JPS62290144A - 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ３、発明の詳細な説明 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェーハ用プローブ装置に関するしの
であり、詳しくは、Ｅ　ＣＬ　（ｅ　ｍ　１ｔ：　ｔｅ
ｒ　　ｃｏｕｐｌｅｄ　　ｌｏｇｉｃ）ヤＱ　ａ　Ａ　
ｓＩＣなどの複数の入出力ボートを有する高速半導体ウ
ェーハの測定に適した装置を提供するものである。

（従来の技術） 従来、半導体素子の高周波特性の測定は、各デツプをつ
Ｉ−バカ目ら切り出してパッケージした状態で行われて
いた。

このために、開発段階では、ウェーハ完成からパッケー
ジ完了までの間は開発が中断されることになる。また、
ウェーハ上における特性分布状態を調べるためには各チ
ップの切り出し位置を管理しておかなければ４＾らず、
不便である。一方、製造段階では、全チップをパッケー
ジした後に特性測定をして製品の選別を行うことになり
、生産効率が低下することになる。

そこで、これらの不都合を解決するために、つＩ−凸状
態で高周波特性の測定が行える装置として、例えば米国
カスケードマイクロチック社からマイク１コ波ウエーハ
プローブ装置が１Ｊ造販売されている。

この＠置は、絶縁基板に複数の高周波信号伝送線路が形
成されたらのであり、ウェーハの所定のチップの入出力
ボートに高周波信号伝送線路の一部を接触させて信号の
授受を行いながら特性測定が行われることになる。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、このような従来の装置は、不透明の基板を用い
ていることから、プローブ装置とチップの入出力ボート
との位置合わせが困難である。

本発明は、このような点に着目したものであって、その
目的は、′１１￥ｒ１度の位置合わぜが簡単に行える半
導体ウェーハ用プローブ装置を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） このような目的を達成する本発明は、広帯域にわたって
＾誘電率および低誘電体損失を有する透明基板よりなり
、この透明基板は平面形状が先細に形成されて先細部分
の厚さは可撓性を生じるように他端よりも薄く形成され
、透明基板の一方の全面にアースパターンを被着し他方
の面に選択的に複数の電極パターンを被着することによ
り測定対象物の入出力ボートとの間で信号の授受を行う
複数の分布定数伝送線路が形成され、これら各分布定数
伝送線路の先端近傍部分のアースパターンの一部を選択
的に除去プることにより１１！察用の窓部が形成された
ことを特徴とする。

（実施例） 以下、図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す斜視図、第２図はその
側面図である。これら図面において、１は広帯域（低周
波数からＧＨｚ領域）にわたってｎ誘電率（例えば１０
程度）　Ｊ５よび低誘電体損失（例えばｌＸ１０−４以
下）を有するサファイヤなどの透明基板である。この透
明基板１は平面形状が先細に形成されていて、先細部分
の厚さは可撓性を生じるように他端よりも薄く形成され
ている。例えば、透明基板１として厚さがＱ、５ｍｍ〜
０．６３５ｍｍのものを用い、先細部分の厚さが１００
μｍ〜２００μｍになるように模試に切削研磨する。こ
れにより、透明基板１は、可撓性を持つことになる。な
お、先細部分の幅は、チップの各辺の大きさに対応する
ように形成されている。この透明基板１の一方の面ａの
全面にはアースパターン２が被着され、使方の面すには
選択的に複数の電極パターン３が成性されるとともにこ
れら各電帰パターン３を囲むようにアースパターン４が
被着されて測定対象物となるウェーハのチップの入出力
ボートとの間で信号の授受を行う少数のブラウンデッド
　コプレナー　ライン（ｇｒｏｕｎｄｅｄ　　ｃｏｐｌ
ａｎａｒ　　１ｉｎｅ）形の分布定数伝送線路が形成さ
れている。なお、これら分布定数伝送回路は、例えばマ
イクイロストリップ　ライン（ｍｉｃｒｏｓｔｒｉｐ　
　ｆｉｎｅ）形であってもよいが、実施例のようなりラ
ウンデッド　コプレナー　ライン形にすることにより線
路幅をマイクロストリップ　ライン形に比べて細くする
ことができ、配線密度を高めることができる。また、ア
ースパターン４の一部を用いて電源供給を行うこともで
きる。このように形成される分布定数伝送線路の先端近
傍部分のアースパターン２の一部は１ｍｍ程度の幅で選
択的に除去されて、チップに対する位置合わせのための
ｖＡ察用の窓部５が形成されている。この程度の大きさ
の窓部５が分布定数伝送回路の特性インピーダンスに及
ぼす影響は、実用上充分！　？１　することができる。

第３図はこのように構成されるプローブ装置を用いたテ
ストシステムの要部の拡大図である。第３図において、
６はプローブ装置と外部クープルアとを接続するための
コネクタ、８は測定対象物となるチップが形成されたウ
ェーハである。ブ臼−ブ装ｊ腎は、チップの４辺を囲む
ように配置されている。

このように構成することにより、ブ［１−ブＢＭにはア
ースパターン２の一部を選択的に除去することによって
デツプに対づる位置合わ往のための８察用の窓部５が形
成されていることから、プローブ装置とチップの入出力
ボートとの位置合わせを高精度で簡単に行“うことがで
きる。

なお、第４図に示すように、透明基板１の先端部分の端
面を円弧状に形成して゛電極パターン３を延長被着する
ことにより、チップの入出力ボートとの間に安定な接触
状態を得ることができる。

また、第５図に示すように、透明基板１の先端部分に各
電極パターン３を分離するようにしてスリット８を形成
プることにより名主（〜パターン３を個別に変位させる
ことができ、チップの入出力ボートの凹凸の影響を解消
でさる。

また、必要に応じて、透明基板１上の分布定数伝送線路
の一部に半導体素子を搭載してアクティブプローブを構
成することもできる。

また、実施例のようなりラウンデッド　コプレナー　ラ
イン形の場合、透明基板１の両面のアースパターン２．
４相互をスルーホールを介して電気的に接続することに
より、伝送特性を改誇することができる。

く発明の効果〉 以上説明したように、本発明によれば、ｇｉ精度の位置
合わせが簡単に行える半導体ウェーハ用プローブ装置が
実現でき、各種の半導体装置のウェーハ状態での高周波
特性の測定に実Ｊ）］　ｉの効果は大きい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実論例を示す斜視図、第２図はその
側面図、第１図は本発明の一実施例を示７ｊ構成説明図
、第３図は本発明のプローブ装置を用いたテストシステ
ムの要部の拡大図、第４図Ｊｊよび第５図はそれぞれ本
発明の他の実施例を示す構成説明図である。 １・・・透明基板、２．４・・・アースパターン、３・
・・電極パターン、５・・・窓部、６・・・コネクタ、
７・・・ケーブル、８・・・つｌ−ハ、９・・・スリッ
ト。 第１図 ＠　３　図 第４図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 広帯域にわたつて高誘電率および低誘電体損失を有する
   透明基板よりなり、この透明基板は平面形状が先細に形
   成されて先細部分の厚さは可撓性を生じるように他端よ
   りも薄く形成され、透明基板の一方の全面にアースパタ
   ーンを被着し他方の面に選択的に複数の電極パターンを
   被着することにより測定対象物の入出力ポートとの間で
   信号の授受を行う複数の分布定数伝送線路が形成され、
   これら各分布定数伝送線路の先端近傍部分のアースパタ
   ーンの一部を選択的に除去することにより観察用の窓部
   が形成されたことを特徴とする半導体ウェーハ用プロー
   ブ装置。