JPH0227746A - マイクロ波集積回路およびその製造方法 - Google Patents
マイクロ波集積回路およびその製造方法Info
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- JPH0227746A JPH0227746A JP63177811A JP17781188A JPH0227746A JP H0227746 A JPH0227746 A JP H0227746A JP 63177811 A JP63177811 A JP 63177811A JP 17781188 A JP17781188 A JP 17781188A JP H0227746 A JPH0227746 A JP H0227746A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はモノリンツクなマイクロ波集積回路とその製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来の技術
衛星通信や、衛星放送が盛んに利用されるようになって
、１２ＧＨｚ帯のマイクロ波集積回路の高性能化が求め
られるようになってきた。高性能化の技術開発と同時に
集積回路の製造コスト、あるいは小型化も求められ、ガ
リウムひ素（以下ＧａＡｓ）半導体を用いたモノリシッ
ク マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣ）の開発が進められ
ている。ＭＭＩＣ化の技術によってＧａＡＳ半導体基板
上に多数のマイクロ波回路が形成でき、コストの低減が
ｉｆ能となるだけでなく、集積回路自体の耐久性、信頼
性を高めることが出来る。
、１２ＧＨｚ帯のマイクロ波集積回路の高性能化が求め
られるようになってきた。高性能化の技術開発と同時に
集積回路の製造コスト、あるいは小型化も求められ、ガ
リウムひ素（以下ＧａＡｓ）半導体を用いたモノリシッ
ク マイクロ波集積回路（以下ＭＭＩＣ）の開発が進められ
ている。ＭＭＩＣ化の技術によってＧａＡＳ半導体基板
上に多数のマイクロ波回路が形成でき、コストの低減が
ｉｆ能となるだけでなく、集積回路自体の耐久性、信頼
性を高めることが出来る。
従来技術によるＭＭＩＣは第３図に示す様に基板３０１
の裏面に接地電極３０２を形成し基板表面に形成したＧ
ａＡｓ ＦＥＴ３０３、キャパシタ３０４、マイクロス
トリップライン（以下ＭＬＳ）３０５、などを集積する
ものである。このときＭＬＳ３０５は基板裏面の接地電
極との間で形成される伝送線路として所定の特性インピ
ーダンスで長さ、幅、形状が設計される。このようにし
て形成されたＭＭＩＣはチ・ｌプ状に分割されパッケー
ジに実装され用いられる。
の裏面に接地電極３０２を形成し基板表面に形成したＧ
ａＡｓ ＦＥＴ３０３、キャパシタ３０４、マイクロス
トリップライン（以下ＭＬＳ）３０５、などを集積する
ものである。このときＭＬＳ３０５は基板裏面の接地電
極との間で形成される伝送線路として所定の特性インピ
ーダンスで長さ、幅、形状が設計される。このようにし
て形成されたＭＭＩＣはチ・ｌプ状に分割されパッケー
ジに実装され用いられる。
発明が解決しようとする課題
しかしながら実際のＭＭＩＣの製造においては、同一の
半導体基板上に形成されたＭＭＩＣであっても特性は様
々な要因で不均一と成りマイクロ波特性によって選別す
る必要がある。従来のＭＭＩＣおよび製造方法では半導
体基板表面に集積されたＭＭＩＣに直接プローブ針など
を立てて、所定の周波数での動作を試験することが困難
であった。
半導体基板上に形成されたＭＭＩＣであっても特性は様
々な要因で不均一と成りマイクロ波特性によって選別す
る必要がある。従来のＭＭＩＣおよび製造方法では半導
体基板表面に集積されたＭＭＩＣに直接プローブ針など
を立てて、所定の周波数での動作を試験することが困難
であった。
最近ではＫａ帯のマイクロ波を導入、あるいは抽出する
マイクロ波用のプローブ針が開発されたが、特に第３図
に示される様な基板裏面との間で特性インピーダンスを
決めているようなＭＳＬを用いたＭＭＩＣでは半導体基
板表面に集積されたＭＭＩＣに直接プローブ針などを立
てたオンウェハ状での動作を試験ができなかった。その
ためオンウェハ状での検査は直流特性、或は低周波での
特性のみを評価し、高周波特性を予測した後善いと予測
されるもののみ実装し、再度高周波特性を評価し特性に
よる選別を行っていた。
マイクロ波用のプローブ針が開発されたが、特に第３図
に示される様な基板裏面との間で特性インピーダンスを
決めているようなＭＳＬを用いたＭＭＩＣでは半導体基
板表面に集積されたＭＭＩＣに直接プローブ針などを立
てたオンウェハ状での動作を試験ができなかった。その
ためオンウェハ状での検査は直流特性、或は低周波での
特性のみを評価し、高周波特性を予測した後善いと予測
されるもののみ実装し、再度高周波特性を評価し特性に
よる選別を行っていた。
本発明が解決しようとする課題は、従来技術によるＭＭ
ＩＣ，およびＭＭ Ｉ Ｃの製造方法では、半導体基板
上に形成されたＭＭＩＣの所定の高周波特性がオンウェ
ハ状で評価できなかったために、マイクロ波特性に関す
る評価選別の効率を上げることが出来なかったことであ
る。
ＩＣ，およびＭＭ Ｉ Ｃの製造方法では、半導体基板
上に形成されたＭＭＩＣの所定の高周波特性がオンウェ
ハ状で評価できなかったために、マイクロ波特性に関す
る評価選別の効率を上げることが出来なかったことであ
る。
課題を解決するための手段
本発明による課題を解決するための手段は、第１に半導
体基板表面上に半導体基板裏面の接地電極との間で特性
インピーダンスが決定されたマイクロストリップ線路が
少なくとも集積されたマイクロ波集積回路において、前
記マイクロストリップ線路のマイクロ波入力端及び出力
端の近傍に前記マイクロストリップ線路とは電気的に絶
縁されてしかも前記半導体基板裏面の接地電極と基板を
貫通する電極（バイヤホール）によって電気的に接続さ
れた島状の電極を有することを特徴とするマイクロ波集
積回路を用いることであり、第２に誘電体基板の主表面
に接地電極と伝送線路を有したコプレーナ型のマイクロ
波用のプローブ針を用い、前記プローブ針の伝送線路の
先端を、半導体基板上に形成されたマイクロ波集積回路
のマイクロストリップ線路のマイクロ波入力端、及び出
力端に接触させ、前記プローブ針の接地電極の先端を、
前記マイクロストリップ線路のマイクロ波入力端及び出
力端の近傍にあって前記マイクロストリップ線路とは電
気的に絶縁されてしかも前記半導体基板裏面の接地電極
と基板を貫通する電極（パイヤホール）によって電気的
に接続された島状の電極に接触させることにより、半導
体基板上に形成されたマイクロ波集積回路の高周波特性
をプローブ針で評価選別するマイクロ波集積回路の製造
方法を用いることである。
体基板表面上に半導体基板裏面の接地電極との間で特性
インピーダンスが決定されたマイクロストリップ線路が
少なくとも集積されたマイクロ波集積回路において、前
記マイクロストリップ線路のマイクロ波入力端及び出力
端の近傍に前記マイクロストリップ線路とは電気的に絶
縁されてしかも前記半導体基板裏面の接地電極と基板を
貫通する電極（バイヤホール）によって電気的に接続さ
れた島状の電極を有することを特徴とするマイクロ波集
積回路を用いることであり、第２に誘電体基板の主表面
に接地電極と伝送線路を有したコプレーナ型のマイクロ
波用のプローブ針を用い、前記プローブ針の伝送線路の
先端を、半導体基板上に形成されたマイクロ波集積回路
のマイクロストリップ線路のマイクロ波入力端、及び出
力端に接触させ、前記プローブ針の接地電極の先端を、
前記マイクロストリップ線路のマイクロ波入力端及び出
力端の近傍にあって前記マイクロストリップ線路とは電
気的に絶縁されてしかも前記半導体基板裏面の接地電極
と基板を貫通する電極（パイヤホール）によって電気的
に接続された島状の電極に接触させることにより、半導
体基板上に形成されたマイクロ波集積回路の高周波特性
をプローブ針で評価選別するマイクロ波集積回路の製造
方法を用いることである。
作用
本発明の作用は一般に用いられているマイクロ波用のプ
ローブ針がプローブ針の先端まで特性インピーダンスを
一定に保つために先端のすぐ近傍に接地電極を必要とし
た。そのためにＭＭ Ｉ Ｃのマイクロストリップ線路
の入出力端のすぐ近傍に基板裏面とバイヤホールで接続
された接地電極を設けることによりＭＭ Ｉ Ｃをオン
ウェハで測定することが出来る。またオンウェハ測定評
価によってチップ選別をマイクロ波特性によって行うこ
とができるために組立実装すべきチップの選別が効率よ
く行える。
ローブ針がプローブ針の先端まで特性インピーダンスを
一定に保つために先端のすぐ近傍に接地電極を必要とし
た。そのためにＭＭ Ｉ Ｃのマイクロストリップ線路
の入出力端のすぐ近傍に基板裏面とバイヤホールで接続
された接地電極を設けることによりＭＭ Ｉ Ｃをオン
ウェハで測定することが出来る。またオンウェハ測定評
価によってチップ選別をマイクロ波特性によって行うこ
とができるために組立実装すべきチップの選別が効率よ
く行える。
実施例
本発明の実施例を第１図に示す。第１図は本発明による
基板表面に製造されたＭＭＩＣとオンウェハ状のプロー
ブ針によるマイクロ波測定と評価方法である。１０１は
基板裏面に接地電極を仔したＧａＡｓ基板であり、１０
２はＭＭ Ｉ Ｃチップ、１０３はＭＭＩＣのマイクロ
波入出力端で、１００は基板を貫通した電極で、基板裏
面の接地電極に接続されたパイヤホールである。１０４
は本発明によるマイクロ波入出力端の近傍に形成した基
板裏面の接地電極とバイヤホール１００で接続された接
地電極である。また１０５はＭＭＩＣの他のポンディン
グパッドでバイアス供給用のパッドである。さらに１０
６はコプレーナ型のプローブ針の伝送線路の先端で、１
０７はその接地電極の先端であり、１０８はバイアス供
給用の通常のプローブ針である。同図から分かる様に、
ＭＭＩＣのマイクロ波入出力端１０３にプローブ針の伝
送線路の先端１０６が接触し、本発明によるマイクロ波
入出力端の近傍に形成した接地電１１０４はプローブ針
の接地電極の先端１０７と接触し、マイクロ波の測定評
価が基板上で可能となった。マイクロ波の測定精度は基
板」二に形成した接地電極のバイヤホールの寄生インダ
クタンスの大きさに依存するが１本実施例で作成したパ
イヤホールのインダクタンスは０．０８ｎＨであったが
この寄生インダクタンスによると思われる特性の変化は
５％未満であると推測され、実用上問題はなかった。し
かし特に高い測定精度を要求する場合にはパイヤホール
を複数形成することもできる。
基板表面に製造されたＭＭＩＣとオンウェハ状のプロー
ブ針によるマイクロ波測定と評価方法である。１０１は
基板裏面に接地電極を仔したＧａＡｓ基板であり、１０
２はＭＭ Ｉ Ｃチップ、１０３はＭＭＩＣのマイクロ
波入出力端で、１００は基板を貫通した電極で、基板裏
面の接地電極に接続されたパイヤホールである。１０４
は本発明によるマイクロ波入出力端の近傍に形成した基
板裏面の接地電極とバイヤホール１００で接続された接
地電極である。また１０５はＭＭＩＣの他のポンディン
グパッドでバイアス供給用のパッドである。さらに１０
６はコプレーナ型のプローブ針の伝送線路の先端で、１
０７はその接地電極の先端であり、１０８はバイアス供
給用の通常のプローブ針である。同図から分かる様に、
ＭＭＩＣのマイクロ波入出力端１０３にプローブ針の伝
送線路の先端１０６が接触し、本発明によるマイクロ波
入出力端の近傍に形成した接地電１１０４はプローブ針
の接地電極の先端１０７と接触し、マイクロ波の測定評
価が基板上で可能となった。マイクロ波の測定精度は基
板」二に形成した接地電極のバイヤホールの寄生インダ
クタンスの大きさに依存するが１本実施例で作成したパ
イヤホールのインダクタンスは０．０８ｎＨであったが
この寄生インダクタンスによると思われる特性の変化は
５％未満であると推測され、実用上問題はなかった。し
かし特に高い測定精度を要求する場合にはパイヤホール
を複数形成することもできる。
第２図は本発明によるチップ状のＭＭＩＧとその実装例
であり、特に基板表面上のマイクロストリップ線路のマ
イクロ波の入力端を拡大したものである。２０１はＧａ
Ａｓ基板、２０２はパッケージ、２０３はボンディング
ワイヤ、２０４はマイクロストリップ線路の入力端、２
０５は本発明による基板裏面とパイヤホール２００で接
続すれた接地電極である。同図に示す様にパッケージに
実装する場合に置いては従来となんら変わりなく同様の
実装ができる。このとき接地電極２０５のマイクロスト
リップ線路からの距離はマイクロストリップ線路幅の１
．５倍以上であればボンディングワイヤおよび入力端の
容量などに与える影響はほとんど無かった。従って実装
後も当初の設計値、あるいはオンウェハ測定値に対して
大きな特性の変化はない。
であり、特に基板表面上のマイクロストリップ線路のマ
イクロ波の入力端を拡大したものである。２０１はＧａ
Ａｓ基板、２０２はパッケージ、２０３はボンディング
ワイヤ、２０４はマイクロストリップ線路の入力端、２
０５は本発明による基板裏面とパイヤホール２００で接
続すれた接地電極である。同図に示す様にパッケージに
実装する場合に置いては従来となんら変わりなく同様の
実装ができる。このとき接地電極２０５のマイクロスト
リップ線路からの距離はマイクロストリップ線路幅の１
．５倍以上であればボンディングワイヤおよび入力端の
容量などに与える影響はほとんど無かった。従って実装
後も当初の設計値、あるいはオンウェハ測定値に対して
大きな特性の変化はない。
発明の効果
本発明によるマイクロ波集積回路、およびその製造方法
によって、ＭＭＩＣをオンウェハで効率よく測定評価で
き、また選別できる。また本発明による方法を用いても
従来どうりのパッケージへの実装が影響なく行える。
によって、ＭＭＩＣをオンウェハで効率よく測定評価で
き、また選別できる。また本発明による方法を用いても
従来どうりのパッケージへの実装が影響なく行える。
第１図は本発明の一実施例の測定選別方法を示す概略斜
視図、第２図は本発明のＭＭＩＣの実装の概略斜視図、
第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のＭＭＩＣの平面図、
断面図である。 １００．２００Φ・・バイヤホール、１０１命φ・裏面
に接地電極を仔したＧａＡｓ基板、１０２拳 拳−ＭＭ
ＩＣチップ、 １０３ ・ ＠ ＠ＭＭＩＣのマイクロ
波入出力端、１０４Φ・・マイクロ波入出力端の近傍に
形成した基板裏面とパイヤホールで接続された接地電極
、１０６・拳・コプレーナ型のプローブ針の伝送線路の
先端、１０７・・・接地電極の先端、２０１−・・Ｇａ
Ａｓ基板２０２・・・パッケージ、２０３−−・ボンデ
ィングワイヤ、２０４・・・マイクロストリップ線路の
入力端、２０５φｌｌ１１本発明による基板裏面とパイ
ヤホールで接続された接地電極。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第 図 １θ８−プロワｒ 第 図 みυ ３θ２
視図、第２図は本発明のＭＭＩＣの実装の概略斜視図、
第３図（ａ）、 （ｂ）は従来のＭＭＩＣの平面図、
断面図である。 １００．２００Φ・・バイヤホール、１０１命φ・裏面
に接地電極を仔したＧａＡｓ基板、１０２拳 拳−ＭＭ
ＩＣチップ、 １０３ ・ ＠ ＠ＭＭＩＣのマイクロ
波入出力端、１０４Φ・・マイクロ波入出力端の近傍に
形成した基板裏面とパイヤホールで接続された接地電極
、１０６・拳・コプレーナ型のプローブ針の伝送線路の
先端、１０７・・・接地電極の先端、２０１−・・Ｇａ
Ａｓ基板２０２・・・パッケージ、２０３−−・ボンデ
ィングワイヤ、２０４・・・マイクロストリップ線路の
入力端、２０５φｌｌ１１本発明による基板裏面とパイ
ヤホールで接続された接地電極。 代理人の氏名 弁理士 栗野重孝 はか１名第 図 １θ８−プロワｒ 第 図 みυ ３θ２
Claims (2)
- （１）半導体基板表面上にこの半導体基板裏面の接地電
極との間で特性インピーダンスが決定されたマイクロス
トリップ線路が少なくとも集積されたマイクロ波集積回
路において、前記マイクロストリップ線路のマイクロ波
入力端及び出力端の近傍に前記マイクロストリップ線路
とは電気的に絶縁され、前記半導体基板裏面の接地電極
と基板を貫通する電極によって電気的に接続された島状
の電極を有することを特徴とするマイクロ波集積回路。 - （２）誘電体基板の主表面に接地電極と伝送線路を有し
たコプレーナ型のマイクロ波用のプローブ針を用い、前
記プローブ針の伝送線路の先端を、半導体基板上に形成
されたマイクロ波集積回路のマイクロストリップ線路の
マイクロ波入力端及び出力端に接触させ、前記プローブ
針の接地電極の先端を、前記マイクロストリップ線路の
マイクロ波入力端及び出力端の近傍にあって前記マイク
ロストリップ線路とは電気的に絶縁されてしかも前記半
導体基板裏面の接地電極と基板を貫通する電極によって
電気的に接続された島状の電極に接触させ、前記半導体
基板上に形成されたマイクロ波集積回路の高周波特性を
プローブ針で評価選別することを特徴とするマイクロ波
集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177811A JPH0227746A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | マイクロ波集積回路およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63177811A JPH0227746A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | マイクロ波集積回路およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0227746A true JPH0227746A (ja) | 1990-01-30 |
Family
ID=16037504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63177811A Pending JPH0227746A (ja) | 1988-07-15 | 1988-07-15 | マイクロ波集積回路およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0227746A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153102A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-07-01 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック集積回路 |
| JPH0583017A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路装置 |
| JPH0528848U (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-16 | 高砂熱学工業株式会社 | 配管貫通孔の孔埋め補助具 |
| US5594358A (en) * | 1993-09-02 | 1997-01-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Radio frequency probe and probe card including a signal needle and grounding needle coupled to a microstrip transmission line |
| GB2522569A (en) * | 2012-10-22 | 2015-07-29 | U Shin Ltd | Door lock Actuator, Component mounting structure, and component mounting method |
-
1988
- 1988-07-15 JP JP63177811A patent/JPH0227746A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03153102A (ja) * | 1989-11-09 | 1991-07-01 | Nec Corp | マイクロ波モノリシック集積回路 |
| JPH0528848U (ja) * | 1991-09-19 | 1993-04-16 | 高砂熱学工業株式会社 | 配管貫通孔の孔埋め補助具 |
| JPH0583017A (ja) * | 1991-09-24 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロ波集積回路装置 |
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| GB2522569A (en) * | 2012-10-22 | 2015-07-29 | U Shin Ltd | Door lock Actuator, Component mounting structure, and component mounting method |
| GB2522569B (en) * | 2012-10-22 | 2017-02-15 | U-Shin Ltd | Door lock Actuator, Component mounting structure, and component mounting method |
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