JPH03196540A - マイクロ波ウエハプローブ - Google Patents
マイクロ波ウエハプローブInfo
- Publication number
- JPH03196540A JPH03196540A JP1337865A JP33786589A JPH03196540A JP H03196540 A JPH03196540 A JP H03196540A JP 1337865 A JP1337865 A JP 1337865A JP 33786589 A JP33786589 A JP 33786589A JP H03196540 A JPH03196540 A JP H03196540A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microwave
- wafer probe
- signal line
- wafer
- probe
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 abstract description 22
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 3
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はマイクロ波半導体デバイスをウェハ状態で測
定するマイクロ波ウェハプローブに関するものである。
定するマイクロ波ウェハプローブに関するものである。
第４図は従来のガリウム砒素電界効果トランジスタ （
以下ＧａＡｓ ＦＥＴ と称す）のチップバクーン
を示した平面図、第５図は ＧａＡｓ ＦＥＴが形成
されているウェハの状態で ＧａＡｓ ＦＥＴのマイ
クロ波特性を測定する為のウェハプローブの斜視図であ
る。
以下ＧａＡｓ ＦＥＴ と称す）のチップバクーン
を示した平面図、第５図は ＧａＡｓ ＦＥＴが形成
されているウェハの状態で ＧａＡｓ ＦＥＴのマイ
クロ波特性を測定する為のウェハプローブの斜視図であ
る。
図において、ｌばＧａｐｓ ＦＥＴ ２１！’７
’−ト電極（Ｇｌ、３はドレイン電極（Ｄ）、４はソー
ス電極（３１１，（３２）、５はウェハブローバ本体、
６はプローブチップ、７は信号電力を取り出すマイクロ
波コネクタ、８はウェハプローブ５をプローブステーシ
ョンに固定する為のねし穴である。従来のプローブチッ
プ（６）はアルミナ等のマイクロ波帯で低損失の誘電体
で作られており、プローブチップの裏面は第６図に示さ
れるように、金属ｆ４膜の信号線絡９と２つのアースＮ
、路１０で構成されたコ・ブレーナ・ウェーブガイドが
形成されている。通常、このコ・ブレーナ・ウェーブガ
イドの特性インピーダンスは５０オームとなるように、
信号線路９の幅とピッチが決定されている。
’−ト電極（Ｇｌ、３はドレイン電極（Ｄ）、４はソー
ス電極（３１１，（３２）、５はウェハブローバ本体、
６はプローブチップ、７は信号電力を取り出すマイクロ
波コネクタ、８はウェハプローブ５をプローブステーシ
ョンに固定する為のねし穴である。従来のプローブチッ
プ（６）はアルミナ等のマイクロ波帯で低損失の誘電体
で作られており、プローブチップの裏面は第６図に示さ
れるように、金属ｆ４膜の信号線絡９と２つのアースＮ
、路１０で構成されたコ・ブレーナ・ウェーブガイドが
形成されている。通常、このコ・ブレーナ・ウェーブガ
イドの特性インピーダンスは５０オームとなるように、
信号線路９の幅とピッチが決定されている。
また、各線路の端には、ＧａＡｓ ＦＥＴ の電極と
良く接触させるためのバンプ（ＩＤが形成されている。
良く接触させるためのバンプ（ＩＤが形成されている。
第５図で示される従来のウェハプローブ（５）を用いて
、ＧａＡｓ ＦＥＴ（１１の高周波特性（ｓパラメー
タや雑音指数等）を測定する場合、２個のウェハプロー
バ（５）を用いることが必要であり、１個のウェハプロ
ーブの信号線路（９）とアース線路００）を、ＧａＡｓ
ＦＥＴ のゲート電極（２）とソース電極Ｓ１にそ
れぞれ接触させ、もう一方のウェハプローバの信号線路
（９）とアース線路（１０１をＧａＡｄ ＦＥＴのド
レイン電極（３）とソース電極Ｓ２にそれぞれ接触させ
ろ。次に、２個のウェハプローブ（５）に付いているマ
イクロ波コネクタ（７）間に、ネットワークアナライザ
や雑音指数メータ等の測定装置が接続され、希望項目の
高周波特性を測定する。
、ＧａＡｓ ＦＥＴ（１１の高周波特性（ｓパラメー
タや雑音指数等）を測定する場合、２個のウェハプロー
バ（５）を用いることが必要であり、１個のウェハプロ
ーブの信号線路（９）とアース線路００）を、ＧａＡｓ
ＦＥＴ のゲート電極（２）とソース電極Ｓ１にそ
れぞれ接触させ、もう一方のウェハプローバの信号線路
（９）とアース線路（１０１をＧａＡｄ ＦＥＴのド
レイン電極（３）とソース電極Ｓ２にそれぞれ接触させ
ろ。次に、２個のウェハプローブ（５）に付いているマ
イクロ波コネクタ（７）間に、ネットワークアナライザ
や雑音指数メータ等の測定装置が接続され、希望項目の
高周波特性を測定する。
従来のマイクロ波ウェハプローブば以上のように構成さ
れていたので、ＧａＡｓ ＦＥＴ の高周波特性を測
定する場合、信号入力と出力の２個のウェハプローブを
用いろ必要があり、次の問題点があった。
れていたので、ＧａＡｓ ＦＥＴ の高周波特性を測
定する場合、信号入力と出力の２個のウェハプローブを
用いろ必要があり、次の問題点があった。
■： ２ｇのウェハプローブを各々非常に近接したゲー
ト電極及びドレイン電極に精密に位置合せをする必要が
あるので、かなりの位置合せ作業時間が必要であり、か
つプローブを接触させない等かなりの技術を必要として
いた。
ト電極及びドレイン電極に精密に位置合せをする必要が
あるので、かなりの位置合せ作業時間が必要であり、か
つプローブを接触させない等かなりの技術を必要として
いた。
■：高価なマイクロ波ウェハプローブを２個必要として
いた。
いた。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、１個のマイクロ波ウェハプローブを用いる事
により、迅速に ＧａＡＳ ＦＥＴのマイクロ波特性を
測定することを目的とする。
たもので、１個のマイクロ波ウェハプローブを用いる事
により、迅速に ＧａＡＳ ＦＥＴのマイクロ波特性を
測定することを目的とする。
この発明に、係るマイクロ波ウェハプローブは、１つの
ウェハプローブに特性インピーダンスが一致した入力お
よび出力の２個の端子を設けたものである。
ウェハプローブに特性インピーダンスが一致した入力お
よび出力の２個の端子を設けたものである。
この発明におけるマイクロ波ウェハプローブは、プロー
ブチップの裏面に入力および出力用のバンブを形成し、
このバンブから特性インピーダンスの一致したコ・プレ
ーナ線路を引き出す。
ブチップの裏面に入力および出力用のバンブを形成し、
このバンブから特性インピーダンスの一致したコ・プレ
ーナ線路を引き出す。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図はこの発明の一実施例であるウェハプローブの斜視図
、第２図はウェハプローブのプローブチップの裏面パタ
ーン図である。
図はこの発明の一実施例であるウェハプローブの斜視図
、第２図はウェハプローブのプローブチップの裏面パタ
ーン図である。
なお、前記従来のものと同一符号は同一部分を示す。
図において、１２はＧａＡｓ ＦＥＴ のゲート電極
２と電気的に接続されるマイクロ波入力コネクタ、１３
はＧａＡｓ ＦＥＴ のドレイン電極３と電気的に
接続されるマイクロ波出力コネクタ。
２と電気的に接続されるマイクロ波入力コネクタ、１３
はＧａＡｓ ＦＥＴ のドレイン電極３と電気的に
接続されるマイクロ波出力コネクタ。
１４はマイクロ波入力コネクタにと接続している入力信
号線路、１５はマイクロ波出力コネクタ１３と接続して
いる出力信号線路である。入力信号線路１４は前記従来
のプローブチップと同じくアース線路に狭まれたコプレ
ーナウェーブガイド構造であり、特性インピーダンスは
５０オームに設定されており、出力信号線路１５はアー
ス線路と信号線路が同一平面上にあるコプレーナストリ
ップライン構造である。その特性インピーダンスは入力
信号線路と同じく５０オームに設定されている。
号線路、１５はマイクロ波出力コネクタ１３と接続して
いる出力信号線路である。入力信号線路１４は前記従来
のプローブチップと同じくアース線路に狭まれたコプレ
ーナウェーブガイド構造であり、特性インピーダンスは
５０オームに設定されており、出力信号線路１５はアー
ス線路と信号線路が同一平面上にあるコプレーナストリ
ップライン構造である。その特性インピーダンスは入力
信号線路と同じく５０オームに設定されている。
本実施例のマイクロ波ウェハプローブにおいては、１個
のプローブヘッドに入力信号線路１４と出力信号線路１
５が形成されているので、各々の線路の先端部のバンブ
とＧａＡｓ ＦＥＴ のドレイン電極３とゲート電極
２に接触させ、アース線路１０とソース電極Ｓ１を接触
させることにより、従来の２個のウェハプローブを用い
ているのと同じ＜ＧａＡｓ ＦＥＴ のマイクロ波特
性が測定することができる。ただし、本実施例の場合、
従来プローバと異なり、−個のマイクロ波ウェハプロー
ブによって測定するので次の利点がある。
のプローブヘッドに入力信号線路１４と出力信号線路１
５が形成されているので、各々の線路の先端部のバンブ
とＧａＡｓ ＦＥＴ のドレイン電極３とゲート電極
２に接触させ、アース線路１０とソース電極Ｓ１を接触
させることにより、従来の２個のウェハプローブを用い
ているのと同じ＜ＧａＡｓ ＦＥＴ のマイクロ波特
性が測定することができる。ただし、本実施例の場合、
従来プローバと異なり、−個のマイクロ波ウェハプロー
ブによって測定するので次の利点がある。
■： ＧａＡｓ ＦＥＴ の電極とウェハプローブの
バンブの位置合せが容易になり、測定の再現性も向上す
る。
バンブの位置合せが容易になり、測定の再現性も向上す
る。
■：高価なマイクロ波ウェハプローブを２個使用せず１
個のみ使用するので経済的である。
個のみ使用するので経済的である。
第３図は本発明の他の実施例であるプローブチップのパ
ターンの平面図を示す。この他の実施例は入力信号線路
１４および出力信号線路１５ともアース線路１１に狭ま
れたコープレーナウエーブガイド構造となっているので
、入力信号と出力信号のクロスト−りが少ないという利
点がある。
ターンの平面図を示す。この他の実施例は入力信号線路
１４および出力信号線路１５ともアース線路１１に狭ま
れたコープレーナウエーブガイド構造となっているので
、入力信号と出力信号のクロスト−りが少ないという利
点がある。
なお、上記実施例では被測定マイクロ波半導体デバイス
としてＧａＡｓ ＦＥＴ の場合について述へたが、
デバイスがシリコンパイボーラトランジスク等他のマイ
クロ波半導体デバイスであってもよいことは言うまでも
ない。
としてＧａＡｓ ＦＥＴ の場合について述へたが、
デバイスがシリコンパイボーラトランジスク等他のマイ
クロ波半導体デバイスであってもよいことは言うまでも
ない。
以上のようにこの発明によれば、ウェハプローブヘラＦ
部に入力信号Ｒ路と出力信号線路端子を設け、各々の線
路の特性インピーダンスを一致させることにより、１個
のウェハプローブヘッドによりマイクロ波半導体デバイ
スのマイクロ波特性を正確にかつ迅速に測定できるとい
う効果がある。
部に入力信号Ｒ路と出力信号線路端子を設け、各々の線
路の特性インピーダンスを一致させることにより、１個
のウェハプローブヘッドによりマイクロ波半導体デバイ
スのマイクロ波特性を正確にかつ迅速に測定できるとい
う効果がある。
第１図はこの発明の一実施例を示すマイクロ波ウェハプ
ローブの斜視図、第２図は、この発明のウェハプローブ
ヘッドの裏西パターン図、第３図はこの発明の他の実施
例を示すウェハプローブヘッドの裏面パターン図、第４
図は従来およびこの発明共通のウェハプローブによって
測定するＧａＡｓ ＦＥＴ の概略パターン図、第５
図は従来のマイクロ波ウェハプローブの斜視図、第６図
は第５図のマイクロ波ウェハプローブヘッドの裏面パタ
ーン図である。 図において、１は ＧａＡｓ ＦＥＴ、２はゲー）′
ｒｉ極、３ｉ、ｔｌ−”レイン電極、４はソース電極、
５はウェハプローブ本体、６はウェハプローブヘッド、
７はマイクロ波コネクタ、８はねし穴、９は信号線路、
１０はアース線路、１１はバンプ、１２ばマイクロ波入
力コネクタ、１３はマイクロ波出力コネクタ、１４は入
力信号線路、１５は出方信号線路を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ローブの斜視図、第２図は、この発明のウェハプローブ
ヘッドの裏西パターン図、第３図はこの発明の他の実施
例を示すウェハプローブヘッドの裏面パターン図、第４
図は従来およびこの発明共通のウェハプローブによって
測定するＧａＡｓ ＦＥＴ の概略パターン図、第５
図は従来のマイクロ波ウェハプローブの斜視図、第６図
は第５図のマイクロ波ウェハプローブヘッドの裏面パタ
ーン図である。 図において、１は ＧａＡｓ ＦＥＴ、２はゲー）′
ｒｉ極、３ｉ、ｔｌ−”レイン電極、４はソース電極、
５はウェハプローブ本体、６はウェハプローブヘッド、
７はマイクロ波コネクタ、８はねし穴、９は信号線路、
１０はアース線路、１１はバンプ、１２ばマイクロ波入
力コネクタ、１３はマイクロ波出力コネクタ、１４は入
力信号線路、１５は出方信号線路を示す。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 特性インピーダンスが一致した入力線路と出力線路の電
極端子を有するプローブヘッドを有し、１つのプローブ
で半導体デバイスのマイクロ波特性が測定できることを
特徴とするマイクロ波ウェハプローブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337865A JPH03196540A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | マイクロ波ウエハプローブ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337865A JPH03196540A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | マイクロ波ウエハプローブ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03196540A true JPH03196540A (ja) | 1991-08-28 |
Family
ID=18312716
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337865A Pending JPH03196540A (ja) | 1989-12-25 | 1989-12-25 | マイクロ波ウエハプローブ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03196540A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06244263A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-09-02 | Hughes Aircraft Co | マイクロ波モノリシック集積回路の試験方法及び回路 |
-
1989
- 1989-12-25 JP JP1337865A patent/JPH03196540A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06244263A (ja) * | 1992-12-14 | 1994-09-02 | Hughes Aircraft Co | マイクロ波モノリシック集積回路の試験方法及び回路 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4853627A (en) | Wafer probes | |
| US6194739B1 (en) | Inline ground-signal-ground (GSG) RF tester | |
| Strid et al. | A DC-12 GHz monolithic GaAsFET distributed amplifier | |
| US4851794A (en) | Microstrip to coplanar waveguide transitional device | |
| US5010019A (en) | Method of making a semiconductor device operating in high frequency range | |
| US4795989A (en) | MMW microstrip coupler having movable test probe | |
| JPS62190738A (ja) | ウエハプロ−ブ | |
| JPH03196540A (ja) | マイクロ波ウエハプローブ | |
| JPS62290144A (ja) | 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 | |
| JPS623385B2 (ja) | ||
| JPH0322697B2 (ja) | ||
| JP2668423B2 (ja) | 高周波回路の測定装置 | |
| JP2568495B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0427874A (ja) | 高周波素子測定用プローブヘッド | |
| JPH04155261A (ja) | 超高周波プローブ針 | |
| JPH04336441A (ja) | マイクロ波帯プローブヘッド | |
| JPS62291976A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH08306709A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JP2956827B2 (ja) | 集積回路装置 | |
| JPH0262064A (ja) | セラミックパッケージ | |
| JPH1093111A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH02155250A (ja) | 半導体装置とその特性測定方法 | |
| JP2000031500A (ja) | 高周波半導体装置 | |
| JPH04342152A (ja) | 半導体測定装置 | |
| Temple et al. | Techniques for improving the stability and amplifier performance of X-band GaAs power FETs |