JPH0652748B2 - プロ−ブカ−ド - Google Patents
プロ−ブカ−ドInfo
- Publication number
- JPH0652748B2 JPH0652748B2 JP62116578A JP11657887A JPH0652748B2 JP H0652748 B2 JPH0652748 B2 JP H0652748B2 JP 62116578 A JP62116578 A JP 62116578A JP 11657887 A JP11657887 A JP 11657887A JP H0652748 B2 JPH0652748 B2 JP H0652748B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- conductor
- probe card
- coaxial cable
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 （産業上の利用分野） この発明は、半導体ウエハ、半導体素子及び液晶ガラス
基板等の試験・測定に使用するプローブカードに関す
る。
基板等の試験・測定に使用するプローブカードに関す
る。
（従来の技術） 一般に、半導体ウエハ及び、半導体素子等を製造する工
程では、半導体ウエハ上に複数の半導体ウエハのチップ
を形成し、これらのチップの電気的特性の試験・測定す
る工程がある。
程では、半導体ウエハ上に複数の半導体ウエハのチップ
を形成し、これらのチップの電気的特性の試験・測定す
る工程がある。
この工程では、半導体ウエハを測定するウエハプローバ
にプローブカードを装着し、そのプローブカードのプロ
ーブを半導体ウエハのチップに接触させ試験・測定す
る。
にプローブカードを装着し、そのプローブカードのプロ
ーブを半導体ウエハのチップに接触させ試験・測定す
る。
この試験・測定に関して、最近では半導体ウエハのチッ
プ（集積回路）の集積度の向上に加えて、その動作速度
が速くなっている。例えば10-8sec(100MHz)程度の高速
動作をなす半導体ウエハのチップ及び半導体素子を試験
・測定している。
プ（集積回路）の集積度の向上に加えて、その動作速度
が速くなっている。例えば10-8sec(100MHz)程度の高速
動作をなす半導体ウエハのチップ及び半導体素子を試験
・測定している。
このように高速で半導体ウエハ等を試験・測定する時の
プローブカードは、そのプローブの近傍まで同軸化した
公知例があり例えば、実開昭60-139276号公報記載です
でに公知であるように、基台に直線状のプローブを把持
し、その把持したプローブの一端を同軸ケーブルに固着
させて、他端を半導体ウエハに接触させるものと、ま
た、低速高速にかかわらず、半導体ウエハ等を試験・測
定する時のプローブカードには、例えば、特公昭60-379
01号公報記載ですでに公知であるようにバネ等で伸縮自
由のプローブを１組の基板に固して、その端に金属細線
を接続した構造のものが一般的である。
プローブカードは、そのプローブの近傍まで同軸化した
公知例があり例えば、実開昭60-139276号公報記載です
でに公知であるように、基台に直線状のプローブを把持
し、その把持したプローブの一端を同軸ケーブルに固着
させて、他端を半導体ウエハに接触させるものと、ま
た、低速高速にかかわらず、半導体ウエハ等を試験・測
定する時のプローブカードには、例えば、特公昭60-379
01号公報記載ですでに公知であるようにバネ等で伸縮自
由のプローブを１組の基板に固して、その端に金属細線
を接続した構造のものが一般的である。
（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、このような、高周波を用いて、半導体ウ
エハ及び半導体素子等を試験・測定するプローブカード
は芯導線のみのプローブの部分と、同軸ケーブルの芯導
線及び外導線との継目において、インピーダンスの不整
合が発生して、プローブの先端から得た、波形にひづみ
が生じて、正確な試験・測定値が得られない問題点があ
った。
エハ及び半導体素子等を試験・測定するプローブカード
は芯導線のみのプローブの部分と、同軸ケーブルの芯導
線及び外導線との継目において、インピーダンスの不整
合が発生して、プローブの先端から得た、波形にひづみ
が生じて、正確な試験・測定値が得られない問題点があ
った。
この発明は、このような問題点を解消すべく、なされた
もので、プローブが同軸ケーブルとインピーダンス整合
する構成のプローブカードを提供することにある。
もので、プローブが同軸ケーブルとインピーダンス整合
する構成のプローブカードを提供することにある。
（問題点を解決するための手段） この発明のプローブカードは、基板のプローブ固定孔に
プローブを装着して上記プローブに芯導線と外導線とか
らなる同軸ケーブルを接続し、半導体ウエハ等の被測定
基板に形成されたチップに上記プローブを接触させ、チ
ップの電気的特性を測定するプローブカードにおいて、
上記固定孔の内側に設けられた導電体と、この導電体の
内側に設けられ上記外導線と電気的導通状態に接続され
同軸ケーブルのインピダンス整合するスリーブと、この
スリーブに嵌入されると共に上記芯導線と電気的導通状
態に結合される伸縮自在なプローブとから構成したこと
にある。
プローブを装着して上記プローブに芯導線と外導線とか
らなる同軸ケーブルを接続し、半導体ウエハ等の被測定
基板に形成されたチップに上記プローブを接触させ、チ
ップの電気的特性を測定するプローブカードにおいて、
上記固定孔の内側に設けられた導電体と、この導電体の
内側に設けられ上記外導線と電気的導通状態に接続され
同軸ケーブルのインピダンス整合するスリーブと、この
スリーブに嵌入されると共に上記芯導線と電気的導通状
態に結合される伸縮自在なプローブとから構成したこと
にある。
（作用） この発明によれば、プローブの近傍まで、同軸ケーブル
のインピーダンスを整合したので、同軸ケーブルとプロ
ーブとの間でインピーダンスの整合した試験・測定を行
なうことができる。
のインピーダンスを整合したので、同軸ケーブルとプロ
ーブとの間でインピーダンスの整合した試験・測定を行
なうことができる。
（実施例） 次に、この発明に係るプローブカードの一実施例を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
第１図および第２図において、このプローブカード(1)
は半導体ウエハチップのパッド（図示せず）対応した基
台(2)の孔(3)に向けて垂直上方向に圧入されたスリーブ
(4)と、そのスリーブ(4)の中空部(5)に嵌入された半導
体ウエハチップのパッドと接触して外部テスタ（図示せ
ず）に導通させる伸縮自在のプローブ(6)と、そのプロ
ーブ(6)の上部の溝部(6a)に芯導線(7a)を固着させ基台
(2)の導体部(2a)に外導線(7b)を嵌入する同軸ケーブル
(7)とで構成されている。
は半導体ウエハチップのパッド（図示せず）対応した基
台(2)の孔(3)に向けて垂直上方向に圧入されたスリーブ
(4)と、そのスリーブ(4)の中空部(5)に嵌入された半導
体ウエハチップのパッドと接触して外部テスタ（図示せ
ず）に導通させる伸縮自在のプローブ(6)と、そのプロ
ーブ(6)の上部の溝部(6a)に芯導線(7a)を固着させ基台
(2)の導体部(2a)に外導線(7b)を嵌入する同軸ケーブル
(7)とで構成されている。
次にこの実施例の動作について説明する。
このプローブカード(1)の基台(2)が導体の場合は、その
基台(2)に圧入されて設けられているスリーブ(4)の中空
部(5)に伸縮自在のプローブ(6)を嵌入したのちに、その
プローブ(6)の溝部(6a)に同軸ケーブル(7)の芯導線(7a)
を固着させると共に、外導線(7b)を、その基台(2)の孔
(3)に構成する。
基台(2)に圧入されて設けられているスリーブ(4)の中空
部(5)に伸縮自在のプローブ(6)を嵌入したのちに、その
プローブ(6)の溝部(6a)に同軸ケーブル(7)の芯導線(7a)
を固着させると共に、外導線(7b)を、その基台(2)の孔
(3)に構成する。
このように構成した複数個のプローブ(6)を半導体ウエ
ハ（図示せず）の各チップのパッド位置に対応して設け
たプローブカード(1)が完成される。
ハ（図示せず）の各チップのパッド位置に対応して設け
たプローブカード(1)が完成される。
この完成したプローブカード(1)の同軸ケーブル(7)のイ
ンピーダンス(Zow)と、プローブ部分(6)のインピーダン
ス(Zop)との整合について説明すると、まづ、同軸ケー
ブルのインピーダンス(Zow)は、絶線体の被漬電率をε
γとし、外導線の内径をＤとし、芯導線の外径をｄとす
れば、 で表わされる。
ンピーダンス(Zow)と、プローブ部分(6)のインピーダン
ス(Zop)との整合について説明すると、まづ、同軸ケー
ブルのインピーダンス(Zow)は、絶線体の被漬電率をε
γとし、外導線の内径をＤとし、芯導線の外径をｄとす
れば、 で表わされる。
一方、プローブ部分(6)のインピーダンス(Zop)はスリー
ブの比誘電率をεｘとし、外導線の内径をＤxとし、芯
導線の外径とdxとすれば で表わされる。
ブの比誘電率をεｘとし、外導線の内径をＤxとし、芯
導線の外径とdxとすれば で表わされる。
この同軸ケーブル(7)とプルーブ部分(6)のインピーダン
スが整合するには、Zow＝Zopでなければならない。すな
わち、 この式から が導びかれる。
スが整合するには、Zow＝Zopでなければならない。すな
わち、 この式から が導びかれる。
よって基台(3)に設けるスリーブは の比誘電率を有した絶縁物を用いることにより整合す
る。
る。
また、第３図に示すように構成しても良い。プローブカ
ード(1)の基台(2)が絶縁体の場合、金属環(8)に圧入さ
れて設けられているスリーブ(4)の中空部にスプリング
等により伸縮自在のプローブ(6)を嵌入する。
ード(1)の基台(2)が絶縁体の場合、金属環(8)に圧入さ
れて設けられているスリーブ(4)の中空部にスプリング
等により伸縮自在のプローブ(6)を嵌入する。
そのプローブ(6)の溝部(6a)に同軸ケーブル(7)の芯導線
(7a)を固着させる。さらに、外導線(7b)を、その金属環
(8)に装着し、その装着した金属環(8)全体を絶縁体の基
台(3)に嵌着して構成しても良い。
(7a)を固着させる。さらに、外導線(7b)を、その金属環
(8)に装着し、その装着した金属環(8)全体を絶縁体の基
台(3)に嵌着して構成しても良い。
また、第１図で示すように、外導線(7b)が基台(2)の孔
(3)に装着する際に、その外導線(7b)が撚線等で構成さ
れているから、基台(2)に嵌入しにくく作業能率が悪い
ので、第４図で示すように、予め、その外導線を金属環
(8)で嵌入したのちに、孔(3)に装着することも可能であ
る。
(3)に装着する際に、その外導線(7b)が撚線等で構成さ
れているから、基台(2)に嵌入しにくく作業能率が悪い
ので、第４図で示すように、予め、その外導線を金属環
(8)で嵌入したのちに、孔(3)に装着することも可能であ
る。
以上説明したように、この発明によれば、伝送線路の大
部分が同軸化される為、高周波での伝送特性が向上し、
安定した状態で試験・測定することができる。
部分が同軸化される為、高周波での伝送特性が向上し、
安定した状態で試験・測定することができる。
またこのような構造にしたので、細い同軸ケーブルおよ
び、細いプローブ、例えば0.5mmφ以下の同軸ケーブル
および0.4mmφ以下のポゴピン（商品名）を使用してい
るので高密度の実装が可能となり、微細間隔の被測定物
を測定することができる。
び、細いプローブ、例えば0.5mmφ以下の同軸ケーブル
および0.4mmφ以下のポゴピン（商品名）を使用してい
るので高密度の実装が可能となり、微細間隔の被測定物
を測定することができる。
第１図および第２図はこの発明に係るプローブカードの
一実施例を示す断面図。 第３図および第４図は第１図および第２図の他の実施例
を示す断面図。 １……プローブカード、２……基台 ３……孔、４……スリーブ ５……中空部、６……プローブ ７……同軸ケーブル、８……金属環（導電体）
一実施例を示す断面図。 第３図および第４図は第１図および第２図の他の実施例
を示す断面図。 １……プローブカード、２……基台 ３……孔、４……スリーブ ５……中空部、６……プローブ ７……同軸ケーブル、８……金属環（導電体）
Claims (1)
- 【請求項１】基台のプローブ固定孔にプローブを装着し
て上記プローブに芯導線と外導線とからなる同軸ケーブ
ルを接続し、半導体ウエハ等の被測定基板に形成された
チップに上記プローブを接触させ、チップの電気的特性
を測定するプローブカードにおいて、 上記固定孔の内側に設けられた導電体と、 この導電体の内側に設けられ上記外導線と電気的導通状
態に接続され同軸ケーブルのインピダンス整合するスリ
ーブと、 このスリーブに嵌入されると共に上記芯導線と電気的導
通状態に結合される伸縮自在なプローブと、 を具備したことを特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116578A JPH0652748B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62116578A JPH0652748B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | プロ−ブカ−ド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63280430A JPS63280430A (ja) | 1988-11-17 |
| JPH0652748B2 true JPH0652748B2 (ja) | 1994-07-06 |
Family
ID=14690588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62116578A Expired - Lifetime JPH0652748B2 (ja) | 1987-05-12 | 1987-05-12 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0652748B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107830A1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Leeno Industrial Inc. | Test device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2688444B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1997-12-10 | 株式会社日立製作所 | 半導体ｌｓｉ検査装置 |
| JP4979190B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2012-07-18 | 日本発條株式会社 | 検査プローブ治具 |
| JP6455451B2 (ja) * | 2015-03-24 | 2019-01-23 | 三菱電機株式会社 | 同軸プローブ |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61187244A (ja) * | 1985-02-14 | 1986-08-20 | Matsushita Electronics Corp | 半導体評価装置 |
-
1987
- 1987-05-12 JP JP62116578A patent/JPH0652748B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019107830A1 (en) * | 2017-11-30 | 2019-06-06 | Leeno Industrial Inc. | Test device |
| KR20190063759A (ko) * | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 리노공업주식회사 | 검사장치 |
| US11391757B2 (en) | 2017-11-30 | 2022-07-19 | Leeno Industrial Inc. | Test device |
| US11726111B2 (en) | 2017-11-30 | 2023-08-15 | Leeno Industrial Inc. | Test device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63280430A (ja) | 1988-11-17 |
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