JPH04206845A - 高周波プローブ針 - Google Patents
高周波プローブ針Info
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- JPH04206845A JPH04206845A JP33747990A JP33747990A JPH04206845A JP H04206845 A JPH04206845 A JP H04206845A JP 33747990 A JP33747990 A JP 33747990A JP 33747990 A JP33747990 A JP 33747990A JP H04206845 A JPH04206845 A JP H04206845A
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- Japan
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- grounding
- semiconductor device
- probe
- probe pin
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- Pending
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、マイクロ波〜ミリ波帯で動作する半導体装
置の特性をウェハ状態あるいはチップ状態で測定するた
めの高周波プローブ針の構造に関するものである。
置の特性をウェハ状態あるいはチップ状態で測定するた
めの高周波プローブ針の構造に関するものである。
第３図は従来の高周波ブロービング装置および高周波プ
ローピンク方法を示す斜視図であり、図において、（４
）はプロービングのための高周波入力あるいは出力用の
パッド、（５）はマイクロストリップ線路、（６）は高
周波の被測定半導体装置、（７）は被測定半導体装置（
６）に設けられた裏面接地電極、（１３は被測定半導体
装置（６）の表面と裏面を電気的に接続するためのバイ
アポール。
ローピンク方法を示す斜視図であり、図において、（４
）はプロービングのための高周波入力あるいは出力用の
パッド、（５）はマイクロストリップ線路、（６）は高
周波の被測定半導体装置、（７）は被測定半導体装置（
６）に設けられた裏面接地電極、（１３は被測定半導体
装置（６）の表面と裏面を電気的に接続するためのバイ
アポール。
次に動作について説明する。マイクロ波〜ミリ波帯で用
いられるプローブ（１４）は、セラミックの薄板に形成
された高周波を伝送するためのコプレーナ線路により構
成されており、その先端は、通常中心に位置する信号電
極（１５）とその両側に位置する接地電極か（１６）か
同一平面を形成しており、信号電極（１５）と被測定半
導体装置（６）上に形成されたパラＩ・（４）を接触さ
せて、被測定半導体装置（６）の高周波特性を測定しよ
うとする際、同時にプローブ（１４）の先端部の信号電
極（慢の両側に位置する接地電極（１６）を、被測定半
導体装置（６）の表面に形成された、接地用パッド（１
７）と接触させて、マイクロ波〜ミリ波帯での特性測定
を行なう。この様に高周波測定では信シＪ＝線の他に、
接地線も接続する必要かある。
いられるプローブ（１４）は、セラミックの薄板に形成
された高周波を伝送するためのコプレーナ線路により構
成されており、その先端は、通常中心に位置する信号電
極（１５）とその両側に位置する接地電極か（１６）か
同一平面を形成しており、信号電極（１５）と被測定半
導体装置（６）上に形成されたパラＩ・（４）を接触さ
せて、被測定半導体装置（６）の高周波特性を測定しよ
うとする際、同時にプローブ（１４）の先端部の信号電
極（慢の両側に位置する接地電極（１６）を、被測定半
導体装置（６）の表面に形成された、接地用パッド（１
７）と接触させて、マイクロ波〜ミリ波帯での特性測定
を行なう。この様に高周波測定では信シＪ＝線の他に、
接地線も接続する必要かある。
従来のマイクロ波〜ミリ波帯で用いられるプローブは以
」−のようなコプレーナ線路で構成されているので、被
測定半導体装置の信号電極の近傍に接地用パッドを設け
なければいけない。そのためには、マイクロストリップ
線路で構成された被測定’１′−ｊ＃体装置の場合、被
測定半導体装置の裏面接地電極を、被測定半導体装置の
表面の上記接地用パットと接続するためのバイアホール
を形成する必要かあり、このため被測定半導体装置の寸
法が大きくなり、またその製造工程も複雑になるなとの
問題１ｊ、札かあった。
」−のようなコプレーナ線路で構成されているので、被
測定半導体装置の信号電極の近傍に接地用パッドを設け
なければいけない。そのためには、マイクロストリップ
線路で構成された被測定’１′−ｊ＃体装置の場合、被
測定半導体装置の裏面接地電極を、被測定半導体装置の
表面の上記接地用パットと接続するためのバイアホール
を形成する必要かあり、このため被測定半導体装置の寸
法が大きくなり、またその製造工程も複雑になるなとの
問題１ｊ、札かあった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、マイクロストリップ線路を用いた、バイアホ
ールの無い被測定半導体装置のマイクロ波帯におけるプ
ロービングを可能にする高周波ブローク１（を得ること
を目的とする。
たもので、マイクロストリップ線路を用いた、バイアホ
ールの無い被測定半導体装置のマイクロ波帯におけるプ
ロービングを可能にする高周波ブローク１（を得ること
を目的とする。
この発明に係る高周波プローブ針は特性インピーダンス
５０Ωの同軸プローブの先端のシールＩ・線に、心線で
ある信号線路と平行に接地用プローブ針を設ニブるどと
もに、上記接地用プローブ針はハネによりその長さを可
変できる様にしたものである。
５０Ωの同軸プローブの先端のシールＩ・線に、心線で
ある信号線路と平行に接地用プローブ針を設ニブるどと
もに、上記接地用プローブ針はハネによりその長さを可
変できる様にしたものである。
この発明における高周波プローブ針は、ぞの心線のみな
らすシールド線側にも、プローブ針を有し、被測定半導
体装置をプロービングする際に、心線側のプローブ針が
、被測定半導体装置のパッドに接触すると同時に、シー
ルド線側に設けた接地用プローブ針か被測定半導体装置
を乗せたステージと接触し、良好な接地電位を得ること
により高周波の伝送を少ない損失で行う。
らすシールド線側にも、プローブ針を有し、被測定半導
体装置をプロービングする際に、心線側のプローブ針が
、被測定半導体装置のパッドに接触すると同時に、シー
ルド線側に設けた接地用プローブ針か被測定半導体装置
を乗せたステージと接触し、良好な接地電位を得ること
により高周波の伝送を少ない損失で行う。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図及び第２図は高周波プローブ針によって被測定半導体
装置のプロービングを行う状況を示すもので、第１図は
高周波プローブ針か被測定半導体装置から離れている場
合の斜視図、第２図は高周波プローブ針か被測定半導体
装置に接触している場合の断面図である。
図及び第２図は高周波プローブ針によって被測定半導体
装置のプロービングを行う状況を示すもので、第１図は
高周波プローブ針か被測定半導体装置から離れている場
合の斜視図、第２図は高周波プローブ針か被測定半導体
装置に接触している場合の断面図である。
図において（４）〜（７）は第３図の従来例に示したち
のと同等であるので説明を省略する。（Ｉ８）は同軸プ
ローブ、（２）は同軸プローブ（１８）の同軸のシール
ド線、（３）は同軸プローブ（旧の心線（９）に接続さ
れたプローブ針、（１）は同軸プローブ（１８）のシー
ルド線（２）に接続された接地用プローブ針、（８）は
誘電体、００）は接地用プローブ釧（１）を保持するだ
めのパイプ、（１１）はバネ、（１２は被測定半導体装
１ｆ（６）を乗せるステージで接地電位を有している。
のと同等であるので説明を省略する。（Ｉ８）は同軸プ
ローブ、（２）は同軸プローブ（１８）の同軸のシール
ド線、（３）は同軸プローブ（旧の心線（９）に接続さ
れたプローブ針、（１）は同軸プローブ（１８）のシー
ルド線（２）に接続された接地用プローブ針、（８）は
誘電体、００）は接地用プローブ釧（１）を保持するだ
めのパイプ、（１１）はバネ、（１２は被測定半導体装
１ｆ（６）を乗せるステージで接地電位を有している。
接地用プローブ針（１）は、パイプ（１０）先端から、
接地用プローブ針（１）先端までの長さか測定毎に最適
な長さになる様調整できる。
接地用プローブ針（１）先端までの長さか測定毎に最適
な長さになる様調整できる。
次に動作について説明する。被測定半導体装置（６）裏
面の接地電位はステージ（１ｚ１そして接地用プローブ
針（１）および、パイプ（１０）を介して、同軸プロー
ブ（１８）のシールド線（２）と最短距離で接続され、
７イクロ波（ミリ波）信号は心線（９）からプローブ針
（３）、パッド（４）、マイクロストリップ線路（５）
へと伝送される。このプロービングに際しては、接地用
プローブ針（１）の良好な接触を得るため（４）のパッ
ドの面とプローブ針（３）を垂直にする必要がある。
面の接地電位はステージ（１ｚ１そして接地用プローブ
針（１）および、パイプ（１０）を介して、同軸プロー
ブ（１８）のシールド線（２）と最短距離で接続され、
７イクロ波（ミリ波）信号は心線（９）からプローブ針
（３）、パッド（４）、マイクロストリップ線路（５）
へと伝送される。このプロービングに際しては、接地用
プローブ針（１）の良好な接触を得るため（４）のパッ
ドの面とプローブ針（３）を垂直にする必要がある。
なお、上記実施例では、シールド線（２）に取りつけた
接地用プローブ針（１）に長さを調整する機能を組み入
れた場合について説明したが、心線（９）側にパイプ（
１０）とバネ（１１）で、プローブ針（３）の長さを調
整する機能を組み入れても良い。
接地用プローブ針（１）に長さを調整する機能を組み入
れた場合について説明したが、心線（９）側にパイプ（
１０）とバネ（１１）で、プローブ針（３）の長さを調
整する機能を組み入れても良い。
以上のように、この発明によれば、同軸プローブのシー
ルド線に接地用プローブ針を設け、心線のプロービング
時、最短距離で被ｉｆ！ＩＩ定半導体装置外部でシール
ド線を接地できる様にしたもので高周波帯におけるプロ
ーブ針接点での特性インピーダンスの不連続を小さくす
ることかできる。従って従来の同軸プローブよりも高い
周波数までプロービングか可能である。また従来のマイ
クロ波帯プローブ剣は被測定半導体装置の表面に接地電
位のパラ）・を必要としたかこの装置では、その必要か
無いので、被測定半導体装ｎをその分小さく、またより
安価にする、二とかできる効果かある。
ルド線に接地用プローブ針を設け、心線のプロービング
時、最短距離で被ｉｆ！ＩＩ定半導体装置外部でシール
ド線を接地できる様にしたもので高周波帯におけるプロ
ーブ針接点での特性インピーダンスの不連続を小さくす
ることかできる。従って従来の同軸プローブよりも高い
周波数までプロービングか可能である。また従来のマイ
クロ波帯プローブ剣は被測定半導体装置の表面に接地電
位のパラ）・を必要としたかこの装置では、その必要か
無いので、被測定半導体装ｎをその分小さく、またより
安価にする、二とかできる効果かある。
第１図及び第２図はこの発明の一実施例による高周波プ
ローブ針によって被測定半導体装置のプロービングを行
う状況を示すもので、第１図は高周波プローブ針か被測
定半導体装置から離れている場合の斜視図、第２図は高
周波プローブ釧か被測定半導体装置と接続している場合
の断面図、第３図は従来の高周波プローピンク装置及び
プロービング方法を示す斜視図である。 図において（１）は接地用プローブ針、（２）はシール
ド線、（３）はプローブ釦、（４）はパット、（５）は
マイクロストリップ線路。（６）は被測定半導体装置、
（７）は裏面接地電極、（８）は誘電体、（９）は心線
、（１０）はパイプ、（１１）はハネ、（１２はステー
ジ、（１８）は同軸プローブである。０４）はプローブ
であり被測定半導体装置（６）と接する先端部には信号
電極（１５）と、接地電極（１６）かある。（１７）は
接地用パッドで、被測定半導体装置（６）の基板表面と
裏面接地電極（７）の間をバイアホール（１３１で接続
し、同電位を保つ。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
ローブ針によって被測定半導体装置のプロービングを行
う状況を示すもので、第１図は高周波プローブ針か被測
定半導体装置から離れている場合の斜視図、第２図は高
周波プローブ釧か被測定半導体装置と接続している場合
の断面図、第３図は従来の高周波プローピンク装置及び
プロービング方法を示す斜視図である。 図において（１）は接地用プローブ針、（２）はシール
ド線、（３）はプローブ釦、（４）はパット、（５）は
マイクロストリップ線路。（６）は被測定半導体装置、
（７）は裏面接地電極、（８）は誘電体、（９）は心線
、（１０）はパイプ、（１１）はハネ、（１２はステー
ジ、（１８）は同軸プローブである。０４）はプローブ
であり被測定半導体装置（６）と接する先端部には信号
電極（１５）と、接地電極（１６）かある。（１７）は
接地用パッドで、被測定半導体装置（６）の基板表面と
裏面接地電極（７）の間をバイアホール（１３１で接続
し、同電位を保つ。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
Claims (1)
- マイクロ波〜ミリ波帯で動作する半導体装置を、ウェ
ハ又はチップ状態で、且つ、上記動作帯域で評価するた
めの、高周波信号を上記被測定半導体装置の基板上に形
成された所定の端子へ入力あるいは出力端子から取り出
すための、同軸プローブにおいて、同軸線路のシールド
線にも接地用プローブ針を設け、同軸線路の心線である
信号線路が被測定半導体装置をプロービングする際に、
シールド線の接地用プローブ針も、同時に接地面に接触
する様にしたことを特徴とする半導体装置評価用の高周
波プローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33747990A JPH04206845A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波プローブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP33747990A JPH04206845A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波プローブ針 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04206845A true JPH04206845A (ja) | 1992-07-28 |
Family
ID=18309036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33747990A Pending JPH04206845A (ja) | 1990-11-30 | 1990-11-30 | 高周波プローブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04206845A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486770A (en) * | 1994-06-27 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | High frequency wafer probe apparatus and method |
| US6281691B1 (en) | 1998-06-09 | 2001-08-28 | Nec Corporation | Tip portion structure of high-frequency probe and method for fabrication probe tip portion composed by coaxial cable |
| JP2002506211A (ja) * | 1998-03-24 | 2002-02-26 | テラダイン・インコーポレーテッド | 自動試験器用同軸プローブインタフェース |
| US7504837B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-03-17 | Nec Corporation | Electrical characteristics measurement method and electrical characteristics measurement device |
| WO2011068506A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Signal sensing devices and circuit boards |
| WO2020026293A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置及びプローブユニット |
-
1990
- 1990-11-30 JP JP33747990A patent/JPH04206845A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486770A (en) * | 1994-06-27 | 1996-01-23 | Motorola, Inc. | High frequency wafer probe apparatus and method |
| JP2002506211A (ja) * | 1998-03-24 | 2002-02-26 | テラダイン・インコーポレーテッド | 自動試験器用同軸プローブインタフェース |
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| US6400168B2 (en) | 1998-06-09 | 2002-06-04 | Nec Corporation | Method for fabricating probe tip portion composed by coaxial cable |
| US7504837B2 (en) | 2004-03-26 | 2009-03-17 | Nec Corporation | Electrical characteristics measurement method and electrical characteristics measurement device |
| WO2011068506A1 (en) * | 2009-12-02 | 2011-06-09 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Signal sensing devices and circuit boards |
| US9234915B2 (en) | 2009-12-02 | 2016-01-12 | Hewlett Packard Enterprise Development Lp | Signal sensing device and circuit boards |
| WO2020026293A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2020-02-06 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置及びプローブユニット |
| TWI718589B (zh) * | 2018-07-30 | 2021-02-11 | 日商日立全球先端科技股份有限公司 | 半導體檢查裝置及探針單元 |
| KR20210020123A (ko) * | 2018-07-30 | 2021-02-23 | 주식회사 히타치하이테크 | 반도체 검사 장치 및 프로브 유닛 |
| JPWO2020026293A1 (ja) * | 2018-07-30 | 2021-08-02 | 株式会社日立ハイテク | 半導体検査装置及びプローブユニット |
| US11513138B2 (en) | 2018-07-30 | 2022-11-29 | Hitachi High-Tech Corporation | Semiconductor inspection device and probe unit |
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