JPH01219575A - 高周波特性測定装置 - Google Patents
高周波特性測定装置Info
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- JPH01219575A JPH01219575A JP63043291A JP4329188A JPH01219575A JP H01219575 A JPH01219575 A JP H01219575A JP 63043291 A JP63043291 A JP 63043291A JP 4329188 A JP4329188 A JP 4329188A JP H01219575 A JPH01219575 A JP H01219575A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
［産業上の利用分野］
本発明は、入力および出力プローブの両方または片方を
ＩＣに接触させてＩＣの高周波特性測定を行う高周波特
性測定装ｆｆ１（以下、測定装置と略称する）に関する
ものである。 ［従来の技術］ 第４図は従来の測定装置の一橋造例を示している。 この測定装置は、ウェーハ状のＩＣＩを位置決めａａす
るＩＣ取付台２と、このＩＣ取付台２の上部に設けられ
、ＩＣＩの表面に接触して導通を図るプローブ３を備え
た固定金具４とによって概略構成されている。プローブ
３は信号用導体３ａとアース用導体３ｂからなり、信号
用導体３ａはＩＣＩの各信号端子に接触するようになっ
ている。また、各プローブ３のアース用導体３ｂはアー
ス接続用導体３Ｃにより先端近くで電気的に導通をもっ
て接続されている。 すなわち、この種の測定装置では、ＩＣＩ内に設けられ
た信号端子にプローブ３の信号用導体３ａを接触させて
導通を図り信号を入出力させることで、Ｉ Ｃ１，の高
周波特性測定を行い、ＩＣＩの性涜を評価していた。 ［発明が解決しようとする課Ｉｌｌ しかしながら、上述した従来の測定装置を用いた評価方
法では、ＩＣＩをプローブ３で測定するとき、ＩＣＩを
通る電磁波がＩＣ取付台２に不要結合して第２図および
第３図の点線に示すように周波数特性の各所でデイツプ
が生じ、ＩＣＩの高周波特性を正確に測定し評価するこ
とができなかった。 そこで、本発明は上述した問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、測定時に生じる不要結合をなく
してＩＣの高周波特性を正確に測定し評価することがで
きる測定装置を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明による測定装置は、入力
および出力プローブ３の両方または片方をＩ Ｃ（Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ （：１ｒｃｕｉｔ） ｌ （７）各
信号端子に接触させてＩＣＩの高周波特性測定を行う高
周波特性測定装置において、 装置本体に備えられたＩＣ取付台２とＩＣＩとの間に電
波吸収体５を配設したことを特徴としている。
ＩＣに接触させてＩＣの高周波特性測定を行う高周波特
性測定装ｆｆ１（以下、測定装置と略称する）に関する
ものである。 ［従来の技術］ 第４図は従来の測定装置の一橋造例を示している。 この測定装置は、ウェーハ状のＩＣＩを位置決めａａす
るＩＣ取付台２と、このＩＣ取付台２の上部に設けられ
、ＩＣＩの表面に接触して導通を図るプローブ３を備え
た固定金具４とによって概略構成されている。プローブ
３は信号用導体３ａとアース用導体３ｂからなり、信号
用導体３ａはＩＣＩの各信号端子に接触するようになっ
ている。また、各プローブ３のアース用導体３ｂはアー
ス接続用導体３Ｃにより先端近くで電気的に導通をもっ
て接続されている。 すなわち、この種の測定装置では、ＩＣＩ内に設けられ
た信号端子にプローブ３の信号用導体３ａを接触させて
導通を図り信号を入出力させることで、Ｉ Ｃ１，の高
周波特性測定を行い、ＩＣＩの性涜を評価していた。 ［発明が解決しようとする課Ｉｌｌ しかしながら、上述した従来の測定装置を用いた評価方
法では、ＩＣＩをプローブ３で測定するとき、ＩＣＩを
通る電磁波がＩＣ取付台２に不要結合して第２図および
第３図の点線に示すように周波数特性の各所でデイツプ
が生じ、ＩＣＩの高周波特性を正確に測定し評価するこ
とができなかった。 そこで、本発明は上述した問題点に鑑みてなされたもの
であって、その目的は、測定時に生じる不要結合をなく
してＩＣの高周波特性を正確に測定し評価することがで
きる測定装置を提供することにある。 ［課題を解決するための手段］ 上記目的を達成するため本発明による測定装置は、入力
および出力プローブ３の両方または片方をＩ Ｃ（Ｉｎ
ｔｅｇｒａｔｅｄ （：１ｒｃｕｉｔ） ｌ （７）各
信号端子に接触させてＩＣＩの高周波特性測定を行う高
周波特性測定装置において、 装置本体に備えられたＩＣ取付台２とＩＣＩとの間に電
波吸収体５を配設したことを特徴としている。
ＩＣＩの高周波特性測定時において、ＩＣ取付台２とＩ
ＣＩとの間に配設された電波吸収体５は、測定時に生ず
る不要結合をなくす。 ［実施例］ 第１図は本発明による測定装置の一実施例を示す図であ
る。 なお、従来の測定装置と同一の構成要素には同一番号を
付して説明する。 この実施例による測定装置は、測定時にＩＣＩとＩＣ取
付台２との間に電波吸収体５を配設した後、プローブ３
をＩＣＩの各信号端子に接触させ、一対で構成されるプ
ローブ３の一方（入カブローブ）３Ａから信号を供給し
、他方（出力プローブ）３Ｂから信号を取出してＩＣＩ
の高周波特性測定（挿入損失、定在波等の各種特性測定
）を行い性能を評価している。 測定装置は図示しない吸引機構によってウェーハ状のＩ
ＣＩをエア吸引して位置決め保持するＩＣ取付台２と、
このＩＣ取付台２の上部に設けられ、ＩＣＩの表面に接
触して導通を図るプローブ３を備えた固定金具４とを有
し、ＩＣＩとＩＣ取付台２との間に電波吸収体５が配設
されてたちのである。この電波吸収体５はフェライト、
鉄を主成分材料とするものであり、ＩＣＩをプローブ３
で測定するとき生じる不要結合をなくし、測定系の特性
が劣化するのを防いでいる。これにより。 ＩＣＩの高周波特性を正確に測定し評価することができ
るようになっている。また、この電波吸収体５にはＩＣ
取付台２に連結する吸引穴（図示せず）が形成されてお
り、この吸入穴を介してＩＣ１はＩＣ取付台２の所定位
置に吸引保持されるようになっている。 ここで、第２図および第３図は本発明による測定装置と
従来の測定装置の各々の周波数特性を示している。なお
、このグラフにおいて、横軸は周波°数、縦軸は各々挿
入損失、定在波を示しており、実線は本発明による測定
装置の周波数特性を、また、破線は従来の測定装置の周
波数特性を示している。 すなわち、この図からもわかるように本発明において電
波吸収体５を配設することで、従来各々の周波数特性の
各所で生じていたデイツプが除去でき、フラットな特性
を得ることができる。従って、ＩＣＩの高周波特性を正
確に測定して性能の評価を行うことができる。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明による高周波特性測定装置に
よれば、電波吸収体をＩＣ取付台とＩＣとの間に配設し
たので、従来のような不要結合がなくなり、ＩＣの高周
波特性を正確に測定して評価することができる。
ＣＩとの間に配設された電波吸収体５は、測定時に生ず
る不要結合をなくす。 ［実施例］ 第１図は本発明による測定装置の一実施例を示す図であ
る。 なお、従来の測定装置と同一の構成要素には同一番号を
付して説明する。 この実施例による測定装置は、測定時にＩＣＩとＩＣ取
付台２との間に電波吸収体５を配設した後、プローブ３
をＩＣＩの各信号端子に接触させ、一対で構成されるプ
ローブ３の一方（入カブローブ）３Ａから信号を供給し
、他方（出力プローブ）３Ｂから信号を取出してＩＣＩ
の高周波特性測定（挿入損失、定在波等の各種特性測定
）を行い性能を評価している。 測定装置は図示しない吸引機構によってウェーハ状のＩ
ＣＩをエア吸引して位置決め保持するＩＣ取付台２と、
このＩＣ取付台２の上部に設けられ、ＩＣＩの表面に接
触して導通を図るプローブ３を備えた固定金具４とを有
し、ＩＣＩとＩＣ取付台２との間に電波吸収体５が配設
されてたちのである。この電波吸収体５はフェライト、
鉄を主成分材料とするものであり、ＩＣＩをプローブ３
で測定するとき生じる不要結合をなくし、測定系の特性
が劣化するのを防いでいる。これにより。 ＩＣＩの高周波特性を正確に測定し評価することができ
るようになっている。また、この電波吸収体５にはＩＣ
取付台２に連結する吸引穴（図示せず）が形成されてお
り、この吸入穴を介してＩＣ１はＩＣ取付台２の所定位
置に吸引保持されるようになっている。 ここで、第２図および第３図は本発明による測定装置と
従来の測定装置の各々の周波数特性を示している。なお
、このグラフにおいて、横軸は周波°数、縦軸は各々挿
入損失、定在波を示しており、実線は本発明による測定
装置の周波数特性を、また、破線は従来の測定装置の周
波数特性を示している。 すなわち、この図からもわかるように本発明において電
波吸収体５を配設することで、従来各々の周波数特性の
各所で生じていたデイツプが除去でき、フラットな特性
を得ることができる。従って、ＩＣＩの高周波特性を正
確に測定して性能の評価を行うことができる。 ［発明の効果］ 以上説明したように本発明による高周波特性測定装置に
よれば、電波吸収体をＩＣ取付台とＩＣとの間に配設し
たので、従来のような不要結合がなくなり、ＩＣの高周
波特性を正確に測定して評価することができる。
第１図は本発明による測定装置の一実施例を示す図、第
２図は本発明による測定装置と従来の測定装置の各々の
周波数−挿入損失特性を示す図、第３図は本発明による
測定装置と従来の測定装置の各々の周波数特性一定在波
特性を示す図、第４図は従来の測定装置の一例を示す図
である。 ｌ・・・ＩＣ，２・・・ＩＣ取付台、３・・・検出子（
プローブ）、４・・・固定金具、５・・・電波吸収体。 特許出願人 アンリッ株式会社 第１図 第２図 第 ３ 図
２図は本発明による測定装置と従来の測定装置の各々の
周波数−挿入損失特性を示す図、第３図は本発明による
測定装置と従来の測定装置の各々の周波数特性一定在波
特性を示す図、第４図は従来の測定装置の一例を示す図
である。 ｌ・・・ＩＣ，２・・・ＩＣ取付台、３・・・検出子（
プローブ）、４・・・固定金具、５・・・電波吸収体。 特許出願人 アンリッ株式会社 第１図 第２図 第 ３ 図
Claims (1)
- 入力および出力プローブ（３）の両方または片方をＩＣ
（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）（１）の各
信号端子に接触させてＩＣ（１）の高周波特性測定を行
う高周波特性測定装置において、装置本体に備えられた
ＩＣ取付台（２）とＩＣ（１）との間に電波吸収体（５
）を配設したことを特徴とする高周波特性測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043291A JPH06103333B2 (ja) | 1988-02-27 | 1988-02-27 | 高周波特性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63043291A JPH06103333B2 (ja) | 1988-02-27 | 1988-02-27 | 高周波特性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01219575A true JPH01219575A (ja) | 1989-09-01 |
| JPH06103333B2 JPH06103333B2 (ja) | 1994-12-14 |
Family
ID=12659693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63043291A Expired - Lifetime JPH06103333B2 (ja) | 1988-02-27 | 1988-02-27 | 高周波特性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06103333B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138813B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-11-21 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
| US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
-
1988
- 1988-02-27 JP JP63043291A patent/JPH06103333B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7138813B2 (en) | 1999-06-30 | 2006-11-21 | Cascade Microtech, Inc. | Probe station thermal chuck with shielding for capacitive current |
| US7355420B2 (en) | 2001-08-21 | 2008-04-08 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7492175B2 (en) | 2001-08-21 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Membrane probing system |
| US7492172B2 (en) | 2003-05-23 | 2009-02-17 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7876115B2 (en) | 2003-05-23 | 2011-01-25 | Cascade Microtech, Inc. | Chuck for holding a device under test |
| US7420381B2 (en) | 2004-09-13 | 2008-09-02 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US8013623B2 (en) | 2004-09-13 | 2011-09-06 | Cascade Microtech, Inc. | Double sided probing structures |
| US9429638B2 (en) | 2008-11-21 | 2016-08-30 | Cascade Microtech, Inc. | Method of replacing an existing contact of a wafer probing assembly |
| US10267848B2 (en) | 2008-11-21 | 2019-04-23 | Formfactor Beaverton, Inc. | Method of electrically contacting a bond pad of a device under test with a probe |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06103333B2 (ja) | 1994-12-14 |
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