KR101141836B1 - 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 접촉편과 통전편과 탄성편이 일체형으로 구성되는 반도체 검사용 미세 수직형 프로브에 관한 것으로서, 상기 접촉편과 통전편은 수직기둥부로 형성되며 탄성편은 활 형상 또는 반 활 형상으로 형성되는 미세 수직형 프로브를 제조하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 탄성편은 활 형상으로 형성되어 접촉편의 하단수직기둥부의 상부 끝단기둥에 형성된 하부제한돌기의 끝단에서 통전편의 상단수직기둥부의 하부 끝단기둥에 형성된 상부제한돌기 사이에는 탄성편이 되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 탄성편은 접촉편의 하부제한돌기의 끝단에서 탄성편 하부 일단은 휘어지며 상향으로 테퍼지게 하부테퍼부가 형성되고, 또한 탄성편 상부 일단은 휘어지며 상향으로 통전편 하부의 상부제한돌기까지 테퍼지게 상부테퍼부가 형성되고, 탄성편의 하부테퍼진 끝단에서 탄성편의 상부테퍼진 끝단 사이에는 중앙부빔부가 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 탄성편에 형성되는 중앙부빔부의 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 탄성편의 하부테퍼진 수평면 일단과 중앙부빔부 수평면 일단과 상부테퍼진 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부가 부가되어 침부접촉선단이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 반력을 빔부의 침압완화부에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브에 필요로 하는 충분한 오 버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편의 중앙부빔부에 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브을 제공하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 접촉편의 침부접촉선단이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편의 중앙부빔부가 크게 휘어지는 것을 빔부의 테퍼진 일단과 중앙부빔부에 형성된 침압완화부에서 과도한 탄성을 흡수하고 완충하여 탄성편의 중앙부빔부가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브은 접촉편에는 하단수직기둥부와 하단희생부를 갖는 형상으로 구성되며, 또한 통전편에도 상단수직기둥부와 상단희생부를 갖는 형상으로 구성되여 있어 상기 접촉편의 하단수직기둥부와 하단희생부는 하판 구조물 홀에 삽입을 용이하게 할 수 있으며 또한 통전편의 상단수직기둥부와 상단희생부는 상판구조물 홀에 삽입을 용이하게 할 수 있는 것이다.
상기 접촉편의 하단수직기둥부와 하단희생부는 하판 구조물 홀에 삽입후 하단희생부는 하단수직기둥부에서 하단희생부를 제거하는 것이며 또한 통전편의 상단수직기둥부와 상단희생부는 하판 구조물 홀에 삽입후 상단희생부는 상단수직기둥부에서 상단희생부를 제거하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로써 협소피치와 다양한 전극패드 배열로 되는 반도체를 검사할 수 있는 것이다.
미세 수직형 프로브, 접촉편, 탄성편, 탄성편빔부, 침압완화부, 통전편

Description

침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브{Contact Force Relax Formed Micro Vertical Probe}
본 발명은 반도체 검사용 미세 수직형 프로브에 관한 것으로서, 특히 협소피치와 다양한 전극패드 배열로 되는 반도체를 검사할 수 있는 것이다. 미세 수직형 프로브는 메모리와 비메모리 반도체 칩을 멀티파라(Multi parallel)로 확장하여 검사할 수 있도록 빔부에 침압완화부가 형성되어 있어 미세 수직형 프로브에 필요로 하는 충분한 오버드라이브를 확보할 수 있어서 미세 수직형 프로브를 멀티파라(Multi parallel)로 검사하는 프로브 헤드 구조로 조립할 수 있는 것이다.
프로브카드에서 탐침으로 사용되는 수직형 프로브에 관한 것으로서, 수직형 프로브을 멀티파라로 조립할 수 있는 반도체 칩 검사용 프로브 헤드 조립체에 관한 것이다.
종래의 수직형 프로브는 일반적으로 금속으로 이루어진 직선와이어을 금형을 사용하여 기계적으로 탄성편을 압형하여 수직형 프로브를 성형하고 있다.
수직형 프로브은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩의 불량유무를 검사하는 프로브카드에 장착되어 조립되는 것이다.
반도체 칩을 검사하는 프로브카드는 수 만개의 수직형 프로브로 조립된다. 상기 프로브카드로 반도체 칩을 검사시에 검사에 필요한 오버드라이브를 부여하면 수직형 프로브의 탄성편에는 오버드라이브에 따라 침압이 발생된다.
반도체 칩을 검사시 수직형 프로브의 탄성편은 침압이 적게 발생 될수록 좋다
수직형 프로브의 탄성편에 침압이 높게 발생되면 반도체 칩을 검사시 필요한 오버드라이브를 부여할 수 없게 된다.
수직형 프로브의 탄성편에 필요한 오버드라이브를 유지하면서 탄성편에 침압이 적게 발생하면 한번에 수 백개의 반도체 칩을 검사할 수 있어 탄성편에 칩압이 적게 발생되는 수직형 프로브가 요구되고 있다.
종래의 도 1과 같은, 수직형 프로브(10)는 금속판재 소재로 되어있어 접촉편(12)의 침부가 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 발생된 외력을 탄성편(13)에서 접촉 압력을 받는다.
상기 수직형 프로브의 탄성편(13)의 빔부는 접촉편(12)의 침부접촉선단에서 전도된 과도한 침압은 탄성편의 빔부에 많은 압력을 받아 탄성편(13)의 빔부가 크게 휘어지는 문제가 있다.
상기 수직형 프로브(10)의 접촉편(12)의 수직기둥의 침부접촉선단이 반복적으로 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편(13)의 빔부는 접촉 압력을 받아 수직 형 프로브는 형태적 변형을 초래할 수 있다. 상기 수직형 프로브의 형태적 변형을 없게 하기 위해서는 상기 수직형 프로브(10)의 탄성편(13)의 빔부는 큰 복원력을 가질 필요가 있다.
상기 수직형 프로브(10)의 탄성편(13)의 빔부는 경사지게 휘어져 형성되여 있어 과도한 침압을 받으면 접촉편(12)과 통전편(14) 사이의 탄성편(13)의 피치 공간이 과도한 침압을 받은 경사폭 만큼 크게 확보되어야 하는 문제가 있다.
상기 수직형 프로브(10)의 접촉편(12)과 통전편(14)은 짧은 수직기둥으로만 되어 있어 하판구조물 홀과 상판구조물 홀에 접촉편(12)과 통전편(14)의 수직기둥이 삽입이 용이하지 못하여 수직형 프로브가 손상되는 문제가 있다.
종래의 수직형 프로브는 금속으로 이루어진 80um 이상 굴기를 갖는 직선와이어을 금형을 사용하여 기계적으로 탄성편을 압형하거나 금속판재를 습식에칭으로 수직형 프로브를 성형하고 있다.
상기 수직형 프로브는 금속으로 된 직선와이어의 탄성편을 기계적으로 압형한 수직형 프로브는 압형한 부분과 기계가공한 부분에 소성변형의 결과로 압형한 탄성편에 잔류 응력이 생기게 된다.
상기 수직형 프로브의 탄성편의 압형 부분에 생긴 잔류 응력은 규칙적으로 사용된 종래의 프로브들은 변형에 파괴 되기 쉽다.
또한, 금속판재를 습식에칭으로 성형한 수직형 프로브는 접촉편과 통전편의 수직기둥은 두께가 60um 내지 80um 이상으로 제조되며 이러하게 제조된 수직형 프로브들은 접촉편과 통전편의 수직기둥과 통전편의 빔부의 에칭 정밀성을 일정하게 유지할 수 없어 소망하는 형상 및 두께로 수직형 프로브를 생성할 수 없다.
한편 최근의 비메모리 분야의 반도체 칩의 전극패드 배열은 비정규적으로 다차원 배열을 가지며 또한 전극패드간의 피치는 협소피치로 되어 이러한 반도체 칩의 전기적 특성을 검사하기 위한 프로브 굴기는 50um 이하의 수직형 프로브가 요구되고 있어 종래의 직선와이어를 압형한 수직형 프로브나 금속판재를 에칭한 수직형 프로브는 반도체 칩의 전극패드 배열이 비정규적으로 다차원 배열을 가지고 전극패드간의 피치는 협소피치로 된 소자를 검사하는 프로브카드의 탐침으로 적용을 못하고 있다.
또한 플립칩(Flip Chip)의 전극패드는 범프로 되어 있어 적은 침압으로 검사하여야 한다. 그러나 수직형 프로브의 탄성편에 침압완화기능이 없는 수직형 프로브로 조립된 프로브카드는 수직형 프로브의 침부접촉선단이 플립칩(Flip Chip)의 범프전극패드에 접촉시 범프 전극패드가 손상이 되는 문제가 있다.
본 발명은 상기에서 문제점으로 지적되고 있는 사항을 해소하기 위하여 제안된 것으로서, 수직형 프로브을 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서 수직형 프로브의 접촉편과 통전편의 두께 굴기을 20um에서부터 40um까지 제조가 가능하며 정밀도가 우수하고 균일한 수직형 프로브를 얻을 수 있는 것이다.
상기 수직형 프로브를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로써 점유 면적이 작은 프로브를 제공하여 전극패드간의 협소피치와 비정규적으로 다차원 배열을 갖는 다양한 전극패드 배열로 되는 반도체를 검사할 수 있는 것이다.
본 발명의 수직형 프로브의 탄성편을 활 형상 또는 반 활 형상으로 구성하여 탄성편빔부가 충분히 큰 복원력을 갖는 수직형 프로브를 제공하는데 있다.
상기 활형상 또는 반 활형상의 수직형 프로브은 탄성편빔부에 침압완화기능을 할 수 있는 침압조절부를 부가하여 외력에 의한 물리적 압력을 완충시킬 수 있도록 하여 상기 수직형 프로브의 탄성편빔부에 탄성동작시에 가해지는 탄성압력을 최소로 발생하게 하여 극소크기 전극패드와 적은 침압으로 검사되는 반도체 칩의 범프 전극패드가 손상되는 것을 방지하는 반도체 칩 검사용 수직형 프로브을 제공하는데 있다.
상기 수직형 프로브의 접촉편에 하단수직기둥부와 하단희생부를 갖는 형상과 통전편에 상단수직기둥부와 상단희생부를 갖는 형상으로 구성하여 수직형 프로브의 접촉편과 통전편을 하판구조물 홀과 상판구조물 홀에 삽입을 쉽게 할 수 있다.
본 발명의 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브은 접촉편의 침부접촉선단에서 전도된 과도한 침압이 탄성편의 빔부에서 압력을 받아 탄성편의 중앙부빔부가 크게 휘어지는 것을 탄성편의 빔부에 형성된 침압완화부에서 과도한 탄성을 환화하여 탄성편의 빔부가 적은 스트레스를 받아 탄성편의 빔부가 적게 휘어져 탄성편의 피치 공간이 적어지며, 상기 침압완화부는 반도체 칩 검사에 필요한 오버드라이브를 유지하면서 탄성편에 침압이 적게 발생되여 한번에 수 백개의 반도체 칩을 검사할 수 있는 것이다. 상기 미세 수직형 프로브를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조함으로서 미세 수직형 프로브의 접촉편과 통전편의 수직기둥부의 굴기 를 20um 내지 40um 까지 미세하게 제조가 가능하며 정밀도가 우수하고 균일한 미세 수직형 프로브를 얻을 수 있는 것이다.
이하 본 발명의 구성 상태 및 이로부터 얻게 되는 특유의 효과 등에 대하여 첨부 도면을 참조하여 실시예 별로 설명하면 아래와 같다.
본 발명의 미세 수직형 프로브의 탄성편을 활 형상 또는 반 활 형상 같이 형성하여 탄성편의 빔부가 충분히 큰 복원력을 갖는 수직형 프로브을 제공하는데 있다.
상기 미세 수직형 프로브의 탄성편을 활 형상 또는 반 활 형상으로 형성하는 이유는 활줄을 당길때 활대가 오므라 들어서 활대에는 반력이 발생되며 활줄을 노으면 활대에 발생된 반력작용으로 활대는 원래의 상태로 복원되는 원리를 이용하여 미세 수직형 프로브에 적용하는 것이다.
상기 활 형상의 미세 수직형 프로브은 탄성편의 하부빔부 형상과 상부빔부 형상에서 하부빔부 형상 위치를 반대로 변경하거나, 탄성편의 하부빔부 형상과 상부빔부 형상에서 상부빔부 형상 위치를 반대로 변경하여도 이로부터 얻게 되는 탄성편의 빔부가 큰 복원력을 갖는 효과는 동일한 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 형상과 기능은 4가지 실시예로 이루어진 것으로서 이 각각의 실시예로 나누어 실시예1 내지 실시예4에서 세부적으로 미세 수직형 프로브의 구성 상태를 도면상으로 상세하게 설명한다.
상기 미세 수직형 프로브은 접촉편은 하단수직기둥부와 하단희생부를 갖는 형상으로 구성되며 접촉편의 하단수직기둥부와 하단희생부는 하판구조물 홀에 삽입후 하단수직기둥부에서 하단희생부를 제거하면 하단수직기둥부의 상부는 침부접촉선단으로 되며 상기 접촉편의 하단수직기둥부의 침부접촉선단은 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉하는 것이고, 상기 미세 수직형 프로브의 탄성편빔부에는 침압이 적게 발생되는 침압완화부가 부가되어 있어 접촉편의 침부접촉선단이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 과도한 반력을 탄성편빔부에 형성된 침압완화부에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브에서 필요로 하는 오버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편의 중앙부빔부에 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브을 제공하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 접촉편의 하단수직기둥부의 침부접촉선단이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편빔부가 크게 휘어지는 것을 탄성편에 형성된 침압조절부에서 탄성을 흡수하고 완충하여 빔부가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 통전편은 상단수직기둥부와 상단희생부를 갖는 형상으로 구성되며 통전편의 상단수직기둥부와 상단희생부는 상판구조물 홀에 삽입후 상단수직기둥부에서 상단희생부를 제거하면 상단수직기둥부의 상부는 통전접합선단으로 되며 상기 통전편의 상단수직기둥부의 통전접합선단은 인터포져 또는 인쇄회로기판에 배열된 통전패드에 접합하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브의 통전편의 상단수직기둥부은 인터포져 또는 인쇄회로기판에 배열된 통전패드 배설된 위치에 따라 접촉편의 하단수직기둥부와 상단편의 상단수직기둥부은 수직선상으로 서로 다른선상으로 형성하거나 또는 수직선상 으로 서로 동일선상으로 형성되는 것이다.
본 발명의 실시를 위한 공통적으로 설명을 하는 내용은 실시예1 내지 실시예4에서는 중복하여 기재하지 않는다.
실시예1 내지 실시예4의 공통적인 내용을 설명하면 다음과 같다.
1. 본 발명의 미세 수직형 프로브는 과도한 탄성을 흡수하는 침압조절부가 형성되어 있어서 미세 수직형 프로브은 웨이퍼에 형성된 반도체 칩의 불량여부를 검사하는 프로브카드에 조립되어 사용되는 것으로서, 상기 미세 수직형 프로브는 공지의 미소전기기계시스템(Micro Electro Mechanical System)기술인 증착공정, 리소그래피공정, 식각공정, 전주도금공정, 평탄화공정(CMP), 절연막증착공정 등을 이용하여 미세 수직형 프로브을 미세하고 균일하게 제작하는 것이다.
2. 본 발명의 미세 수직형 프로브은 일체형으로 접촉편과 탄성편 그리고 통전편으로 구성되고 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용에서 실시예1 내지 실시예4의 미세 수직형 프로브의 접촉편의 하단수직기둥부의 끝단에는 침부접촉선단이 형성되며 상기 침부접촉선단 형상은 평탄한(Flat) 형상, 반경(Radius) 형상, 뾰족한(Sharp) 형상 다단테퍼(Taper) 형상 중에서 어느 하나 형상을 선정하여 형성하는 것이다.
3. 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용에서 실시예1 내지 실시예4의 미세 수직형 프로브의 통전편의 상단수직기둥부의 끝단에는 통전접합선단이 형성되며 상기 통전접합선단 형상은 평탄한 형상, 다수개돌기 형상, 다단테퍼 형상 중에서 어느 하나 형상을 선정하여 형성하는 것이다.
4. 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용에서 실시예1 내지 실시예4의 미세 수직형 프로브의 탄성편의 일단에 부가되는 침압조절부 형상은 원형, 타원형, 삼각형, 사각형, 다각형 중에서 어느 하나 형상을 선정하여 형성하는 것이다.
5. 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용에서 실시예1 내지 실시예4의 미세 수직형 프로브는 반도체 칩의 전극패드간의 협소피치와 비정규적으로 다차원 배열을 갖는 다양한 전극패드 배열을 검사할 수 있는 프로브카드 조립을 하기 위해 미세 수직형 프로브의 탄성편에는 미세 수직형 프로브들의 상호간에 누설전류를 차단하기 위해 절연막이 증착 또는 절연막이 도포 되는 것이다.
6. 본 발명의 실시를 위한 구체적인 내용에서 실시예1 내지 실시예4의 미세 수직형 프로브는 금속합금으로 제조되며, 금속합금은 니켈합금, 팔라듐합금, 료듐합금, 구리합금, 텡스텐합금 중 어느 하나를 선정하여 미세 수직형 프로브에 가장 부합되는 금속합금을 선정하여 미세하고 균일하고 희망하는 형상의 미세 수직형 프로브를 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브를 탄성편의 수평면 일단에 수직선상으로 개구하여 침압완화부 형상을 형성하여 미소전기기계시스템 기술을 이용하여 제조하면 탄성계수(Young's Modulus)가 높은 금속합금으로 상기 미세 수직형 프로브를 제조하여도 탄성편의 빔부가 면적당 작용하는 응력이 낮아져 탄성편에 탄성력이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브을 제공하는데 있다.
다른 방법으로 침압완화부 형상을 탄성편의 수직면 일단에 수평선상으로 개구하여 침압조절부 형상을 형성하여 미소전기기계시스템 기술을 이용하여 제조하면 탄성계수(Young's Modulus)가 높은 금속합금으로 미세 수직형 프로브를 제조하여도 탄성편의 빔부가 면적당 작용하는 응력이 낮아져 탄성편에 탄성력이 적게 발생되는 효과는 동일한 것이다.
상기 미소전기기계시스템 기술으로 제조되는 2차원 형상에 의한 미세 수직형 프로브 또는 3차원 형상에 의한 미세 수직형 프로브는 희망하는 미세 수직형 프로브 형상이 되도록 패터닝공정과 일부공정이 반복되며 제조되는 것이다.
제1실시예
본 발명의 제1실시예의 미세 수직형 프로브(100)는 높은 침압으로 반도체 칩을 검사를 할때 사용되는 미세 수직형 프로브이며, 도 2와 같이 미세 수직형 프로브(100)은 활 형상으로 탄성편(30)의 하부테퍼부(35) 수평면 일단과 중앙부빔부(32) 수평면 일단과 상부테퍼부(38) 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(33)가 형성된 형상으로 구성한 상태를 예시한 사시도이며, 상기 미세 수직형 프로브(100)는 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조되는 것이다.
도 2와 같은 활 형상의 미세 수직형 프로브(100)의 세부형상은 접촉편(20)은 하단수직기둥부(25)와 하단희생부(29)로 구성되며, 하단수직기둥부(25)의 하부은 침부접촉선단(21)이 형성되고 하단수직기둥부(25)의 상부 끝단기둥에는 하부제한돌기(23)가 형성되는 것이다.
상기 접촉편(20)의 하단수직기둥부(25)와 하단희생부(29)는 하판구조물 홀(미도시)에 삽입후 하단희생부(29)를 제거하는 것이다.
상기 접촉편(20)에 하단수직기둥부(25)와 하단희생부(29)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(100)의 접촉편(20)을 하판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 접촉편(20)의 하단수직기둥부(25)와 하단희생부(29) 사이에는 하단수직기둥부(25)의 침부접촉선단(21) 형상 반대편 형상이 하단희생부(29)에 하단절단공(27)으로 부가되어 있어 하단희생부(29)는 하단절단공(27)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 하단희생부(29)를 제거할 수 있는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 탄성편(30)은 활 형상으로 형성되어 접촉편(20)의 하단수직기둥부(25)의 상부 끝단기둥에 형성된 하부제한돌기(23)의 끝단에서 통전편(40)의 상단수직기둥부(45)의 하부 끝단기둥에 형성된 상부제한돌기(43) 사이에는 탄성편(30)이 되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 접촉편(20)의 하부제한돌기(23)의 끝단에서 통전편(40) 하부의 상부제한돌기(43)까지 탄성편(30)이 형성되는 상기 탄성편(30)의 하부 일단은 휘어지며 상향으로 테퍼(Taper)지게 하부테퍼부(35)가 형성되고, 또한 상기 탄성편(30)의 상부 일단은 휘어지며 하향으로 테퍼(Taper)지게 상부테퍼부(38)가 형성되고, 상기 탄성편(30)의 하부테퍼부(35) 끝단에서 탄성편(30)의 상부테퍼부(38) 끝단 사이에는 중앙부빔부(32)가 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 탄성편(30)에 형성되는 수평면 중앙부빔부(32a)의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 탄성편(30)에 형성되는 수직면 중앙부빔부 (32b)의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 탄성편(30)의 하부테퍼부(35) 수평면 일단과 중앙부빔부(32) 수평면 일단과 상부테퍼부(38) 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(33)가 부가되어 있어 접촉편(20)의 침부접촉선단(21)이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 반력을 탄성편(30)의 하부테퍼부(35) 수평면 일단과 중앙부빔부(32) 수평면 일단과 상부테퍼부(38) 수평면 일단에 형성된 침압완화부(33)에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브(100)에서 필요로 하는 오버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편(30)의 중앙부빔부(32)에 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브(100)을 제공하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 접촉편(20)의 침부접촉선단(21)이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편(30)의 중앙부빔부(32)가 크게 휘어지는 것을 하부테퍼부(35) 일단과 상부테퍼부(38) 일단에 수직선상에 부가된 침압완화부(33)에서 과도한 탄성을 흡수하고 완충하여 탄성편(30)의 중앙부빔부(32)가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 접촉편(20)의 침부접촉선단(21)이 반도체 칩의 전극패드에서 접촉이 끝나면 탄성편(30)의 중앙부빔부(32)는 원래의 상태로 돌아가는 탄성동작을 하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)의 통전편(40)은 상단수직기둥부(45)와 상단희생부(49)로 구성되며 상기 통전편(40)의 상단수직기둥부(45)의 하부 끝단기둥에는 상부제한돌기(43)가 형성되고 상단수직기둥부(45)의 상부은 통전접합선단(41)이며 상기 상단수직기둥부(45)의 상부 통전접합선단(41)은 인터포져(미도시) 또는 인쇄회로기판(미도시)에 배열된 통전패드에 접합하는 것이다.
상기 통전편(40)의 상단수직기둥부(45)와 상단희생부(49)는 상판구조물 홀(미도시)에 삽입후 상단희생부(49)를 제거하는 것이다.
상기 통전편(40)에 상단수직기둥부(45)와 상단희생부(49)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(100)의 통전편(40)을 상판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(100)은 통전편(40)의 상단수직기둥부(45)의 통전접합선단(41) 형상 반대편 형상이 상단수직기둥부(45)와 상단희생부(49) 사이에 상단절단공(47)으로 형성되어 있어 상단희생부(49)는 상단절단공(47)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 상단희생부(49)를 제거할 수 있는 것이다.
제2실시예
본 발명의 제2실시예의 미세 수직형 프로브(150)는 낮은 침압으로 반도체 칩을 검사를 할때 사용되는 미세 수직형 프로브이며, 도 3과 같이 미세 수직형 프로브(150)은 반 활 형상으로 탄성편(130)의 하부다단부(137)의 수평면 일단과 상부다단부(139) 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)가 형성된 형상으로 구성한 상태를 예시한 사시도이며, 상기 미세 수직형 프로브(150)는 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조되는 것이다.
도 3과 같은 미세 수직형 프로브(150)의 세부형상은 접촉편(120)은 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)로 구성되며, 하단수직기둥부(125)의 하부은 침부접 촉선단(121)이 형성되는 것이다.
상기 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)는 하판구조물 홀(미도시)에 삽입후 하단희생부(129)를 제거하는 것이다.
상기 접촉편(120)에 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(150)의 접촉편(120)을 하판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129) 사이에는 하단수직기둥부(125)의 침부접촉선단(121) 형상 반대편 형상이 하단희생부(129)에 하단절단공(127)으로 부가되어 있어 하단희생부(129)는 하단절단공(127)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 하단희생부(129)를 제거할 수 있는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 탄성편(130)의 하부 빔부 일단은 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)의 상부 끝단에서 다단으로 상향으로 수직으로 하부다단부(137)가 형성되며, 또한 탄성편(130)의 상부 빔부 일단은 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단에서 하향으로 다단으로 휘어지게 상부다단부(139)가 형성되는 것이다.
상기 탄성편(130)의 하부다단부(136) 끝단에서 상부다단부(139) 끝단 사이에는 중앙부빔부(132)가 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 탄성편(130)에 형성되는 수평면 중앙부빔부(132a)의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 탄성편(130)에 형성되는 수직면 중앙부빔부(132b)의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)은 탄성편(130)의 하부다단부(137)의 수평면 일단과 상부다단부(139) 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)가 부가되어 있어 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 반력을 탄성편(130)의 하부다단부(137) 수직면 일단과 상부다단부(139) 수직면 일단에 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브(150)에서 필요로 하는 오버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편(130)의 중앙부빔부(132)에는 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브(150)을 제공하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로부(150)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편(130)의 중앙부빔부(132)가 크게 휘어지는 것을 탄성편(130)의 하부다단부(137) 수직면 일단과 상부다단부(139) 수직면 일단에 형성된 침압완화부(133)에서 과도한 탄성을 완충하여 탄성편(130)의 중앙부빔부(132)가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩의 전극패드에서 접촉이 끝나면 탄성편(130)의 중앙부빔부(132)는 원래의 상태로 돌아가는 탄성동작을 하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)의 통전편(140)은 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)로 구성되며 상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단기둥 상부은 통전접합선단(141)이며 상기 상단수직기둥부(145)의 상부 통전접합선단(141)은 인터포져(미도시) 또는 인쇄회로기판(미도시)에 배열된 통전패드에 접합하는 것이다.
상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)는 상판구조물 홀(미도시)에 삽입후 상단희생부(149)를 제거하는 것이다.
상기 통전편(140)에 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(150)의 상단편(140)을 상판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(150)은 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 통전접합선단(141) 형상 반대편 형상이 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149) 사이에 상단절단공(147)으로 형성되어 있어 상단희생부(149)는 상단절단공(147)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 상단희생부(149)를 제거할 수 있는 것이다.
제3실시예
본 발명의 제3실시예의 미세 수직형 프로브(170)는 낮은 침압으로 반도체 칩을 검사를 할때 사용되는 미세 수직형 프로브이며, 도 4와 같이 미세 수직형 프로브(170)는 반 활 형상으로 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)가 형성된 형상으로 구성한 상태를 예시한 사시도이며, 상기 미세 수직형 프로브(170)는 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조되는 것이다.
도 4와 같은 미세 수직형 프로브(170)의 세부형상은 접촉편(20)은 하단수직 기둥부(125)와 하단희생부(129)로 구성되며, 하단수직기둥부(125)의 하부은 침부접촉선단(121)이 형성되고 하단수직기둥부(125)의 상부 끝단기둥에는 하부제한돌기(123)가 형성되는 것이다.
상기 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)는 하판구조물 홀(미도시)에 삽입후 하단희생부(129)를 제거하는 것이다.
상기 접촉편(120)에 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(170)의 접촉편(120)을 하판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129) 사이에는 하단수직기둥부(125)의 침부접촉선단(121) 형상 반대편 형상이 하단희생부(129)에 하단절단공(127)으로 부가되어 있어 하단희생부(129)는 하단절단공(127)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 하단희생부(129)를 제거할 수 있는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편(130)은 반 활 형상으로 형성되어 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)의 상부 끝단기둥에 형성된 하부제한돌기(123)의 끝단에서 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단기둥에 형성된 상부제한돌기(143) 사이에는 탄성편(130)이 되며 상기 탄성편(130)은 탄성편빔부(131)가 되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편(130)은 접촉편(120)의 하부제한돌기(123)의 끝단에서 탄성편(130)의 하부 빔부 일단은 상향으로 수직으로 형성되고, 또한 통전편(140)의 상부제한돌기(143)의 끝단에서 탄성편(130)의 상부 빔부 일단은 하향으로 휘어지게 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편(130)에 형성되는 수평면 중앙편빔부(131a)의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편(130)에 형성되는 수직면 중앙편빔부(131b)의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)가 부가되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)의 형상과 면적과 수량은 반도체 칩을 검사할 때 부여되는 침압에 따라 결정되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에 수직선상으로 개구된 침압완화부(133)는 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 반력을 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에 형성된 침압완화부(133)에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브(170)에서 필요로 하는 오버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편빔부(131)에는 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브(170)을 제공하는 것 이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에는 수평선상으로 개구된 침압완화부(133)를 부가하여도 이로부터 얻게 되는 탄성편의 빔부가 큰 복원력을 갖는 효과는 동일한 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)가 크게 휘어지고 과도한 압력을 수직침압조절부(133)에서 탄성을 흡수하고 완충하여 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩의 전극패드에서 접촉이 끝나면 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)는 원래의 상태로 돌아가는 탄성동작을 하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)의 통전편(140)은 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)로 구성되며 상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단기둥에는 상부제한돌기(143)가 형성되고 상단수직기둥부(145)의 상부은 통전접합선단(141)이며 상기 상단수직기둥부(145)의 상부 통전접합선단(141)은 인터포져(미도시) 또는 인쇄회로기판(미도시)에 배열된 통전패드에 접합하는 것이다.
상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)는 상판구조물 홀(미도시)에 삽입후 상단희생부(149)를 제거하는 것이다.
상기 통전편(140)에 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)를 구성하는 이 유는 미세 수직형 프로브(170)의 통전편(140)을 상판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(170)은 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 통전접합선단(141) 형상 반대편 형상이 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149) 사이에 상단절단공(147)으로 형성되어 있어 상단희생부(149)는 상단절단공(147)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 상단희생부(149)를 제거할 수 있는 것이다.
제4실시예
본 발명의 제4실시예의 미세 수직형 프로브(190)는 낮은 침압으로 반도체 칩을 검사를 할때 사용되는 미세 수직형 프로브이며, 도 5와 같이 미세 수직형 프로브(190)은 반 활 형상으로 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 수평선상으로 개구된 침압완화부(133)가 형성된 형상으로 구성한 상태를 예시한 사시도이며, 상기 미세 수직형 프로브(190)는 미소전기기계시스템(MEMS) 기술으로 제조되는 것이다.
도 5와 같은 미세 수직형 프로브(190)의 세부형상은 접촉편(120)은 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)로 구성되며, 하단수직기둥부(125)의 하부은 침부접촉선단(121)이 형성되는 것이다.
상기 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)는 하판구조물 홀(미도시)에 삽입후 하단희생부(129)를 제거하는 것이다.
상기 접촉편(120)에 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(190)의 접촉편(120)을 하판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)와 하단희생부(129) 사이에는 하단수직기둥부(125)의 침부접촉선단(121) 형상 반대편 형상이 하단희생부(129)에 하단절단공(127)으로 부가되어 있어 하단희생부(129)는 하단절단공(127)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 하단희생부(129)를 제거할 수 있는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편(130)은 반 활 형상으로 형성되어 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)의 상부 끝단에서 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단기둥 사이에는 탄성편(130)이 되며 상기 탄성편(130)은 탄성편빔부(131)가 되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편(130)은 접촉편(120)의 하단수직기둥부(125)의 상부 끝단에서 하부 빔부 일단은 상향으로 수직으로 형성되고, 또한 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 하부 끝단에서 상부 빔부 일단은 하향으로 휘어지게 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편(130)에 형성되는 수평면 중앙편빔부(131a)의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편(130)에 형성되는 수직면 중앙편빔부(131b)의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에는 수평선상으로 개구된 침 압완화부(133)가 형성되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 수평선상으로 개구된 침압완화부(133) 형상의 면적과 수량은 반도체 칩을 검사할 때 부여되는 침압에 따라 결정되는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 수평선상으로 개구된 침압완화부(133)는 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩 전극패드에 접촉시 발생되는 반력을 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 형성된 침압완화부(133)에서 분산시키는 효과가 있어 미세 수직형 프로브(190)에서 필요로 하는 오버드라이브를 확보할 수 있고 탄성편빔부(131)에는 침압이 적게 발생되는 미세 수직형 프로브(190)을 제공하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 검사하는 반도체 칩의 전극패드에 접촉시 탄성편(130)의 중앙편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 수평선상으로 개구된 침압완화부(133)는 크게 휘어지고 과도한 압력을 탄성편(130)의 중앙편빔부(131)의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔부 수직면 일단에 형성된 침압완화부(133)에서 과도한 탄성을 흡수하고 완충하여 탄성편(130)의 탄성편빔부(131)가 적게 휘어지는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 접촉편(120)의 침부접촉선단(121)이 반도체 칩의 전극패드에서 접촉이 끝나면 탄성편빔부(131)는 원래의 상태로 돌아가는 탄성동작을 하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)의 통전편(140)은 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)로 구성되며 상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 상부 끝단기둥은 통전접합선단(141)이며 상기 상단수직기둥부(145)의 상부 통전접합선단(141)은 인터포져(미도시) 또는 인쇄회로기판(미도시)에 배열된 통전패드에 접합하는 것이다.
상기 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)는 상판구조물 홀(미도시)에 삽입후 상단희생부(149)를 제거하는 것이다.
상기 통전편(140)에 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149)를 구성하는 이유는 미세 수직형 프로브(190)의 통전편(140)을 상판구조물 홀(미도시)에 삽입을 용이하게 하기 위해 형성하는 것이다.
상기 미세 수직형 프로브(190)은 통전편(140)의 상단수직기둥부(145)의 통전접합선단(141) 형상 반대편 형상이 상단수직기둥부(145)와 상단희생부(149) 사이에 상단절단공(147)으로 형성되어 있어 상단희생부(149)는 상단절단공(147)에 의해 절단이 가능하여 매우 간편하게 상단희생부(149)를 제거할 수 있는 것이다.
본 발명은 상술한 실시예1과 실시예4의 미세 수직형 프로브 형상으로 한정하는 것이 아니며, 본 발명의 기술적 사상과 범주내에서 당업자에 의해 미세 수직형 프로브에 부가되는 침압조절부 형상은 여러 가지 변형할 수 있는 것이다.
도 1은 종래의 수직형 프로브의 형상을 예시한 상태를 도시한 것이다.
도 2은 본 발명의 제1실시예의 활 형상의 미세 수직형 프로브은 탄성편의 테퍼부에는 수직선상으로 개구된 침압조절부가 형성되고 접촉편의 수직기둥부와 통전편의 수직기둥부에는 제한돌기가 형성된 상태를 예시한 사시도.
도 3은 본 발명의 제2실시예의 반 활 형상의 미세 수직형 프로브은 탄성편의 하부다단부와 상부다단부에는 수직선상으로 개구된 침압조절부가 형성된 상태를 예시한 사시도.
도 4은 본 발명의 제3실시예의 반 활 형상의 미세 수직형 프로브은 탄성편의 빔부의 일단부에는 수직선상으로 개구된 침압조절부가 형성되고 접촉편의 수직기둥부와 통전편의 수직기둥부에는 제한돌기가 형성된 상태를 예시한 사시도.
도 5은 본 발명의 제4실시예의 반 활 형상의 미세 수직형 프로브은 탄성편 빔부의 일단부에 수평선상으로 개구된 침압조절부가 형성되고 접촉편의 수직기둥부와 통전편의 수직기둥부에는 제한돌기가 형성된 상태를 예시한 사시도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
20,120…접촉편 21,121…침부접촉선단 23,123…하부제한돌기
25,125…하단수직기둥부 27,127…하단절단공 29,129…하단희생부
30,130…탄성편 31,131…탄성편빔부 32,132…중앙부빔부
33,133…침압완화부 35…하부테퍼부 38…상부테퍼부
137…하부다단부 139…상부다단부 40,140…통전편
41,141…통전접합선단 43,143…상부제한돌기 45,145…상단수직기둥부
47,147…상단절단공 49,149…상단희생부
100…활 형상 미세 수직형 프로브
150,170,190…반 할 형상 미세 수직형 프로브

Claims (12)

  1. 접촉편과 탄성편과 통전편이 일체형으로 구성되는 미세 수직형 프로브은,
    상기 접촉편은 하단수직기둥부와 하단희생부로 구성되며, 상기 하단수직기둥부와 하단희생부는 하판 구조물 홀에 삽입후 하단수직기둥부에서 하단희생부를 제거하는 것과,
    상기 접촉편의 하단수직기둥부와 하단희생부 사이에 하단절단공이 형성되어 있는 것과,
    상기 접촉편의 하부제한돌기의 끝단에서 통전편의 상부제한돌기 사이에는 탄성편이 형성되며, 상기 탄성편의 하부 일단은 휘어지며 상향으로 하부테퍼부가 형성되고, 상기 탄성편의 상부 일단은 휘어지며 하향으로 상부테퍼부가 형성되고, 상기 탄성편의 하부테퍼부 끝단에서 탄성편의 상부테퍼부 끝단 사이에는 중앙부빔부가 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 중앙부빔부의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되고, 상기 탄성편의 중앙부빔부의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 하부테퍼부 수평면 일단과 중앙부빔부 수평면 일단과 상부테퍼부 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압조절부가 부가되는 것과,
    상기 통전편은 상단수직기둥부와 상단희생부로 구성되며, 상기 상단수직기둥부와 상단희생부는 상판 구조물 홀에 삽입후 상단수직기둥부에서 상단희생부를 제거하는 것과,
    상기 통전편의 상단수직기둥부와 상단희생부 사이에 상단절단공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  2. 접촉편과 탄성편과 통전편이 일체형으로 구성되는 미세 수직형 프로브은,
    상기 접촉편은 하단수직기둥부와 하단희생부로 구성되며 하단수직기둥부와 하단희생부 사이에 하단절단공이 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 하부 빔부 일단은 접촉편의 하단수직기둥부의 상부 끝단에서 다단으로 상향으로 수직으로 하부다단부가 형성되고, 탄성편의 상부 빔부 일단은 통전편의 상단수직기둥부의 하부 끝단에서 하향으로 다단으로 휘어지게 상부다단부가 형성되고, 상기 탄성편의 하부다단부 끝단에서 상부다단부 끝단 사이에는 중앙부빔부가 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 중앙부빔부의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되고, 상기 탄성편의 중앙부빔부의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 하부다단부의 수평면 일단과 상부다단부 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부가 부가되는 것과,
    상기 통전편은 상단수직기둥부와 상단희생부로 구성되며 상단수직기둥부와 상단희생부 사이에 상단절단공이 형성된 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  3. 접촉편과 탄성편과 통전편이 일체형으로 구성되는 미세 수직형 프로브은,
    상기 접촉편의 하단수직기둥부의 상부끝단과 통전편의 상단수직기둥부의 하부끝단은 제한돌기가 형성되는 것과,
    상기 미세 수직형 프로브의 탄성편의 하부 빔부 수평면 일단은 상향으로 수직으로 형성되고, 상기 탄성편의 상부 빔부 수평면 일단은 하향으로 휘어지게 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 빔부의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되고, 상기 탄성편의 빔부의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 하부 빔부 수평면 일단과 중앙부 빔부 수평면 일단과 상부 빔부 수평면 일단에는 수직선상으로 개구된 침압완화부의 형상과 면적과 수량은 반도체 칩을 검사할 때 부여되는 오버드라이브에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  4. 접촉편과 탄성편과 통전편이 일체형으로 구성되는 미세 수직형 프로브은,
    상기 접촉편의 하단수직기둥부의 상부 끝단에서 상단편의 상단수직기둥부의 하부 끝단사이에는 탄성편빔부가 되는 것과,
    상기 미세 수직형 프로브의 탄성편의 하부 빔부 일단은 상향으로 수직으로 형성되고, 상기 탄성편의 상부 빔부 일단은 하향으로 휘어지게 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 빔부의 수평면 두께는 동일한 두께로 형성되고, 상기 탄성편의 빔부의 수직면 두께는 동일한 두께로 형성되는 것과,
    상기 탄성편의 하부 빔부 수직면 일단과 중앙부 빔부 수직면 일단과 상부 빔 부 수직면 일단에는 수평선상으로 개구된 침압완화부의 형상과 면적과 수량은 반도체 칩을 검사할 때 부여되는 오버드라이브에 따라 결정되는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브는 니켈합금, 팔라듐합금, 료듐합금, 구리합금, 텡스텐합금 중 어느 하나를 선정하여 미소전기기계시스템 기술로 제조하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브의 탄성편에 부가되는 침압완화부의 형상은 원형, 타원형, 삼각형, 사각형, 다각형 중에서 어느 하나을 선정하여 형성하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브은 접촉편의 하단수직기둥부의 끝단에는 침부접촉선단이 형성되며 상기 침부접촉선단 형상은 평탄한 형상, 반경 형상, 뾰족한 형상 다단테퍼 형상 중에서 어느 하나 형상을 선정하여 미소전기기계시스템 기술로 제조하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  8. 제1항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브은 통전편의 상단수직 기둥부의 끝단에는 통전접합선단이 형성되며 상기 통전접합선단 형상은 평탄한 형상, 다수개돌기 형상, 다단테퍼 형상 중에서 어느 하나 형상을 선정하여 미소전기기계시스템 기술로 제조하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  9. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브의 접촉편은 하단수직기둥부와 하단희생부로 구성되며, 상기 하단수직기둥부와 하단희생부는 하판구조물 홀에 삽입후 하단수직기둥부에서 하단희생부를 제거하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  10. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브의 통전편은 상단수직기둥부와 상단희생부로 구성되며, 상기 상단수직기둥부와 상단희생부는 상판구조물 홀에 삽입후 상단수직기둥부에서 상단희생부를 제거하는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  11. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브은 접촉편의 하단수직기둥부의 침부접촉선단 형상 반대편 형상이 하단수직기둥부와 하단희생부 사이에 하단절단공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 침압완화부가 형성된 미세 수직형 프로브.
  12. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 미세 수직형 프로브은 통전편의 상단수직기둥부의 통전접합선단 형상 반대편 형상이 상단수직기둥부와 상단희생부 사이에 상단절단공으로 형성되는 것을 특징으로 하는 침압조절부가 형성된 미세 수직형 프로브.
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