JPH07122602A - 高周波プローブ及びプローブカード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウェハー状態で半導体チップの高周波の電力
測定を可能とする高周波プローブ及びプローブカードを
提供する。 【構成】 高周波プローブは、直立した絶縁性基板（１
２）の表面及び裏面にそれぞれ設けられ、マイクロスト
リップ伝送線を構成するた信号線（１４）及び接地電極
（１６）と、信号線（１４）及び接地電極（１６）にそ
れぞれ電気的に接続された針（１８、２０）とを有して
いる。半導体チップの信号電極パッド及び接地電極パッ
ドに対応する針（１８、２０）を同時に接触させ、高周
波測定を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ウェーハー状態で半導
体デバイスの高周波特性を測定するための高周波プロー
ブ及び高周波プローブを搭載したプローブカードに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの高周波特性を測定する
場合、セラミック等のパッケージ内に組み立てられた半
導体デバイスに対し高周波特性の測定を行うのが一般的
である。この理由は、パッケージにリード端子を設ける
ことによって、半導体デバイスを再現性良く、一定条件
で外部の回路と接続し、高周波特性を安定に測定できる
からである。

【０００３】近年、機器の小型化の為にパッケージを用
いずに、高周波半導体デバイスのチップを直接プリント
基板等に実装することが多くなってきている。このた
め、チップ状態の高周波半導体デバイスに対して高周波
特性を測定する必要がある。この様な測定として、例え
ば、コープレーナー型の高周波伝送路を形成したセラミ
ック基板をウェーハーに直接接触させる高周波プローブ
を用いて、半導体デバイスのＳパラメーターを測定する
することが知られている。また、デジタル信号用の高周
波プローブが知られている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、コープレーナ
ー型の高周波プローブは、高価でしかもウェーハーへの
接触により先端部が摩耗するため、使用できる接触回数
が制限がある。また、高周波プローブにインピーダンス
整合回路を形成できないという欠点を有している。従っ
て、測定装置と半導体デバイスとの間のインピーダンス
の不整合により、高周波電力を半導体デバイスに入力し
ても反射が大きく、正しく測定ができない。

【０００５】デジタル信号用高周波プローブは、数１０
ＭＨｚのデジタル信号を伝送することが出来るが、高周
波プローブの接地電極がチップ上で接続されない為に、
チップの高周波的な接地点と高周波プローブの高周波的
な接地点の位置が異なり、アナログ信号等の電力の伝送
はできない。特に、１ＧＨｚを超える高周波の電力（例
えばアナログ電力）はインピーダンスの乱れが大きので
伝送できない。

【０００６】従って、ウェハー状態でアナログ高周波特
性を測定することのできる高周波プローブは従来存在し
なかった。

【０００７】また、半導体デバイスをパッケージに実装
し、電子部品として用いる場合、図８に示されるような
工程に従って、半導体デバイスの検査が行われる。基板
上に形成された半導体デバイスはまずステップ１０１で
示されるように、ウェハー状態でＤＣ検査が行われる。
ＤＣ検査に合格した個々の半導体デバイスはチップとし
て切り出された後、セラミックなどからなるパッケージ
内に組立られる（ステップ１０２）。パッケージされた
半導体デバイスに対し、ＲＦ検査が行われ（ステップ１
０３）、最終的にＲＦ検査に合格した半導体デバイスが
部品として、回路に組み込まれる（ステップ１０４）。
従って、半導体デバイスが、パッケージされないと最終
的に不良品であるかどうかを判定できず、製造コストを
増大させる原因となっていた。

【０００８】例えば、一枚のウェハー上に１０００個の
半導体デバイスが形成され、ＤＣテスト及びＲＦテスト
での歩留まりがそれぞれ８０％である場合、パッケージ
された半導体デバイスのうち、１６０個はＲＦ特性が悪
いために、製品として用いることができない。従って、
不良品として判定される１６０個の半導体デバイスをパ
ッケージするのに要する時間及び１６０個のセラミック
パッケージは無駄になる。

【０００９】本発明は、上記課題を解決するためになさ
れたものであり、その目的とするところは、ウェーハー
状態の半導体チップの高周波特性検査において、高周波
電力の伝送が可能でしかもインピーダンス整合回路を形
成することで電力反射を低減することができる優れた高
周波プローブ及びプローブカードを提供することにあ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体素子へ高
周波信号を入出力させるための高周波プローブは、表
面、裏面、及び側底面を有する絶縁性基板と、該絶縁性
基板の該表面に形成された導電体からなる信号線と、該
絶縁性基板の該裏面の実質的に全面に形成された導電体
からなる接地電極とを有するマイクロストリップ伝送線
と、該信号線及び該接地電極にそれぞれ電気的に接続さ
れた信号針び接地針であって、該半導体素子の信号電極
パッド及び接地電極パッドにそれぞれ同時に接触するよ
うに、該側底面とその先端との距離が実質的に互いに等
しく、かつ近接して設けられた信号針及び接地針とを有
しており、そのことにより上記目的が達成される。

【００１１】前記絶縁性基板はＬ字形を有していてもよ
い。前記信号針は前記Ｌ字形絶縁基板の端部の側面に設
けられていてもよい。

【００１２】また、前記マイクロストリップ伝送路が前
記半導体素子の有するインピーダンスに整合するように
前記信号線はパターニングされ、整合容量が付加されて
いてもよい。

【００１３】また、本発明のプローブカードは、表面、
裏面、及び側底面を有する第１の絶縁性基板と、該第１
の絶縁性基板の該表面に形成された導電体からなる第１
の信号線と、該絶縁性基板の該裏面の実質的に全面に形
成された導電体からなる接地電極とを有する第１のマイ
クロストリップ伝送線と、該信号線及び該接地電極にそ
れぞれ電気的に接続された信号針及び接地針であって、
該半導体素子の信号電極パッド及び接地電極パッドにそ
れぞれ同時に接触するように、該側底面とその先端との
距離が実質的に互いに等しく、かつ近接して設けられた
信号針及び接地針とを有する半導体素子へ高周波信号を
入出力させるための高周波プローブと、表面及び裏面を
有し、第１の貫通孔と、適当な間隔に位置して設けられ
た複数の第２の貫通孔とを備えた第２の絶縁性基板と、
該第２の絶縁性基板の該表面に形成された導電体からな
る第２の信号線と、該第２の絶縁性基板の該裏面の実質
的に全面に形成された接地電極と、該第２の絶縁性基板
の該裏面に形成され、該複数の第２の貫通孔を介して該
接地電極に接続された表面接地電極とを有する第２のマ
イクロストリップ伝送線と、少なくとも該第１及び第２
のマイクロストリップ伝送路に設けられたインピーダン
ス整合部品とを有し、該信号針及び該接地針が該第１の
貫通孔を通るように、該高周波プローブは該第２の絶縁
性基板の該表面上に該第２の絶縁性基板に対し実質的に
垂直に保持され、該第１の信号線は該第２の信号線と電
気的に接続されており、該第１の接地電極は該表面接地
電極と電気的に接続されており、そのことにより、上記
目的が達成される。

【００１４】

【作用】信号線及び接地電極からなるマイクロストリッ
プ伝送線路は高周波を効率よく伝送し、信号線及び接地
電極に電気的に接続された信号針及び接地針によって、
被測定物の信号電極パッド及び接地電極パッドに接続さ
れる。信号針及び接地針は互いに近接し、かつ同時にそ
れぞれのパッドに接触し得るため、信号電位と接地電位
とを一つのプローブから同時近接して被測定物に与える
ことができる。従って、マイクロストリップ伝送線路が
有するインピーダンスをほとんど変化させることなく被
測定物とプローブを接続できる。例えば測定機器の有す
る５０オームのインピーダンスに整合するように被測定
物を接続できる。従って、１ＧＨｚを越える高周波電力
を伝送することができる。

【００１５】また、本発明のプローブカードにおいて、
プローブカード本体のマイクロストリップ伝送線路上及
び高周波プローブのマイクロストリップ伝送線路上に整
合容量を設けることにより、被測定物とプローブカード
に接続された信号源、パワーセンサなどの測定機器との
インピーダンス整合が可能となる。マイクロストリップ
伝送線路の形状及び付加容量の位置や容量は被測定物の
インピーダンスに応じて任意に設計しうる。従って、ウ
ェハー状態の被測定物の高周波電力特性を評価すること
ができる。

【００１６】

【実施例】以下に本発明を実施例について説明する。

【００１７】図１Ａ〜図１Ｃは本発明の高周波プローブ
１０の表面図、裏面図、側面図をそれぞれ示している。
図１Ｄは高周波プローブ１０の斜視図を示している。

【００１８】高周波プローブ１０は絶縁性基板１２と、
絶縁性基板１２の表面に形成された信号線１４、及び絶
縁性基板１２の裏面の実質的に全面に形成された接地電
極１６とを有している。絶縁性基板１２はＬ字形をして
おり、高周波プローブ１０をプローブカードに取り付け
たとき底部となる側面２４に対し、端部１３が長さＬ２
だけ突き出している。絶縁性基板１２はセラミックやエ
ポキシ樹脂など絶縁性を有する材料からなる基板であれ
ばどの様な基板でもよい。信号線１４及び接地電極１６
は導電性の材料からなる薄膜であればよく、銅薄膜など
が好ましい。信号線１４及び接地電極１６はマイクロス
トリップ伝送線を構成する。

【００１９】絶縁性基板１２は更に信号針１８及び接地
針２０を有している。信号針１８及び接地針２０は片持
ちばり構造を有しており、はんだ付け又はロウ付けによ
ってそれぞれ信号線１４及び接地電極１６に電気的に接
続されている。後述するようにウェハーと接触する際に
生じる加重に耐えられるように、信号針１８は絶縁性基
板１２の端部１３の側面２２に固定されている。信号針
１８と接地電極１６とが電気的に接触しないように、接
地電極１６の側面２２に近い部分に溝２３が設けられて
いる。

【００２０】図１Ｂ及び図１Ｄに示されるように、高周
波プローブ１０が側面２４を底辺として実質的に垂直に
プローブカードに固定されたとき、信号針１８及び接地
針２０が被測定物の信号電極パッド２６及び接地電極パ
ッド２８に同時に接触するように、信号針１８及び接地
針２０の先端は、側面２２から長さＬ１だけそれぞれ突
き出ている。従って、側面２４が水平になるように高周
波プローブ１０をひっくり返して保持した場合、信号針
１８及び接地針２０の先端は同じ高さとなっている。信
号針１８と接地針２０とは高周波電力が伝送できるよう
に近接していることが好ましく、具体的には、２ＧＨｚ
までの高周波電力を伝送するために、０．１〜０．５ｍ
ｍの範囲で信号針１８は接地針２０から離れていること
が好ましい。信号針１８及び接地針２０はＤＣ測定用の
針と同じものを用いることができる。

【００２１】高周波プローブ１０はセラミック基板の表
面全面及び裏面全面に銅箔が形成されたプリント基板を
用いて、所定の形状を有する信号線１４及び接地電極１
６になるよう銅箔を加工し、信号針１８及び接地針２０
をロウ付け又ははんだ付けすることにより容易に形成で
きる。

【００２２】高周波プローブ１０は、被測定物である半
導体デバイスに信号電位と接地電位を１つの高周波プロ
ーブから同時にしかも近接して与えることができる。従
って、半導体デバイスに効率よく電力を伝送することが
できる。また、信号電位と接地電位を与える信号針１８
及び接地針２０はマイクロストリップ伝送路に直接電気
的に接続されているので、インピーダンス整合回路を高
周波プローブに設けることができる。特に、半導体デバ
イスの内部抵抗に合わせて、５０オームの特性インピー
ダンスを有するマイクロストリップ伝送路をパターニン
グし、整合容量を付加することできる。信号針１８及び
接地針２０によるインダクタンス分だけ、マイクロスト
リップ伝送路のインピーダンスが変化するが、その変化
量は少ない。また、信号針１８及び接地針２０の先端か
ら折れ曲がった部分までの長さＬ１が２〜５ｍｍ程度で
あれば２ＧＨｚまでの電力伝送が可能である。また、信
号針１８及び接地針２０の先端部において、Ｓパラメー
タの誤差補正を行えば、ネットワークアナライザなどイ
ンピーダンス測定が可能な測定機器と高周波プローブ１
０を接続することにより、半導体デバイスの入力インピ
ーダンスを測定することもできる。

【００２３】高周波プローブ１０において、信号線１４
は絶縁性基板１２の表面に形成されているが、裏面に形
成されていてもよい。また、信号線１４のパターンは被
測定物の内部抵抗や測定周波数に応じて修正される。

【００２４】以下に高周波プローブ１０を用いたプロー
ブカード３０について説明する。図２は高周波用電界効
果型トランジスタを測定するためのプローブカード３０
の平面図を示している。また、図３Ａ及び図３Ｂはプロ
ーブカード３０の要部断面を示している。プローブカー
ド３０は測定用の貫通孔３４及び適当な間隔で設けられ
た複数の貫通孔３６を備えた絶縁性基板３２を有してい
る。絶縁性基板３２の表面にはそれぞれ導電性薄膜から
なる表面接地電極３８と、信号線４０ａ、４０ｂ、４０
ｃ、及び４０ｄとが形成されている。絶縁性基板３２の
裏面の全面には裏面接地電極４２が形成されており、裏
面接地電極４２と表面接地電極３８とは貫通孔３６を介
して電気的に接続されている。信号線４０ａ〜４０ｄ、
表面接地電極３８、及び裏面接地電極４２はマイクロス
トリップ伝送経路を形成している。

【００２５】図３Ａ及び図３Ｂに示されるように、貫通
孔３４の周囲の表面接地電極３８上に高周波プローブ１
０ａ及び１０ｂが保持されている。高周波プローブ１０
ａ及び１０ｂは実質的に、図１に示される高周波プロー
ブ１０と同一である。高周波プローブ１０ａは入力信号
を印加し、高周波プローブ１０ｂは出力信号を取り出す
ために用いる。以降入力信号用高周波プローブ及び出力
信号用高周波プローブを区別するために高周波プローブ
１０の各要素にａ及びｂの添字を用いて示す。

【００２６】高周波プローブ１０ａにおいて、表面接地
電極３８上に絶縁性基板１２ａの側面２４ａが接し、絶
縁性基板１２ａがプローブカード３０の絶縁性基板３２
に対して実質的に垂直に保持されるように、接地電極１
６ａと表面接地電極３８とがはんだ付けさている。その
結果、接地電極１６ａは表面接地電極３８と電気的に接
続されている。測定用の貫通孔３４内には絶縁性基板１
２ａの端部１３ａが入り込んでおり、信号針１８ａ及び
接地針２０ａは測定用の貫通孔３４のほぼ中央に位置し
ている。また、プローブカード３０がウェハーと接触せ
ずに測定ができるように、Ｌ１及びＬ２の長さを調節す
ることによって、半導体デバイス信号針１８ａ及び接地
針２０ａの先端は絶縁性基板３２の裏面より下方に位置
している。

【００２７】高周波プローブ１０ｂも高周波プローブ１
０ａと同様に面接地電極３８上に保持されている。高周
波プローブ１０ａ及び１０ｂの信号線１４ａ及び１４ｂ
は配線４４ａ及び４４ｂを介してそれぞれ信号線４０ａ
及び４０ｂに電気的に接続されている。配線４４ａ及び
４４ｂは短い方がプローブカードとしての特性がよい。

【００２８】信号線４０ｃ及び４０ｄは被測定物に直流
バイアスを与えるために設けられており、信号線４０ｃ
及び４０ｄに直流プローブ４６ｃ及び４６ｄが電気的に
接続されている。直流プローブ４６ｃ及び４６ｄは従来
のＤＣ測定に用いられるプローブを用いることができ
る。バイアスＴなどを用いて信号線４０ａ及び４０ｂに
直流バイアスを印加する場合には、信号線４０ｃ及び４
０ｄを設ける必要はない。

【００２９】信号線４０ａ〜４０ｄには測定機器及びバ
イアス電源に接続するためのコネクタ４８ａ〜４８ｄが
設けられている。

【００３０】絶縁性基板３２上の信号線４０ａ〜４０ｄ
及び絶縁性基板１２上の信号線１４の任意の場所にはキ
ャパシタやトリマーなどの整合容量５０ａ、５０ｂ、５
２ａ、及び５２ｂを必要に応じて設けることができる。
図２及び図３において、整合容量５０ａ、５０ｄ、５２
ａ、及び５２ｂは一つづつしか示されていないが、複数
設けてもよい。

【００３１】図４は本発明のプローブカード３０の測定
系等価回路５０を示している。等価回路５０において、
回路部５２及び６０はプローブカード３０の絶縁性基板
３２に設けられた信号線、接地電極、及び整合容量に対
応し、回路部５４及び５８は高周波プローブ１０ａ及び
１０ｂに設けられた信号線、接地電極、及び整合容量に
対応する。回路部５６には被測定物である電界効果型ト
ランジスタの等価回路が示されている。図４に示される
ように、被測定物である電界効果型トランジスタＴｒの
ゲート（Ｇ）に信号針１８ａが接続され、ドレン（Ｄ）
に信号針１８ｂが接続される。また、ソース（Ｓ）には
接地針２０ａ及び２０ｂが接続される。

【００３２】電界効果型トランジスタＴｒのゲートおよ
びドレインのインピーダンスは、そのゲート幅によっ
て、大きく影響される。通常、ゲートおよびドレインの
インピーダンスは測定計器が有するインピーダンス（５
０オーム）から大きく離れているため、トランジスタの
高周波特性を測定するために、測定機器とゲート及びド
レインとのインピーダンスを整合させるインピーダンス
整合回路が必要となる。本発明のプローブカード３０は
本体及び高周波プローブにマイクロストリップ伝送路及
び整合容量を設けインピーダンス整合回路を形成するこ
とができる。しかも、インピーダンス整合回路は、接地
針に近接した信号線を介してトランジスタのゲート及び
ドレインに近接して設けることができるため、インピー
ダンス整合回路とトランジスタとの間は高効率で電力が
伝送される。

【００３３】また、信号線４０ａ、４０ｂ、１４ａ、及
び１４ｂを有するマイクロストリップ伝送路は任意の形
状に加工でき、また任意容量を有する整合容量をマイク
ロストリップ伝送路の任意の場所に設けることができ
る。従って、インピーダンス整合回路のインピーダンス
を広い範囲で変化させることができ、種々のトランジス
タの測定に用いることができる。従って、ウェハー状態
のトランジスタに対し高周波測定を行うことができる。

【００３４】プローブカード３０はＤＣ測定と同様に全
自動ウェハープローバに装着してトランジスタの高周波
特性を測定あるいは検査することができる。図５は、プ
ローブカード３０を用いてウェハー状態のトランジスタ
を検査する方法を模式的に示している。ＤＣ測定と同様
に全自動ウェハープローバのステージ６２にウェハー６
４を真空チャックさせる。ウェハー６４には複数のトラ
ンジスタ６６が所定の間隔で形成されている。

【００３５】プローブカード３０はウェハーの上方に保
持されており、ステージ６２をｚ方向に移動させること
により、高周波プローブ１０ａの信号針１８ａ及び接地
針２０ａをトランジスタ６６のゲートパッド７０及びソ
ースパッド６８に接触させ、また高周波プローブ１０ｂ
の信号針１８ｂ及び接地針２０ｂをトランジスタ６６の
ドレインパッド７４及びソースパッド７２に接触させ
る。図１Ｄを用いて説明したように、本発明の高周波プ
ローブあるいはプローブカードを用いて高周波特性を測
定できるように、トランジスタのゲート電極及びドレイ
ン電極に近接してソース電極が設けられている。

【００３６】信号針１８ａに所定の高周波数の入力信号
を印加し、信号針１８ｂから出力信号を取り出すことに
より、トランジスタ６６の最大出力やゲインなどを測定
できる。また、バイアスＴなどを用いてあらかじめ直流
電流をバイアスできるようにしておけば、ＤＣ特性も同
時に測定することができる。

【００３７】ＲＦ測定及びＤＣ測定終了後、ステージ６
２をＺ方向に下げて、各パッドから信号針及び接地針を
離し、ｘ方向及びｙ方向にステージを移動させることに
より、隣接するトンランジスタの測定を同様の手順によ
り行う。

【００３８】本発明の高周波プローブ及びプローブカー
ドを用いることによって、ウェハー状態で半導体デバイ
スの高周波特性を測定することができる。図６に示され
るように、ウェハー状態の半導体デバイスに対し、ＤＣ
検査及びＲＦ検査を同時に行って（ステップ８０）、Ｄ
Ｃ検査及びＲＦ検査の両方に合格したデバイスだけを、
良品チップとして回路基板に実装することができる。

【００３９】本発明によれば、チップ状態の半導体デバ
イスをパッケージに組み込む必要がないので、製造工程
を減らすことができ、最終歩留まりが向上するととも
に、組立工程も、短縮される。また、従来パッケージに
組み立てられた半導体デバイスに対し、ＲＦ検査を行う
には、パッケージ一つ一つを測定装置にセットし、検査
する必要があった。本発明によれば、ウェハー状態で、
一度に、かつ自動的にＲＦ検査を行うことができるた
め、検査に要する時間も大幅に短縮される。

【００４０】また、高周波プローブやプローブカードに
マイクロストリップ伝送路や整合容量を設け、インピー
ダンス整合回路を形成することができるので、半導体デ
バイスを実動作に近い状態でＲＦ検査ができる。また、
被測定物の内部インピーダンスに合わせて任意のインピ
ーダンス整合回路を形成することができる。通常、半導
体デバイスのパッドの位置や外形に合わせて、プローブ
カードの測定針の位置を設計するため、半導体デバイス
の種類ごとにプローブカードを用意しなければならな
い。従って、測定針の設計と合わせてその半導体デバイ
スの内部抵抗に合わせたインピーダンス整合回路をプロ
ーブカードに形成すればよい。

【００４１】上記実施例では、電界効果型トランジスタ
を測定するためのプローブカードを説明したが、他の半
導体デバイスでも同様に測定できることは理解される。
また、被測定物に合わせ、プローブカードは２つ以上の
高周波プローブを有していてもよい。特に、本発明の高
周波プローブは、マイクロストリップ伝送路の形成され
た絶縁性基板をプローブカード本体基板に対し垂直に保
持しているので、複数の高周波プローブを密接させて設
けることができる。

【００４２】例えば、図７に示されるようにプローブカ
ード８６は４つの高周波プローブ１０ｅ、１０ｆ、１０
ｇ、及び１０ｈを有していてもよい。プローブカード８
６は測定用の貫通孔３４及び適当な間隔で設けられた複
数の貫通孔３６を備えた絶縁性基板３２を有している。
絶縁性基板３２の表面にはそれぞれ導電性薄膜からなる
表面接地電極３８と、信号線４０ｅ、４０ｆ、４０ｇ、
及び４０ｈとが形成されている。絶縁性基板３２の裏面
の全面には裏面接地電極４２が形成されており、裏面接
地電極４２と表面接地電極３８とは貫通孔３６を介して
電気的に接続されている。信号線４０ｅ〜４０ｈ、表面
接地電極３８、及び裏面接地電極４２はマイクロストリ
ップ伝送経路を形成している。表面接地電極３８上に
は、４つの高周波プローブ１０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、及
び１０ｈが設けられていれる。また、信号線４０ｃ及び
４０ｄは被測定物に直流バイアスを与えるために設けら
れており、信号線４０ｃ及び４０ｄに直流プローブ４６
ｃ及び４６ｄが電気的に接続されている。更に、各信号
線４０ｅ〜４０ｈと表面接地電極３８との間に整合容量
５０ｅ〜５０ｈが設けられている。各高周波プローブ１
０ｅ、１０ｆ、１０ｇ、及び１０ｈは図３Ａ及び図３Ｂ
に示す構造と同様に、表面接地電極３８の表面に保持さ
れている。

【００４３】このプローブカードは、例えば、高周波数
の信号を２段階で周波数変換するミキサーなどに適して
いる。高周波プローブ１０ｅ、１０ｆ、及び１０ｇに、
基本高周波信号及び２つのローカル信号を入力し高周波
プローブ１０ｈから周波数変換後の高周波信号を取り出
すことができる。

【００４４】

【発明の効果】本発明によれば、高周波電力を半導体デ
バイスへ伝送可能な高周波プローブが得られる。マイク
ロストリップ伝送路の特性インピーダンスを５０オーム
程度に調節し、Ｓパラメータの測定から半導体チップの
入力インピーダンスを測定することができる。

【００４５】また、本発明によれば、半導体デバイスと
信号源またはパワーセンサーとのインピーダンス整合が
可能となり、ウェーハー状態の半導体デバイスの高周波
特性を測定することのできるプローブカードが得られ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、及び（ｄ）はそれぞ
れ本発明の高周波プローブの表面図、裏面図、側面図、
及び斜視図

【図２】本発明のプローブカードの平面図

【図３】（ａ）及び（ｂ）は図２に示されるプローブカ
ードの３Ａ−３Ａ要部断面及び３Ｂ−３Ｂ要部断面図

【図４】本発明のプローブカードを用いた測定系の等価
回路図

【図５】本発明のプローブカードを用いてウェハー状態
の半導体デバイスに対しＲＦ検査を行う方法を説明する
図

【図６】本発明のプローブカードを用いた半導体デバイ
スの組み立てフロー図

【図７】４つの高周波プローブを搭載した本発明のプロ
ーブカードの平面図

【図８】従来のプローブカードを用いた半導体デバイス
の組み立てフロー図

【符号の説明】

１０ 高周波プローブ １２ 絶縁性基板 １４ 信号線 １６ 接地電極 １８ 信号針 ２０ 接地針 ２２、２４ 側面 ２３ 溝 ２６ 信号電極パッド ２８ 接地電極パッド

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体素子へ高周波信号を入出力させるた
   めの高周波プローブであって、該高周波プローブは、 表面、裏面、及び側底面を有する絶縁性基板と、 該絶縁性基板の該表面に形成された導電体からなる信号
   線と、該絶縁性基板の該裏面の実質的に全面に形成され
   た導電体からなる接地電極とを有するマイクロストリッ
   プ伝送線と、 該信号線及び該接地電極にそれぞれ電気的に接続された
   信号針び接地針であって、該半導体素子の信号電極パッ
   ド及び接地電極パッドにそれぞれ同時に接触するよう
   に、該側底面とその先端との距離が実質的に互いに等し
   く、かつ近接して設けられた信号針及び接地針と、 を有する高周波プローブ。
2. 【請求項２】前記絶縁性基板はＬ字形を有している請求
   項１の高周波プローブ。
3. 【請求項３】前記信号針は前記Ｌ字形絶縁基板の端部の
   側面に設けられている請求項２の高周波プローブ。
4. 【請求項４】前記マイクロストリップ伝送路が前記半導
   体素子の有するインピーダンスに整合するように前記信
   号線はパターニングされ、整合容量が付加されている請
   求項１の高周波プローブ。
5. 【請求項５】表面、裏面、及び側底面を有する第１の絶
   縁性基板と、該第１の絶縁性基板の該表面に形成された
   導電体からなる第１の信号線と、該絶縁性基板の該裏面
   の実質的に全面に形成された導電体からなる接地電極と
   を有する第１のマイクロストリップ伝送線と、該信号線
   及び該接地電極にそれぞれ電気的に接続された信号針及
   び接地針であって、該半導体素子の信号電極パッド及び
   接地電極パッドにそれぞれ同時に接触するように、該側
   底面とその先端との距離が実質的に互いに等しく、かつ
   近接して設けられた信号針及び接地針とを有する半導体
   素子へ高周波信号を入出力させるための高周波プローブ
   と、 表面及び裏面を有し、第１の貫通孔と、適当な間隔に位
   置して設けられた複数の第２の貫通孔とを備えた第２の
   絶縁性基板と、 該第２の絶縁性基板の該表面に形成された導電体からな
   る第２の信号線と、該第２の絶縁性基板の該裏面の実質
   的に全面に形成された接地電極と、該第２の絶縁性基板
   の該裏面に形成され、該複数の第２の貫通孔を介して該
   接地電極に接続された表面接地電極とを有する第２のマ
   イクロストリップ伝送線と、 少なくとも該第１及び第２のマイクロストリップ伝送路
   に設けられたインピーダンス整合部品と、 を有するプローブカードであって、 該信号針及び該接地針が該第１の貫通孔を通るように、
   該高周波プローブは該第２の絶縁性基板の該表面上に該
   第２の絶縁性基板に対し実質的に垂直に保持され、該第
   １の信号線は該第２の信号線と電気的に接続されてお
   り、該第１の接地電極は該表面接地電極と電気的に接続
   されているプローブカード。