JP2003185700A - Ｉｃソケット - Google Patents
ＩｃソケットInfo
- Publication number
- JP2003185700A JP2003185700A JP2001380948A JP2001380948A JP2003185700A JP 2003185700 A JP2003185700 A JP 2003185700A JP 2001380948 A JP2001380948 A JP 2001380948A JP 2001380948 A JP2001380948 A JP 2001380948A JP 2003185700 A JP2003185700 A JP 2003185700A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating plate
- substrate
- side electrode
- side insulating
- socket
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
- Connecting Device With Holders (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＩＣと基板とを接続するコンタクトを備える
ＩＣソケットであって、低インダクタンスで狭ピッチ化
が可能なＩＣソケットを提供する。 【解決手段】 ＩＣ２００とソケットボード２０６とを
接続するコンタクト１０ａを備えるＩＣソケット１００
は、コンタクト１０ａが、ＩＣ２００と接触するデバイ
ス側電極１２ａと、デバイス側電極１２ａと対向して設
けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１
４ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとを
電気的に接続する伝送線路１６ａと、デバイス側電極１
２ａと基板側電極１４ａとの間に設けられた弾性部材１
８ａとを有する。
ＩＣソケットであって、低インダクタンスで狭ピッチ化
が可能なＩＣソケットを提供する。 【解決手段】 ＩＣ２００とソケットボード２０６とを
接続するコンタクト１０ａを備えるＩＣソケット１００
は、コンタクト１０ａが、ＩＣ２００と接触するデバイ
ス側電極１２ａと、デバイス側電極１２ａと対向して設
けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１
４ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとを
電気的に接続する伝送線路１６ａと、デバイス側電極１
２ａと基板側電極１４ａとの間に設けられた弾性部材１
８ａとを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣソケットに関
する。特に本発明は、ＩＣと基板とを接続するコンタク
トを備えるＩＣソケットに関する。
する。特に本発明は、ＩＣと基板とを接続するコンタク
トを備えるＩＣソケットに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＩＣ動作の高速化及び端子の狭ピ
ッチ化に伴い、ＩＣの動作テスト等において使用される
ＩＣソケットの、低インダクタンス化、狭ピッチ化の要
求が高まっている。従来のＩＣソケットは、例えばプロ
ーブピンとコイルバネとを備えたポゴピンタイプのＩＣ
ソケットや、絶縁性の低弾性エラストマが棒状の独立し
たコンタクトを保持するエラストマタイプのＩＣソケッ
ト等が知られている。
ッチ化に伴い、ＩＣの動作テスト等において使用される
ＩＣソケットの、低インダクタンス化、狭ピッチ化の要
求が高まっている。従来のＩＣソケットは、例えばプロ
ーブピンとコイルバネとを備えたポゴピンタイプのＩＣ
ソケットや、絶縁性の低弾性エラストマが棒状の独立し
たコンタクトを保持するエラストマタイプのＩＣソケッ
ト等が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ポゴピ
ンタイプのＩＣソケットは、接点間のインダクタンスが
高いため、特に高速で動作するＩＣと試験装置とを接続
した場合には入出力信号の波形の劣化を来たし、試験精
度に悪影響を与えるという課題を有していた。更にポゴ
ピンタイプのＩＣソケットは、構造が複雑なため、狭ピ
ッチ化やコストダウンが困難であるという課題も有して
いた。また、エラストマタイプのＩＣソケットは、接触
信頼性及び耐久性が十分でないという課題を有してい
た。
ンタイプのＩＣソケットは、接点間のインダクタンスが
高いため、特に高速で動作するＩＣと試験装置とを接続
した場合には入出力信号の波形の劣化を来たし、試験精
度に悪影響を与えるという課題を有していた。更にポゴ
ピンタイプのＩＣソケットは、構造が複雑なため、狭ピ
ッチ化やコストダウンが困難であるという課題も有して
いた。また、エラストマタイプのＩＣソケットは、接触
信頼性及び耐久性が十分でないという課題を有してい
た。
【０００４】そこで本発明は、上記の課題を解決するこ
とのできるＩＣソケットを提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴
の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の
更なる有利な具体例を規定する。
とのできるＩＣソケットを提供することを目的とする。
この目的は特許請求の範囲における独立項に記載の特徴
の組み合わせにより達成される。また従属項は本発明の
更なる有利な具体例を規定する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明の第１のの
形態によると、ＩＣと基板とを接続する第１のコンタク
トを備えるＩＣソケットは、第１のコンタクトが、ＩＣ
と接触する第１のデバイス側電極と、第１のデバイス側
電極と対向して設けられ、基板と接触する第１の基板側
電極と、第１のデバイス側電極と第１の基板側電極とを
電気的に接続する第１の伝送線路と、第１のデバイス側
電極と第１の基板側電極との間に設けられた第１の弾性
部材とを有する。
形態によると、ＩＣと基板とを接続する第１のコンタク
トを備えるＩＣソケットは、第１のコンタクトが、ＩＣ
と接触する第１のデバイス側電極と、第１のデバイス側
電極と対向して設けられ、基板と接触する第１の基板側
電極と、第１のデバイス側電極と第１の基板側電極とを
電気的に接続する第１の伝送線路と、第１のデバイス側
電極と第１の基板側電極との間に設けられた第１の弾性
部材とを有する。
【０００６】第１の弾性部材は、第１のデバイス側電極
に沿って設けられた第１のデバイス側絶縁板と、第１の
基板側電極に沿って設けられた第１の基板側絶縁板と、
一端が第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端
が第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１の接続板
とを含んでもよい。
に沿って設けられた第１のデバイス側絶縁板と、第１の
基板側電極に沿って設けられた第１の基板側絶縁板と、
一端が第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端
が第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１の接続板
とを含んでもよい。
【０００７】第１のデバイス側電極と、第１の基板側電
極と、伝送線路とは、一体に形成されてもよい。第１の
デバイス側絶縁板と、第１の基板側絶縁板と、第１の接
続板とは、一体に形成されてもよい。また、第１のデバ
イス側電極、第１の基板側電極、及び第１の伝送線路
は、第１の弾性部材の表面に設けられてもよい。
極と、伝送線路とは、一体に形成されてもよい。第１の
デバイス側絶縁板と、第１の基板側絶縁板と、第１の接
続板とは、一体に形成されてもよい。また、第１のデバ
イス側電極、第１の基板側電極、及び第１の伝送線路
は、第１の弾性部材の表面に設けられてもよい。
【０００８】第１のデバイス側絶縁板と、第１の基板側
絶縁板と、第１の接続板とは、実質的にコの字形状をな
すように接続されてもよい。そして、第１のデバイス側
電極が、第１のデバイス側電極から第１の基板側電極へ
の方向に押下された場合に、第１の弾性部材は、第１の
デバイス側電極を方向に平行移動させるべく変形しても
よい。また、第１の接続板は、第１のデバイス側絶縁板
から第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していて
もよい。また、第１の伝送線路は、第１の接続板の表面
に設けられた、切り欠きを持つ金属膜であってもよい。
絶縁板と、第１の接続板とは、実質的にコの字形状をな
すように接続されてもよい。そして、第１のデバイス側
電極が、第１のデバイス側電極から第１の基板側電極へ
の方向に押下された場合に、第１の弾性部材は、第１の
デバイス側電極を方向に平行移動させるべく変形しても
よい。また、第１の接続板は、第１のデバイス側絶縁板
から第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していて
もよい。また、第１の伝送線路は、第１の接続板の表面
に設けられた、切り欠きを持つ金属膜であってもよい。
【０００９】第１のコンタクトは、第１のデバイス側絶
縁板と第１の基板側絶縁板とに挟まれた第１の弾性支持
体を更に有してもよい。また、第１の弾性支持体は、第
１のデバイス側絶縁板と第１の基板側絶縁板とを略平行
に保ってもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデ
バイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板に固着されてい
てもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス
側絶縁板と第１の基板側絶縁板との間隔を広げる方向に
第１のデバイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板を押圧
してもよい。
縁板と第１の基板側絶縁板とに挟まれた第１の弾性支持
体を更に有してもよい。また、第１の弾性支持体は、第
１のデバイス側絶縁板と第１の基板側絶縁板とを略平行
に保ってもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデ
バイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板に固着されてい
てもよい。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス
側絶縁板と第１の基板側絶縁板との間隔を広げる方向に
第１のデバイス側絶縁板及び第１の基板側絶縁板を押圧
してもよい。
【００１０】第１のデバイス側絶縁板が第１のデバイス
側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に押下された
場合に、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板
を前記方向に平行移動させるべく変形してもよい。ま
た、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板から
第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していてもよ
い。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁
板から第１の基板側絶縁板への方向に対して略垂直な方
向へ切り欠かれていてもよい。
側絶縁板から第１の基板側絶縁板への方向に押下された
場合に、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板
を前記方向に平行移動させるべく変形してもよい。ま
た、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁板から
第１の基板側絶縁板への方向に対して屈曲していてもよ
い。また、第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶縁
板から第１の基板側絶縁板への方向に対して略垂直な方
向へ切り欠かれていてもよい。
【００１１】第１の接続板は、第１のデバイス側絶縁板
が第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への
方向に押下された場合に屈曲し、第１の接続板の屈曲す
る部分と、第１の弾性支持体とは接触しなくてもよい。
また、第１の接続板は、第１の弾性支持体の方向に屈曲
しており、第１の弾性支持体は、第１の接続板が屈曲し
た方向と実質的に同一方向に屈曲していてもよい。ま
た、第１の弾性支持体は、第１の接続板の屈曲した角度
よりも鋭角に屈曲していてもよい。
が第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁板への
方向に押下された場合に屈曲し、第１の接続板の屈曲す
る部分と、第１の弾性支持体とは接触しなくてもよい。
また、第１の接続板は、第１の弾性支持体の方向に屈曲
しており、第１の弾性支持体は、第１の接続板が屈曲し
た方向と実質的に同一方向に屈曲していてもよい。ま
た、第１の弾性支持体は、第１の接続板の屈曲した角度
よりも鋭角に屈曲していてもよい。
【００１２】第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶
縁板が、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁
板への方向に押下された場合に、前記方向に対して略垂
直な方向に、第１の接続板を押してもよい。また、第１
のデバイス側絶縁板と、第１の接続板と、第１の弾性支
持体とが、隙間を形成し、第１の基板側絶縁板と、第１
の接続板と、第１の弾性支持体とが、隙間を形成しても
よい。また、第１の弾性部材と第１の弾性支持体とは、
弾性係数が異なる材料で形成されてもよい。
縁板が、第１のデバイス側絶縁板から第１の基板側絶縁
板への方向に押下された場合に、前記方向に対して略垂
直な方向に、第１の接続板を押してもよい。また、第１
のデバイス側絶縁板と、第１の接続板と、第１の弾性支
持体とが、隙間を形成し、第１の基板側絶縁板と、第１
の接続板と、第１の弾性支持体とが、隙間を形成しても
よい。また、第１の弾性部材と第１の弾性支持体とは、
弾性係数が異なる材料で形成されてもよい。
【００１３】第１の弾性支持体は、第１のデバイス側絶
縁板及び第１の基板側絶縁板よりも突出した突出部を含
んでもよい。突出部は、絶縁性を有してもよい。また、
ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデバイス側電極
と、第２のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と
接触する第２の基板側電極と、第２のデバイス側電極と
第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路
と、第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデ
バイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿って設けられた
第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデバイス側絶縁
板の端部に接続され、他端が第２の基板側絶縁板の端部
に接続された第２の接続板を含み、第２のデバイス側電
極と第２の基板側電極との間に設けられた第２の弾性部
材とを有する第２のコンタクトを更に備えてもよく、突
出部は第２の伝送線路に接触してもよい。
縁板及び第１の基板側絶縁板よりも突出した突出部を含
んでもよい。突出部は、絶縁性を有してもよい。また、
ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデバイス側電極
と、第２のデバイス側電極と対向して設けられ、基板と
接触する第２の基板側電極と、第２のデバイス側電極と
第２の基板側電極とを電気的に接続する第２の伝送線路
と、第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデ
バイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿って設けられた
第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデバイス側絶縁
板の端部に接続され、他端が第２の基板側絶縁板の端部
に接続された第２の接続板を含み、第２のデバイス側電
極と第２の基板側電極との間に設けられた第２の弾性部
材とを有する第２のコンタクトを更に備えてもよく、突
出部は第２の伝送線路に接触してもよい。
【００１４】ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデ
バイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設け
られ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバ
イス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第
２の伝送線路と、第２のデバイス側電極に沿って設けら
れた第２のデバイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿っ
て設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデ
バイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の基板側
絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、第２の
デバイス側電極と第２の基板側電極との間に設けられた
第２の弾性部材と、第２のデバイス側絶縁板と第２の基
板側絶縁板とに挟まれた第２の弾性支持体とを有する第
２のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性支持体
と第２の弾性支持体とは、一体に設けられていてもよ
い。
バイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設け
られ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバ
イス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第
２の伝送線路と、第２のデバイス側電極に沿って設けら
れた第２のデバイス側絶縁板、第２の基板側電極に沿っ
て設けられた第２の基板側絶縁板、及び一端が第２のデ
バイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の基板側
絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、第２の
デバイス側電極と第２の基板側電極との間に設けられた
第２の弾性部材と、第２のデバイス側絶縁板と第２の基
板側絶縁板とに挟まれた第２の弾性支持体とを有する第
２のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性支持体
と第２の弾性支持体とは、一体に設けられていてもよ
い。
【００１５】ＩＣソケットは、ＩＣと接触する第２のデ
バイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設け
られ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバ
イス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第
２の伝送線路と、第２のデバイス側電極と第２の基板側
電極との間に設けられた第２の弾性部材とを有する第２
のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性部材と第
２の弾性部材とは、一体に設けられていてもよい。ま
た、第２の弾性部材は、第２のデバイス側電極に沿って
設けられた第２のデバイス側絶縁板と、第２の基板側電
極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板と、一端が第
２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の
基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板とを含ん
でもよく、第１の接続板と第２の接続板とは、一体に設
けられていてもよい。
バイス側電極と、第２のデバイス側電極と対向して設け
られ、基板と接触する第２の基板側電極と、第２のデバ
イス側電極と第２の基板側電極とを電気的に接続する第
２の伝送線路と、第２のデバイス側電極と第２の基板側
電極との間に設けられた第２の弾性部材とを有する第２
のコンタクトを更に備えてもよく、第１の弾性部材と第
２の弾性部材とは、一体に設けられていてもよい。ま
た、第２の弾性部材は、第２のデバイス側電極に沿って
設けられた第２のデバイス側絶縁板と、第２の基板側電
極に沿って設けられた第２の基板側絶縁板と、一端が第
２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、他端が第２の
基板側絶縁板の端部に接続された第２の接続板とを含ん
でもよく、第１の接続板と第２の接続板とは、一体に設
けられていてもよい。
【００１６】第１のデバイス側電極は、金属微粒子から
なる金属微粒子層を有してもよい。また、第１のデバイ
ス側電極は、金属微粒子層の表面に形成された金属膜を
更に有してもよい。また、金属微粒子は、導電性の磁性
体であってもよい。また、金属微粒子は、鋭角な先端を
持っていてもよい。更に、金属微粒子は、先端が第１の
デバイス側電極の法線方向に向いていてもよい。
なる金属微粒子層を有してもよい。また、第１のデバイ
ス側電極は、金属微粒子層の表面に形成された金属膜を
更に有してもよい。また、金属微粒子は、導電性の磁性
体であってもよい。また、金属微粒子は、鋭角な先端を
持っていてもよい。更に、金属微粒子は、先端が第１の
デバイス側電極の法線方向に向いていてもよい。
【００１７】なお上記の発明の概要は、本発明の必要な
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
特徴の全てを列挙したものではなく、これらの特徴群の
サブコンビネーションも又発明となりうる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
【００１９】図１は、本発明の一実施形態に係るＩＣソ
ケット１００を用いてＩＣ２００の動作を試験する場合
に、ＩＣソケット１００とＩＣ２００とを実装するＩＣ
ホルダ５００の分解斜視図を示す。ＩＣホルダ５００
は、ソケットボード２０６と、ＩＣソケット１００と、
ソケットガイド２０４と、インサート２０３と、加圧ヘ
ッド２１０とを備える。半導体試験装置とＩＣ２００と
は、基板の一例であるソケットボード２０６及びＩＣソ
ケット１００を経由して電気的に接続される。ＩＣソケ
ット１００は、ＩＣ２００の端子配列に基づいて配置さ
れた複数のコンタクト１０と、複数のコンタクト１０を
保持する絶縁性の筐体９０とを備える。ソケットガイド
２０４は、ＩＣソケット１００を位置決めする。ソケッ
トガイド２０４及びＩＣソケット１００は、ソケットボ
ード２０６に固定される。
ケット１００を用いてＩＣ２００の動作を試験する場合
に、ＩＣソケット１００とＩＣ２００とを実装するＩＣ
ホルダ５００の分解斜視図を示す。ＩＣホルダ５００
は、ソケットボード２０６と、ＩＣソケット１００と、
ソケットガイド２０４と、インサート２０３と、加圧ヘ
ッド２１０とを備える。半導体試験装置とＩＣ２００と
は、基板の一例であるソケットボード２０６及びＩＣソ
ケット１００を経由して電気的に接続される。ＩＣソケ
ット１００は、ＩＣ２００の端子配列に基づいて配置さ
れた複数のコンタクト１０と、複数のコンタクト１０を
保持する絶縁性の筐体９０とを備える。ソケットガイド
２０４は、ＩＣソケット１００を位置決めする。ソケッ
トガイド２０４及びＩＣソケット１００は、ソケットボ
ード２０６に固定される。
【００２０】また、インサート２０３はＩＣ２００を位
置決めし、保持する。そして、ＩＣ２００を保持したイ
ンサート２０３は、ソケットガイド２０４にガイドされ
ながら嵌合する。最後に加圧ヘッド２１０は、インサー
ト２０３をソケットボード２０６に対して垂直に加圧す
ることによって、ＩＣ２００をＩＣソケット１００に均
一に押さえつける。ＩＣ２００がＩＣソケット１００に
押さえつけられることによって、ＩＣソケット１００が
備える複数のコンタクト１０のそれぞれは、ＩＣ２００
が備える複数の端子のそれぞれと、ソケットボード２０
６が備える複数のランド２０８のそれぞれとを電気的に
接続する。
置決めし、保持する。そして、ＩＣ２００を保持したイ
ンサート２０３は、ソケットガイド２０４にガイドされ
ながら嵌合する。最後に加圧ヘッド２１０は、インサー
ト２０３をソケットボード２０６に対して垂直に加圧す
ることによって、ＩＣ２００をＩＣソケット１００に均
一に押さえつける。ＩＣ２００がＩＣソケット１００に
押さえつけられることによって、ＩＣソケット１００が
備える複数のコンタクト１０のそれぞれは、ＩＣ２００
が備える複数の端子のそれぞれと、ソケットボード２０
６が備える複数のランド２０８のそれぞれとを電気的に
接続する。
【００２１】図２は、本実施形態に係るＩＣ２００の外
形の一例を示す。本例におけるＩＣ２００は、パッケー
ジ裏面において、グリッド状に配置された端子のそれぞ
れに半田ボール２０２が設けられた、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのＩＣである。
形の一例を示す。本例におけるＩＣ２００は、パッケー
ジ裏面において、グリッド状に配置された端子のそれぞ
れに半田ボール２０２が設けられた、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプのＩＣである。
【００２２】図３は、本実施形態に係るＩＣソケット１
００が備える複数のコンタクト１０のうちのコンタクト
１０ａの構成の一例を示す。コンタクト１０ａは、ＩＣ
２００と接触するデバイス側電極１２ａと、デバイス側
電極１２ａと対向して設けられ、ソケットボード２０６
と接触する基板側電極１４ａと、デバイス側電極１２ａ
と基板側電極１４ａとを電気的に接続する伝送線路１６
ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとの間
に設けられた絶縁性の弾性部材１８ａとを有する。弾性
部材１８ａは、デバイス側電極１２ａに沿って設けられ
たデバイス側絶縁板２０ａと、基板側電極１４ａに沿っ
て設けられた基板側絶縁板２２ａと、一端がデバイス側
絶縁板２０ａの端部に接続され、他端が基板側絶縁板２
２ａの端部に接続された接続板２４ａとを含む。
００が備える複数のコンタクト１０のうちのコンタクト
１０ａの構成の一例を示す。コンタクト１０ａは、ＩＣ
２００と接触するデバイス側電極１２ａと、デバイス側
電極１２ａと対向して設けられ、ソケットボード２０６
と接触する基板側電極１４ａと、デバイス側電極１２ａ
と基板側電極１４ａとを電気的に接続する伝送線路１６
ａと、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａとの間
に設けられた絶縁性の弾性部材１８ａとを有する。弾性
部材１８ａは、デバイス側電極１２ａに沿って設けられ
たデバイス側絶縁板２０ａと、基板側電極１４ａに沿っ
て設けられた基板側絶縁板２２ａと、一端がデバイス側
絶縁板２０ａの端部に接続され、他端が基板側絶縁板２
２ａの端部に接続された接続板２４ａとを含む。
【００２３】デバイス側絶縁板２０ａと、基板側絶縁板
２２ａと、接続板２４ａとは、例えばポリイミド等の絶
縁性の材料により一体に形成されてもよい。また、デバ
イス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路１
６ａとは、例えば、銅箔等の金属膜により一体に形成さ
れ、弾性部材１８ａの表面に設けられてもよい。そし
て、デバイス側電極１２ａ、基板側電極１４ａ、伝送線
路１６ａ、及び弾性部材１８ａは、ポリイミドフイルム
と銅箔とを貼り合わせ、銅箔を所定のパターン形状にエ
ッチングした後、キャビティとコアを有する金型を用い
て実質的にコの字形状をなすように曲げ加工し、最後に
所定の外形にカットすることによって製造される。ま
た、当該曲げ加工の工程においては、加熱処理を行うこ
とによって加工後の形状を安定させてもよい。
２２ａと、接続板２４ａとは、例えばポリイミド等の絶
縁性の材料により一体に形成されてもよい。また、デバ
イス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路１
６ａとは、例えば、銅箔等の金属膜により一体に形成さ
れ、弾性部材１８ａの表面に設けられてもよい。そし
て、デバイス側電極１２ａ、基板側電極１４ａ、伝送線
路１６ａ、及び弾性部材１８ａは、ポリイミドフイルム
と銅箔とを貼り合わせ、銅箔を所定のパターン形状にエ
ッチングした後、キャビティとコアを有する金型を用い
て実質的にコの字形状をなすように曲げ加工し、最後に
所定の外形にカットすることによって製造される。ま
た、当該曲げ加工の工程においては、加熱処理を行うこ
とによって加工後の形状を安定させてもよい。
【００２４】コンタクト１０ａは、デバイス側絶縁板２
０ａと基板側絶縁板２２ａとに挟まれた弾性支持体２６
ａを更に備える。弾性支持体２６ａは、例えばウレタン
フォーム、シリコンゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂
等の材料で形成される。そして、弾性支持体２６ａは、
液状の材料を金型に充填して、金型の形状とほぼ同一形
状に成型することによって得られるので、寸法精度及び
形状安定性に優れる。一方、弾性部材１８ａの製造方法
の一例である前述の曲げ加工は、曲げ角度がばらつきや
すいため、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２
ａとの間隔はばらつきやすい。
０ａと基板側絶縁板２２ａとに挟まれた弾性支持体２６
ａを更に備える。弾性支持体２６ａは、例えばウレタン
フォーム、シリコンゴム、ウレタンゴム、エポキシ樹脂
等の材料で形成される。そして、弾性支持体２６ａは、
液状の材料を金型に充填して、金型の形状とほぼ同一形
状に成型することによって得られるので、寸法精度及び
形状安定性に優れる。一方、弾性部材１８ａの製造方法
の一例である前述の曲げ加工は、曲げ角度がばらつきや
すいため、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２
ａとの間隔はばらつきやすい。
【００２５】そこで、弾性支持体２６ａの優れた寸法精
度及び形状安定性を利用して、弾性部材１８ａの形状を
補正する。まず、弾性部材１８ａの形状が、デバイス側
絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔が開く方向
にばらつく場合には、弾性支持体２６ａは、デバイス側
絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａに固着されること
により、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａ
とを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。固着の手段
は、接着、超音波溶着、もしくは熱溶着であってもよい
し、インサート成形による固着であってもよい。また、
弾性部材１８ａの形状が、デバイス側絶縁板２０ａと基
板側絶縁板２２ａとの間隔が狭まる方向にばらつく場合
には、弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａと
基板側絶縁板２２ａとの間隔を広げる方向にデバイス側
絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａを押圧することに
よって、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａ
とを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。
度及び形状安定性を利用して、弾性部材１８ａの形状を
補正する。まず、弾性部材１８ａの形状が、デバイス側
絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａとの間隔が開く方向
にばらつく場合には、弾性支持体２６ａは、デバイス側
絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａに固着されること
により、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａ
とを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。固着の手段
は、接着、超音波溶着、もしくは熱溶着であってもよい
し、インサート成形による固着であってもよい。また、
弾性部材１８ａの形状が、デバイス側絶縁板２０ａと基
板側絶縁板２２ａとの間隔が狭まる方向にばらつく場合
には、弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａと
基板側絶縁板２２ａとの間隔を広げる方向にデバイス側
絶縁板２０ａ及び基板側絶縁板２２ａを押圧することに
よって、デバイス側絶縁板２０ａと基板側絶縁板２２ａ
とを、略均一間隔、かつ略平行に補正する。
【００２６】弾性支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２
０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対して接続板２
４ａの方向に屈曲している。そして、デバイス側絶縁板
２０ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとは、隙
間２８ａを形成し、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとは、隙間３０ａを形成する。
弾性支持体２６ａは、屈曲した形状ではなく、デバイス
側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対し
て略垂直な方向へ切り欠かれていてもよい。また、弾性
支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａ及び基板側絶
縁板２２ａよりも突出した突出部３２ａを含む。突出部
３２ａは、絶縁性の材料で形成されることにより、絶縁
性を有している。
０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対して接続板２
４ａの方向に屈曲している。そして、デバイス側絶縁板
２０ａと、接続板２４ａと、弾性支持体２６ａとは、隙
間２８ａを形成し、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとは、隙間３０ａを形成する。
弾性支持体２６ａは、屈曲した形状ではなく、デバイス
側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対し
て略垂直な方向へ切り欠かれていてもよい。また、弾性
支持体２６ａは、デバイス側絶縁板２０ａ及び基板側絶
縁板２２ａよりも突出した突出部３２ａを含む。突出部
３２ａは、絶縁性の材料で形成されることにより、絶縁
性を有している。
【００２７】以上の構成によるコンタクト１０ａは、デ
バイス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路
１６ａとが、弾性部材１８ａに貼り合わせられた状態で
加工されるので製造が容易であり、加工精度の向上と、
コストダウンが実現できる。また、弾性支持体２６ａを
有しているので、デバイス側電極１２ａと基板側電極１
４ａとの距離を均一に保つことができる。従って、半田
ボール２０２がデバイス側電極１２ａに接触するタイミ
ングを一定にすることができる。
バイス側電極１２ａと、基板側電極１４ａと、伝送線路
１６ａとが、弾性部材１８ａに貼り合わせられた状態で
加工されるので製造が容易であり、加工精度の向上と、
コストダウンが実現できる。また、弾性支持体２６ａを
有しているので、デバイス側電極１２ａと基板側電極１
４ａとの距離を均一に保つことができる。従って、半田
ボール２０２がデバイス側電極１２ａに接触するタイミ
ングを一定にすることができる。
【００２８】図４は、コンタクト１０ａの構成の他の例
を示す。ここでは、図３で説明したコンタクト１０ａの
例と異なる部分のみ説明する。接続板２４ａは、デバイ
ス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対
して弾性支持体２６ａの方向に屈曲している。そして、
弾性支持体２６ａは、接続板２４ａが屈曲した方向と実
質的に同一方向に、接続板２４ａの屈曲した角度よりも
鋭角な角度に屈曲して設けられている。また、弾性支持
体２６ａは、屈曲する代わりに、接続板２４ａに対向す
る部分が接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角な角度
でくの字に切り欠かれて設けられてもよい。
を示す。ここでは、図３で説明したコンタクト１０ａの
例と異なる部分のみ説明する。接続板２４ａは、デバイ
ス側絶縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に対
して弾性支持体２６ａの方向に屈曲している。そして、
弾性支持体２６ａは、接続板２４ａが屈曲した方向と実
質的に同一方向に、接続板２４ａの屈曲した角度よりも
鋭角な角度に屈曲して設けられている。また、弾性支持
体２６ａは、屈曲する代わりに、接続板２４ａに対向す
る部分が接続板２４ａの屈曲した角度よりも鋭角な角度
でくの字に切り欠かれて設けられてもよい。
【００２９】デバイス側電極１２ａが、デバイス側電極
１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下された場合
において、予め接続板２４ａが屈曲している方向と同一
方向に屈曲している弾性支持体２６ａは、接続板２４ａ
が更に屈曲する方向と同一方向に更に屈曲する。この場
合、弾性支持体２６ａが、接続板２４ａの屈曲した角度
よりも鋭角に屈曲しているので、接続板２４ａの屈曲す
る部分と弾性支持体２６ａとは接触せず、独立して変形
する。
１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下された場合
において、予め接続板２４ａが屈曲している方向と同一
方向に屈曲している弾性支持体２６ａは、接続板２４ａ
が更に屈曲する方向と同一方向に更に屈曲する。この場
合、弾性支持体２６ａが、接続板２４ａの屈曲した角度
よりも鋭角に屈曲しているので、接続板２４ａの屈曲す
る部分と弾性支持体２６ａとは接触せず、独立して変形
する。
【００３０】図５は、本実施形態に係るコンタクト１０
ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００とソケットボー
ド２０６とを接続した状態の一例を示す。複数のコンタ
クト１０のうちのコンタクト１０ｂは、コンタクト１０
ａと同様の構成であって、ＩＣ２００と接触するデバイ
ス側電極１２ｂと、デバイス側電極１２ｂに対向して設
けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１
４ｂと、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂとを
電気的に接続する伝送線路１６ｂと、デバイス側電極１
２ｂに沿って設けられたデバイス側絶縁板２０ｂ、基板
側電極１４ｂに沿って設けられた基板側絶縁板２２ｂ、
及び一端がデバイス側絶縁板２０ｂの端部に接続され、
他端が基板側絶縁板２２ｂの端部に接続された接続板２
４ｂを含み、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂ
との間に設けられた弾性部材１８ｂとを有する。コンタ
クト１０ａとコンタクト１０ｂとは、突出部３２ａと伝
送線路１６ｂとを接触させて隣接している。
ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００とソケットボー
ド２０６とを接続した状態の一例を示す。複数のコンタ
クト１０のうちのコンタクト１０ｂは、コンタクト１０
ａと同様の構成であって、ＩＣ２００と接触するデバイ
ス側電極１２ｂと、デバイス側電極１２ｂに対向して設
けられ、ソケットボード２０６と接触する基板側電極１
４ｂと、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂとを
電気的に接続する伝送線路１６ｂと、デバイス側電極１
２ｂに沿って設けられたデバイス側絶縁板２０ｂ、基板
側電極１４ｂに沿って設けられた基板側絶縁板２２ｂ、
及び一端がデバイス側絶縁板２０ｂの端部に接続され、
他端が基板側絶縁板２２ｂの端部に接続された接続板２
４ｂを含み、デバイス側電極１２ｂと基板側電極１４ｂ
との間に設けられた弾性部材１８ｂとを有する。コンタ
クト１０ａとコンタクト１０ｂとは、突出部３２ａと伝
送線路１６ｂとを接触させて隣接している。
【００３１】ＩＣ２００がソケットボード２０６の方向
に押下された場合、デバイス側電極１２ａは、デバイス
側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下され
る。同時に、デバイス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶
縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に押下され
る。そして、弾性支持体２６ａは、切り欠かれて設けら
れた部分が屈曲、または、予め屈曲して設けられた部分
が更に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａの屈曲す
る部分の先端が、接続板２４ａの内壁面を、前記押下の
方向に対して略垂直な方向に押し出すことによって、接
続板２４ａは、屈曲する。そして、弾性支持体２６ａ
が、デバイス側絶縁板２０ａの内壁面を支持した状態
で、接続板２４ａを外側へ屈曲させることにより、デバ
イス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基
板側絶縁板２２ａへの方向に平行移動する。また、弾性
部材１８ａは、デバイス側絶縁板２０ａが前記方向に移
動することにより、デバイス側電極１２ａを、デバイス
側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に平行移動
させる。また、デバイス側絶縁板２０ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとが、隙間２８ａを形成するこ
とによって、デバイス側絶縁板２０ａと接続板２４ａと
が形成する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることな
く変形する。また、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとが隙間３０ａを形成すること
によって、基板側絶縁板２２ａと接続板２４ａとが形成
する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることなく変形
する。コンタクト１０ａは前述の様に変形することによ
り、半田ボール２０２ａとデバイス側電極１２ａ、及び
基板側電極１４ａとランド２０８ａの安定した導通を確
保し、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとを電気的
に接続する。また、コンタクト１０ｂは、コンタクト１
０ａと同様に、半田ボール２０２ｂとランド２０８ｂと
を電気的に接続する。
に押下された場合、デバイス側電極１２ａは、デバイス
側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に押下され
る。同時に、デバイス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶
縁板２０ａから基板側絶縁板２２ａへの方向に押下され
る。そして、弾性支持体２６ａは、切り欠かれて設けら
れた部分が屈曲、または、予め屈曲して設けられた部分
が更に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａの屈曲す
る部分の先端が、接続板２４ａの内壁面を、前記押下の
方向に対して略垂直な方向に押し出すことによって、接
続板２４ａは、屈曲する。そして、弾性支持体２６ａ
が、デバイス側絶縁板２０ａの内壁面を支持した状態
で、接続板２４ａを外側へ屈曲させることにより、デバ
イス側絶縁板２０ａは、デバイス側絶縁板２０ａから基
板側絶縁板２２ａへの方向に平行移動する。また、弾性
部材１８ａは、デバイス側絶縁板２０ａが前記方向に移
動することにより、デバイス側電極１２ａを、デバイス
側電極１２ａから基板側電極１４ａへの方向に平行移動
させる。また、デバイス側絶縁板２０ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとが、隙間２８ａを形成するこ
とによって、デバイス側絶縁板２０ａと接続板２４ａと
が形成する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることな
く変形する。また、基板側絶縁板２２ａと、接続板２４
ａと、弾性支持体２６ａとが隙間３０ａを形成すること
によって、基板側絶縁板２２ａと接続板２４ａとが形成
する角は、弾性支持体２６ａに妨げられることなく変形
する。コンタクト１０ａは前述の様に変形することによ
り、半田ボール２０２ａとデバイス側電極１２ａ、及び
基板側電極１４ａとランド２０８ａの安定した導通を確
保し、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとを電気的
に接続する。また、コンタクト１０ｂは、コンタクト１
０ａと同様に、半田ボール２０２ｂとランド２０８ｂと
を電気的に接続する。
【００３２】弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、弾性部材
１８ａ及び１８ｂと弾性係数が異なる材料で形成され
る。そして、弾性支持体２６ａ及び２６ｂの材料は、Ｉ
Ｃソケット１００の実装制約や、コンタクト１０ａ及び
１０ｂに要求される特性に応じて選定される。一例とし
て、ＩＣソケット１００が高温下で使用される場合、ま
たは、コンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂに高い耐
久性が要求される場合は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂ
は、耐熱性に優れ、圧縮残留歪が少ないシリコンゴムで
形成されることが好ましい。
１８ａ及び１８ｂと弾性係数が異なる材料で形成され
る。そして、弾性支持体２６ａ及び２６ｂの材料は、Ｉ
Ｃソケット１００の実装制約や、コンタクト１０ａ及び
１０ｂに要求される特性に応じて選定される。一例とし
て、ＩＣソケット１００が高温下で使用される場合、ま
たは、コンタクト１０ａ及びコンタクト１０ｂに高い耐
久性が要求される場合は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂ
は、耐熱性に優れ、圧縮残留歪が少ないシリコンゴムで
形成されることが好ましい。
【００３３】また、他の例として、コンタクト１０ａ及
び１０ｂのストロークが比較的大きく確保される場合
は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、ネオプレンフォー
ムやウレタンフォーム等の比較的弾性係数の低い発泡樹
脂で形成されることが好ましい。弾性支持体２６ａ及び
２６ｂの弾性係数が低い場合、デバイス側電極１２ａか
ら基板側電極１４ａへの方向におけるコンタクト１０ａ
の弾性係数、及びデバイス側電極１２ｂから基板側電極
１４ｂへの方向におけるコンタクト１０ｂの弾性係数
は、比較的低くなる。従って、半田ボール２０２ａと２
０２ｂとの高さのばらつき、またはコンタクト１０ａと
１０ｂとの高さのばらつきによって、コンタクト１０ａ
と１０ｂとのストロークとが異なった場合でも、半田ボ
ール２０２ａと２０２ｂとに加わる反力の差は、比較的
低く抑えられる。この結果、複数の半田ボール２０２に
加える応力が局所的に高くなることがなく、半田ボール
２０２及びＩＣ２００の破損を防止することができる。
び１０ｂのストロークが比較的大きく確保される場合
は、弾性支持体２６ａ及び２６ｂは、ネオプレンフォー
ムやウレタンフォーム等の比較的弾性係数の低い発泡樹
脂で形成されることが好ましい。弾性支持体２６ａ及び
２６ｂの弾性係数が低い場合、デバイス側電極１２ａか
ら基板側電極１４ａへの方向におけるコンタクト１０ａ
の弾性係数、及びデバイス側電極１２ｂから基板側電極
１４ｂへの方向におけるコンタクト１０ｂの弾性係数
は、比較的低くなる。従って、半田ボール２０２ａと２
０２ｂとの高さのばらつき、またはコンタクト１０ａと
１０ｂとの高さのばらつきによって、コンタクト１０ａ
と１０ｂとのストロークとが異なった場合でも、半田ボ
ール２０２ａと２０２ｂとに加わる反力の差は、比較的
低く抑えられる。この結果、複数の半田ボール２０２に
加える応力が局所的に高くなることがなく、半田ボール
２０２及びＩＣ２００の破損を防止することができる。
【００３４】コンタクト１０ｂが、半田ボール２０２ｂ
とランド２０８ｂとを接続する場合、半田ボール２０２
ｂがデバイス側電極１２ｂを押下するに従って、接続板
２４ｂ及び伝送線路１６ｂは、弾性支持体２６ａの方向
に屈曲する。ここで弾性支持体２６ａは、接続板２４ｂ
及び伝送線路１６ｂが屈曲する部分との間に、接続板２
４ｂ及び電送線路１６ｂの屈曲する大きさよりも大きい
隙間を形成しているため、コンタクト１０ａとコンタク
ト１０ｂとは互いに干渉することなく、独立して動作す
る。
とランド２０８ｂとを接続する場合、半田ボール２０２
ｂがデバイス側電極１２ｂを押下するに従って、接続板
２４ｂ及び伝送線路１６ｂは、弾性支持体２６ａの方向
に屈曲する。ここで弾性支持体２６ａは、接続板２４ｂ
及び伝送線路１６ｂが屈曲する部分との間に、接続板２
４ｂ及び電送線路１６ｂの屈曲する大きさよりも大きい
隙間を形成しているため、コンタクト１０ａとコンタク
ト１０ｂとは互いに干渉することなく、独立して動作す
る。
【００３５】以上の構成によるコンタクト１０ａは、デ
バイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に保
ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとに、
所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２００と
ソケットボード２０６とを電気的に安定して接続するこ
とができる。また、コンタクト１０ａは、部品点数が少
なく構造が簡単なため、小型化と狭ピッチ化、及びコス
トダウンが容易である。さらに、コンタクト１０ａは、
絶縁性を有する突出部３２ａを、隣接するコンタクト１
０ｂの伝送線路１６ａに接触させることにより、コンタ
クト１０ｂとのショート及び動作干渉を起こすことな
く、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｂとを狭ピッチ
で配列することができる。また、デバイス側電極１２ａ
と基板側電極１４ａの距離を小さくすることにより、イ
ンダクタンス成分を低く抑えることができる。
バイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に保
ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａとに、
所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２００と
ソケットボード２０６とを電気的に安定して接続するこ
とができる。また、コンタクト１０ａは、部品点数が少
なく構造が簡単なため、小型化と狭ピッチ化、及びコス
トダウンが容易である。さらに、コンタクト１０ａは、
絶縁性を有する突出部３２ａを、隣接するコンタクト１
０ｂの伝送線路１６ａに接触させることにより、コンタ
クト１０ｂとのショート及び動作干渉を起こすことな
く、コンタクト１０ａとコンタクト１０ｂとを狭ピッチ
で配列することができる。また、デバイス側電極１２ａ
と基板側電極１４ａの距離を小さくすることにより、イ
ンダクタンス成分を低く抑えることができる。
【００３６】図６は、本実施形態に係るコンタクト１０
ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６と
を接続した状態の他の例を示す。コンタクト１０ｂは、
コンタクト１０ａと同様の仕組みでＩＣ２００とソケッ
トボード２０６とを接続するため、説明を省略する。コ
ンタクト１０ａにおいて、半田ボール２０２がデバイス
側電極１２ａを押下すると、予め弾性支持体２６ａの方
向に屈曲している接続板２４ａは、弾性支持体２６ａの
方向に更に屈曲する。そして、予め接続板２４ａが屈曲
している方向と同一方向に屈曲している弾性支持体２６
ａは、接続板２４ａが更に屈曲する方向と同一方向に更
に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａが、接続板２
４ａの屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していることによ
って、接続板２４ａの屈曲する部分と弾性支持体２６ａ
とは接触せず、独立して変形する。また、弾性支持体２
６ａの伝送線路１６ｂに対向した面は、伝送線路１６ｂ
の屈曲した角度よりも鈍角をなして設けられており、弾
性支持体２６ａの屈曲する部分と伝送線路１６ｂとは接
触せず、独立して変形する。
ａ及びコンタクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６と
を接続した状態の他の例を示す。コンタクト１０ｂは、
コンタクト１０ａと同様の仕組みでＩＣ２００とソケッ
トボード２０６とを接続するため、説明を省略する。コ
ンタクト１０ａにおいて、半田ボール２０２がデバイス
側電極１２ａを押下すると、予め弾性支持体２６ａの方
向に屈曲している接続板２４ａは、弾性支持体２６ａの
方向に更に屈曲する。そして、予め接続板２４ａが屈曲
している方向と同一方向に屈曲している弾性支持体２６
ａは、接続板２４ａが更に屈曲する方向と同一方向に更
に屈曲する。この場合、弾性支持体２６ａが、接続板２
４ａの屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していることによ
って、接続板２４ａの屈曲する部分と弾性支持体２６ａ
とは接触せず、独立して変形する。また、弾性支持体２
６ａの伝送線路１６ｂに対向した面は、伝送線路１６ｂ
の屈曲した角度よりも鈍角をなして設けられており、弾
性支持体２６ａの屈曲する部分と伝送線路１６ｂとは接
触せず、独立して変形する。
【００３７】従って、本例によるコンタクト１０ａは、
デバイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に
保ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａと
に、所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２０
０とソケットボード２０６とを電気的に安定して接続す
ることができる。また、コンタクト１０ａ及び１０ｂ
は、互いにショート及び動作干渉を起こすことなく、狭
ピッチで配列することができる。
デバイス側電極１２ａと基盤側電極１４ａとを略平行に
保ちながら、半田ボール２０２ａとランド２０８ａと
に、所定の荷重とストロークで接触するので、ＩＣ２０
０とソケットボード２０６とを電気的に安定して接続す
ることができる。また、コンタクト１０ａ及び１０ｂ
は、互いにショート及び動作干渉を起こすことなく、狭
ピッチで配列することができる。
【００３８】図７は、本実施形態に係るコンタクト１０
ａと、コンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の
一例を、弾性支持体２６ａの方向から見た図である。弾
性支持体２６ａと、弾性支持体２６ｃとは、一体に設け
られている。従って、コンタクト１０ａとコンタクト１
０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取り
扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピッ
チに配列することができる。
ａと、コンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の
一例を、弾性支持体２６ａの方向から見た図である。弾
性支持体２６ａと、弾性支持体２６ｃとは、一体に設け
られている。従って、コンタクト１０ａとコンタクト１
０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取り
扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピッ
チに配列することができる。
【００３９】図８は、本実施形態に係るコンタクト１０
ａとコンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一
例を、伝送線路１６ａの方向から見た図である。接続板
２４ａと、接続板２４ｃとが一体に設けられることによ
り、弾性部材１８ａと弾性部材１８ｃとは、一体として
取り扱われる。従って、コンタクト１０ａとコンタクト
１０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取
り扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピ
ッチに配列することができる。また、デバイス側絶縁板
２０ａとデバイス側絶縁板２０ｃとを分離することによ
り、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向にお
ける、デバイス側絶縁板２０ａ及びデバイス側絶縁板２
０ｃの変形が独立する。従って、コンタクト１０ａ及び
コンタクト１０ｃは、半田ボール２０２の高さが不均一
な場合でも、半田ボール２０２に対して確実に接触す
る。
ａとコンタクト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一
例を、伝送線路１６ａの方向から見た図である。接続板
２４ａと、接続板２４ｃとが一体に設けられることによ
り、弾性部材１８ａと弾性部材１８ｃとは、一体として
取り扱われる。従って、コンタクト１０ａとコンタクト
１０ｃとは、所定の間隔を維持した状態で一体として取
り扱われるので、取り扱いが容易であり、均一で狭いピ
ッチに配列することができる。また、デバイス側絶縁板
２０ａとデバイス側絶縁板２０ｃとを分離することによ
り、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向にお
ける、デバイス側絶縁板２０ａ及びデバイス側絶縁板２
０ｃの変形が独立する。従って、コンタクト１０ａ及び
コンタクト１０ｃは、半田ボール２０２の高さが不均一
な場合でも、半田ボール２０２に対して確実に接触す
る。
【００４０】伝送線路１６ａは、例えば銅箔をエッチン
グすることによって得られる、所定のパターンに切り欠
かれた金属膜である。また、伝送線路１６ａの膜厚が薄
いので、伝送線路１６ａの形状は、コンタクト１０ａの
弾性率に実質的に影響しない。そして、伝送線路１６ａ
は、エッチングパターンの形状に応じて、所定のインピ
ーダンスを有して形成される。従って、コンタクト１０
ａは、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向に
おけるコンタクト１０ａのばね特性を実質的に変更する
ことなく、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａと
の間に所望のインピーダンスを有して形成される。
グすることによって得られる、所定のパターンに切り欠
かれた金属膜である。また、伝送線路１６ａの膜厚が薄
いので、伝送線路１６ａの形状は、コンタクト１０ａの
弾性率に実質的に影響しない。そして、伝送線路１６ａ
は、エッチングパターンの形状に応じて、所定のインピ
ーダンスを有して形成される。従って、コンタクト１０
ａは、ＩＣ２００からソケットボード２０６への方向に
おけるコンタクト１０ａのばね特性を実質的に変更する
ことなく、デバイス側電極１２ａと基板側電極１４ａと
の間に所望のインピーダンスを有して形成される。
【００４１】図９は、ＩＣ２００の端子配列に応じて、
複数のコンタクト１０をグリッド状に配列する一例を示
す。図９に示すＸ方向に配列される複数のコンタクト１
０は、図５で説明したように配列され、一体に設けるこ
とができる。また、図９に示すＹ方向に配列される複数
のコンタクト１０は、図７で説明したように互いに接触
して配列される。従って、複数のコンタクト１０は、Ｉ
Ｃ２００の端子配列に対応して、グリッド状に、狭ピッ
チで配列される。また、Ｘ方向に配列された複数のコン
タクト１０を一体に設けることにより、製造時の組み立
てを容易にすることができる。
複数のコンタクト１０をグリッド状に配列する一例を示
す。図９に示すＸ方向に配列される複数のコンタクト１
０は、図５で説明したように配列され、一体に設けるこ
とができる。また、図９に示すＹ方向に配列される複数
のコンタクト１０は、図７で説明したように互いに接触
して配列される。従って、複数のコンタクト１０は、Ｉ
Ｃ２００の端子配列に対応して、グリッド状に、狭ピッ
チで配列される。また、Ｘ方向に配列された複数のコン
タクト１０を一体に設けることにより、製造時の組み立
てを容易にすることができる。
【００４２】図１０は、デバイス側電極１２ａ及びデバ
イス側絶縁板２０ａの断面の例を示す。デバイス側電極
１２ａは、ポリイミドフイルム等からなるデバイス側絶
縁板２０ａに貼り合わせた銅箔３００と、金属微粒子を
堆積させた金属微粒子層３０２と、金属微粒子層３０２
の表面に形成された金属膜の一例であるめっき層３０４
とを含む。金属微粒子３０６は、平均粒子径４０μｍの
ニッケル、コバルト、鉄等からなる比較的硬度の高い導
電性磁性体粒子であって、材料を、先端が鋭角な回転対
称形状に切削加工して得られる。金属微粒子３０６を銅
箔３００の表面に堆積させる場合には、銅箔３００の表
面に対して略法線方向へ、実質的に平行な磁場を作用さ
せることによって、磁性体である金属微粒子３０６の向
きを前記方向に整列させる。そして整列した金属微粒子
３０６の表面に、例えば電解めっきにより得られるめっ
き層３０４を堆積させる。めっき層３０４は、接点との
接触抵抗が低く、耐食性、耐摩耗性に優れた、金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム等で形成されることが好
ましい。
イス側絶縁板２０ａの断面の例を示す。デバイス側電極
１２ａは、ポリイミドフイルム等からなるデバイス側絶
縁板２０ａに貼り合わせた銅箔３００と、金属微粒子を
堆積させた金属微粒子層３０２と、金属微粒子層３０２
の表面に形成された金属膜の一例であるめっき層３０４
とを含む。金属微粒子３０６は、平均粒子径４０μｍの
ニッケル、コバルト、鉄等からなる比較的硬度の高い導
電性磁性体粒子であって、材料を、先端が鋭角な回転対
称形状に切削加工して得られる。金属微粒子３０６を銅
箔３００の表面に堆積させる場合には、銅箔３００の表
面に対して略法線方向へ、実質的に平行な磁場を作用さ
せることによって、磁性体である金属微粒子３０６の向
きを前記方向に整列させる。そして整列した金属微粒子
３０６の表面に、例えば電解めっきにより得られるめっ
き層３０４を堆積させる。めっき層３０４は、接点との
接触抵抗が低く、耐食性、耐摩耗性に優れた、金、パラ
ジウム、ロジウム、ルテニウム等で形成されることが好
ましい。
【００４３】このように生成されたデバイス側電極１２
ａの表面は、金属微粒子３０６の形状に応じて細かい凹
凸形状をなす。そして、デバイス側電極１２ａが、所定
の荷重で半田ボール２０２と接触した場合の接触圧力分
布は、デバイス側電極１２ａの表面形状に基づいて決ま
る。つまり、金属微粒子３０６の頂点に相当する凸部分
の接触圧力は局部的に高くなる。デバイス側電極１２ａ
は、この局部的に高い接触圧力によって半田ボール２０
２の表面に形成される酸化膜を突き破り、安定した低い
接触抵抗を保つことができる。
ａの表面は、金属微粒子３０６の形状に応じて細かい凹
凸形状をなす。そして、デバイス側電極１２ａが、所定
の荷重で半田ボール２０２と接触した場合の接触圧力分
布は、デバイス側電極１２ａの表面形状に基づいて決ま
る。つまり、金属微粒子３０６の頂点に相当する凸部分
の接触圧力は局部的に高くなる。デバイス側電極１２ａ
は、この局部的に高い接触圧力によって半田ボール２０
２の表面に形成される酸化膜を突き破り、安定した低い
接触抵抗を保つことができる。
【００４４】以上、本発明を実施形態を用いて説明した
が、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に
は限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改
良を加えることができる。そのような変更または改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
が、本発明の技術的範囲は上記実施形態に記載の範囲に
は限定されない。上記実施形態に、多様な変更または改
良を加えることができる。そのような変更または改良を
加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、
特許請求の範囲の記載から明らかである。
【００４５】
【発明の効果】上記説明から明らかなように、本発明に
よればＩＣと基板とを接続するコンタクトを備えるＩＣ
ソケットであって、低インダクタンスで狭ピッチ化が可
能なＩＣソケットを提供することができる。
よればＩＣと基板とを接続するコンタクトを備えるＩＣ
ソケットであって、低インダクタンスで狭ピッチ化が可
能なＩＣソケットを提供することができる。
【図１】 本実施形態に係るＩＣホルダ５００の分解斜
視図である。
視図である。
【図２】 本実施形態に係るＩＣ２００の外形の一例を
示す図である。
示す図である。
【図３】 本実施形態に係るＩＣソケット１００が備え
るコンタクト１０ａの一例を示す構造図である。
るコンタクト１０ａの一例を示す構造図である。
【図４】 本実施形態に係るＩＣソケット１００が備え
るコンタクト１０ａの他の例を示す構造図である。
るコンタクト１０ａの他の例を示す構造図である。
【図５】 本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコン
タクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した
状態の一例を示す図である。
タクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した
状態の一例を示す図である。
【図６】 本実施形態に係るコンタクト１０ａ及びコン
タクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した
状態の他の例を示す図である。
タクト１０ｂが、ＩＣ２００と基板２０６とを接続した
状態の他の例を示す図である。
【図７】 本実施形態に係るコンタクト１０ａとコンタ
クト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、弾性
支持体２６ａの方向から見た図である。
クト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、弾性
支持体２６ａの方向から見た図である。
【図８】 本実施形態に係るコンタクト１０ａとコンタ
クト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、伝送
線路１６ａの方向から見た図である。
クト１０ｃとが隣接して設けられた状態の一例を、伝送
線路１６ａの方向から見た図である。
【図９】 ＩＣ２００の端子配列に応じて、複数のコン
タクト１０を配列した状態の一例を示す図である。
タクト１０を配列した状態の一例を示す図である。
【図１０】 本実施形態に係るデバイス側電極１２ａの
断面構成を示す図である。
断面構成を示す図である。
【符号の説明】
１０…コンタクト １２…デバイ
ス側電極 １４…基板側電極 １６…伝送線
路 １８…弾性部材 ２０…デバイ
ス側絶縁板 ２２…基板側絶縁板 ２４…接続板 ２６…弾性支持体 ３２…突出部 １００…ＩＣソケット ２００…ＩＣ ２０３…インサート ２０４…ソケ
ットガイド ２０６…ソケットボード ２０８…ラン
ド ２１０…加圧ヘッド ３００…銅箔 ３０４…めっき層 ３０６…金属
微粒子
ス側電極 １４…基板側電極 １６…伝送線
路 １８…弾性部材 ２０…デバイ
ス側絶縁板 ２２…基板側絶縁板 ２４…接続板 ２６…弾性支持体 ３２…突出部 １００…ＩＣソケット ２００…ＩＣ ２０３…インサート ２０４…ソケ
ットガイド ２０６…ソケットボード ２０８…ラン
ド ２１０…加圧ヘッド ３００…銅箔 ３０４…めっき層 ３０６…金属
微粒子
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フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2G003 AA07 AG01 AG12 AH00 AH05
2G011 AA04 AA15 AC00 AC14 AC32
AC33 AE03 AF02
5E021 FA05 FB03 FC23 LA12
5E024 CA18 CB01
Claims (33)
- 【請求項１】 ＩＣと基板とを接続する第１のコンタク
トを備えるＩＣソケットであって、 前記第１のコンタクトは、 前記ＩＣと接触する第１のデバイス側電極と、 前記第１のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基
板と接触する第１の基板側電極と、 前記第１のデバイス側電極と前記第１の基板側電極とを
電気的に接続する第１の伝送線路と、 前記第１のデバイス側電極と前記第１の基板側電極との
間に設けられた絶縁性の第１の弾性体とを有することを
特徴とするＩＣソケット。 - 【請求項２】 前記第１の弾性体は、 前記第１のデバイス側電極に沿って設けられた第１のデ
バイス側絶縁板と、 前記第１の基板側電極に沿って設けられた第１の基板側
絶縁板と、 一端が前記第１のデバイス側絶縁板の端部に接続され、
他端が前記第１の基板側絶縁板の端部に接続された第１
の接続板とを含む第１の弾性部材であることを特徴とす
る請求項１に記載のＩＣソケット。 - 【請求項３】 前記第１のデバイス側電極と、前記第１
の基板側電極と、前記伝送線路とは、一体に形成される
ことを特徴とする請求項２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項４】 前記第１のデバイス側絶縁板と、前記第
１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板とは、一体に形
成されることを特徴とする請求項２に記載のＩＣソケッ
ト。 - 【請求項５】 前記第１のデバイス側電極、前記第１の
基板側電極、及び前記第１の伝送線路は、前記第１の弾
性部材の表面に設けられていることを特徴とする請求項
２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項６】 前記第１のデバイス側絶縁板と、前記第
１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板とは、実質的に
コの字形状をなすように接続されていることを特徴とす
る請求項２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項７】 前記第１のデバイス側電極が、前記第１
のデバイス側電極から前記第１の基板側電極への方向に
押下された場合に、前記第１の弾性部材は、前記第１の
デバイス側電極を前記方向に平行移動させるべく変形す
ることを特徴とする請求項２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項８】 前記第１の接続板は、前記第１のデバイ
ス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向に対し
て屈曲していることを特徴とする請求項２に記載のＩＣ
ソケット。 - 【請求項９】 前記第１の伝送線路は、前記第１の接続
板の表面に設けられた、切り欠きを持つ金属膜であるこ
とを特徴とする請求項２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項１０】 前記第１のコンタクトは、前記第１の
デバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板とに挟まれ
た第１の弾性支持体を更に有することを特徴とする請求
項２に記載のＩＣソケット。 - 【請求項１１】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板とを略平行
に保つことを特徴とする請求項１０に記載のＩＣソケッ
ト。 - 【請求項１２】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板及び前記第１の基板側絶縁板に固着さ
れていることを特徴とする請求項１０に記載のＩＣソケ
ット。 - 【請求項１３】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板と前記第１の基板側絶縁板との間隔を
広げる方向に前記第１のデバイス側絶縁板及び前記第１
の基板側絶縁板を押圧することを特徴とする請求項１０
に記載のＩＣソケット。 - 【請求項１４】 前記第１のデバイス側絶縁板が前記第
１のデバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への
方向に押下された場合に、前記第１の弾性支持体は、前
記第１のデバイス側絶縁板を前記方向に平行移動させる
べく変形することを特徴とする請求項１０に記載のＩＣ
ソケット。 - 【請求項１５】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向
に対して屈曲していることを特徴とする請求項１０に記
載のＩＣソケット。 - 【請求項１６】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板から前記第１の基板側絶縁板への方向
に対して略垂直な方向へ切り欠かれていることを特徴と
する請求項１０に記載のＩＣソケット。 - 【請求項１７】 前記第１の接続板は、前記第１のデバ
イス側絶縁板が前記第１のデバイス側絶縁板から前記第
１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に屈曲し、
前記第１の接続板の屈曲する部分と、前記第１の弾性支
持体とは接触しないことを特徴とする請求項１０に記載
のＩＣソケット。 - 【請求項１８】 前記第１の接続板は、前記第１の弾性
支持体の方向に屈曲しており、前記第１の弾性支持体
は、前記第１の接続板が屈曲した方向と実質的に同一方
向に屈曲していることを特徴とする請求項１０に記載の
ＩＣソケット。 - 【請求項１９】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
接続板の屈曲した角度よりも鋭角に屈曲していることを
特徴とする請求項１８に記載のＩＣソケット。 - 【請求項２０】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板が、前記第１のデバイス側絶縁板から
前記第１の基板側絶縁板への方向に押下された場合に、
前記方向に対して略垂直な方向に、前記第１の接続板を
押すことを特徴とする請求項１０に記載のＩＣソケッ
ト。 - 【請求項２１】 前記第１のデバイス側絶縁板と、前記
第１の接続板と、前記第１の弾性支持体とが、隙間を形
成し、 前記第１の基板側絶縁板と、前記第１の接続板と、前記
第１の弾性支持体とが、隙間を形成することを特徴とす
る請求項１０に記載のＩＣソケット。 - 【請求項２２】 前記第１の弾性部材と前記第１の弾性
支持体とは、弾性係数が異なる材料で形成されることを
特徴とする請求項１０に記載のＩＣソケット。 - 【請求項２３】 前記第１の弾性支持体は、前記第１の
デバイス側絶縁板及び前記第１の基板側絶縁板よりも突
出した突出部を含むことを特徴とする請求項１０に記載
のＩＣソケット。 - 【請求項２４】 前記突出部は、絶縁性を有することを
特徴とする請求項２３に記載のＩＣソケット。 - 【請求項２５】 前記ＩＣソケットは、 前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、 前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基
板と接触する第２の基板側電極と、 前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを
電気的に接続する第２の伝送線路と、 前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデ
バイス側絶縁板、前記第２の基板側電極に沿って設けら
れた第２の基板側絶縁板、及び一端が前記第２のデバイ
ス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第２の基板側
絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、前記第
２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との間に設
けられた、絶縁性の第２の弾性部材とを有する第２のコ
ンタクトを更に備え、 前記突出部は前記第２の伝送線路に接触することを特徴
とする請求項２４に記載のＩＣソケット。 - 【請求項２６】 前記ＩＣソケットは、 前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、 前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基
板と接触する第２の基板側電極と、 前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを
電気的に接続する第２の伝送線路と、 前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデ
バイス側絶縁板、前記第２の基板側電極に沿って設けら
れた第２の基板側絶縁板、及び一端が前記第２のデバイ
ス側絶縁板の端部に接続され、他端が前記第２の基板側
絶縁板の端部に接続された第２の接続板を含み、前記第
２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との間に設
けられた、絶縁性の第２の弾性部材と、 前記第２のデバイス側絶縁板と前記第２の基板側絶縁板
とに挟まれた第２の弾性支持体とを有する第２のコンタ
クトを更に備え、 前記第１の弾性支持体と前記第２の弾性支持体とは、一
体に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載
のＩＣソケット。 - 【請求項２７】 前記ＩＣソケットは、 前記ＩＣと接触する第２のデバイス側電極と、 前記第２のデバイス側電極と対向して設けられ、前記基
板と接触する第２の基板側電極と、 前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極とを
電気的に接続する第２の伝送線路と、 前記第２のデバイス側電極と前記第２の基板側電極との
間に設けられた絶縁性の第２の弾性部材とを有する第２
のコンタクトを更に備え、 前記第１の弾性部材と前記第２の弾性部材とは、一体に
設けられていることを特徴とする請求項２に記載のＩＣ
ソケット。 - 【請求項２８】 前記第２の弾性部材は、 前記第２のデバイス側電極に沿って設けられた第２のデ
バイス側絶縁板と、 前記第２の基板側電極に沿って設けられた第２の基板側
絶縁板と、 一端が前記第２のデバイス側絶縁板の端部に接続され、
他端が前記第２の基板側絶縁板の端部に接続された第２
の接続板とを含み、 前記第１の接続板と前記第２の接続板とは、一体に設け
られていることを特徴とする請求項２７に記載のＩＣソ
ケット。 - 【請求項２９】 前記第１のデバイス側電極は、金属微
粒子からなる金属微粒子層を有することを特徴とする請
求項１に記載のＩＣソケット。 - 【請求項３０】 前記第１のデバイス側電極は、前記金
属微粒子層の表面に形成された金属膜を更に有すること
を特徴とする請求項２９に記載のＩＣソケット。 - 【請求項３１】 前記金属微粒子は、導電性の磁性体で
あることを特徴とする請求項２９に記載のＩＣソケッ
ト。 - 【請求項３２】 前記金属微粒子は、鋭角な先端を持つ
ことを特徴とする請求項２９に記載のＩＣソケット。 - 【請求項３３】 前記金属微粒子は、前記先端が前記第
１のデバイス側電極の法線方向に向いていることを特徴
とする請求項３２に記載のＩＣソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380948A JP3789810B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Ｉｃソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001380948A JP3789810B2 (ja) | 2001-12-14 | 2001-12-14 | Ｉｃソケット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003185700A true JP2003185700A (ja) | 2003-07-03 |
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