JP3436183B2 - 半導体検査装置およびそれを用いた検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、多層絶縁基板を
用いた半導体検査装置およびそれを用いた検査方法に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、実使用状態の電気的特性を保証す
るために、半導体素子の外付け部品や周辺回路を接続し
た状態で、半導体素子の電気的特性を検査する試みがな
されている。一方では、大集積化や多機能化された半導
体素子（ＬＳＩ等）を検査する場合、半導体素子の周辺
部に数多くの回路部品を配置する必要があり、小規模の
半導体素子（集積度の小さいＩＣやディスクリート等）
を検査する場合、複数の半導体素子を同時に測定して１
個当たりの検査コストを極力小さくする必要がある。こ
れらの要請は、半導体素子の完成品を検査する場合は比
較的に容易に実現できるが、途中行程のウエハ状態の検
査であっても同様の性能保証が要望される。

【０００３】半導体素子（例えば、ディスクリート、半
導体集積回路等）を検査する上で従来より使用されてい
る検査ボードでは、上面と下面に配線を施す両面基板が
使用されていた。そして、その検査ボード上に回路部品
（例えば、抵抗、コンデンサ、インダクタンス、リレー
等）を配置して測定回路を構成し、検査ボード上に設け
た接続手段（例えば、ハンドラに接続するための接触
子、プローブ針等）を介して半導体素子と測定回路との
接続を行なって、検査ボードに接続されたテスタによっ
て検査を行なっていた。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、大集積の半導
体素子の検査や、複数個の半導体素子の同時検査に対応
して、両面基板の検査ボードの上面と下面の両方に回路
部品を配置して高密度実装すると、上面に配置された回
路から下面の回路に信号が飛び込んだり、逆に、下面に
配置された回路から上面の回路に信号が飛び込むという
相互干渉（クロストーク）の問題が生じて、干渉によっ
てビート信号が発生したり、ＳＮ比の悪化や波形歪みの
発生が起こり、高精度の測定ができないという問題があ
った。

【０００５】このような相互干渉を無くすには、検査ボ
ードの上面に配置された回路部品の位置に対応した下面
の位置にＧＮＤ配線を施すという手段が考えられるが、
相互干渉を抑制するには広い面積のＧＮＤ配線が必要と
される。しかし、下面に広い面積のＧＮＤ配線を施す
と、回路部品を下面にほとんど配置できず、実装密度を
高めることができないという問題が生じる。

【０００６】また、複数の測定回路を同時に動作させる
と、回路動作に応じて回路電流（電源電流および出力電
流）が変化して、ＧＮＤ配線の配線抵抗による電圧降下
でＧＮＤ配線の電位が変動し、ある測定回路の回路動作
に応じて他の測定回路用ＧＮＤ配線の電位を変動させて
しまうという一次的な問題が生じる。通常、被測定半導
体素子の動作点を設定するためのバイアス回路も、測定
回路の動作点を設定するためのバイアス回路も接地電位
を基準に動作するため、前述のように、ある測定回路の
回路動作でＧＮＤ配線が電位変動を起こすと、その電位
変動がバイアス回路を通じて他の測定回路（または他の
被測定半導体素子）に混入して、信号成分以外に混入信
号も増幅したり、混入信号で誤動作を起こすという二次
的な問題が発生することもあった。

【０００７】本発明は、測定回路同士の相互干渉を無く
して、複数の被測定半導体素子を同時測定することを可
能にし、同時測定する被測定半導体素子の個数が変更さ
れた場合にも容易に対応できる半導体検査装置を提供す
ること、及びその半導体検査装置を用いた検査方法を提
供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体検査装置
は、複数に分割されたＧＮＤ幅広部を中間層に有した多
層絶縁基板であって、前記多層絶縁基板の上面或いは下
面の前記ＧＮＤ幅広部に対応した位置に回路部品を配置
して構成された測定回路と、前記測定回路と被測定半導
体素子とを接続するための接続手段と、前記多層絶縁基
板の上面或いは下面に設けられ、前記複数のＧＮＤ幅広
部を互いに導通させるための連結配線とを具備した構成
である。

【０００９】上記構成の半導体検査装置によると、多層
絶縁基板の中間層にＧＮＤ幅広部が設けてあるため、測
定回路を多層絶縁基板の上面と下面とに分けて配置して
も、上面と下面との回路間での相互干渉が起こらず、測
定回路を構成する回路部品を高密度に配置することがで
きる。また、複数のＧＮＤ幅広部に対応させて同種の測
定回路を配置し、ＧＮＤ幅広部の間を結線している連結
配線を切断すれば、接地電位の変動が測定回路間で干渉
しなくなり、１枚の多層絶縁基板で複数個の被測定半導
体素子を安定に回路動作させて、同時に測定（マルチ測
定）することを可能にできる。

【００１０】本発明の半導体検査装置を用いた検査方法
は、複数に分割されたＧＮＤ幅広部を中間層に有し、上
面或いは下面の前記複数のＧＮＤ幅広部に対応した位置
に測定回路を構成し、且つ前記複数のＧＮＤ幅広部を互
いに導通させるための連結配線ならびに、前記測定回路
と被測定半導体素子とを接続するための手段を前記上面
或いは前記下面に有した多層絶縁基板と、前記複数のＧ
ＮＤ幅広部をテスタ内の接地点に接続し、且つ互いに電
気絶縁して前記多層絶縁基板からテスタの近傍まで配線
することが可能なケーブルとを使用し、品種変更に応じ
て同時に測定する前記被測定半導体素子の個数が増える
場合、その品種用の同種の測定回路を複数個に分けて構
成し、その品種変更に応じて前記多層絶縁基板上の前記
連結配線を切断して、前記被測定半導体素子の複数個を
同時に測定するものである。

【００１１】上記の検査方法により、複数個の被測定半
導体素子を同時に測定する場合には、それぞれの被測定
半導体素子に対応した測定回路用のＧＮＤ配線同士がテ
スタの近傍まで分離されたまま、それぞれテスタ内の接
地点に接続して測定するため、回路電流の変動が複数の
測定回路のＧＮＤ配線間で互いに影響しなくなり、複数
個の被測定半導体素子を同時測定することを可能にでき
る。また、外部端子数の多い大集積の被測定半導体素子
に対応した測定回路の変更も可能になる。

【００１２】また、別発明の検査方法は、品種毎に同種
の測定回路を複数個に分けて構成し且つそれに応じて連
結配線を切断してＧＮＤ幅広部を分離した第１の多層絶
縁基板や、全ての連結配線を残したまま測定回路を構成
した第２の多層絶縁基板を予め準備し、品種変更に応じ
て第１，第２の多層絶縁基板を選択し、被測定半導体素
子の品種に応じた測定を行なうものである。

【００１３】上記の検査方法により、予め準備した第１
の多層絶縁基板と第２の多層絶縁基板を選択して、大集
積の被測定半導体素子を検査する場合にも、小規模の被
測定半導体素子を同時測定する場合にも、品種に応じた
測定回路に変更することが容易にできる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
の半導体検査装置およびそれを用いた検査方法について
説明する。

【００１５】（実施形態１）まず、本発明の一実施形態
による半導体検査装置について、図１および図２を用い
て説明する。図１は、検査ボードである多層絶縁基板の
構成を示す展開図であり、図２は図１中のＡ−Ａ断面を
示す要部断面構造図である。

【００１６】図１において、１ａは第１絶縁基板、１ｂ
は第２絶縁基板、２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄはＧＮＤ幅広
部、３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄは部品配置領域、４〜７，
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは上下連結部、８は
窓、９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは連結配線、１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄは通常配線、１１ａ，１１ｂ，１１
ｃ，１１ｄはＧＮＤ除外領域である。そして、ＧＮＤ幅
広部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ、連結配線９ａ，９ｂ，９
ｃ，９ｄおよび通常配線１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０
ｄは、銅のような導電材料の箔を張り付けたもの、また
は導電ペースト（金粉や銀粉を含有した樹脂）を印刷し
たもので構成される。

【００１７】半導体検査装置を構成する多層絶縁基板１
は、図１中の第１絶縁基板１ａと第２絶縁基板１ｂを重
ね合わせて一体構成されたものであるが、図１の展開図
を用いて全体的な構成を説明する。第２絶縁基板１ｂ上
には、多層絶縁基板１の中間配線層となるＧＮＤ幅広部
２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄがそれぞれ分割して設けられ、
ＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄを合計した面積は
第２絶縁基板１ｂ上の面積の大半を占める。

【００１８】一体化した多層絶縁基板１の上面となる第
１絶縁基板１ａの上面には、隣り合ったＧＮＤ幅広部を
接続するための連結配線９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄおよ
び、測定回路を構成するための通常配線１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄが設けられている。そして、多層絶
縁基板１の下面となる第２絶縁基板１ｂの下面にも、通
常配線（図示せず）を設けて測定回路（図示せず）を構
成できるようにしている。ただし、上面に連結配線９
ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを設けた場合には下面に連結配線
を設ける必要は無い。即ち、連結配線９ａ，９ｂ，９
ｃ，９ｄは上面若しくは下面の何れかに設ければ良く、
図１に示す実施形態にこだわらない。

【００１９】そして、図１中の破線で示す部分３ａ，３
ｂ，３ｃ，３ｄが回路部品（例えば、抵抗、コンデン
サ、インダクタンス、リレー等）を配置する部品配置領
域であり、測定回路の位置とほぼ一致する。ＧＮＤ幅広
部２ａに対応した第１絶縁基板１ａ上面の位置を部品配
置領域３ａとし、ＧＮＤ幅広部２ｂに対応した位置を部
品配置領域３ｂとし、ＧＮＤ幅広部２ｃに対応した位置
を部品配置領域３ｃとし、ＧＮＤ幅広部２ｄに対応した
位置を部品配置領域３ｄとする。

【００２０】窓８は、多層絶縁基板１のほぼ中央部に設
けられ、多層絶縁基板１の上面から下面まで貫通してお
り、多層絶縁基板１をプローブカードとして使用する場
合は半導体素子の位置を確認するための覗き窓として活
用できる。

【００２１】窓８の周囲に沿って複数の接続手段（図示
せず）が設けられるが、この接続手段は多層絶縁基板１
上の配線で測定回路と結線されている。この多層絶縁基
板１をプローブカードとして使用する場合は、接続手段
としてプローブ針を設け、半導体素子チップの電極に接
触させて、被測定半導体素子と測定回路との接続を行
う。

【００２２】一方、形状の小さいプローブカードを別途
使用し、この多層絶縁基板１をマザーボードとして使用
する場合は、多層絶縁基板１とプローブカードを電気接
触させるための接触子を窓８の周縁に沿って設ける。こ
の場合、プローブカードに代えてハンドラ（図示せず）
のヘッド部への接続も可能となり、マザーボードをウエ
ハ状態の検査工程に活用した後、完成品を自動送りしな
がら検査するハンドラに同じマザーボードを装着して検
査することができ、各検査工程毎に専用の検査ボードを
作成する必要が無く、検査ボードを一本化することがで
きる。

【００２３】次に、図２に示す要部断面構造図を中心
に、図１も参照しながら中間配線層と上面または下面の
配線とを結合する構造について説明する。

【００２４】図２において、中間配線層として設けられ
た２ａ，２ｂはＧＮＤ幅広部であり、多層絶縁基板１の
上面に配置された通常配線１０ａ，１０ｂに接続される
上下連結部１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは、ＧＮＤ
幅広部２ａおよび２ｂと接触しないように図１中のＧＮ
Ｄ除外領域１１ａ，１１ｂの中央を貫通して多層絶縁基
板１の下面にある配線とを接続する。この上下連結部
は、多層絶縁基板１の所定箇所に穴開けを行った後、そ
の穴の中をメタライズ加工して上面と下面との電気的接
続を行う。そして、ＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂと結合した
上下連結部４は多層絶縁基板１上の連結配線９ａとも結
合されている為、ＧＮＤ幅広部２ａと２ｂとの電気的接
続が連結配線９ａを通じてなされる。従って、図２に示
す切り欠き箇所１３に沿って連結配線９ａを切断すれ
ば、ＧＮＤ幅広部２ａと２ｂとを電気的に分離すること
ができる。

【００２５】連結配線９ａは、通常配線１０ａ，１０
ｂ，１０ｃ，１０ｄ等のその他の配線の線幅と比べて２
倍〜５倍の幅広い線幅を使用するのが良い。そうする
と、多層絶縁基板１上の配線が複雑になった場合でも、
連結配線９ａの位置を探すときに見つけ易くできる。

【００２６】以上のように構成された半導体検査装置
は、多層絶縁基板１の中間層にＧＮＤ幅広部２ａ，２
ｂ，２ｃ，２ｄが設けてあるため、部品配置領域３ａ，
３ｂ，３ｃ，３ｄに対応して構成する測定回路を多層絶
縁基板１の上面と下面とに分けて配置しても、上面の回
路と下面の回路との間で相互干渉が起こらず、回路部品
を高密度に配置することができる。また、複数のＧＮＤ
幅広部に対応させて同種の測定回路を複数個配置し、Ｇ
ＮＤ幅広部の間を結線している連結配線を切断すれば、
接地電位の変動が測定回路間で干渉しなくなり、１枚の
多層絶縁基板上で複数個の被測定半導体素子を安定に回
路動作させ、同時に測定（マルチ測定）することができ
る。

【００２７】（実施形態２）次に、半導体検査装置とテ
スタとの接続状態を示す模式図である図３を参照しなが
ら、半導体検査装置を用いた検査方法について説明す
る。

【００２８】図３において、１４はテスタ、１５はテス
タ１４と多層絶縁基板１を接続するためのケーブル、１
６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄはケーブル１５内のＧＮ
Ｄ配線、１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄはＧＮＤ引き
込み配線、１８はコネクタ部であり、図１および図２中
の同じ構成要件には同じ符号を付与して説明を省く。

【００２９】ここでは、発明の要点を理解し易くするた
め、多層絶縁基板１の一部である第２絶縁基板１ｂのＧ
ＮＤの配線方法を中心に説明する。

【００３０】まず、第２絶縁基板１ｂ上面の配線（多層
絶縁基板１の中間層の配線）は、図３に示したように、
ＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄは面積の総和が第
２絶縁基板１ｂ上面の過半数を占めるように幅広い面積
で４分割して配置され、第２絶縁基板１ｂ上面内ではそ
れぞれが電気的に絶縁分離され、電気的に絶縁分離され
た線幅の狭いＧＮＤ引き込み配線１７ａ，１７ｂ，１７
ｃ，１７ｄでコネクタ部１８まで配線されている。

【００３１】そして、ＧＮＤ引き込み配線１７ａ，１７
ｂ，１７ｃ，１７ｄはコネクタ部１８を経由してケーブ
ル１５内のＧＮＤ配線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ
に接続される。また、ＧＮＤ配線１６ａ，１６ｂ，１６
ｃ，１６ｄはそれぞれ独立して絶縁物で被覆されてお
り、テスタ１４の近傍で共通接続され、テスタ１４内の
接地点に接続される。なお、図３では、ケーブル１５内
のＧＮＤ配線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄがテスタ
１５の内部で共通接続されているが、必ずしもその必要
は無く、テスタ１４外の近傍で一旦共通接続した後テス
タ１４内に引き込んでテスタ１４内の接地点に接続して
も良い。また、図３では、ケーブル１５内の配線として
ＧＮＤ配線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄのみを開示
しているが、被測定半導体素子（図示せず）または測定
回路（図示せず）とテスタ１４との間を接続する信号用
配線もケーブル内に収納されている。

【００３２】そして、図１に示すような多層絶縁基板１
（第１絶縁基板１ａ）の上面に連結配線９ａ，９ｂ，９
ｃ，９ｄを有して、ＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂ，２ｃ，２
ｄの隣り合ったもの同士を連結した多層絶縁基板１を標
準とする汎用検査ボードとして使用する。このような汎
用検査ボードを如何に活用するかについて、次に説明す
る。

【００３３】テスタ１４の１台で測定可能な端子数（配
線の数）は自ずと限界があり、端子数が１００ｐｉｎ以
上の被測定半導体素子を測定する場合は、所定の検査時
間内に１個の被測定半導体素子しか測定できない。この
ような場合は、測定に必要な測定回路も大規模なものと
なるので、図１中の部品配置領域３ａ，３ｂ，３ｃ，３
ｄの全てに回路部品（図示せず）を分散させて配置し、
被測定半導体素子の複数の端子にそれぞれ接続された測
定回路を構成し、連結配線９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄは連
結されたまま使用する。従って、ＧＮＤ用の配線は、テ
スタ１４内の接地点で共通接続され、多層絶縁基板１に
おいても連結配線９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄで共通接続さ
れている。

【００３４】次に、端子数が５０ｐｉｎ程度の被測定半
導体素子の同品種２個を同時に測定する場合は、例え
ば、部品配置領域３ａ，３ｄに被測定半導体素子１個分
の測定回路を構成し、部品配置領域３ｂ，３ｃに別の被
測定半導体素子１個分の測定回路を構成する。そして、
図２中の連結配線９ａの切り欠き箇所１３を切断し、図
１中の連結配線９ｄも同様に切断する。この状態で２つ
の被測定半導体素子および２つの測定回路にバイアスを
与えて同時に動作させる。

【００３５】すると、一方の被測定半導体素子と測定回
路の回路電流は、多層絶縁基板１内のＧＮＤ幅広部２
ａ，２ｄ、ＧＮＤ引き込み配線１７ａ，１７ｄ及びケー
ブル１５内のＧＮＤ配線１６ａ，１６ｄに流れ、他方の
被測定半導体素子と測定回路の回路電流は、多層絶縁基
板１内のＧＮＤ幅広部２ｂ，２ｃ、ＧＮＤ引き込み配線
１７ｂ，１７ｃ及びケーブル１５内のＧＮＤ配線１６
ｂ，１６ｃに流れる。このように、テスタ１４内の接地
点近傍で共通接続した点から被測定半導体素子に至るま
で、回路電流が独立したＧＮＤ配線に流れるため、一方
のＧＮＤ配線の電位が変動しても、その電位変動が他方
のＧＮＤ配線に影響しない。従って、ＧＮＤ配線の電位
変動が測定回路間の相互干渉に影響せず、また、多層絶
縁基板１の上面と下面に分散して測定回路を構成して
も、中間層に在るＧＮＤ幅広部が上面と下面の測定回路
間を電磁遮蔽して、それらの相互干渉も抑制する。従っ
て、同品種の被測定半導体素子２個を同時に動作させて
測定しても、測定回路間やＧＮＤ配線間の相互干渉が無
く安定な測定が出来る。

【００３６】次に、端子数が２０ｐｉｎ程度の被測定半
導体素子の同品種４個を同時に測定する場合は、例え
ば、部品配置領域３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの各々に被測
定半導体素子１個分の同じ回路構成の測定回路をそれぞ
れ配置する。そして、図１中の連結配線９ａ，９ｂ，９
ｃ，９ｄは全て切断する。この状態で４つの被測定半導
体素子及び４つの測定回路にバイアスを与えて同時に動
作させる。

【００３７】すると、ＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂ，２ｃ，
２ｄおよびＧＮＤ引き込み配線１７ａ，１７ｂ，１７
ｃ，１７ｄが独立しており、ケーブル１５内のＧＮＤ配
線１６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄの一端であるテスタ
１４内の接地点で共通に接続されている。従って、テス
タ１４内の接地点から被測定半導体素子に至るまで、Ｇ
ＮＤの回路電流が独立したＧＮＤ配線に流れ、或るＧＮ
Ｄ配線の電位が変動しても、その電位変動がその他のＧ
ＮＤ配線に影響しないため、ＧＮＤ配線に起因した測定
回路間の相互干渉は生じない。また、部品配置領域３
ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ内に構成する測定回路を多層絶縁
基板１の上面と下面に分散して構成しても、中間層に在
るＧＮＤ幅広部２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄが上面と下面の
測定回路間を電磁遮蔽して、それらの相互干渉も抑制す
る。従って、同品種の被測定半導体素子４個を同時に動
作させた測定でも、測定回路間やＧＮＤ配線間の相互干
渉が無く安定な測定が出来る。

【００３８】以上に説明したように、複数個の被測定半
導体素子を同時に測定する場合には、それぞれの被測定
半導体素子に対応した測定回路用のＧＮＤ配線同士がテ
スタの近傍まで絶縁分離されたまま配線され、それらの
配線がテスタ内の接地点で共通接続される。その状態で
テスタ１４から複数の測定回路にバイアスを与え、各測
定回路の出力信号を測定するため、ある測定回路の電流
変動がその他の測定回路に影響しなくなる。即ち、複数
の測定回路のＧＮＤ配線間で互いに影響しなくなり、複
数個の被測定半導体素子を精度良く測定することができ
る。また、外部端子数の多い大集積の被測定半導体素子
に対応した測定回路への変更も可能になる。

【００３９】次に、上記の検査方法に付随した別形態の
検査方法として、次のようなことが考えられる。品種毎
に異なる多層絶縁基板を予め準備し、品種変更に応じて
第１，第２の多層絶縁基板を選択し、被測定半導体素子
の品種に応じた測定を行なうものである。

【００４０】更に詳しく述べると、例えば、同種の測定
回路の４個を部品配置領域３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄに分
けて構成し、且つ連結配線９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを切
断して各ＧＮＤ幅広部を分離した小集積半導体素子用の
多層絶縁基板（第１の多層絶縁基板）を予め準備し、そ
れとは別に、全ての連結配線９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄを
放置したまま全ての部品配置領域（３ａ，３ｂ，３ｃ，
３ｄ）を活用して測定回路を構成した大集積半導体素子
用の多層絶縁基板（第２の多層絶縁基板）を予め準備す
る。そして、同じテスタ１４で検査する品種が当初は大
集積半導体素子であった時、当然、それまでは大集積半
導体素子用の多層絶縁基板（第２の多層絶縁基板）を使
用して検査する。その検査の終了後、新しい被測定物が
小集積半導体素子となった場合、テスタ１４に繋ぐ多層
絶縁基板を小集積半導体素子用のもの（第１の多層絶縁
基板）に置き換えて、その小集積半導体素子を検査す
る。なお、上記の第１の多層絶縁基板と第２の多層絶縁
基板との関係が、小集積用と中集積用との違いであって
も良いし、同じ小集積用であっても異なる品種用の測定
回路を搭載した多層絶縁基板であっても良い。

【００４１】上記の検査方法により、予め準備した第１
の多層絶縁基板と第２の多層絶縁基板を選択して、大集
積の被測定半導体素子を検査する場合にも、小集積の被
測定半導体素子を同時測定する場合にも、品種に応じた
測定回路の変更を容易に行なうことができる。

【００４２】なお、上述の実施形態１および実施形態２
では、被測定半導体素子４個までの同時測定を可能とし
た検査ボードについて説明したが、ＧＮＤ幅広部の分割
数を増やせば、それに対応する個数の半導体素子の検査
が可能であり、又、中間配線層の数を増やしても同様の
効果を得ることができる。

【００４３】

【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体
検査装置は、複数のＧＮＤ幅広部に対応させて同種の測
定回路を配置し、ＧＮＤ幅広部の間を結線している連結
配線を切断すれば、接地電位の変動が測定回路間で干渉
しなくなり、１枚の多層絶縁基板で複数個の被測定半導
体素子を精度良く同時測定（マルチ測定）することが可
能になる。

【００４４】また、本発明の半導体検査装置を用いた検
査方法は、複数の測定回路のＧＮＤ配線間で互いに影響
しなくなり、複数個の被測定半導体素子を精度良く測定
することができる。また、外部端子数の多い大集積の被
測定半導体素子に対応した測定回路への変更も可能にな
る。

【００４５】また、品種毎に複数の多層絶縁基板を予め
準備しておけば、品種に応じた多層絶縁基板の切り替え
が容易であり、品種毎に対応した精度良い検査を行なう
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態における半導体検査装置の
展開図

【図２】図１中のＡ−Ａ断面を示す要部断面構造図

【図３】本実施形態の半導体検査装置とテスタとの接続
状態を示す模式図

【符号の説明】

１ 多層絶縁基板 １ａ 第１絶縁基板 １ｂ 第２絶縁基板 ２ａ，２ｂ，２ｃ，２ｄ ＧＮＤ幅広部 ３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄ 部品配置領域 ４〜７，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ 上下連結部 ８ 窓 ９ａ，９ｂ，９ｃ，９ｄ 連結配線 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ 通常配線 １１ａ，１１ｂ，１１ｃ，１１ｄ ＧＮＤ除外領域 １３ 切り欠き箇所 １４ テスタ １５ ケーブル １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１６ｄ ケーブル内のＧＮＤ
配線 １７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ ＧＮＤ引き込み配線 １８ コネクタ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/66 G01R 1/073 G01R 31/26

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数に分割されたＧＮＤ幅広部を中間層
   に有した多層絶縁基板であって、 前記多層絶縁基板の上面或いは下面の前記ＧＮＤ幅広部
   に対応した位置に回路部品を配置して構成された測定回
   路と、 前記測定回路と被測定半導体素子とを接続するための接
   続手段と、 前記多層絶縁基板の上面或いは下面に設けられ、前記複
   数のＧＮＤ幅広部を互いに導通させるための連結配線と
   を具備した半導体検査装置。
2. 【請求項２】 複数に分割されたＧＮＤ幅広部を中間層
   に有し、上面或いは下面の前記複数のＧＮＤ幅広部に対
   応した位置に測定回路を構成し、且つ前記複数のＧＮＤ
   幅広部を互いに導通させるための連結配線ならびに、前
   記測定回路と被測定半導体素子とを接続するための手段
   を前記上面或いは前記下面に有した多層絶縁基板と、 前記複数のＧＮＤ幅広部をテスタ内の接地点に接続し、
   且つ互いに電気絶縁して前記多層絶縁基板からテスタの
   近傍まで配線することが可能なケーブルとを使用し、 品種変更に応じて同時に測定する前記被測定半導体素子
   の個数が増える場合、その品種用の同種の測定回路を複
   数個に分けて構成し、その品種変更に応じて前記多層絶
   縁基板上の前記連結配線を切断して、前記被測定半導体
   素子の複数個を同時に測定することを特徴とする半導体
   検査装置を用いた検査方法。
3. 【請求項３】 品種毎に同種の測定回路を複数個に分け
   て構成し且つそれに応じて連結配線を切断してＧＮＤ幅
   広部を分離した第１の多層絶縁基板や、全ての連結配線
   を残したまま測定回路を構成した第２の多層絶縁基板を
   予め準備し、品種変更に応じて第１，第２の多層絶縁基
   板を選択し、被測定半導体素子の品種に応じた測定を行
   なうことを特徴とする請求項２記載の半導体検査装置を
   用いた検査方法。