JPS62177456A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
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- JPS62177456A JPS62177456A JP61019817A JP1981786A JPS62177456A JP S62177456 A JPS62177456 A JP S62177456A JP 61019817 A JP61019817 A JP 61019817A JP 1981786 A JP1981786 A JP 1981786A JP S62177456 A JPS62177456 A JP S62177456A
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- Japan
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- dielectric substrate
- characteristic impedance
- probe stylus
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 16
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- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体ウェーハ（以下単にウェーハと云う）
上のＩＣ，ＬＳＩ等の電気的特性を測定する為のプロー
ブ針に関するものである。
上のＩＣ，ＬＳＩ等の電気的特性を測定する為のプロー
ブ針に関するものである。
（従来の技術）
従来、第３図に示すウェーハｌ上のＩＣ，ＬＳＩ等のバ
ッド２のパラメータを測定するには、図示の如く外径１
５０ｍｍ、内径３０１１１のプローブカード３上に、即
ちガラスエポキシ板上に形成するＣｕパターン上に、プ
ローブ針４を取付けたブローμ５が、用いられている。
ッド２のパラメータを測定するには、図示の如く外径１
５０ｍｍ、内径３０１１１のプローブカード３上に、即
ちガラスエポキシ板上に形成するＣｕパターン上に、プ
ローブ針４を取付けたブローμ５が、用いられている。
かかる構成のブローμ５は、多端子（数百ピン）である
が、同軸針ではないので、高い周波数領域での電気的特
性測定はできず、測定可能なのはせいぜい数１０ＭＨ２
までである。その為、高い周波数領域での電気的特性測
定には、第４図に示す如く同軸ケーブル６の先端中心に
信号線７を突出し、同軸ケーブル６の先端外周にグラン
ド部８を取付けてその尖端を信号線７の尖端に平行に２
００μ程度まで接近させて成る同軸型プローブ針９を、
第５図の如く計測器１０のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能
なアーム１１にセットし、ウェーハ１上のＩＣ１ＬＳＩ
等のパッド２に接触させて電気的特性を測定する方法が
採られている。
が、同軸針ではないので、高い周波数領域での電気的特
性測定はできず、測定可能なのはせいぜい数１０ＭＨ２
までである。その為、高い周波数領域での電気的特性測
定には、第４図に示す如く同軸ケーブル６の先端中心に
信号線７を突出し、同軸ケーブル６の先端外周にグラン
ド部８を取付けてその尖端を信号線７の尖端に平行に２
００μ程度まで接近させて成る同軸型プローブ針９を、
第５図の如く計測器１０のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能
なアーム１１にセットし、ウェーハ１上のＩＣ１ＬＳＩ
等のパッド２に接触させて電気的特性を測定する方法が
採られている。
（発明が解決しようとする問題点）
ところで、上記の同軸型プローブ針９は、信号線７とグ
ランド部８が同軸ケーブル６の先端で数鰭にわたって同
軸構造を採らない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。
ランド部８が同軸ケーブル６の先端で数鰭にわたって同
軸構造を採らない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。
またこの構造では多端子化が不可能であった。
一方、近時Ｉｃ、ＬＳＩは高密度、高速化の開発が進め
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化を図れるプ
ローブ針を備えることが必要で、これの開発が急がれて
いる。
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化を図れるプ
ローブ針を備えることが必要で、これの開発が急がれて
いる。
そこで本発明は、特性インピーダンスの設定に対する安
定化、多端子化を図ることができ、高周波数領域で正確
な電気的特性測定のできるプローブ針を提供しようとす
るものである。
定化、多端子化を図ることができ、高周波数領域で正確
な電気的特性測定のできるプローブ針を提供しようとす
るものである。
（問題点を解決するための手段）
上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、誘
電体基板上に伝送線路を複数列平行に設けたことを特徴
とする。
電体基板上に伝送線路を複数列平行に設けたことを特徴
とする。
（実施例）
本発明のプローブ針の一実施例を第１図によって説明す
る。１５はアルミナ（ＡｌｚＯｚ）より成る長さ４（１
＋＊、幅１０ ｎ＋、厚さ０．６龍の誘電体基板で、こ
の誘電体基板１５上の長手方向に厚さ３μ、幅１５０μ
のＣｕより成る伝送線路１６が２００μの間隔を存して
３列平行に設けられている。
る。１５はアルミナ（ＡｌｚＯｚ）より成る長さ４（１
＋＊、幅１０ ｎ＋、厚さ０．６龍の誘電体基板で、こ
の誘電体基板１５上の長手方向に厚さ３μ、幅１５０μ
のＣｕより成る伝送線路１６が２００μの間隔を存して
３列平行に設けられている。
誘電体基板１５上に伝送線路１６を設けるには、誘電体
基板１５上に、Ｃｕを μスパッタリングしてＣａＩ２
を形成し、次にＣｕ層上に所要のレジストを施した後、
エツチングし、次いでレジストを剥離して、誘電体基板
１５上にＣｕの伝送線路１６を形成する。
基板１５上に、Ｃｕを μスパッタリングしてＣａＩ２
を形成し、次にＣｕ層上に所要のレジストを施した後、
エツチングし、次いでレジストを剥離して、誘電体基板
１５上にＣｕの伝送線路１６を形成する。
上述の如く本発明のプローブ針１７は、誘電体基板１５
上に伝送線路１６を３列平行に設けられているので、伝
送線路１６はストリップ線路構造となっている。従って
、このプローブ針１７の伝送線路１６の特性インピーダ
ンスは、どの部分でも一定となる。
上に伝送線路１６を３列平行に設けられているので、伝
送線路１６はストリップ線路構造となっている。従って
、このプローブ針１７の伝送線路１６の特性インピーダ
ンスは、どの部分でも一定となる。
そこで本発明のプローブ針１７を、第２図に示す如（計
測器１０のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム１１に
セットし、ウェーハ１上のＩＣ５ＬＳＩ等のパッド２に
接触させて、電気的特性を測定した処、高周波数領域で
、本例では３０ＧＨｚの高周波数で正確に電気的特性測
定ができた。
測器１０のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム１１に
セットし、ウェーハ１上のＩＣ５ＬＳＩ等のパッド２に
接触させて、電気的特性を測定した処、高周波数領域で
、本例では３０ＧＨｚの高周波数で正確に電気的特性測
定ができた。
尚、上記実施例のプローブ針１７の誘電体基板１５は、
アルミナ（Ａ／２０３）より成るが、石英でも良いもの
である。また上記実施例では伝送線路１６が３列である
が、これに限るものではなく、２列以上何列でも形成で
きるものである。
アルミナ（Ａ／２０３）より成るが、石英でも良いもの
である。また上記実施例では伝送線路１６が３列である
が、これに限るものではなく、２列以上何列でも形成で
きるものである。
（発明の効果）
以上の説明で判るように本発明のプローブ針は誘電体基
板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるから
、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従って
、特性インピーダンスの設定を安定化させることができ
、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンスを
一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子化
が実現できる。かくして、高密度、高速化されるウェー
へ上のＩＣ，ＬＳＩ等の高周波数領域での電気的特性の
測定を正確に行うことができる。
板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるから
、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従って
、特性インピーダンスの設定を安定化させることができ
、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンスを
一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子化
が実現できる。かくして、高密度、高速化されるウェー
へ上のＩＣ，ＬＳＩ等の高周波数領域での電気的特性の
測定を正確に行うことができる。
第１図は本発明によるウェーハの電気的特性測定用プロ
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図はそのプローブ
針の使用状態を示す概略図、第３図は従来のプローバを
示す斜視図、第４図は従来の同軸型プローブ針の斜視図
、第５図は第４図の同軸型プローブ針の使用状態を示す
概略図である。
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図はそのプローブ
針の使用状態を示す概略図、第３図は従来のプローバを
示す斜視図、第４図は従来の同軸型プローブ針の斜視図
、第５図は第４図の同軸型プローブ針の使用状態を示す
概略図である。
Claims (1)
- 誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたこと
を特徴とする半導体ウェーハの電気的特性測定用プロー
ブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019817A JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019817A JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177456A true JPS62177456A (ja) | 1987-08-04 |
| JPH0690222B2 JPH0690222B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12009870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61019817A Expired - Lifetime JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690222B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380752B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-04-30 | Nec Corporation | IC socket |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
| JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
| JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
| JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019817A patent/JPH0690222B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
| JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
| JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
| JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
| JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6380752B1 (en) | 1998-11-11 | 2002-04-30 | Nec Corporation | IC socket |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0690222B2 (ja) | 1994-11-14 |
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