JPH04304646A - ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法 - Google Patents
ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法Info
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- JPH04304646A JPH04304646A JP3068675A JP6867591A JPH04304646A JP H04304646 A JPH04304646 A JP H04304646A JP 3068675 A JP3068675 A JP 3068675A JP 6867591 A JP6867591 A JP 6867591A JP H04304646 A JPH04304646 A JP H04304646A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＬＳＩテスターのピン
エレクトロニクスカードと被測定デバイスを取りつける
パフォーマンスボードの接続や各種測定機器と被測定デ
バイスのボードとボードの接続に使用されるゴムコンダ
クターに関する。また、本発明は係るゴムボードを使用
する半導体デバイスの試験方法に関する。近年ＬＳＩの
高速化に伴いデバイスの試験周波数も高くなっている。 また試験のためにデバイスに印加される信号波形の高品
質化が要求されている。例えば、ＬＳＩテスターのピン
エレクトロニクスのドライバーからデバイスまでの伝送
経路にインピーダンスのミスマッチがあると、信号の反
射、リギングや波形のなまりが発生して信号品質を低下
するので、これを回避する必要がある。
エレクトロニクスカードと被測定デバイスを取りつける
パフォーマンスボードの接続や各種測定機器と被測定デ
バイスのボードとボードの接続に使用されるゴムコンダ
クターに関する。また、本発明は係るゴムボードを使用
する半導体デバイスの試験方法に関する。近年ＬＳＩの
高速化に伴いデバイスの試験周波数も高くなっている。 また試験のためにデバイスに印加される信号波形の高品
質化が要求されている。例えば、ＬＳＩテスターのピン
エレクトロニクスのドライバーからデバイスまでの伝送
経路にインピーダンスのミスマッチがあると、信号の反
射、リギングや波形のなまりが発生して信号品質を低下
するので、これを回避する必要がある。
【０００２】
【従来の技術】従来のゴムコンダクターを図８に示す。
図８の（ａ）は斜視図（ｃ）の（ａ）−（ａ）線の断面
図、（ｂ）は同じく（ｂ）−（ｂ）線の断面図、（ｃ）
は全体の斜視図である。従来のゴムコンダクター１０は
シリコンゴム１の片面にポリイミド等のフィルム２を形
成し、その上に銅箔からなる銅パターン３を接着したも
のであった。
図、（ｂ）は同じく（ｂ）−（ｂ）線の断面図、（ｃ）
は全体の斜視図である。従来のゴムコンダクター１０は
シリコンゴム１の片面にポリイミド等のフィルム２を形
成し、その上に銅箔からなる銅パターン３を接着したも
のであった。
【０００３】従来のゴムコンダクターを使用した測定法
を図９に図解する。図において、８はパフォーマンスボ
ード（上側ボード）、９はパフォーマンスボードに予め
設けられている銅パターン、１２はテスターのボード（
下側ボード）、１３はテスターボードに予め設けられて
いる銅パターン、１４は被測定デバイス、１６はＬＳＩ
テスターである。試験においては両方のボード８、１２
とゴムコンダクター１０と圧力を調節して圧接すること
によって、ＬＳＩテスター１６と被測定デバイス１４を
導通させる。従来のゴムコンダクターの配線パターンが
インダクタンス成分となっていた。
を図９に図解する。図において、８はパフォーマンスボ
ード（上側ボード）、９はパフォーマンスボードに予め
設けられている銅パターン、１２はテスターのボード（
下側ボード）、１３はテスターボードに予め設けられて
いる銅パターン、１４は被測定デバイス、１６はＬＳＩ
テスターである。試験においては両方のボード８、１２
とゴムコンダクター１０と圧力を調節して圧接すること
によって、ＬＳＩテスター１６と被測定デバイス１４を
導通させる。従来のゴムコンダクターの配線パターンが
インダクタンス成分となっていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のゴムコンダクタ
ーを使用する測定法では、上下のコンタクト（９、１３
）の間のシリコンゴムの物理的長さ（ｌ）に相当するイ
ンピーダンス成分となる。この結果、試験時に高周波減
衰が発生し正確な波形が伝達されないという問題があっ
た。したがって本発明は高周波において伝達特性が優れ
たゴムコンダクター及び高周波において品質が高い半導
体デバイスの試験方法を提供することを目的とする。
ーを使用する測定法では、上下のコンタクト（９、１３
）の間のシリコンゴムの物理的長さ（ｌ）に相当するイ
ンピーダンス成分となる。この結果、試験時に高周波減
衰が発生し正確な波形が伝達されないという問題があっ
た。したがって本発明は高周波において伝達特性が優れ
たゴムコンダクター及び高周波において品質が高い半導
体デバイスの試験方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明に係るゴムコンダ
クターは、伝送インピーダンスと整合したストリップラ
インをゴムに接着し、ストリップラインをゴムの弾性に
よりテスター及び被測定デバイスに圧力を調整して接合
しうるように配列したことを特徴とする。すなわち、本
発明は、上下コンタクト間をストリップライン構造とす
ることにより、測定インピーダンスをマッチングさせた
ることにより従来法のゴムコンダクタの欠点を解消する
。ゴムとストリップラインの間には誘電率が高いポリイ
ミドなどのフィルムを介挿することが好ましい。
クターは、伝送インピーダンスと整合したストリップラ
インをゴムに接着し、ストリップラインをゴムの弾性に
よりテスター及び被測定デバイスに圧力を調整して接合
しうるように配列したことを特徴とする。すなわち、本
発明は、上下コンタクト間をストリップライン構造とす
ることにより、測定インピーダンスをマッチングさせた
ることにより従来法のゴムコンダクタの欠点を解消する
。ゴムとストリップラインの間には誘電率が高いポリイ
ミドなどのフィルムを介挿することが好ましい。
【０００６】具体的なインピーダンス整合方法としては
、図２に示すように、信号用銅３ｂからなるストリップ
ラインが幅ｗ（単位ｍｍ），厚みｔ（単位ｍｍ）を有し
、ポリイミドフィルム２などの導体が厚みｈ（単位ｍｍ
）と相対誘電率εｒ を有する構造において、次式：Ｚ
０ ＝８７（εｒ＋１．４１）・ｌｎ（５．９８ｈ／（
０．８ｗ＋ｔ）−但しｌｎは自然対数−で表されるのス
トリップラインのインピーダンスを伝送インピーダンス
と正確に整合させることができる。なお２０は銅層など
からなる接地電位を設定する導体である。
、図２に示すように、信号用銅３ｂからなるストリップ
ラインが幅ｗ（単位ｍｍ），厚みｔ（単位ｍｍ）を有し
、ポリイミドフィルム２などの導体が厚みｈ（単位ｍｍ
）と相対誘電率εｒ を有する構造において、次式：Ｚ
０ ＝８７（εｒ＋１．４１）・ｌｎ（５．９８ｈ／（
０．８ｗ＋ｔ）−但しｌｎは自然対数−で表されるのス
トリップラインのインピーダンスを伝送インピーダンス
と正確に整合させることができる。なお２０は銅層など
からなる接地電位を設定する導体である。
【０００７】接地電位を設定する導体の接地場所は任意
であるが、実際のゴムコンダクターの使用方法を前提と
すると、図１に示すように、接地導体（銅層）２０と導
通するスルーホール２２を絶縁物質（ポリイミドフィル
ム）２を貫通して形成し、かつ接地導体（銅層）２０と
の外部コンタクト３ａ（ＧＮＤ用銅ライン）を絶縁材料
（ポリイドドフィルム）の表面に形成することが好まし
い。なお、図１においては、銅ライン３はポリイミドフ
ィルム上で銅箔をエッチングして形成したパターンであ
る。図１ではＧＮＤ銅ライン３ｂは信号用銅ライン３と
交互に設けているが、このようにすることによりストリ
ップラインの性能が高められる。しかしながら、複数の
信号用銅ライン３ａの列につき１本のＧＮＤ銅ライン３
ｂを配置してもよい。
であるが、実際のゴムコンダクターの使用方法を前提と
すると、図１に示すように、接地導体（銅層）２０と導
通するスルーホール２２を絶縁物質（ポリイミドフィル
ム）２を貫通して形成し、かつ接地導体（銅層）２０と
の外部コンタクト３ａ（ＧＮＤ用銅ライン）を絶縁材料
（ポリイドドフィルム）の表面に形成することが好まし
い。なお、図１においては、銅ライン３はポリイミドフ
ィルム上で銅箔をエッチングして形成したパターンであ
る。図１ではＧＮＤ銅ライン３ｂは信号用銅ライン３と
交互に設けているが、このようにすることによりストリ
ップラインの性能が高められる。しかしながら、複数の
信号用銅ライン３ａの列につき１本のＧＮＤ銅ライン３
ｂを配置してもよい。
【０００８】また、信号ラインを複数本（ｎ）並列に配
列するときは１本のラインの特性インピーダンスを並列
配列する本数倍ｎＺ０ に設計する。このゴムコンダク
ターを使用して半導体デバイスを試験するには、記外部
コンタクト３ａが外部に導出されているので、これを被
測定デバイスの接地端子に接続して試験を行うことが好
ましい。この態様を従来法の図９と対応する図３に示す
。 図中の参照符合は図１と同様の意味にて使用している。 図中、９ａは信号用銅ライン３ａと接続する被測定デバ
イス１４側の銅パターン、９ｂはＧＮＤ用銅ライン３ｂ
と接続する銅パターン、１３ａはＬＳＩテスターボード
側で銅ライン３ａと接続する銅パターン、１３ｂはＧＮ
Ｄ用銅ライン３ｂと接続する銅パターンである。ＧＮＤ
用銅ライン３ｂはパフォーマンスボード８及びテスター
ボード１２の内部に設けられたそれぞれのＧＮＤ導体２
３、２４と導通している。なおＧＮＤ導体２３、２４は
それぞれのボードの内部に設ける必要は必ずしもなく、
ＧＮＤ銅ラインとコンタクトが取りやすい位置に設けれ
ば良い。
列するときは１本のラインの特性インピーダンスを並列
配列する本数倍ｎＺ０ に設計する。このゴムコンダク
ターを使用して半導体デバイスを試験するには、記外部
コンタクト３ａが外部に導出されているので、これを被
測定デバイスの接地端子に接続して試験を行うことが好
ましい。この態様を従来法の図９と対応する図３に示す
。 図中の参照符合は図１と同様の意味にて使用している。 図中、９ａは信号用銅ライン３ａと接続する被測定デバ
イス１４側の銅パターン、９ｂはＧＮＤ用銅ライン３ｂ
と接続する銅パターン、１３ａはＬＳＩテスターボード
側で銅ライン３ａと接続する銅パターン、１３ｂはＧＮ
Ｄ用銅ライン３ｂと接続する銅パターンである。ＧＮＤ
用銅ライン３ｂはパフォーマンスボード８及びテスター
ボード１２の内部に設けられたそれぞれのＧＮＤ導体２
３、２４と導通している。なおＧＮＤ導体２３、２４は
それぞれのボードの内部に設ける必要は必ずしもなく、
ＧＮＤ銅ラインとコンタクトが取りやすい位置に設けれ
ば良い。
【０００９】
【作用】請求項１のゴムコンダクターの信号用コンダク
ターはストリップライン構造で特性インピーダンスが信
号源、すなわちピンエレクトロニクスのインピーダンス
、通常は５０Ω、と整合するために、これを使用してＬ
ＳＩの試験を行うと高品質の波形が伝送できまた高周波
信号ロスも少なくなる。請求項２のゴムコンダクターは
内部に設けた接地導体と信号導体の間隔、信号導体の寸
法及び絶縁物質の相対誘電率により正確にインピーダン
スを設定することができる。請求項３のゴムコンダクタ
ーは、接地導体とスルーホールを介して導通する外部コ
ンタクトを設けることにより、確実にＧＮＤ電位を接地
導体に与えることができる。請求項５の試験方法では請
求項３の外部コンタクトを被測定デバイス及び試験機の
接地導体と導通させて、正確に接地電位を設定すること
ができる。以下、実施例により本発明をより具体的に説
明する。
ターはストリップライン構造で特性インピーダンスが信
号源、すなわちピンエレクトロニクスのインピーダンス
、通常は５０Ω、と整合するために、これを使用してＬ
ＳＩの試験を行うと高品質の波形が伝送できまた高周波
信号ロスも少なくなる。請求項２のゴムコンダクターは
内部に設けた接地導体と信号導体の間隔、信号導体の寸
法及び絶縁物質の相対誘電率により正確にインピーダン
スを設定することができる。請求項３のゴムコンダクタ
ーは、接地導体とスルーホールを介して導通する外部コ
ンタクトを設けることにより、確実にＧＮＤ電位を接地
導体に与えることができる。請求項５の試験方法では請
求項３の外部コンタクトを被測定デバイス及び試験機の
接地導体と導通させて、正確に接地電位を設定すること
ができる。以下、実施例により本発明をより具体的に説
明する。
【００１０】
【実施例】また、図４には、ポリイミドフィルムとシリ
コンゴムをまとめてゴム２５として示したゴムコンダク
ターの断面形状の態様を示す。すなわち（ａ）は切り欠
きがある形状、（ｂ）は円形、（ｃ）は楕円形、（ｄ）
は矩形の一部外周面に銅パターンが設けられた形状、（
ｅ）は矩形の全部の外周面に銅パターンが設けられた形
状、（ｆ）は三角形の全部の外周面に銅パターンが設け
られた形状、（ｇ）は中空円筒の外周面に銅パターンが
設けられた形状を示す。図５に示すように１本のＧＮＤ
用銅ライン３ｂに付き多数のスルーホール２２を設ける
ことによって接地電位の偏差を少なくすることができる
。
コンゴムをまとめてゴム２５として示したゴムコンダク
ターの断面形状の態様を示す。すなわち（ａ）は切り欠
きがある形状、（ｂ）は円形、（ｃ）は楕円形、（ｄ）
は矩形の一部外周面に銅パターンが設けられた形状、（
ｅ）は矩形の全部の外周面に銅パターンが設けられた形
状、（ｆ）は三角形の全部の外周面に銅パターンが設け
られた形状、（ｇ）は中空円筒の外周面に銅パターンが
設けられた形状を示す。図５に示すように１本のＧＮＤ
用銅ライン３ｂに付き多数のスルーホール２２を設ける
ことによって接地電位の偏差を少なくすることができる
。
【００１１】ボードとゴムコンダクターの脱着の例を図
６に示す。図中、参照符合は図３、４と同様に使用して
おり、また２７はゴムコンダクター１０の脱着を案内す
るガイド、２８はパフォーマンスボードのコンタクト、
２９はテスターボードのコンタクトである。図６の（ａ
）では図面の紙面と直交方向にゴムボード１０を脱着さ
せる。（ｂ）ではパフォーマンスボード８とテスターボ
ード１２が直交配列され、テスターボード１２の端縁部
とパフォーマンスボード８側面の間にゴムボード１０を
弾力的に保持する。（ｃ）ではパフォーマンスボード８
とテスターボード１２が直交配列され、テスターボード
１２とパフォーマンスボード８側面の端部に形成された
コンタクト２８、２９によりゴムボードと接続している
。図７に上記式によりインピーダンスを設定した図１の
構造のゴムコンダクターの伝達特性の周波数依存性を示
す。ここで伝達特性は信号強度の入出力比で測定してい
る。また比較のために従来のゴムコンダクタの伝達特性
も示す。この図より本発明のゴムコンダクタは数ＧＨｚ
まで減衰がなく信号を伝達できることが分かる。
６に示す。図中、参照符合は図３、４と同様に使用して
おり、また２７はゴムコンダクター１０の脱着を案内す
るガイド、２８はパフォーマンスボードのコンタクト、
２９はテスターボードのコンタクトである。図６の（ａ
）では図面の紙面と直交方向にゴムボード１０を脱着さ
せる。（ｂ）ではパフォーマンスボード８とテスターボ
ード１２が直交配列され、テスターボード１２の端縁部
とパフォーマンスボード８側面の間にゴムボード１０を
弾力的に保持する。（ｃ）ではパフォーマンスボード８
とテスターボード１２が直交配列され、テスターボード
１２とパフォーマンスボード８側面の端部に形成された
コンタクト２８、２９によりゴムボードと接続している
。図７に上記式によりインピーダンスを設定した図１の
構造のゴムコンダクターの伝達特性の周波数依存性を示
す。ここで伝達特性は信号強度の入出力比で測定してい
る。また比較のために従来のゴムコンダクタの伝達特性
も示す。この図より本発明のゴムコンダクタは数ＧＨｚ
まで減衰がなく信号を伝達できることが分かる。
【００１２】
【発明の効果】本発明のゴムコンダクターは、以上説明
したように、コンタクト部分がストリップライン構造で
あり、かつインピーダンスが整合しているので、高周波
伝達特性が従来より大幅に改善されている。したがって
、本発明はＬＳＩの試験の高品質化に寄与するところが
大きい。
したように、コンタクト部分がストリップライン構造で
あり、かつインピーダンスが整合しているので、高周波
伝達特性が従来より大幅に改善されている。したがって
、本発明はＬＳＩの試験の高品質化に寄与するところが
大きい。
【図１】本発明のゴムコンダクターの実施例を示す図で
ある。
ある。
【図２】ムコンダクターのインピーダンスの計算式の説
明図である。
明図である。
【図３】本発明によるゴムコンダクターの接続法の説明
図である。
図である。
【図４】本発明のゴムコンダクターの実施例を示す図で
ある。
ある。
【図５】スルーホールの説明図である。
【図６】本発明によるゴムコンダクターの接続法の説明
図である。
図である。
【図７】伝達特性を示すグラフである。
【図８】従来のゴムコンダクターの図である。
【図９】測定法の説明図である。
【符合の説明】１ シリコンゴム
２ ポリイミドフィルム
３ 銅パターン
３ａ 信号用銅ライン
３ｂ ＧＮＤ用銅ライン
８ パフォーマンスボード
９ コンタクト
１０ ゴムコンダクター
１２ テスターのーボード
１３ コンタクト
２０ 銅層
２２ スルーホール
２３ ＧＮＤ導体
２４ ＧＮＤ導体
Claims (5)
- 【請求項１】伝送インピーダンスと整合したストリップ
ラインを、ゴムを被覆する絶縁物質に接着し、該ストリ
ップラインを前記ゴムの弾性によりテスター及び被測定
デバイスに圧力を調整して接合しうるように配列したゴ
ムコンダクター。 - 【請求項２】前記ストリップラインのインピーダンスＺ
０ が次式： Ｚ０ ＝８７（εｒ ＋１．４１）・ｌｎ（５
．９８ｈ／（０．８ｗ＋ｔ）−ただし、εｒ はゴムの
被誘電率、ｈは前記絶縁物質の表面からゴムコンダクタ
ーの内部に設けられた接地導体までの厚み、ｔはストリ
ップラインを構成する導体の厚み、ｗはストリップライ
ンを構成する導体の幅である−で表されることを特徴と
する請求項１記載のゴムコンダクター。 - 【請求項３】 前記接地導体と導通するスルーホール
を前記ゴムを貫通して形成し、かつ接地導体との外部コ
ンタクトを前記ゴムの表面に形成したことを特徴とする
請求項２記載のゴムコンダクター。 - 【請求項４】 請求項１または２記載のゴムコンダク
ターを使用して半導体デバイスの試験を行うことを特徴
とする半導体デバイスの試験方法。 - 【請求項５】 請求項３記載のゴムコンダクターの前
記外部コンタクトを被測定デバイスの接地端子及びテス
ターの接地端子と接続して試験を行うことを特徴とする
半導体デバイスの試験方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068675A JPH04304646A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3068675A JPH04304646A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04304646A true JPH04304646A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=13380533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3068675A Withdrawn JPH04304646A (ja) | 1991-04-02 | 1991-04-02 | ゴムコンダクター及び半導体デバイスの試験方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04304646A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999042851A1 (fr) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Advantest Corporation | Structure d'interface de dispositif de test |
| JP2003185700A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-03 | Advantest Corp | Ｉｃソケット |
| JP2009176474A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | コネクタ |
| JP2010272329A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 多芯コネクタ |
-
1991
- 1991-04-02 JP JP3068675A patent/JPH04304646A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999042851A1 (fr) * | 1998-02-20 | 1999-08-26 | Advantest Corporation | Structure d'interface de dispositif de test |
| JP2003185700A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-03 | Advantest Corp | Ｉｃソケット |
| JP2009176474A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | コネクタ |
| JP2010272329A (ja) * | 2009-05-21 | 2010-12-02 | Japan Aviation Electronics Industry Ltd | 多芯コネクタ |
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