JPS61187244A - 半導体評価装置 - Google Patents

半導体評価装置

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JPS61187244A
JPS61187244A JP2696885A JP2696885A JPS61187244A JP S61187244 A JPS61187244 A JP S61187244A JP 2696885 A JP2696885 A JP 2696885A JP 2696885 A JP2696885 A JP 2696885A JP S61187244 A JPS61187244 A JP S61187244A
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JP
Japan
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high frequency
flexible
chip
conductor
copper
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Application number
JP2696885A
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English (en)
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JPH0552667B2 (ja
Inventor
Junichi Takahashi
順一 高橋
Yasuhisa Yamashita
泰久 山下
Toshimitsu Konno
今野　俊光
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
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Publication date
Application filed by Matsushita Electronics Corp filed Critical Matsushita Electronics Corp
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Publication of JPS61187244A publication Critical patent/JPS61187244A/ja
Publication of JPH0552667B2 publication Critical patent/JPH0552667B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明はＶＨＦ　、ＵＨＦ帯の高周波小信号又は大信号
トランジスタの高周波特性の半導体評価装置に関するも
のである。
従来の技術 従来、この種の評価装置は、トランジスタ完成品にした
状態で使用され、第２図（ａ）、第２図（ｂ）、第２図
（Ｃ）のような構成であった。第２図（＋Ｌ）はＳパラ
メータ測定ブロック図、第２図（ｂ）は入出力インピー
ダンス、パワーゲイン測定ブロック図、第２２ベーノ 図（０）はノイズ測定ブロック図であった。第２図（２
Ｌ＞　。
（ｂ）　、　（Ｑ）において１はＳパラメータ測定装置
、２はトランジスタフィクスチャー、３は試供トランジ
スタ、４は信号発生器、６は方向性結合器、６はスタブ
チューナ、７はトランジスタ整合回路、８はスペクトラ
ムアナライザー、９はパワーメータ、１ｏはＩ）Ｃ電源
、１１はノイズ測定器、１２はノイズ測定器、１３はバ
ンドパスフィルター、１４はミキザーであった。
発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成では、高周波トランジスタのチッ
プ状態での高周波特性を測定評価することができず、チ
ップを直接組立てるような混成集積回路では、特性不良
がロットで集中したりして製造歩留の著しい低下を引き
起こすという問題があった。本発明はこのような問題点
を解決するもので、高周波トランジスタの高周波諸特性
をチップ状態で測定評価することを目的とするものであ
る。
問題点を解決するだめの手段 この問題点を解決するために、本発明は、チップ状態の
高周波トランジスタの高周波諸特性を評価するたやに、
先端部に固定同軸型接触端子を有し、これに可撓同軸線
を結合した高周波プローブを準備し、チップに直接、こ
のプローブをあてて高周波緒特性評価装置につなげるよ
うにしたものである。
作用 この構成により、高周波トランジスタの高周波諸特性を
チップ状態のままで精度良く測定評価できる装置を提供
することが可能となる。
実施例 第１図は本発明の一実施例による高周波特性評価装置の
高周波プローブの構成図であり、第１図において、１ｏ
１は試供チップ、１ｏ２は銅等の中芯導体、１０３は同
軸絶縁樹脂、１０４は銅等の外部導体、１ｏ６は銅板等
の外部固定導体、１０６は銅の撚線等の中心可撓導体、
１０７は銅の撚線等の外部可撓導体、１ｏ８は６０Ω固
定ミニケ一ブル部、１０９は６ｏΩ可撓ミニケ一ブル部
、１１０は水平度保持金具、１１１はチップ台座、１１
２はインピーダンス変換部である。
第′１図の高周波プローブを第２図の３試供トランジス
タの代りに接続し、整合をとるか、あるいは基準面を合
わせるかして測定すれば、チップ状態の高周波特性が精
度良く評価できた。
発明の効果 以上のように本発明によれば、高周波トランジスタの高
周波諸特性、すなわち、Ｓパラメータ、入出力インピー
ダンス、パワーゲイン、ノイズ等をチップ状態のままで
評価でき、チップ状態で良品不良品判定をしておくこと
により、チップを直接組立てる混成集積回路の特性良品
歩留を飛躍的に向上させるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による半導体評価装置の高周
波プローブの断面図、第２図（ａ）　、　（ｂ）　、　
（Ｑ）は従来の高周波トランジスタ完成品の評価装置の
ブロック図である。 １０１・・・・・・試供チップ、１ｏ２・・・・・・中
芯導体、６ベージ １０３・・・・・・絶縁樹脂、１ｏ４・・・・・・外部
導体、１０６・・・・・・外部固定導体、１０６・・・
・・・中心可動導体、１０７・・・・・・外部可動導体
、１０８・・・・・・５０Ω固定ミニケ一ブル部、１０
９・・・・・・６ｏΩ可動ケ一ブル部、１１０・・・・
・・水平度保持金具、１１１・・・・・・チップ台座、
１１２・・・・・・インピーダンス変換部。 代理人の氏名　弁理士　中　尾　敏　男　ほか１名ｌθ
Ｉ　・　試４民チ・ソフ０ １１？、、、インピーダンス表１矢部 ｌθ７１ρ８　　　　　１０ｑ ｌθ７ １θ５ １αど　　　　　　　　　　　　　　　　　　　７０１
ｔａ　２／　ｔ。 ｆＩθ １、）開１１ｊＧ１−１８７２４４（３）第２図 ・、、　」「１Ｌ６４１．、Ｑ、　、、。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 高周波トランジスタのチップ状態での高周波諸特性を測
    定するために、先端部に固定同軸型接触端子を有し、こ
    れに可撓同軸線を結合した高周波プローブをそなえたこ
    とを特徴とする半導体評価装置。
JP2696885A 1985-02-14 1985-02-14 半導体評価装置 Granted JPS61187244A (ja)

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JPH0552667B2 JPH0552667B2 (ja) 1993-08-06

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