JPH04336441A - マイクロ波帯プローブヘッド - Google Patents
マイクロ波帯プローブヘッドInfo
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- JPH04336441A JPH04336441A JP10790491A JP10790491A JPH04336441A JP H04336441 A JPH04336441 A JP H04336441A JP 10790491 A JP10790491 A JP 10790491A JP 10790491 A JP10790491 A JP 10790491A JP H04336441 A JPH04336441 A JP H04336441A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- probe head
- ground
- line
- pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 13
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば約１ＧＨｚ以上
のマイクロ波帯における能動素子および受動素子のウェ
ハ状態のままでの測定に使用するマイクロ波帯プローブ
ヘッドに関するものである。
のマイクロ波帯における能動素子および受動素子のウェ
ハ状態のままでの測定に使用するマイクロ波帯プローブ
ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は測定の対象である量産型ＨＥＭＴ
（高電子移動トランジスタ）チップ１０のパターンを表
わす平面図である。この図において、１１は入力信号（
ゲート）パッド、１２は出力信号（ドレイン）パッド、
１３はグランド（ソース）パッドである。
（高電子移動トランジスタ）チップ１０のパターンを表
わす平面図である。この図において、１１は入力信号（
ゲート）パッド、１２は出力信号（ドレイン）パッド、
１３はグランド（ソース）パッドである。
【０００３】図４は測定に使用するマイクロ波帯プロー
ブヘッドの一例としてのコプレーナ型プローブヘッド２
０を示す斜視図である。図において、２１は信号線路端
、２２はグランド線路端であり、これらは同一直線上に
ある。
ブヘッドの一例としてのコプレーナ型プローブヘッド２
０を示す斜視図である。図において、２１は信号線路端
、２２はグランド線路端であり、これらは同一直線上に
ある。
【０００４】図５は量産型ＨＥＭＴチップ１０のキャリ
ア品の平面図である。図において、３１はサファイア基
板、３２はマイクロストリップ線路、３３はボンディン
グワイヤ、１０は図３に示した量産型ＨＥＭＴチップ（
以下、単にチップという）である。
ア品の平面図である。図において、３１はサファイア基
板、３２はマイクロストリップ線路、３３はボンディン
グワイヤ、１０は図３に示した量産型ＨＥＭＴチップ（
以下、単にチップという）である。
【０００５】チップ１０はその大きさ等の制限から、図
４に示すコプレーナ型プローブヘッド２０の線路端の配
置に適合したパッド構造を取れないため、ウェハ状態の
ままでの電気的特性の測定ができない。そのため、チッ
プ１０は単体に分離し、さらに図５に示すようなキャリ
ア品に加工し、コプレーナ型プローブヘッド２０を用い
て電気的特性の測定を行う。チップ１０への信号の入出
力は、各パッド１１〜１３とマイクロストリップ線路３
２間にボンディングされたボンディングワイヤ３３、マ
イクロストリップ線路３２および同軸ケーブル（図示せ
ず）を介して行われる。
４に示すコプレーナ型プローブヘッド２０の線路端の配
置に適合したパッド構造を取れないため、ウェハ状態の
ままでの電気的特性の測定ができない。そのため、チッ
プ１０は単体に分離し、さらに図５に示すようなキャリ
ア品に加工し、コプレーナ型プローブヘッド２０を用い
て電気的特性の測定を行う。チップ１０への信号の入出
力は、各パッド１１〜１３とマイクロストリップ線路３
２間にボンディングされたボンディングワイヤ３３、マ
イクロストリップ線路３２および同軸ケーブル（図示せ
ず）を介して行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のように、図５の
ようなキャリア品に加工してから測定を行う場合、測定
までにチップ１０の切断、キャリアプレートへのマウン
ト、ワイヤボンディング等の作業を必要とし、測定を行
う際も、キャリア品一つ一つを治具に取り付けなけらば
ならず、プロセス完了からチップ評価までに多くの時間
と労力を要する。また、キャリア品とすることで測定端
面、信号の伝送損失等の補正が複雑となり、ウェハ状態
での測定と比較して、測定精度は劣化するという問題点
があった。
ようなキャリア品に加工してから測定を行う場合、測定
までにチップ１０の切断、キャリアプレートへのマウン
ト、ワイヤボンディング等の作業を必要とし、測定を行
う際も、キャリア品一つ一つを治具に取り付けなけらば
ならず、プロセス完了からチップ評価までに多くの時間
と労力を要する。また、キャリア品とすることで測定端
面、信号の伝送損失等の補正が複雑となり、ウェハ状態
での測定と比較して、測定精度は劣化するという問題点
があった。
【０００７】本発明は、上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、量産型ＨＥＭＴチップのウェハ
状態での電気的特性の測定を可能にし、測定効率および
精度の向上をはかったマイクロ波帯プローブヘッドを得
ることを目的とするものである。
ためになされたもので、量産型ＨＥＭＴチップのウェハ
状態での電気的特性の測定を可能にし、測定効率および
精度の向上をはかったマイクロ波帯プローブヘッドを得
ることを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係るマイクロ波
帯プローブヘッドは、グランド線路面を挟んで、その両
側面にそれぞれ絶縁体を介して信号線路を形成し、これ
らの信号線路の線路端をマイクロ波帯素子の入力信号パ
ッド，出力信号パッドに、また、グランド線路面の端部
をマイクロ波帯素子のグランドパッドに接触させる線路
端としたものである。
帯プローブヘッドは、グランド線路面を挟んで、その両
側面にそれぞれ絶縁体を介して信号線路を形成し、これ
らの信号線路の線路端をマイクロ波帯素子の入力信号パ
ッド，出力信号パッドに、また、グランド線路面の端部
をマイクロ波帯素子のグランドパッドに接触させる線路
端としたものである。
【０００９】
【作用】本発明においては、量産型ＨＥＭＴチップに対
してウェハ状態での電気的特性の測定が可能となる。
してウェハ状態での電気的特性の測定が可能となる。
【００１０】
【実施例】図１は本発明に基づくプローブヘッドの一例
を示す斜視図である。図において、１は本発明によるマ
イクロ波帯プローブヘッドで、２は面状のグランド線路
で、この両側面に絶縁体３，４を介して入力信号線路５
，出力信号線路６が形成される。２Ａはグランド線路端
、５Ａは入力信号線路端、６Ａは出力信号線路端である
。
を示す斜視図である。図において、１は本発明によるマ
イクロ波帯プローブヘッドで、２は面状のグランド線路
で、この両側面に絶縁体３，４を介して入力信号線路５
，出力信号線路６が形成される。２Ａはグランド線路端
、５Ａは入力信号線路端、６Ａは出力信号線路端である
。
【００１１】図２は本発明に基づくプローブヘッドを用
いた、量産型ＨＥＭＴチップ１０のウェハ状態での電気
的特性の測定の様子を示す斜視図である。図において、
入力信号線路端５Ａと入力信号パット１１、出力信号線
路端６Ａと出力信号パット１２、グランド線路端２Ａと
グランドパット１３をコンタクトさせ、ウェハ状態での
測定を行う。グランド線路２を共有する二つのマイクロ
ストリップ線路とすることで、図２に示すような通常の
ＨＥＭＴパターンのウェハ状態での電気的特性の測定が
可能となる。マイクロストリップ線路の使用により、被
測定デバイスは複数の信号パッドに対しその数以下のグ
ランドパッドのみで良く、ウェハ状態での測定可能なデ
バイスに関しても、パターン面での設計自由度の大幅な
改善が可能となる。また、信号線路間でシールドしてい
るので、クロストークがなく良好な電気的特性の測定が
可能となる。また、信号入力・出力に対応したグランド
パッド形成のために、バイアホール等を用いなくても良
くなる。なお、キャリア品、パッケージ品に関して実施
した場合も、同様の効果が期待できる。
いた、量産型ＨＥＭＴチップ１０のウェハ状態での電気
的特性の測定の様子を示す斜視図である。図において、
入力信号線路端５Ａと入力信号パット１１、出力信号線
路端６Ａと出力信号パット１２、グランド線路端２Ａと
グランドパット１３をコンタクトさせ、ウェハ状態での
測定を行う。グランド線路２を共有する二つのマイクロ
ストリップ線路とすることで、図２に示すような通常の
ＨＥＭＴパターンのウェハ状態での電気的特性の測定が
可能となる。マイクロストリップ線路の使用により、被
測定デバイスは複数の信号パッドに対しその数以下のグ
ランドパッドのみで良く、ウェハ状態での測定可能なデ
バイスに関しても、パターン面での設計自由度の大幅な
改善が可能となる。また、信号線路間でシールドしてい
るので、クロストークがなく良好な電気的特性の測定が
可能となる。また、信号入力・出力に対応したグランド
パッド形成のために、バイアホール等を用いなくても良
くなる。なお、キャリア品、パッケージ品に関して実施
した場合も、同様の効果が期待できる。
【００１２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
グランド線路面を挟んで、その両側面にそれぞれ絶縁体
を介して信号線路を形成し、これらの信号線路の線路端
をマイクロ波帯素子の入力信号パッド，出力信号パッド
に、また、グランド線路面の端部をマイクロ波帯素子の
グランドパッドに接触させる線路端としたので、量産型
ＨＥＭＴチップの各パッドに接触する線路端を備えた構
成となり、量産型ＨＥＭＴチップのウェハ状態での電気
的特性の測定が可能となる。
グランド線路面を挟んで、その両側面にそれぞれ絶縁体
を介して信号線路を形成し、これらの信号線路の線路端
をマイクロ波帯素子の入力信号パッド，出力信号パッド
に、また、グランド線路面の端部をマイクロ波帯素子の
グランドパッドに接触させる線路端としたので、量産型
ＨＥＭＴチップの各パッドに接触する線路端を備えた構
成となり、量産型ＨＥＭＴチップのウェハ状態での電気
的特性の測定が可能となる。
【図１】本発明に基づくプローブヘッドを示す斜視図で
ある。
ある。
【図２】本発明に基づくプローブヘッドを用いた量産型
ＨＥＭＴチップのウェハ状態での電気的特性の測定の様
子を示す斜視図である。
ＨＥＭＴチップのウェハ状態での電気的特性の測定の様
子を示す斜視図である。
【図３】本発明の測定対象である量産型ＨＥＭＴチップ
のパターンを表す平面図である。
のパターンを表す平面図である。
【図４】従来のコプレーナ型のプローブヘッドを示す斜
視図である。
視図である。
【図５】従来の量産型ＨＥＭＴチップのキャリア品の平
面図である。
面図である。
１ マイクロ波帯プローブヘッド２ グラ
ンド線路 ２Ａ グランド線路端 ３ 絶縁体 ４ 絶縁体 ５ 入力信号線路 ５Ａ 入力信号線路端 ６ 出力信号線路 ６Ａ 出力信号線路端 １０ 量産型ＨＥＭＴチップ １１ 入力信号パッド １２ 出力信号パッド １３ グランドパッド
ンド線路 ２Ａ グランド線路端 ３ 絶縁体 ４ 絶縁体 ５ 入力信号線路 ５Ａ 入力信号線路端 ６ 出力信号線路 ６Ａ 出力信号線路端 １０ 量産型ＨＥＭＴチップ １１ 入力信号パッド １２ 出力信号パッド １３ グランドパッド
Claims (1)
- 【請求項１】グランド線路面を挟んで、その両側面にそ
れぞれ絶縁体を介して信号線路を形成し、これらの信号
線路の線路端をマイクロ波帯素子の入力信号パッド，出
力信号パッドに、また、前記グランド線路面の端部を前
記マイクロ波帯素子のグランドパッドに接触させる線路
端としたことを特徴とするマイクロ波帯プローブヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10790491A JPH04336441A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | マイクロ波帯プローブヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10790491A JPH04336441A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | マイクロ波帯プローブヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04336441A true JPH04336441A (ja) | 1992-11-24 |
Family
ID=14471016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10790491A Pending JPH04336441A (ja) | 1991-05-14 | 1991-05-14 | マイクロ波帯プローブヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04336441A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026319A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Microinspection Inc | 非接触シングルサイドプローブ構造 |
| JP2010010306A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Denso Corp | 半導体ウエハ測定装置 |
| WO2023243250A1 (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 住友電気工業株式会社 | クロストーク測定方法及びクロストーク測定用プローブ |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471141A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Inspection device for semiconductor element |
-
1991
- 1991-05-14 JP JP10790491A patent/JPH04336441A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6471141A (en) * | 1987-09-11 | 1989-03-16 | Hitachi Ltd | Inspection device for semiconductor element |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008026319A (ja) * | 2006-07-20 | 2008-02-07 | Microinspection Inc | 非接触シングルサイドプローブ構造 |
| JP4712772B2 (ja) * | 2006-07-20 | 2011-06-29 | マイクロインスペクション，インコーポレイテッド | 非接触シングルサイドプローブ構造 |
| JP2010010306A (ja) * | 2008-06-25 | 2010-01-14 | Denso Corp | 半導体ウエハ測定装置 |
| WO2023243250A1 (ja) * | 2022-06-14 | 2023-12-21 | 住友電気工業株式会社 | クロストーク測定方法及びクロストーク測定用プローブ |
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