JPH1144709A - プローブカード - Google Patents

プローブカード

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JPH1144709A
JPH1144709A JP21807997A JP21807997A JPH1144709A JP H1144709 A JPH1144709 A JP H1144709A JP 21807997 A JP21807997 A JP 21807997A JP 21807997 A JP21807997 A JP 21807997A JP H1144709 A JPH1144709 A JP H1144709A
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JP
Japan
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probe card
probe
wafer
signal
shield
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JP21807997A
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Hiroshi Takeuchi
浩 武内
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Texas Instruments Japan Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速動作信号や微小信号も正確に又ノイズの
影響を受けずに測定することができるプローブカードを
提供する。 【解決手段】 このプローブカード1は多層基板で構成
されており、外周部分の接続領域10内には、テスタヘ
ッドへの接続が行われる接続手段11が配置されてい
る。内周部の部品実装領域20には、ウェハ内に形成さ
れた半導体デバイスの特性を測定する電子回路が形成で
きるように構成されている。接続領域10からプローブ
までを電気的に接続する信号パターン21には、それを
取囲むようにシールドパターン22が設けられている。
接続手段11内に挿入される接続ピンにはシールド部材
が設けられ、シールドパターン22と接続されている。
プローブカード1上の電子回路により、高速信号を測定
できる。シールドパターン22により、測定結果にノイ
ズが侵入しない。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを
ウェハ状態で電気的に試験するためのプローブカードに
かかり、特に、測定精度の高いプローブカードに関す
る。
【0002】
【従来の技術】一般に、半導体デバイスを製造する際に
は、ウェハプロセス工程が終了した後、ダイシングを行
う前に、ウェハの状態でテスト装置を用いた動作試験が
行われており、ウェハをテスト装置に電気的に接続させ
るために、従来より、図3に示すようなプローブカード
102が用いられている。
【0003】このプローブカード102は円板状に成形
されたプリント基板によって構成されており、外周に沿
った領域には、後述する接続ピンが挿入されることによ
り外部との電気的接続が行われるスルーホールから成る
端子111が設けられている。裏面には、プローブ・ニ
ードルの根本部分が接続固定される配線パターン121
が設けられている。プローブ・ニードルは、その先端部
分がプリント基板105の中央に形成された孔123方
向に向かって、、且つウエハに当接可能に折り曲げられ
て延びている。端子111は、配線パターン121やリ
ード線を介してプローブ・ニードルとが接続されてい
る。
【0004】このプローブカード102は、図4(a)に
示すテストヘッド132に装着して用いるものであり、
このテストヘッド132の底面側、すなわちウエハと対
面する側には、接続ピン(不図示)が突出している。プ
ローブカード102を、プローブ・ニードルが設けられ
た面を下側に向け、端子111が設けられた面を上側に
向け、テストヘッドから突出する接続ピンをこの端子1
11内に挿入することによって、プローブカード102
全体がテストヘッド132に保持されると共に、テスト
ヘッド132内の回路基板とプローブカード102との
電気的接続が行われる。
【0005】テストヘッド132内の回路基板とテスト
装置133とはケーブル134によって接続されてお
り、かくてプローブ・ニードルとテスト装置133内の
回路とが電気的に接続される。
【0006】テストヘッド132はプローバ131から
垂直に延びる支柱135によって昇降自在に支持されて
おり、図4(a)に示したテストヘッド132が上方へ
退避した状態でプローブカードを装着した後、図4
(b)に示すように降下させると、テストヘッド132
はプローバ131上の所定位置へとセットされる。
【0007】その状態で、図示せぬローディング機構に
よって測定対象のウェハ140をプローバ131内のス
テージ136上に載置する。図5にステージ136上に
載置されたウエハ140とプローブカード102との位
置関係を示す。ウェハ140をステージ136に吸着し
た状態で水平移動させ、プローブカード102から突き
出されたプローブ・ニードル130との相対的な位置合
わせを行った後、ステージ136を上方に移動させる。
この図5の符号147は、ウェハ140に形成された1
個の半導体デバイスを示しており、ステージ136が上
方に移動されると、半導体デバイス147の電極パッド
に各プローブ・ニードル130の先端部分が当接され
る。その状態では、半導体デバイス147は、プローブ
・ニードル130、配線パターン121(又はリード
線)、接続用ピン、テストヘッド132、ケーブル13
4によって、テスト装置133内の測定装置と電気的に
接続される。
【0008】テスト装置133内には検査用電源や電圧
計、さらには半導体デバイスとの間で所定の信号のやり
取りを行う信号処理回路等の測定装置が設けられてお
り、テスト装置133から電源電圧と検査用の信号を出
力し、半導体デバイスを動作させ、半導体デバイス14
7の動作状態を測定すると、良否を判断することができ
る。
【0009】所定項目の測定を行い、1つの半導体デバ
イスの試験が終了すると、ステージ136を下方に移動
させ、プローブ・ニードル130をウェハ140から離
した状態でステージ136を水平方向にステップ動作さ
せ、未測定の半導体デバイスの電極パッドにプローブ・
ニードル130の先端を当接させ、同様に、測定を行
う。このように、ウェハ140内の全半導体デバイスの
試験が終了し、不良の半導体デバイスにマーキングが行
われると、そのウェハ140の検査は終了し、未測定の
ウェハと交換される。
【0010】以上のようにウェハ段階で不良品を選別で
きれば、ダイシング後、良品のみを後工程に送ることが
できるので、不良品に不要な手間をかけることがなくな
り、全体のコストを低下させることが可能となる。
【0011】しかしながら上述のようなプローブカード
102を用いる場合には、ウェハ140からテスト装置
133までの配線の引回し距離が長くなっており、その
ため、高周波信号を測定する際には、配線の浮遊容量や
インダクタンス成分の影響によって波形が歪んだり、ノ
イズの影響によって測定値が不正確になる等の問題があ
る。
【0012】特に、近年ではDRAMを始めとする高速
のディジタル信号処理を行う半導体デバイスが増えてお
り、そのため、プローブカードを用いて正確な測定を行
える技術の開発が望まれている。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記従来技術
の問題点に鑑みて創作されたもので、その目的は、高速
信号や微小信号を正確に測定できるプローブカードを提
供することにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、平板状基板上に、外部装置
と電気的に接続するための接続手段に接続可能な複数の
端子と、ウエハに形成された測定対象の半導体デバイス
の電気的特性を試験するための電子回路を構成する電子
部品と、先端部分が前記ウエハ上に形成された電極パッ
ドに当接可能な複数のプローブ・ニードルと、前記端
子、電子部品及びプローブ・ニードルを電気的に接続す
る配線とを備えたことを特徴とする。
【0015】この発明によれば、プローブカードの基板
上に電子部品を実装することにより、試験用電子回路を
プローブカード上に形成したので、その回路はウェハに
近接配置されることになる。従って、ウエハ内の半導体
デバイスを試験する際に、配線容量やインダクタンスの
影響が小さくなり、高速動作信号を正確に測定すること
が可能になる。また微小信号の測定に際しても増幅回路
や信号処理回路をウェハに近接して配置することができ
るので、測定結果にノイズが侵入する前に信号を増幅及
び/又は変換処理し、テスト装置に出力することができ
る。
【0016】また請求項2記載の発明は、請求項1記載
のプローブカードであって、前記基板は中央に開口を有
する略円板形状であることを特徴とする。
【0017】さらに請求項3記載の発明は、請求項2記
載のプローブカードであって、前記略円板状の基板の外
周側に前記複数の端子が設けられた端子領域が形成さ
れ、該基板の内周側に前記電子部品が設けられた部品実
装領域が形成されたことを特徴とする。
【0018】したがって、この請求項2及び3に記載の
発明によって、電子部品および端子を円形状の基板上に
効率よく配置することができるとともに、電子部品をプ
ローブ・ニードルに近接して配置することができる。
【0019】また、請求項4記載の発明は、請求項1記
載のプローブカードであって、前記基板は多層配線基板
であることを特徴とする。
【0020】さらに請求項5記載の発明は、請求項4記
載のプローブカードであって、前記端子からプローブ・
ニードルへ至る配線のうち所定の信号配線は、その両側
にシールドパターンが配置されていることを特徴とす
る。
【0021】したがって、この請求項4及び5に記載の
発明によって、信号を伝達する配線間でプローブカード
表面を伝わるクロストークがなく、ノイズのない測定を
行うことができる。
【0022】さらに請求項6記載の発明は、請求項5記
載のプローブカードであって、前記シールドパターン
は、前記接続手段を介して外部基板と電気的に接続可能
に構成されたことを特徴とする。
【0023】したがって、この請求項6の発明によれ
ば、一つの信号伝達経路を同一のシールド配線によって
シールドし、テスト装置内で接地させることができるの
で、いわゆる1点グラウンドが可能になる。
【0024】
【発明の実施の形態】図1(a)の符号1は、本発明の一
実施形態のプローブカードであり、図1(b)はその要部
(符号Aの部分)の拡大図である。
【0025】図2は、図1のプローブカードをテストヘ
ッド42に装着した状態を示す断面図である。テストヘ
ッド42の底面には、アダプタ48が固定されており、
テストヘッド42から延びるコネクタ50に対して電気
的に接続されている。さらにアダプタ48の底面には、
テスタ42のコネクタ50と図示せぬ配線によって接続
された端子が設けられており、アダプタ48の底面にイ
ンターフェースヘッド49を固定することによって、ア
ダプタ48の端子に対して、インターフェースボード内
を貫通するように配置されている接続用ピン15が挿入
されて電気的に接続される。この接続用ピン15がプロ
ーブカードを外部装置と電気的に接続する接続手段であ
る。接続ピン15の下端部は、インターフェースヘッド
49下面に突き出されている。
【0026】接続ピン15の外周は、絶縁した状態でシ
ールド被覆12によって覆われており、各接続ピン15
及びシールド被覆12は、それぞれアダプタ48の端子
に接続されている。接続ピン15はテスト装置内の測定
回路に至るように接続されているとともに、シールド被
覆12はテスト装置内の接地電位に至るように接続され
ている。
【0027】プローブカード1は、略円板形状の多層プ
リント基板から構成されている。プローブカード1の外
周部分には、端子領域10が形成されており、該端子領
域10内にはスルーホールから成る端子11が設けられ
ている。また、プローブカード1の中心部分には孔23
が設けられており、プローブカード1の裏面には、プロ
ーブ・ニードル30が配置されている。プローブ・ニー
ドル30は根本部分がプローブカード1に固定され、先
端部分が孔23側に向けて突き出されている。
【0028】このようなプローブカード1では、プロー
ブ・ニードル30が設けられた面を下側に向けた状態
で、接続ピン15を端子11内に挿入することによっ
て、プローブカード1とテストヘッド42との固定及び
電気的接続を行う。
【0029】図1(b)に示すように、端子11の周囲に
は、この端子11内と同心円状のシールド端子13が形
成されている。すなわち、端子11に接続ピン15の先
端を挿入すると、このシールド端子13とシールド被覆
12の下端部とが、電気的に接続されるように構成され
ている。
【0030】プローブカード1には、信号パターン21
が形成されており、該信号パターン21は端子11と電
気的に接続され、テストヘッド42とケーブルを介して
テスト装置に接続されている。
【0031】さらに、信号パターン21に沿って、その
両側を挟むようにシールドパターンが形成されている。
このシールドパターン22は、前述のシールド端子と図
示せぬパターンによって電気的に接続されている。従っ
て、各シールドパターン22は接地電位に接続されてい
る。信号パターン21間には必ずシールドパターン22
が配置されているため、信号パターン21が高速信号を
伝送し、その信号がプローブカード1表面に漏れる場合
であっても、その信号はシールドパターン22に吸収さ
れ、信号パターン21間にクロストークが生じることは
ない。
【0032】端子領域10の内側には、部品実装領域2
0が設けられており、その部品実装領域20内には、ス
ルーホールが設けられている。各スルーホール内には、
電子部品39のリード端子が、電子部品の種類に応じた
位置に挿入されている。各電子部品39の間は、シール
ドパターン22によってシールドされた状態で、信号パ
ターン21によって互いに接続されている。
【0033】尚、このプローブカードを構成するプリン
ト基板は多層基板により構成されており、上述の信号パ
ターン、シールドパターン及び電源電位のパターンは、
多層間においてスルーホール等によって接続され複雑な
回路パターンにを構成することを可能としている。
【0034】従って、部品実装領域20内に実装された
電子部品39により、所定の電子回路が形成されてお
り、その電子回路は、テスト装置が出力する信号によっ
て動作できるように構成されており、その電子回路は、
信号パターン21により、シールドパターン22でシー
ルドされた状態でプローブ・ニードル30に接続されて
いる。
【0035】プローブ・ニードル30は、シールド筒と
中心針とから成り、中心針がシールド筒内に挿入された
同軸構造になっており、中心針とシールド筒とは互いに
絶縁されている。
【0036】中心針の根本部分は信号パターン21に接
続されており、その中心針は、信号パターン21によっ
て端子11に直接接続されるか、又は、部品実装領域2
0内の電子回路に接続されている。従って、中心針に
は、テスト装置が出力する信号が直接印加されるか、又
は、部品実装領域20内の電子回路が出力する信号が印
加される。
【0037】他方、シールド筒の根本部分はシールドパ
ターン22に接続され、シールド被覆12を介してテス
ト装置内で接地電位に置かれている。従って、中心針は
シールド筒によってシールドされている。
【0038】プローブ・ニードル30の先端部分は孔2
3方向に向かって延び、その先端部分では、中心針がシ
ールド筒からわずかに露出され、プローブ・ニードル3
0をウェハ40に当接させたときには中心針だけがウェ
ハ40と接触するように構成されている。
【0039】以上のような構成により、中心針を半導体
デバイスのパッド電極と接触させると、ウェハ40内の
半導体デバイスは、プローブ・ニードル30の中心針と
信号パターン21を介して端子11に接続され、該端子
11から、接続用ピン15、テストヘッド42、及び図
示しないケーブルによってテスト装置内の測定装置と接
続される。
【0040】上述したように、プローブ・ニードル30
の中心針はシールド筒によってシールドされ、信号パタ
ーン21と端子11はシールドパターン22によってシ
ールドされている。また、接続用ピン15はシールド被
覆12によってシールドされており、テストヘッド42
内とケーブル内でも、信号が伝達される配線はシールド
されている。従って、プローブ・ニードル30の先端部
分を除き、テスト装置からウェハ40に到るまで、信号
が伝達される経路は完全にシールドされていることにな
る。
【0041】ところで、上述の部品実装領域20は、プ
ローブ・ニードル30近傍に配置されており、部品実装
領域20内に実装された電子部品39によって形成され
た電子回路は、ウェハ40と近接し、互いの電気的距離
が短くなっている。その電子回路は、配線長の影響があ
ると測定精度が低下する試験項目や、応答速度が問題と
なる試験項目を測定する回路であり、それらの電子回路
は、テスト装置が出力する信号によって動作し、ウェハ
40内の半導体デバイスの電気的特性を測定し、測定結
果をテスト装置に送信するように構成されている。
【0042】また、他の種類の電子回路としては、微小
な測定信号を変換および/または増幅して出力する処理
回路があり、測定結果は増幅された状態でテスト装置に
出力されるように構成されている。
【0043】このように、本発明のプローブカード1上
にはテスト装置内に設けると不都合な電子回路が形成さ
れており、配線長の影響が排除され、また、ノイズの侵
入によって測定結果が不正確になることが防止されてい
る。
【0044】なお、上述した本発明のプローブカード1
を従来技術のプローブカード102と比較した場合に
は、図6の符号102に示す従来技術のプローブカード
102では、部品実装領域が設けられていないため、プ
ローブカード102上に電子回路を形成することができ
ない。従って、電子回路をウェハ140に近接配置しよ
うとしても、図示のように、テストアダプタ148上に
電子部品139を配置するのが限界であり、従って、測
定結果が不正確になりやすい。
【0045】また、プローブカード102上の信号パタ
ーンはシールドされていないため、信号パターン同士の
クロストークが発生し、ノイズとなって測定結果に影響
を与えてしまう。
【0046】更に、従来のプローブカード102とイン
ターフェースヘッド149とを接続する配線部材150
はシールドされておらず、ビニール被覆されているだけ
なので、この配線部材150からノイズが侵入しやす
い。
【0047】それに対し、上述した本発明のプローブカ
ード1によれば、電子回路をウェハ40と近接してプロ
ーブカード1上に設けることができるので、配線長の影
響により、測定結果が不正確になることはなく、また、
信号の伝達経路が完全にシールドされているので、ノイ
ズが侵入し、測定結果が不正確になることもない。
【0048】
【発明の効果】測定に用いる電子回路をウェハに近接さ
せることができるので、配線容量やインダクタンス影響
を受けずに電気的特性を測定することができる。信号が
伝達される配線がシールドされているので、ノイズの影
響がなく、正確な電気的特性を測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a):本発明の実施形態によるプローブカード
を模式的に示す全体平面図 (b):その要部拡大図
【図2】図1のプローブカードをテストヘッドに装着し
た状態を示す断面側面図
【図3】従来技術によるプローブカードを示す全体平面
【図4】プローブカードが装着使用されるテスト装置の
概略図 (a):テストヘッドを上昇させたところ (b):テス
トヘッドを下降させたところ
【図5】プローブカードと半導体ウェハとの相対的な位
置関係を説明する図
【図6】従来のプローブカードをテストヘッドに装着し
た状態を示す断面側面図
【符号の説明】
1……プローブカード 10……端子領域 11…
…端子 12……シールド被覆 15……接続用ピ
ン 20……部品実装領域 21……信号パターン
22……シールドパターン 30……プローブ・
ニードル 40……ウェハ 42……テストヘッド
43……テスト装置

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】平板状基板上に、外部装置と電気的に接続
    するための接続手段に接続可能な複数の端子と、ウエハ
    に形成された測定対象の半導体デバイスの電気的特性を
    試験するための電子回路を構成する電子部品と、先端部
    分が前記ウエハ上に形成された電極パッドに当接可能な
    複数のプローブニードルと、前記端子、電子部品及びプ
    ローブ・ニードルを電気的に接続する配線とを備えたこ
    とを特徴とするプローブカード。
  2. 【請求項2】前記基板は中央に開口を有する略円板形状
    であることを特徴とする請求項1記載のプローブカー
    ド。
  3. 【請求項3】前記略円板上の基板の外周側に前記複数の
    端子が設けられた端子領域が形成され、該基板の内周側
    に前記電子部品が設けられた部品実装領域が形成された
    ことを特徴とする請求項2記載のプローブカード。
  4. 【請求項4】前記基板は、多層配線基板であることを特
    徴とする請求項1記載のプローブカード。
  5. 【請求項5】前記端子からプローブ・ニードルへ至る配
    線のうち所定の信号配線は、その両側にシールドパター
    ンが配置されていることを特徴とする請求項4記載のプ
    ローブカード。
  6. 【請求項6】前記シールドパターンは、前記接続手段を
    介して外部基板と電気的に接続可能に構成されたことを
    特徴とする請求項5記載のプローブカード。
JP21807997A 1997-07-29 1997-07-29 プローブカード Withdrawn JPH1144709A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558168B2 (en) 2000-02-15 2003-05-06 Agilent Technologies, Inc. Probe card
JP2006330006A (ja) * 2006-09-04 2006-12-07 Hioki Ee Corp コンタクトプローブ装置および回路基板検査装置
JP2007212471A (ja) * 2007-03-28 2007-08-23 Renesas Technology Corp 半導体集積回路の製造方法及びプローブカード
US7271014B2 (en) 2003-12-24 2007-09-18 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor integrated circuit device including inspecting using probe card
JP2008026319A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Microinspection Inc 非接触シングルサイドプローブ構造
WO2009144948A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 株式会社アドバンテスト 試験用ユニットおよび試験システム

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6558168B2 (en) 2000-02-15 2003-05-06 Agilent Technologies, Inc. Probe card
US6854980B2 (en) 2000-02-15 2005-02-15 Agilent Technologies, Inc. Probe card
US7271014B2 (en) 2003-12-24 2007-09-18 Renesas Technology Corp. Fabrication method of semiconductor integrated circuit device including inspecting using probe card
JP2008026319A (ja) * 2006-07-20 2008-02-07 Microinspection Inc 非接触シングルサイドプローブ構造
JP4712772B2 (ja) * 2006-07-20 2011-06-29 マイクロインスペクション,インコーポレイテッド 非接触シングルサイドプローブ構造
JP2006330006A (ja) * 2006-09-04 2006-12-07 Hioki Ee Corp コンタクトプローブ装置および回路基板検査装置
JP2007212471A (ja) * 2007-03-28 2007-08-23 Renesas Technology Corp 半導体集積回路の製造方法及びプローブカード
WO2009144948A1 (ja) * 2008-05-30 2009-12-03 株式会社アドバンテスト 試験用ユニットおよび試験システム
JPWO2009144948A1 (ja) * 2008-05-30 2011-10-06 株式会社アドバンテスト 試験用ユニットおよび試験システム

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