JPS62109334A - ウエハプロ−ビング装置 - Google Patents
ウエハプロ−ビング装置Info
- Publication number
- JPS62109334A JPS62109334A JP24918285A JP24918285A JPS62109334A JP S62109334 A JPS62109334 A JP S62109334A JP 24918285 A JP24918285 A JP 24918285A JP 24918285 A JP24918285 A JP 24918285A JP S62109334 A JPS62109334 A JP S62109334A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulator
- thin film
- probe needle
- conductor
- pad metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はウェハ上におけるデバイス評価に用いるプロ
ービング装置に係シ、特にウェハプロービングを行なう
ためのプローブ針の改良忙関するものである。
ービング装置に係シ、特にウェハプロービングを行なう
ためのプローブ針の改良忙関するものである。
従来、ウェハプロービング装置においてデバイスの特性
をウェハ上で測定する際に用いているプローブ針先端部
の形状を第３図（４）ないしくＢ）に示す。
をウェハ上で測定する際に用いているプローブ針先端部
の形状を第３図（４）ないしくＢ）に示す。
ケルビン接続によりデバイスの特性をウェハ上で高精度
に測定する場合、素子の極く近傍においてフォース線と
センス線を接続するのが望ましい。
に測定する場合、素子の極く近傍においてフォース線と
センス線を接続するのが望ましい。
このため、従来のプローブ針の形状においてケルビン接
続をする場合、第３図（４）に示すように、単一のパッ
ド金属５上に２本のプローブ針４を接触させる方法や、
あるいは、同図（Ｂ）に示すように１本のプローブ針４
を上部でもう１本のプローブ針４に接触させた後に、パ
ッド金ＪｉＪｉ５に接触させるという構造を用いてきた
。
続をする場合、第３図（４）に示すように、単一のパッ
ド金属５上に２本のプローブ針４を接触させる方法や、
あるいは、同図（Ｂ）に示すように１本のプローブ針４
を上部でもう１本のプローブ針４に接触させた後に、パ
ッド金ＪｉＪｉ５に接触させるという構造を用いてきた
。
しかしながら、従来例のプローブ針を用いた測定では、
第３図に示したようＫ、パッド金属の面積を大きくとる
必要があるので集積化の点で不利であシ、センス線プロ
ーブ針とパッド金属との接触不良によりフォース線プロ
ーブ針からの過大電流で素子破壊の可能性もあった。ま
た、工作が困難であると共に、プローブ針とパッド金属
との接触抵抗が直接、測定精度に影響を与えるなどの欠
点を有している。
第３図に示したようＫ、パッド金属の面積を大きくとる
必要があるので集積化の点で不利であシ、センス線プロ
ーブ針とパッド金属との接触不良によりフォース線プロ
ーブ針からの過大電流で素子破壊の可能性もあった。ま
た、工作が困難であると共に、プローブ針とパッド金属
との接触抵抗が直接、測定精度に影響を与えるなどの欠
点を有している。
この発明は、上記従来例のプローブ針のもつ欠点を改善
しようとするもので、パッド金属の面積を大きくする必
要も少なく、パッド金属との安定したコンタクト状態が
得られ、工作も容易で、かつ高い測定精度を保証しうる
プローブ針を提供することを目的とする。
しようとするもので、パッド金属の面積を大きくする必
要も少なく、パッド金属との安定したコンタクト状態が
得られ、工作も容易で、かつ高い測定精度を保証しうる
プローブ針を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために、この発明によるグローブ針
は、単一の絶縁体の一表面上に複数の導体薄膜線路を形
成し、その先端部分にパッド金属とのコンタクトをとる
ための突起状の導体接点をもつ構造としたものである。
は、単一の絶縁体の一表面上に複数の導体薄膜線路を形
成し、その先端部分にパッド金属とのコンタクトをとる
ための突起状の導体接点をもつ構造としたものである。
従って、この発明のプローブ針は、単一の絶縁体の表面
上においてセンス線、フォース線を独立した導体薄膜線
路で形成し、それらの先端に設けた導体接点を通してパ
ッド金属と接触させるので、パッド面積を拡げる必要も
少なく、また、センス線と７オース線が独立した接点を
もちケルビン接続を実現することができるので、コンタ
クト抵抗の影響を受けず精度の高い測定を行なうことが
できる。
上においてセンス線、フォース線を独立した導体薄膜線
路で形成し、それらの先端に設けた導体接点を通してパ
ッド金属と接触させるので、パッド面積を拡げる必要も
少なく、また、センス線と７オース線が独立した接点を
もちケルビン接続を実現することができるので、コンタ
クト抵抗の影響を受けず精度の高い測定を行なうことが
できる。
以下、この発明に係るプローブ針の一実施例につき第１
図囚ないしくＣ）を参照にして詳細に説明する。
図囚ないしくＣ）を参照にして詳細に説明する。
第１図（４）ないしくＣ）はこの実施例によるプローブ
針先端部分を示す側面図、底面図および同図（Ｂ）のＩ
−１’間における断面図である。この実施例のグローブ
針は、第１図ｃＡ）Ｋ示すような形状の例えばセラミッ
クスなどの絶縁体１を芯材とし、その絶縁体１の一表面
上Ｋ、測定時にセンス線、フォース線となる２本の導体
薄膜線路２をメッキなどの方法により形成する。その断
面図を同図（Ｃ）に示す。
針先端部分を示す側面図、底面図および同図（Ｂ）のＩ
−１’間における断面図である。この実施例のグローブ
針は、第１図ｃＡ）Ｋ示すような形状の例えばセラミッ
クスなどの絶縁体１を芯材とし、その絶縁体１の一表面
上Ｋ、測定時にセンス線、フォース線となる２本の導体
薄膜線路２をメッキなどの方法により形成する。その断
面図を同図（Ｃ）に示す。
さらに、前記導体薄膜線路２の先端部分にウェハ上のパ
ッド金属とコンタクトをとるためのタングステンなどの
導体を突起状にして設け、これを接点３としたものであ
る。なお、このプローブ針の底面図を第１図（Ｂ） Ｋ
示す。
ッド金属とコンタクトをとるためのタングステンなどの
導体を突起状にして設け、これを接点３としたものであ
る。なお、このプローブ針の底面図を第１図（Ｂ） Ｋ
示す。
かかる構造のグローブ針によると、単一の絶縁体１の一
表面上に２本の導体薄膜線路２と突起状の導体接点３を
形成しているので、パッド金属と２つの接点とのコンタ
クトを安定にとることができ、パッド金属の面積も拡げ
る必要が少ない。また、センス線とフォース線をパッド
金属と独立して接触させるためＫ、個々の接触抵抗の、
測定結果に与える影響が少ないので、高精度の測定を行
なうことが可能となる。
表面上に２本の導体薄膜線路２と突起状の導体接点３を
形成しているので、パッド金属と２つの接点とのコンタ
クトを安定にとることができ、パッド金属の面積も拡げ
る必要が少ない。また、センス線とフォース線をパッド
金属と独立して接触させるためＫ、個々の接触抵抗の、
測定結果に与える影響が少ないので、高精度の測定を行
なうことが可能となる。
なお、上記実施例の構造においては、絶縁体表面上ＶＣ
２本の導体薄膜線路を用いる場合について述べたが、第
２図のようＫ、３本の導体薄膜線路２と３つの接点３を
もつ構造、あるいはそれ以上でも良い。斯くすることに
よシ、よシ安定にパッド金属との接触を図ることができ
、センス線の接触不良による、フォース線からの過大電
流で素子が破壊されることもより少なくなる。
２本の導体薄膜線路を用いる場合について述べたが、第
２図のようＫ、３本の導体薄膜線路２と３つの接点３を
もつ構造、あるいはそれ以上でも良い。斯くすることに
よシ、よシ安定にパッド金属との接触を図ることができ
、センス線の接触不良による、フォース線からの過大電
流で素子が破壊されることもより少なくなる。
以上のようにこの発明のグローブ針によれば、絶縁体表
面上に複数の導体薄膜線路と突起状の導体接点を形成し
ているので、単一パッド金属と複数個のコンタクトを安
定にとることができ、また、センス・フォース線の独立
した接点によシケルビン接続を実現することができるの
で、高精度の測定を行なうことが可能となる効果がある
。
面上に複数の導体薄膜線路と突起状の導体接点を形成し
ているので、単一パッド金属と複数個のコンタクトを安
定にとることができ、また、センス・フォース線の独立
した接点によシケルビン接続を実現することができるの
で、高精度の測定を行なうことが可能となる効果がある
。
第１図（４）ないしく０はこの発明に係るプローブ針の
構造の一実施例を示すそれぞれ側面図、底面図および断
面図、第２図はこの発明による変形例を示す第１図ω）
相当の底面図、第３図（４）ないしくＢ）は従来例の構
造の概略図である。 １・・・・絶縁体、２・・・・導体薄膜線路、３・・・
・導体接点、４・・・・プローブ針、５・・・・パッド
金属。
構造の一実施例を示すそれぞれ側面図、底面図および断
面図、第２図はこの発明による変形例を示す第１図ω）
相当の底面図、第３図（４）ないしくＢ）は従来例の構
造の概略図である。 １・・・・絶縁体、２・・・・導体薄膜線路、３・・・
・導体接点、４・・・・プローブ針、５・・・・パッド
金属。
Claims (1)
- ウェハプロービングを行なうためのプローブ針において
、絶縁体をプローブ針の芯材とし、その絶縁体の一表面
上に複数の導体薄膜線路をもち、該導体薄膜線路の先端
部分にウェハとのコンタクトをとるための突起状の導体
接点を備えたことを特徴とするウェハプロービング装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24918285A JPS62109334A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | ウエハプロ−ビング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24918285A JPS62109334A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | ウエハプロ−ビング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109334A true JPS62109334A (ja) | 1987-05-20 |
Family
ID=17189121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24918285A Pending JPS62109334A (ja) | 1985-11-07 | 1985-11-07 | ウエハプロ−ビング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62109334A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177455A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPS62177456A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPS62177454A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH02181946A (ja) * | 1989-01-07 | 1990-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ試験用探触板 |
| JPH02290564A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-11-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブヘッドおよびその製造方法 |
| JP2008241653A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nec Electronics Corp | 半導体検査装置 |
-
1985
- 1985-11-07 JP JP24918285A patent/JPS62109334A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62177455A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPS62177456A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPS62177454A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-04 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
| JPH02181946A (ja) * | 1989-01-07 | 1990-07-16 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハ試験用探触板 |
| US4961052A (en) * | 1989-01-07 | 1990-10-02 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Probing plate for wafer testing |
| JPH02290564A (ja) * | 1989-02-08 | 1990-11-30 | Tokyo Electron Ltd | プローブヘッドおよびその製造方法 |
| JP2008241653A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-09 | Nec Electronics Corp | 半導体検査装置 |
| US7564252B2 (en) | 2007-03-29 | 2009-07-21 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor inspection apparatus |
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