ＬＳ
Ｉ等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、確実
に且つ迅速に行うことができる。
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンス
を一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子
化が実現できる。その上本発明のプローブ針は、伝送線
路上の先端に導電板を接続して設けて接触部としている
ので、伝送線路の消耗が無く、測定物との接触も安定し
、特に導電板を誘電体基板の先端より突出した場合は、
顕微鏡で測定物と位置合わせすることが容易となる。か
くして、高密度、高速化されるウェーハ上のＩＣ，ＬＳ
Ｉ等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、確実
に且つ迅速に行うことができる。
第１図は本発明によるウェーハの電気的特性測定用プロ
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図及び第３図は夫
々他の実施例を示す斜視図、第４図は本発明のプローブ
針の使用状態を示す概略図、第５図は従来の同軸型プロ
ーブ針の斜視図、第６図は第５図の同軸型プローブ針の
使用状態を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 １１・・・フ゛ローブ°釘
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図及び第３図は夫
々他の実施例を示す斜視図、第４図は本発明のプローブ
針の使用状態を示す概略図、第５図は従来の同軸型プロ
ーブ針の斜視図、第６図は第５図の同軸型プローブ針の
使用状態を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 １１・・・フ゛ローブ°釘
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、こ
の各伝送線路の先端に導電板を接続して設けて接触部と
なした半導体ウェーハの電気的特性測定用プローブ針。 ２）導電板の接触部が誘電体基板より突出していること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体ウェー
ハの電気的特性測定用プローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019816A JPS62177455A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019816A JPS62177455A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177455A true JPS62177455A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=12009843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61019816A Pending JPS62177455A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62177455A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008292500A (ja) * | 2008-07-17 | 2008-12-04 | Yamaichi Electronics Co Ltd | プローブユニットおよびその製造方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
| JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
| JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
| JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019816A patent/JPS62177455A/ja active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
| JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
| JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
| JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008292500A (ja) * | 2008-07-17 | 2008-12-04 | Yamaichi Electronics Co Ltd | プローブユニットおよびその製造方法 |
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