JPS62181438A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62181438A JPS62181438A JP61024309A JP2430986A JPS62181438A JP S62181438 A JPS62181438 A JP S62181438A JP 61024309 A JP61024309 A JP 61024309A JP 2430986 A JP2430986 A JP 2430986A JP S62181438 A JPS62181438 A JP S62181438A
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- JP
- Japan
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- input
- prober
- pads
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- Pending
Links
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 21
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、ウェハ状態で高周波評価を可能とした半導
体装置に関するものである。
体装置に関するものである。
従来、マイクロウェーブモノリシックＩＣ（以下ＭＭＩ
Ｃという）においては、第２図に示すように、ウェハを
製作した後、ＭＭＩＣＩの入出力パッド間隔がＲＦブロ
ーバ３の入出力プローブの間隔より短い場合は、ＲＦプ
ローバ測定用のパターンを付加することにより高周波測
定を行っているが、ＭＭＩＣＩの入出力パッド間隔がＲ
Ｆプローバ３の入出力端子の間隔より長い場合は、第３
図に示すようにＭＭＩＣＩをチップ状態に分割してキャ
リア５に装着し、高周波測定を行う方法が用いられてい
る。
Ｃという）においては、第２図に示すように、ウェハを
製作した後、ＭＭＩＣＩの入出力パッド間隔がＲＦブロ
ーバ３の入出力プローブの間隔より短い場合は、ＲＦプ
ローバ測定用のパターンを付加することにより高周波測
定を行っているが、ＭＭＩＣＩの入出力パッド間隔がＲ
Ｆプローバ３の入出力端子の間隔より長い場合は、第３
図に示すようにＭＭＩＣＩをチップ状態に分割してキャ
リア５に装着し、高周波測定を行う方法が用いられてい
る。
次にＲＦプローバ３を用いたウェハ状態での高周波測定
とチップ状態に分割した場合の高周波測定方法について
説明する。
とチップ状態に分割した場合の高周波測定方法について
説明する。
まず、ＲＦプローバ３を用いたウェハ状態での高周波測
定法を示す、第２図に示すウェハ状態でのＭＭＩＣＩの
入出力線路に特性インピーダンス５０Ωのコープレナ線
路２を付加することにより、ＲＦプローバ３のコープレ
ナ線路２のプローブとの接続が可能となり高周波測定が
できる。
定法を示す、第２図に示すウェハ状態でのＭＭＩＣＩの
入出力線路に特性インピーダンス５０Ωのコープレナ線
路２を付加することにより、ＲＦプローバ３のコープレ
ナ線路２のプローブとの接続が可能となり高周波測定が
できる。
次にチップ状態での高周波測定の一例を説明する。第３
図に示すチップ状態のＭＭＩＣｌを特性インピーダンス
５０Ωの線路を有するセラミックあるいはサファイヤ等
の基板４とともにキャリア５に装着する。キャリア５の
両端においてマイクロストリップ線路を同軸線路７にコ
ネクタ６により変換して接続し、高周波測定装置へとつ
なぐ。
図に示すチップ状態のＭＭＩＣｌを特性インピーダンス
５０Ωの線路を有するセラミックあるいはサファイヤ等
の基板４とともにキャリア５に装着する。キャリア５の
両端においてマイクロストリップ線路を同軸線路７にコ
ネクタ６により変換して接続し、高周波測定装置へとつ
なぐ。
上記のような従来の高周波測定方法では、ＭＭＩＣｌの
入出力パッド間隔がＲＦプローバ３の入出力プローブの
間隔より長い場合はＲＦプローバ３での測定ができない
ので、チップ状態に分割しなければならないうえ、他に
セラミックあるいはサファイヤ等の基板４やキャリア５
を製作することが必要であり、またキャリア５へのＭＭ
ＩＣＩのチップおよび基板４等の組み立て精度、キャリ
ア５の共振等が高周波測定の誤差の原因となるという問
題点があった。
入出力パッド間隔がＲＦプローバ３の入出力プローブの
間隔より長い場合はＲＦプローバ３での測定ができない
ので、チップ状態に分割しなければならないうえ、他に
セラミックあるいはサファイヤ等の基板４やキャリア５
を製作することが必要であり、またキャリア５へのＭＭ
ＩＣＩのチップおよび基板４等の組み立て精度、キャリ
ア５の共振等が高周波測定の誤差の原因となるという問
題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、ＭＭＩＣの入出力パッド間隔がＲＦブローバ３の
入出力プローブの間隔より長くてもＲＦプローバを用い
て精度のよい高周波測定ができる半導体装置を得ること
を目的とする。
ので、ＭＭＩＣの入出力パッド間隔がＲＦブローバ３の
入出力プローブの間隔より長くてもＲＦプローバを用い
て精度のよい高周波測定ができる半導体装置を得ること
を目的とする。
この発明に係る半導体装置は、高周波回路の出力パッド
と高周波回路の入力パッドとをＲＦプローバの入出力プ
ローブの間隔に近づけた接続用線路を備えたものである
。
と高周波回路の入力パッドとをＲＦプローバの入出力プ
ローブの間隔に近づけた接続用線路を備えたものである
。
この発明においては、高周波回路によらず、ＲＦプロー
バによる高周波測定ができる。
バによる高周波測定ができる。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例を示す構成図
である。第１図において、１１はＭＭＩＣ１１２，１３
はコーブレナ線路で作られたＲＦプローバ測定用の入力
パッドおよび出力パッド、１４はコープレナ線路の接地
を行うバイアホール、１５は前記ＭＭＩＣ１１の出力パ
ッドからＲＦプローバ用の出力パッド１３への接続用線
路である。
である。第１図において、１１はＭＭＩＣ１１２，１３
はコーブレナ線路で作られたＲＦプローバ測定用の入力
パッドおよび出力パッド、１４はコープレナ線路の接地
を行うバイアホール、１５は前記ＭＭＩＣ１１の出力パ
ッドからＲＦプローバ用の出力パッド１３への接続用線
路である。
次にこの発明の半導体装置の構成について説明する。
ＲＦプローバを使用して高周波測定を行う場合には、Ｒ
Ｆプローバの入出力プローブの間隔に合わせた入出力パ
ッドがＭＭＩＣ側に必要となるが、このＭＭＩＣ側の入
出力パッドは、ＲＦプローバのプローブがコーブレナ線
路であるため、同様にコーブレナ線路で作る必要があり
、そのため信号線路および接地線路が必要となる。
Ｆプローバの入出力プローブの間隔に合わせた入出力パ
ッドがＭＭＩＣ側に必要となるが、このＭＭＩＣ側の入
出力パッドは、ＲＦプローバのプローブがコーブレナ線
路であるため、同様にコーブレナ線路で作る必要があり
、そのため信号線路および接地線路が必要となる。
第１図においてはＭＭＩＣｌｌの出力パッドをＭＭＩＣ
ＩＩの外側から入力パッド側に近づけるための接続用線
路１５を設け、ＲＦプローバのプローブの間隔に合わせ
てＲＦプローバ測定用の出力パッド１３を配置する。ま
た接地線路は基板にパイ７ホール１４を設は接地してい
る。これによりＭＭＩＣｌｌの入出力パッドの間隔にか
かわらずに、ＲＦブローバのプローブ間隔に合わせたＲ
Ｆプローバ測定用の入力パッドおよび出力パッドを形成
することができ、ＲＦプローバによって高周波測定を行
うことが・できる。
ＩＩの外側から入力パッド側に近づけるための接続用線
路１５を設け、ＲＦプローバのプローブの間隔に合わせ
てＲＦプローバ測定用の出力パッド１３を配置する。ま
た接地線路は基板にパイ７ホール１４を設は接地してい
る。これによりＭＭＩＣｌｌの入出力パッドの間隔にか
かわらずに、ＲＦブローバのプローブ間隔に合わせたＲ
Ｆプローバ測定用の入力パッドおよび出力パッドを形成
することができ、ＲＦプローバによって高周波測定を行
うことが・できる。
なお、上記実施例では、ＭＭＩＣＩＩの出力パッドを入
力パッド側に接続用線路１５によって近づけているが、
逆に入力パッドを近づけてもよく、またＭＭＩＣＩＩの
入力パッドおよび出力パッドの両方から接続用線路１５
を使ってＲＦプローバ測定用の入力パッドおよび出力パ
ッドを全く別の位置に形成してもよい。
力パッド側に接続用線路１５によって近づけているが、
逆に入力パッドを近づけてもよく、またＭＭＩＣＩＩの
入力パッドおよび出力パッドの両方から接続用線路１５
を使ってＲＦプローバ測定用の入力パッドおよび出力パ
ッドを全く別の位置に形成してもよい。
この発明は以上説明したとおり、高周波回路の出力パッ
ドと高周波回路の入力パッドとをＲＦプローバの入出力
プローブの間隔に近づけた接続用線路を備えたので、入
出力パッドの間隔に関係なくウェハ状態のままで高周波
測定が可能であり、精度の高い測定が可能になるという
効果がある。
ドと高周波回路の入力パッドとをＲＦプローバの入出力
プローブの間隔に近づけた接続用線路を備えたので、入
出力パッドの間隔に関係なくウェハ状態のままで高周波
測定が可能であり、精度の高い測定が可能になるという
効果がある。
第１図はこの発明の半導体装置の−・実施例を示す構成
図、第２図はウェハ上におけるＭＭＩＣの高周波測定を
示す図、第３図はキャリアに装着したＭＭＩＣの高周波
測定を説明するための図である。 図において、１］はＭＭＩＣ１１２，１３はＲＦブロー
バＪｌｌｌ定用の入力パッドおよび出力パッド、１４は
パイ７ホール、１５は接続用線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 １１：ＭＭ Ｉ Ｃ 第２図 第３図
図、第２図はウェハ上におけるＭＭＩＣの高周波測定を
示す図、第３図はキャリアに装着したＭＭＩＣの高周波
測定を説明するための図である。 図において、１］はＭＭＩＣ１１２，１３はＲＦブロー
バＪｌｌｌ定用の入力パッドおよび出力パッド、１４は
パイ７ホール、１５は接続用線路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 １１：ＭＭ Ｉ Ｃ 第２図 第３図
Claims (1)
- 高周波回路が形成されたウェハにおいて、前記高周波回
路の出力パッドと前記高周波回路の入力パッドとをＲＦ
プローバの入出力プローブの間隔に近づけた接続用線路
を備えたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024309A JPS62181438A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61024309A JPS62181438A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62181438A true JPS62181438A (ja) | 1987-08-08 |
Family
ID=12134573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61024309A Pending JPS62181438A (ja) | 1986-02-04 | 1986-02-04 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62181438A (ja) |
-
1986
- 1986-02-04 JP JP61024309A patent/JPS62181438A/ja active Pending
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