CN107389984A - 大功率晶体管测试夹具及其工作方法 - Google Patents
大功率晶体管测试夹具及其工作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107389984A CN107389984A CN201710228921.7A CN201710228921A CN107389984A CN 107389984 A CN107389984 A CN 107389984A CN 201710228921 A CN201710228921 A CN 201710228921A CN 107389984 A CN107389984 A CN 107389984A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- high power
- power transistor
- block
- circuit board
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012360 testing method Methods 0.000 title claims abstract description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 57
- 230000007704 transition Effects 0.000 claims abstract description 25
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims description 3
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 claims 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000306 component Substances 0.000 description 1
- 239000008358 core component Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000009863 impact test Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0425—Test clips, e.g. for IC's
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种大功率晶体管测试夹具及其工作方法，属于大功率晶体管领域，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，第一电路板载块上表面设置有第一电路板，第一电路板包括第一微带线，第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；第二电路板载块上表面设置有第二电路板，第二电路板包括第二微带线，第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；芯片载块位于第一电路板载块和第二电路板载块之间；芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在第一微带线和第二微带线上的压紧装置。本发明可以兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；能够得到待测件真实的性能；不会损坏晶体管和夹具；结构简单，灵活，利于推广。
Description
技术领域
本发明涉及大功率晶体管领域，特别是指一种大功率晶体管测试夹具及其工作方法。
背景技术
射频功率放大器广泛的应用于各类信号发射机上，大功率晶体管是功率放大器的核心部件，其特性直接关系到发射机系统的性能。
现有的大功率晶体管测试夹具，只能测试特定封装尺寸的大功率晶体管；并且现有的测试夹具的测试结果是包含测试夹具电路影响的原始数据，不能得到待测晶体管的真实性能；另外现有技术的测试夹具在测试时将晶体管焊接在夹具上，芯片测试完毕后不易拆卸，并且容易损坏芯片。
发明内容
本发明提供一种大功率晶体管测试夹具及其工作方法，本发明可以兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；能够得到待测件真实的性能；不会损坏晶体管和夹具；结构简单，灵活，利于推广。
为解决上述技术问题，本发明提供技术方案如下：
一方面，本发明提供一种大功率晶体管测试夹具，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，其中：
所述第一电路板载块上表面设置有第一电路板，所述第一电路板包括第一微带线，所述第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；
所述第二电路板载块上表面设置有第二电路板，所述第二电路板包括第二微带线，所述第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；
所述芯片载块上表面用于放置大功率晶体管，并且所述芯片载块位于所述第一电路板载块和第二电路板载块之间；
所述芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的压紧装置。
进一步的，所述大功率晶体管测试夹具还包括底座，所述底座包括底座支撑板和设置在所述底座支撑板下表面的底座支撑脚，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块设置在所述底座支撑板上表面。
进一步的，所述底座支撑板上开设有电路板载块滑槽，所述第一电路板载块和/或第二电路板载块下表面设置有滑柱，所述滑柱伸在所述电路板载块滑槽内。
进一步的，所述底座支撑板上设置有用于调节所述芯片载块高度的高度调节螺钉。
进一步的，所述压紧装置包括压紧装置支撑板，所述压紧装置支撑板上设置有压紧螺钉或压块，所述压紧螺钉或压块材质为绝缘材质。
进一步的，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述底座支撑板连接，所述底座支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。
进一步的，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述第一电路板载块和第二电路板载块连接，所述压紧装置支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。
进一步的，所述第一电路板载块上设置有第一电源线固定板，所述第二电路板载块上设置有第二电源线固定板，所述第一同轴/微带转换器设置在第一接头固定板上，所述第二同轴/微带转换器设置在第二接头固定板上。
进一步的，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块内设置有水冷通道。
另一方面，本发明提供上述的大功率晶体管测试夹具的工作方法，包括：
步骤1：将所述第一电路板载块和第二电路板载块分开一段距离，使得所述第一微带线和第二微带线开路；
步骤2：进行测试，得到反射校准数据；
步骤3：将所述第一电路板载块和第二电路板载块直接接触，并使用铜皮将所述第一微带线和第二微带线直接连接；
步骤4：进行测试，得到直通校准数据；
步骤5：将所述芯片载块放置在所述第一电路板载块和第二电路板载块之间，并使用传输线和铜皮将所述第一微带线和第二微带线连接；
步骤6：进行测试，得到传输线校准数据；
步骤7：拆除所述传输线和铜皮，将大功率晶体管放置到所述芯片载块上，并使得所述大功率晶体管的引脚分别与所述第一微带线和第二微带线接触；
步骤8：调节压紧装置，将所述大功率晶体管的引脚分别压在所述第一微带线和第二微带线上，使得大功率晶体管的引脚分别与所述第一微带线和第二微带线电接触良好；
步骤9：进行测试，得到大功率晶体管性能的原始测试结果；
步骤10：使用所述反射校准数据、直通校准数据和传输线校准数据对所述原始测试结果进行校准，得到大功率晶体管的真实性能。
本发明具有以下有益效果：
本发明的大功率晶体管测试夹具结构采用可拆装形式，针对同类电气特性的不同尺寸的器件无需重新设计夹具，只需要按照器件尺寸更换中间的芯片载块，从装置结构上减少了夹具设计的重复工作，降低了重新设计及再投版的费用，通过不同尺寸的芯片载块和灵活分离式机械设计来兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；并且本发明的分离式机械设计能够通过TRL校准方式对测试夹具进行去嵌入处理，得到待测件真实的性能；然后本发明的压紧装置能够使得大功率晶体管的引脚分别与第一微带线和第二微带线电接触良好，不用焊接，方便拆除晶体管，不会损坏晶体管和夹具；最后本发明装置结构简单，灵活，利于推广。
附图说明
图1为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的示意图(去除压紧装置)；
图2为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的示意图；
图3为本发明中的压紧装置第一个实施例的示意图；
图4为本发明中的压紧装置另一个实施例的示意图；
图5为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的直通校准示意图；
图6为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的反射校准示意图；
图7为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的传输线校准示意图；
图8为本发明的大功率晶体管测试夹具第一个实施例的测试示意图；
图9为本发明的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的示意图；
图10为本发明的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的俯视图；
图11为本发明的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的直通校准示意图；
图12为本发明的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的反射校准示意图；
图13为本发明的大功率晶体管测试夹具另一个实施例的传输线校准示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
本发明提供一种大功率晶体管测试夹具，如图1-4、9、10所示，包括第一电路板载块1、第二电路板载块2和芯片载块3，其中：
第一电路板载块1上表面设置有第一电路板4，第一电路板4包括第一微带线5，第一微带线5连接有第一同轴/微带转换器6。
第二电路板载块2上表面设置有第二电路板7，第二电路板7包括第二微带线8，第二微带线8连接有第二同轴/微带转换器9。
根据使用频率的不同，第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器可以是N型，SMA，2.92mm，2.4mm等射频转接器。射频信号通过第一(或第二)同轴/微带转换器馈入到第一(或第二)电路板上，
电路板上的第一微带线和第二微带线可以是固定50欧姆阻抗的微带线，或者是各种形式的阻抗变换线。例如图1、2、5-8为Klopfenstein渐变微带线，图9-13为基于1/4波长阻抗变换的微带线。
芯片载块3上表面用于放置大功率晶体管10，并且芯片载块3位于第一电路板载块1和第二电路板载块2之间。
芯片载块3上方设置有用于将大功率晶体管10的引脚压接在第一微带线5和第二微带线8上的压紧装置11。
本发明的使用方法如下：
步骤1：将第一电路板载块和第二电路板载块分开一段距离，使得第一微带线和第二微带线开路。本步骤为反射校准，如图5、11所示。如图6、12所示。
步骤2：进行测试，得到反射校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。
步骤3：将第一电路板载块和第二电路板载块直接接触，并使用铜皮将第一微带线和第二微带线直接连接。本步骤为直通校准，如图5、11所示。
步骤4：进行测试，得到直通校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。
步骤5：将芯片载块放置在第一电路板载块和第二电路板载块之间，并使用传输线和铜皮将第一微带线和第二微带线连接；根据使用频率，在夹具中插入不同长度的传输线和不同的芯片载块，用铜皮将三个部分连接起来进行测试。测试时通过拉紧螺杆让夹具的输入底座、输出底座、芯片载块紧密连接。本步骤为传输线校准，如图5、11所示。如图7、13所示。
步骤6：进行测试，得到传输线校准数据；测试时，将第一同轴/微带转换器和第二同轴/微带转换器连接测试设备，接通第一电路板和第二电路板的电源，开始测试。
通过上述步骤得到的测试数据进行计算，就能够得到测试夹具本身的参数。前述方式称为TRL校准，然后进行大功率晶体管的性能测试。
步骤7：拆除传输线和铜皮，将大功率晶体管放置到芯片载块上，并使得大功率晶体管的引脚分别与第一微带线和第二微带线接触。如图8所示。
步骤8：调节压紧装置，将大功率晶体管的引脚分别压在第一微带线和第二微带线上，使得大功率晶体管的引脚分别与第一微带线和第二微带线电接触良好。
步骤9：进行测试，得到大功率晶体管性能的原始测试结果。
原始测试结果是包含测试夹具电路影响的原始数据，为了得到晶体管的真实性能要对测试夹具进行去嵌入校准，本设计采用的是TRL校准方法(具体见前述)，该校准方法通过三个标准件的测试计算得到夹具自身的特性，然后对测试结果进行去嵌入处理后就能得到待测晶体管准确的数据。
步骤10：使用反射校准数据、直通校准数据和传输线校准数据对原始测试结果进行校准，去嵌入处理，得到大功率晶体管的真实性能。
本发明的大功率晶体管测试夹具结构采用可拆装形式，针对同类电气特性的不同尺寸的器件无需重新设计夹具，只需要按照器件尺寸更换中间的芯片载块，从装置结构上减少了夹具设计的重复工作，降低了重新设计及再投版的费用，通过不同尺寸的芯片载块和灵活分离式机械设计来兼容不同封装尺寸的待测件，拆装灵活；并且本发明的分离式机械设计能够通过TRL校准方式对测试夹具进行去嵌入处理，得到待测件真实的性能；然后本发明的压紧装置能够使得大功率晶体管的引脚分别与第一微带线和第二微带线电接触良好，不用焊接，方便拆除晶体管，不会损坏晶体管和夹具；最后本发明装置结构简单，灵活，利于推广。
作为本发明的一种改进，大功率晶体管测试夹具还包括底座12，底座包括底座支撑板13和设置在底座支撑板13下表面的底座支撑脚14，第一电路板载块1、第二电路板载块2和芯片载块3设置在底座支撑板13上表面。
进一步的，底座支撑板13上开设有电路板载块滑槽15，第一电路板载块1和/或第二电路板载块2下表面设置有滑柱，滑柱伸在电路板载块滑槽15内。电路板载块滑槽和滑柱配合，可以方便的调节第一电路板载块和第二电路板载块的距离，适应不同尺寸的芯片载块，用于不同封装尺寸的晶体管。
为了保证待测晶体管输入输出引脚与电路板上的微带线平齐，底座支撑板13上设置有用于调节芯片载块3高度的高度调节螺钉16。
本发明中，压紧装置可以有多种结构，例如，压紧装置11包括压紧装置支撑板17，压紧装置支撑板17上设置有压紧螺钉18，如图3，或压块18’，如图4，压紧螺钉18或压块18’材质为绝缘材质，防止导电影响测试结果。
压紧装置可以与底座支撑板连接，具体的，压紧装置支撑板17通过压紧装置支撑脚19与底座支撑板13连接，底座支撑板13上开设有压紧装置滑槽20，压紧装置支撑脚19伸在压紧装置滑槽20内，如图1、2。
压紧装置还可以与第一电路板载块和第二电路板载块连接，具体的，压紧装置支撑板17通过压紧装置支撑脚19与第一电路板载块1和第二电路板载块2连接，压紧装置支撑板17上开设有压紧装置滑槽20’，压紧装置支撑脚19伸在压紧装置滑槽20’内，如图9。
本发明中，第一电路板载块1上设置有第一电源线固定板21，第二电路板载块2上设置有第二电源线固定板22，电源线固定板是直流供电部件，用来给晶体管提供工作时所需的电流接入。为了方便安装同轴/微带转换器，以及更换不同的同轴/微带转换器，第一同轴/微带转换器设置6在第一接头固定板23上，第二同轴/微带转换器9设置在第二接头固定板24上。
进一步的，由于大功率晶体管在测试的时候会有功率损耗，产生大量的热量，第一电路板载块1、第二电路板载块2和芯片载块3内设置有水冷通道，通过循环冷水机注入冷却媒质进行降温，提高了测试夹具的功率承受能力。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种大功率晶体管测试夹具，其特征在于，包括第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块，其中：
所述第一电路板载块上表面设置有第一电路板，所述第一电路板包括第一微带线，所述第一微带线连接有第一同轴/微带转换器；
所述第二电路板载块上表面设置有第二电路板，所述第二电路板包括第二微带线，所述第二微带线连接有第二同轴/微带转换器；
所述芯片载块上表面用于放置大功率晶体管，并且所述芯片载块位于所述第一电路板载块和第二电路板载块之间；
所述芯片载块上方设置有用于将大功率晶体管的引脚压接在所述第一微带线和第二微带线上的压紧装置。
2.根据权利要求1所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述大功率晶体管测试夹具还包括底座，所述底座包括底座支撑板和设置在所述底座支撑板下表面的底座支撑脚，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块设置在所述底座支撑板上表面。
3.根据权利要求2所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述底座支撑板上开设有电路板载块滑槽，所述第一电路板载块和/或第二电路板载块下表面设置有滑柱，所述滑柱伸在所述电路板载块滑槽内。
4.根据权利要求2所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述底座支撑板上设置有用于调节所述芯片载块高度的高度调节螺钉。
5.根据权利要求2-4任一所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述压紧装置包括压紧装置支撑板，所述压紧装置支撑板上设置有压紧螺钉或压块，所述压紧螺钉或压块材质为绝缘材质。
6.根据权利要求5所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述底座支撑板连接，所述底座支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。
7.根据权利要求5所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述压紧装置支撑板通过压紧装置支撑脚与所述第一电路板载块和第二电路板载块连接，所述压紧装置支撑板上开设有压紧装置滑槽，所述压紧装置支撑脚伸在所述压紧装置滑槽内。
8.根据权利要求1-4任一所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述第一电路板载块上设置有第一电源线固定板，所述第二电路板载块上设置有第二电源线固定板，所述第一同轴/微带转换器设置在第一接头固定板上，所述第二同轴/微带转换器设置在第二接头固定板上。
9.根据权利要求1-4任一所述的大功率晶体管测试夹具，其特征在于，所述第一电路板载块、第二电路板载块和芯片载块内设置有水冷通道。
10.权利要求1-9任一所述的大功率晶体管测试夹具的工作方法，其特征在于，包括：
步骤1：将所述第一电路板载块和第二电路板载块分开一段距离，使得所述第一微带线和第二微带线开路；
步骤2：进行测试，得到反射校准数据；
步骤3：将所述第一电路板载块和第二电路板载块直接接触，并使用铜皮将所述第一微带线和第二微带线直接连接；
步骤4：进行测试，得到直通校准数据；
步骤5：将所述芯片载块放置在所述第一电路板载块和第二电路板载块之间，并使用传输线和铜皮将所述第一微带线和第二微带线连接；
步骤6：进行测试，得到传输线校准数据；
步骤7：拆除所述传输线和铜皮，将大功率晶体管放置到所述芯片载块上，并使得所述大功率晶体管的引脚分别与所述第一微带线和第二微带线接触；
步骤8：调节压紧装置，将所述大功率晶体管的引脚分别压在所述第一微带线和第二微带线上，使得大功率晶体管的引脚分别与所述第一微带线和第二微带线电接触良好；
步骤9：进行测试，得到大功率晶体管性能的原始测试结果；
步骤10：使用所述反射校准数据、直通校准数据和传输线校准数据对所述原始测试结果进行校准，得到大功率晶体管的真实性能。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710228921.7A CN107389984B (zh) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 大功率晶体管测试夹具的工作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710228921.7A CN107389984B (zh) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 大功率晶体管测试夹具的工作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107389984A true CN107389984A (zh) | 2017-11-24 |
| CN107389984B CN107389984B (zh) | 2024-03-01 |
Family
ID=60338968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710228921.7A Active CN107389984B (zh) | 2017-04-10 | 2017-04-10 | 大功率晶体管测试夹具的工作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107389984B (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110286251A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-09-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种晶体管负载牵引测试夹具 |
| CN111239578A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-06-05 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 功率管测试夹具及其制备方法 |
| CN111812359A (zh) * | 2018-07-18 | 2020-10-23 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种SiC MOSFET通用双脉冲测试夹具 |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038100A (en) * | 1989-05-25 | 1991-08-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Microwave test fixture |
| US20110080188A1 (en) * | 2008-08-01 | 2011-04-07 | Ghadaksaz Michael M | Universal test fixture for high-power packaged transistors and diodes |
| CN102565462A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-11 | 北京中微普业科技有限公司 | 一种自校准高精度微波测量夹具及校准方法 |
| CN102565675A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-11 | 北京中微普业科技有限公司 | 一种宽管脚低阻抗大功率功放管测试夹具及校准方法 |
| CN203191408U (zh) * | 2012-12-10 | 2013-09-11 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种微带网络测试座 |
| CN203479845U (zh) * | 2013-09-30 | 2014-03-12 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种微波放大器测试座 |
| CN104698227A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 上海联星电子有限公司 | 一种低阻抗宽带测试夹具 |
| CN206684194U (zh) * | 2017-04-10 | 2017-11-28 | 中国电子技术标准化研究院 | 大功率晶体管测试夹具 |
-
2017
- 2017-04-10 CN CN201710228921.7A patent/CN107389984B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5038100A (en) * | 1989-05-25 | 1991-08-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Microwave test fixture |
| US20110080188A1 (en) * | 2008-08-01 | 2011-04-07 | Ghadaksaz Michael M | Universal test fixture for high-power packaged transistors and diodes |
| CN102565462A (zh) * | 2011-12-26 | 2012-07-11 | 北京中微普业科技有限公司 | 一种自校准高精度微波测量夹具及校准方法 |
| CN102565675A (zh) * | 2011-12-31 | 2012-07-11 | 北京中微普业科技有限公司 | 一种宽管脚低阻抗大功率功放管测试夹具及校准方法 |
| CN203191408U (zh) * | 2012-12-10 | 2013-09-11 | 中兴通讯股份有限公司 | 一种微带网络测试座 |
| CN203479845U (zh) * | 2013-09-30 | 2014-03-12 | 贵州航天计量测试技术研究所 | 一种微波放大器测试座 |
| CN104698227A (zh) * | 2013-12-05 | 2015-06-10 | 上海联星电子有限公司 | 一种低阻抗宽带测试夹具 |
| CN206684194U (zh) * | 2017-04-10 | 2017-11-28 | 中国电子技术标准化研究院 | 大功率晶体管测试夹具 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111812359A (zh) * | 2018-07-18 | 2020-10-23 | 北京世纪金光半导体有限公司 | 一种SiC MOSFET通用双脉冲测试夹具 |
| CN110286251A (zh) * | 2019-04-30 | 2019-09-27 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种晶体管负载牵引测试夹具 |
| CN111239578A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-06-05 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 功率管测试夹具及其制备方法 |
| CN111239578B (zh) * | 2020-01-19 | 2022-06-10 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 功率管测试夹具及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN107389984B (zh) | 2024-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI388844B (zh) | 測試系統以及測試方法 | |
| US7208959B2 (en) | Methods for measuring parasitic capacitance and inductance of I/O leads on an electrical component using a network analyzer | |
| CN107389984A (zh) | 大功率晶体管测试夹具及其工作方法 | |
| US20120025861A1 (en) | Test socket and test device having the same | |
| CN104316859A (zh) | 一种具有高通用性的芯片测试设备 | |
| CN206684194U (zh) | 大功率晶体管测试夹具 | |
| US6414563B1 (en) | Low-loss microwave device test fixture with adjustable blocks | |
| CN210572558U (zh) | 一种测试装置 | |
| US20060279305A1 (en) | Semiconductor test interface | |
| CN103077913A (zh) | 一种裸芯片老炼用引出装置及老炼方法 | |
| CN213068911U (zh) | 一种放大器测试转接装置 | |
| CN206362866U (zh) | 一种l波段80w功率放大器模块的测试工装 | |
| CN112345910A (zh) | 一种基于焊球阵列封装的芯片信号测试装置及测试方法 | |
| CN109669118A (zh) | 一种可调节微波电路测试夹具 | |
| CN210690751U (zh) | 一种微波pcb电路测试工装结构 | |
| JPH07122602A (ja) | 高周波プローブ及びプローブカード | |
| CN219834152U (zh) | 一种射频传输性能检测装置 | |
| Pham et al. | Surface mount microwave package characterization technique | |
| Cattey et al. | The Development of an EVB Socket Solution for Automotive Mixed-Signal ICs | |
| Wang et al. | Improved measurement techniques for high-power transistor modeling | |
| JPH0552667B2 (zh) | ||
| US8139949B2 (en) | Electrical signal transmission module, method of transmitting electric signals and electrical inspection apparatus having the same | |
| CN211718339U (zh) | 一种薄膜微带滤波器的s参数测试夹具 | |
| Fu et al. | Comparative Research of Infrared Thermography and Electrical Measurement Method for the Thermal Characteristics Test of GaN HEMT Devices | |
| KR101895012B1 (ko) | 삽입형 고주파수 신호 전송커넥터 및 상기 삽입형 고주파수 신호 전송커넥터를 사용하는 프로브카드 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |