JPS62115783A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS62115783A JPS62115783A JP25617085A JP25617085A JPS62115783A JP S62115783 A JPS62115783 A JP S62115783A JP 25617085 A JP25617085 A JP 25617085A JP 25617085 A JP25617085 A JP 25617085A JP S62115783 A JPS62115783 A JP S62115783A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- coplanar
- microwave
- fet
- line
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体装置に関し、特に半導体基板上に形
成された電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと記す）の
電極パターン形状に関するものである。
成された電界効果トランジスタ（以下ＦＥＴと記す）の
電極パターン形状に関するものである。
第２図は従来のこの種の半導体装置のＦＥＴのパターン
形状を示す図であり、以下、砒化ガリウムＦＥＴを例に
とり説明する。
形状を示す図であり、以下、砒化ガリウムＦＥＴを例に
とり説明する。
図において、半導体基板１中の破線で囲まれた動作層５
上に対向して形成された２つのソース電極２ｃ、２ｄ及
びドレイン電極３と、その間に形成したゲート電極４ａ
及び４ｂによりイントリンシックなＦ２７部６が構成さ
れており、ソース電極２ｃ、２ｄ、ドレイン電極３及び
ゲート電極４ａ、４ｂに、それぞれボンディング用のソ
ースパッド７ａ、７ｂ、ドレインパッド８及びゲートパ
ッド９が付属している。
上に対向して形成された２つのソース電極２ｃ、２ｄ及
びドレイン電極３と、その間に形成したゲート電極４ａ
及び４ｂによりイントリンシックなＦ２７部６が構成さ
れており、ソース電極２ｃ、２ｄ、ドレイン電極３及び
ゲート電極４ａ、４ｂに、それぞれボンディング用のソ
ースパッド７ａ、７ｂ、ドレインパッド８及びゲートパ
ッド９が付属している。
次にこのような電極パターンを有する従来のＦ 。
ＥＴのマイクロ波特性をオンウェハ状態で測定する場合
の動作について説明する。ＦＥＴの数ＧＨｚ以上におけ
るマイクロ波特性をオンウェハ状態で測定する場合には
、第２図（Ｃ１で示すような高誘電体基板１０８．１０
ｂ上に形成したコプレナー線路よりなるプローブニード
ル１３ａ、１３ｂをＦＥＴの所定の電極と接触させて行
なう、いわゆるＲＦズブロービング法用いられている。
の動作について説明する。ＦＥＴの数ＧＨｚ以上におけ
るマイクロ波特性をオンウェハ状態で測定する場合には
、第２図（Ｃ１で示すような高誘電体基板１０８．１０
ｂ上に形成したコプレナー線路よりなるプローブニード
ル１３ａ、１３ｂをＦＥＴの所定の電極と接触させて行
なう、いわゆるＲＦズブロービング法用いられている。
この図において、ｌｌａ、ｆｌｂは信号線、１２ａ〜１
２ｄはグランド線であり、その特性インピーダンスは、
図中のａ及びｂの長さによりプローブニードル１３ａ、
１３ｂが接続される測定系及び接続用伝送線路の特性イ
ンピーダンスＺ。
２ｄはグランド線であり、その特性インピーダンスは、
図中のａ及びｂの長さによりプローブニードル１３ａ、
１３ｂが接続される測定系及び接続用伝送線路の特性イ
ンピーダンスＺ。
（通常５０Ω）と同一になるように設計されている。
このＲＦプローブニードルを用いて従来のＦＥＴのソー
ス接地でのマイクロ波特性を測定する場合、第２図中）
に示すように、入力用プローブニードルＬ３ａの信号線
１）ａをゲート電極４に、出力用プローブニードル１３
ｂの信号線１）ｂをドレイン電極３に、またグランド線
１２ｂ、１２Ｇを２個のソース電極２ｄ、２ｃの各々に
接触させて行なう必要があった。しかしながら、このよ
うな方法でＦＥＴの特性を測定する場合には、コプレナ
ー線路のグランド線１２ａ及び１２ｄはソース電極と接
触しておらず、その結果コプレナー線路１２ａ、１２ｂ
は同電位とはならないものであった。なおこれはコプレ
ナー線路・１２ｃ、１２ｄについても同様である。
ス接地でのマイクロ波特性を測定する場合、第２図中）
に示すように、入力用プローブニードルＬ３ａの信号線
１）ａをゲート電極４に、出力用プローブニードル１３
ｂの信号線１）ｂをドレイン電極３に、またグランド線
１２ｂ、１２Ｇを２個のソース電極２ｄ、２ｃの各々に
接触させて行なう必要があった。しかしながら、このよ
うな方法でＦＥＴの特性を測定する場合には、コプレナ
ー線路のグランド線１２ａ及び１２ｄはソース電極と接
触しておらず、その結果コプレナー線路１２ａ、１２ｂ
は同電位とはならないものであった。なおこれはコプレ
ナー線路・１２ｃ、１２ｄについても同様である。
従来の半導体装置は以上のように構成されておす、各プ
ローブニードルの２つのコプレナー線路が同電位になら
ないので、プローブニードルヲ含む測定系とイントリン
シックＦＥＴ部とのインピーダンス整合がとれず、ＲＦ
信号を半導体装置に入力する際に反射、損失が増大し、
イントリンシックＦＥＴ部のマイクロ波特性の正確な値
が得られないなどの欠点があった。
ローブニードルの２つのコプレナー線路が同電位になら
ないので、プローブニードルヲ含む測定系とイントリン
シックＦＥＴ部とのインピーダンス整合がとれず、ＲＦ
信号を半導体装置に入力する際に反射、損失が増大し、
イントリンシックＦＥＴ部のマイクロ波特性の正確な値
が得られないなどの欠点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、オンウェハでＦＥＴのマイクロ波特性を精
度よく測定可能な半導体装置を得ることを目的とする。
れたもので、オンウェハでＦＥＴのマイクロ波特性を精
度よく測定可能な半導体装置を得ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は、電界効果トランジスタが
形成された半導体基板上に、イントリンシックな上記電
界効果トランジスタに接続されるように形成されマイク
ロ波測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー線
路を設けるようにしたものである。
形成された半導体基板上に、イントリンシックな上記電
界効果トランジスタに接続されるように形成されマイク
ロ波測定系と特性インピーダンスの等しいコプレナー線
路を設けるようにしたものである。
この発明においては、半導体装置にマイクロ波測定系と
特性インピーダンスの等しいコプレナー線路が形成され
ているから、該コプレナー線路によりマイクロ波測定系
と本半導体装置・の電界効果トランジスタとのインピー
ダンスが整合される。
特性インピーダンスの等しいコプレナー線路が形成され
ているから、該コプレナー線路によりマイクロ波測定系
と本半導体装置・の電界効果トランジスタとのインピー
ダンスが整合される。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による半導体装置を示し、図
において、１は半導体基板、’ｌａ、’ｌｂはソース電
極、３はドレイン電極、４はゲート電極、５は動作層、
６はイントリンシックＦＥＴ部、１３ａ、１３ｂはマイ
クロ波測定系及び接続用伝送線路と同一の特性インピー
ダンスＺｏ（通常５０Ω）を有するプローブニードル、
１４ａ、１４ｂはマイクロ波測定系と等しい特性インピ
ーダンスＺｏ（通常５０Ω）を持つように設計したコプ
レナー線路である。
において、１は半導体基板、’ｌａ、’ｌｂはソース電
極、３はドレイン電極、４はゲート電極、５は動作層、
６はイントリンシックＦＥＴ部、１３ａ、１３ｂはマイ
クロ波測定系及び接続用伝送線路と同一の特性インピー
ダンスＺｏ（通常５０Ω）を有するプローブニードル、
１４ａ、１４ｂはマイクロ波測定系と等しい特性インピ
ーダンスＺｏ（通常５０Ω）を持つように設計したコプ
レナー線路である。
本実施例装置は、半導体基板１上にマイクロ波測定系と
特性インピーダンスの等しいコプレナー線路１４ａ、１
４ｂを設け、イントリンシックなＦＥＴ部のゲート電極
４とドレイン電極３とをそれぞれコプレナー線路の信号
線の入力部分と出力部分とに接続し、ソース電極２ａ、
２ｂをコプレナー線路１４ａ、１４ｂのグランド線に接
続するようにしたものである。
特性インピーダンスの等しいコプレナー線路１４ａ、１
４ｂを設け、イントリンシックなＦＥＴ部のゲート電極
４とドレイン電極３とをそれぞれコプレナー線路の信号
線の入力部分と出力部分とに接続し、ソース電極２ａ、
２ｂをコプレナー線路１４ａ、１４ｂのグランド線に接
続するようにしたものである。
次に作用効果について説明する。ＲＦプローバでかかる
発明の半導体装置をマイクロ波測定しようとする場合、
第１図（ｂｌに示すように、入力用プローブニードル１
３ａの信号線１）ａをゲート電ｔ（ｉ４に、出力用プロ
ーブニードル１３ｂの信号線１）ｂをドレイン電極３に
、またグランドｖＡ１２ａ、１２ｂをコプレナー線路１
４ａを形成するソース電極２ａ、２ｂに、グランド線１
２ｃ、１２ｄをコプレナー線路１４ｂを形成するソース
電極２ａ、２ｂにそれぞれ接続すればよい。
発明の半導体装置をマイクロ波測定しようとする場合、
第１図（ｂｌに示すように、入力用プローブニードル１
３ａの信号線１）ａをゲート電ｔ（ｉ４に、出力用プロ
ーブニードル１３ｂの信号線１）ｂをドレイン電極３に
、またグランドｖＡ１２ａ、１２ｂをコプレナー線路１
４ａを形成するソース電極２ａ、２ｂに、グランド線１
２ｃ、１２ｄをコプレナー線路１４ｂを形成するソース
電極２ａ、２ｂにそれぞれ接続すればよい。
このように、本実施例ではマイクロ波測定の際に従来の
ものでは接触できなかった、グランド線１２ａ、１２ｄ
とソース電極２ａ、２ｂとをそれぞれ接触させることが
可能となり、その結果特性インピーダンスＺｏ’（通常
５０Ω）のコプレナー線路中のグランド線１２ａと１２
ｂ、１２ｃと１２ｄが同電位となり、プローブニードル
とイントリンシックＦＥＴとのインピーダンス整合がと
れ、ＦＥＴの正確なマイクロ波特性をオンウェハ状態で
測定できる。
ものでは接触できなかった、グランド線１２ａ、１２ｄ
とソース電極２ａ、２ｂとをそれぞれ接触させることが
可能となり、その結果特性インピーダンスＺｏ’（通常
５０Ω）のコプレナー線路中のグランド線１２ａと１２
ｂ、１２ｃと１２ｄが同電位となり、プローブニードル
とイントリンシックＦＥＴとのインピーダンス整合がと
れ、ＦＥＴの正確なマイクロ波特性をオンウェハ状態で
測定できる。
族、 ＩＩ−ＩＶ族半導体を用いてもよい。
また上記実施例ではＧａＡｓＦＥＴを例にとって説明し
たが、マイクロ波測定を行なう他の半導体素子にも適用
できることはいうまでもない。
たが、マイクロ波測定を行なう他の半導体素子にも適用
できることはいうまでもない。
以上のように、この発明に係る半導体装置によれば、イ
ントリンシックＦＥＴ部にマイクロ波測定系と同じ特性
インピーダンスを有するコプレナー線路を接続してＦＥ
Ｔを構成するようにしたので、イントリンシックＦＥＴ
部のマイクロ波特性の正確な値がオンウェハ状態で得ら
れるという効果がある。
ントリンシックＦＥＴ部にマイクロ波測定系と同じ特性
インピーダンスを有するコプレナー線路を接続してＦＥ
Ｔを構成するようにしたので、イントリンシックＦＥＴ
部のマイクロ波特性の正確な値がオンウェハ状態で得ら
れるという効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による半導体装置を示す平
面図、第２図は従来の半導体装置及びマイクロ波測定系
のプローブニードルを示す平面図である。 図において、１は半導体基板、６はイントリンシックＦ
ＥＴ部、１３はプローブニードル、１４はコプレナー線
路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は従来の半導体装置及びマイクロ波測定系
のプローブニードルを示す平面図である。 図において、１は半導体基板、６はイントリンシックＦ
ＥＴ部、１３はプローブニードル、１４はコプレナー線
路である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）基板上に電界効果トランジスタが形成された半導
体装置において、 イントリンシックな上記電界効果トランジスタに接続さ
れるように上記基板上に形成されマイクロ波測定系と等
しい特性インピーダンスを有するコプレナー線路を備え
たことを特徴とする半導体装置。 - （２）上記基板は、砒化ガリウム、シリコンまたは他の
III−Ｖ族、II−IV族半導体からなるものであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25617085A JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25617085A JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62115783A true JPS62115783A (ja) | 1987-05-27 |
| JPH0322697B2 JPH0322697B2 (ja) | 1991-03-27 |
Family
ID=17288880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25617085A Granted JPS62115783A (ja) | 1985-11-14 | 1985-11-14 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62115783A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817275A2 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency FET |
| EP0818824A2 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device |
| US5783847A (en) * | 1997-04-14 | 1998-07-21 | Ching-Kuang Tzuang | Dual-mode micrometer/millimeter wave integrated circuit package |
| JP2006093698A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Dongguk Univ Industry-Academic Cooperation Foundation | 超高周波半導体素子 |
-
1985
- 1985-11-14 JP JP25617085A patent/JPS62115783A/ja active Granted
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0817275A2 (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency FET |
| EP0817275A3 (en) * | 1996-06-28 | 1999-07-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency FET |
| KR100267816B1 (ko) * | 1996-06-28 | 2000-10-16 | 무라타 야스타카 | 고주파반도체장치 |
| EP0818824A2 (en) * | 1996-07-10 | 1998-01-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device |
| EP0818824A3 (en) * | 1996-07-10 | 1999-06-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device |
| US6285269B1 (en) | 1996-07-10 | 2001-09-04 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | High-frequency semiconductor device having microwave transmission line being formed by a gate electrode source electrode and a dielectric layer in between |
| US5783847A (en) * | 1997-04-14 | 1998-07-21 | Ching-Kuang Tzuang | Dual-mode micrometer/millimeter wave integrated circuit package |
| JP2006093698A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Dongguk Univ Industry-Academic Cooperation Foundation | 超高周波半導体素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0322697B2 (ja) | 1991-03-27 |
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