JPH0555314A - 半導体ウエーハ測定装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】ウェーハ上のＬＳＩチップのパッド部とプロー
ブを試験のために接触する際に、パッドはがれや、プロ
ーブのズレによる接触不良を低減する。 【構成】電源，ＧＮＤ，入出力信号の供給用プローバ部
２に導電性ゴム４を用い、それ以外の部分に絶縁性ゴム
３を交互に用いた帯状のプローバ部２を有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハ測定装置
に関し、特にウェーハ状態の被試験ＬＳＩチップを測定
する装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の半導体ウェーハ測定装置
は図２（ａ），（ｂ）に示すように、ウェーハ上の被試
験ＬＳＩチップのパッド部に等しい間隔の間隙を持った
導電性の金属のプローブを基板１の下部に備えたプロー
バ部２ａとＬＳＩチップのパッド部が点接触して、電
源，ＧＮＤの供給や入・出力信号の授受を行なってい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】従来の半導体ウェーハ
測定装置は、金属のプローブがウェーハ上の被試験ＬＳ
Ｉチップのパッドに接触して測定を行なうので、プロー
ブによってパッドに傷がつき、何回も測定を行なう場合
にパッドはがれが発生し、ボンデングが出来なくなると
いうような問題点があった。

【０００４】また、プローブ間に間隙がある為にプロー
ブがずれてしまい、パッド部に接触しないという問題点
もあった。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体ウェーハ
測定装置は、ウェーハに形成された被試験ＬＳＩチップ
のパッド部に、プローブ基板の中央部に設けられた電
源，ＧＮＤ，入・出力力信号の供給用のプローバ部を接
触して、前記被試験ＬＳＩチップの特性を測定する半導
体ウェーハ測定装置において、前記プローバ部が、導電
性ゴムのプローブとそれ以外の部分に絶縁性ゴムを交互
に用いた複合ゴム帯を有して構成されている。

【０００６】

【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の一実施例
の上面図，Ａ−Ａ線断面図およびＢ−Ｂ線断面図であ
る。プローバ部の電源，ＧＮＤ，入・出力信号の授受部
に導電性のゴム４、それ以外のところは絶縁性ゴム３を
用いており、それらが交互に配列され、一枚の帯状にな
っており、ＬＳＩチップテストのために被試験ＬＳＩチ
ップのパッド部と接触しても、その損傷を起さないて測
定ができる。

【０００７】また、プローバ部の形状が一枚の帯状とな
っているので、導電性ゴム４のプローブのズレを最小限
に抑え、被試験ＬＳＩチップのパッド部とプロープとの
プロービングが正確でかつ容易であるという利点があ
る。

【０００８】

【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＬＳＩチ
ップとパッド部を接触させるプローバ部に導電性のゴム
を用いた事により、同一チップを数回測定する時などパ
ッド部の損傷を最小限に抑える事が可能であり、またプ
ローブを針状から帯状にした事によりプローブのズレを
最小限に抑えＬＳＩチップのパッドとプローブのプロー
ビングを容易に行なえるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ本発明の一実施例の
上面図，Ａ−Ａ線断面図およびＢ−Ｂ線断面図である。

【図２】（ａ），（ｂ）は従来の半導体ウェーハ測定装
置の一例の上面図およびＣ−Ｃ線断面図である。

【符号の説明】

１ プローブ基板 ２ プローバ部 ３ 絶縁性ゴム ４ 導電性ゴム

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ウェーハに形成された被試験ＬＳＩチッ
   プのパッド部に、プローブ基板の中央部に設けられた電
   源，ＧＮＤ，入・出力信号の供給用のプローバ部を接触
   して、前記被試験ＬＳＩチップの特性を測定する半導体
   ウェーハ測定装置において、前記プローバ部が、導電性
   ゴムのプローブとそれ以外の部分に絶縁性ゴムを交互に
   用いた複合ゴム帯を有することを特徴とする半導体ウェ
   ーハ測定装置。