JPH03270248A - Icパッケージの特性評価治具 - Google Patents
Icパッケージの特性評価治具Info
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- JPH03270248A JPH03270248A JP2071376A JP7137690A JPH03270248A JP H03270248 A JPH03270248 A JP H03270248A JP 2071376 A JP2071376 A JP 2071376A JP 7137690 A JP7137690 A JP 7137690A JP H03270248 A JPH03270248 A JP H03270248A
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- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N diammonium citrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]C(=O)CC(O)(C(=O)O)CC([O-])=O YXVFQADLFFNVDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波用ICパッケージの電気的特性を測定す
るときに用いる特性評価治具に関するものである。
るときに用いる特性評価治具に関するものである。
〔従来の技術]
従来の高周波用のICパッケージとしては第7図、第8
図に示すものがあった。即ち、ICパッケージ7はパッ
ケージ本体80両端にある肩部8a、8aの上面にマイ
クロストリップ線路からなる高周波信号入出力用および
バイアス用の端子25.26が露出している。なお、2
7は取付用切り欠き部、29はパッケージキャップであ
る。
図に示すものがあった。即ち、ICパッケージ7はパッ
ケージ本体80両端にある肩部8a、8aの上面にマイ
クロストリップ線路からなる高周波信号入出力用および
バイアス用の端子25.26が露出している。なお、2
7は取付用切り欠き部、29はパッケージキャップであ
る。
次に動作について説明する。
従来、ICパッケージ7の電気的特性を測定する場合、
第9図、第10図に示すような治具60か用いられてい
る。この治具60はICパフケージ7を固定する台座4
0と、この−t3座40の両端に立設される導体板42
.42と、導体板42.42に取付けられ、l(/fッ
ケージ7と高周波信号の送受を行うコネクタ44.44
とから*vj、されている。
第9図、第10図に示すような治具60か用いられてい
る。この治具60はICパフケージ7を固定する台座4
0と、この−t3座40の両端に立設される導体板42
.42と、導体板42.42に取付けられ、l(/fッ
ケージ7と高周波信号の送受を行うコネクタ44.44
とから*vj、されている。
この治具60を用いたICパッケージ7の電気特性の測
定は、次のようにして行われる。
定は、次のようにして行われる。
ます、ICパッケージ7かその端子25.26を表にし
て、取り付けねじ46によって台座40に固定される。
て、取り付けねじ46によって台座40に固定される。
そして、導体板42にコネクタ44が取り付けられ、そ
の導体板42が台座40に固定される。このとき、コネ
クタ44.44の中心導体44a 、 44aは、導体
板42を貫通してICパッケージ7の高周肢信号入出力
用端子25.25に接続される。
の導体板42が台座40に固定される。このとき、コネ
クタ44.44の中心導体44a 、 44aは、導体
板42を貫通してICパッケージ7の高周肢信号入出力
用端子25.25に接続される。
そして、治具60に摩り付けられたICパッケージ7に
、コネクタ44を介して高周波信号が入出力されるとと
もに、バイアス用端子26表面にバイアス用コネクタ2
3が接触されてバイアス電圧か印加される。高周波信号
とバイアス電圧とか与えられたICパッケージ7は所定
の動作をし、その電気的特性が図示しない測定機器によ
って測定される。
、コネクタ44を介して高周波信号が入出力されるとと
もに、バイアス用端子26表面にバイアス用コネクタ2
3が接触されてバイアス電圧か印加される。高周波信号
とバイアス電圧とか与えられたICパッケージ7は所定
の動作をし、その電気的特性が図示しない測定機器によ
って測定される。
従来のICパッケージの特性評価治具は以上のように構
成されていたので、プローブ針23ヲICパツケージ7
のバイアス用端子26に接触させる際に。
成されていたので、プローブ針23ヲICパツケージ7
のバイアス用端子26に接触させる際に。
プローブ針を差し込みつるスペースが狭いため、プロー
ブ針を導体板42や他のマイクロストリップ線路に接触
させてしまって矯略を起こし、ICパッケージ内部のI
Cチップを破損させてしまうという問題があり、また、
ICパッケージを治具60に接続するためには、ICパ
ッケージを治具に取り付けるほかに、コネクタ44を取
り付けた導体板42を治具60に取り付けて、コネクタ
の中心導体44aをICパッケージに接続する作業を必
要とし、測定作業に手間がかかるという問題点かあった
。
ブ針を導体板42や他のマイクロストリップ線路に接触
させてしまって矯略を起こし、ICパッケージ内部のI
Cチップを破損させてしまうという問題があり、また、
ICパッケージを治具60に接続するためには、ICパ
ッケージを治具に取り付けるほかに、コネクタ44を取
り付けた導体板42を治具60に取り付けて、コネクタ
の中心導体44aをICパッケージに接続する作業を必
要とし、測定作業に手間がかかるという問題点かあった
。
本発明は上記のような問題点に鑑みてなされたもので、
プローブ針の誤接触による短絡が防止できると共に、測
定の開票化かできるICパッケージの特性評価治具を得
ることを目的とする。
プローブ針の誤接触による短絡が防止できると共に、測
定の開票化かできるICパッケージの特性評価治具を得
ることを目的とする。
本発明に係るICパッケージの特性評価治具は、パッケ
ージ本体の内側にパッケージのバイアス端子部分のみに
接触するトリプレート線路の基板を挾み込み、その線路
の片方の部分を高周波用コネクタが取り付けられた導体
板から引き出し、その治具の上にパッケージのキャップ
を下にしてねじで固定すると、高周波信号入出力用コネ
クタのビンとパッケージの高周駁信号入出力用マイクロ
ストップ線路が接触し、バイアス電圧はトリプレート線
路の端子を通して、パッケージのバイアス用マイクロス
トリップ線路と接触するようにしたものである。
ージ本体の内側にパッケージのバイアス端子部分のみに
接触するトリプレート線路の基板を挾み込み、その線路
の片方の部分を高周波用コネクタが取り付けられた導体
板から引き出し、その治具の上にパッケージのキャップ
を下にしてねじで固定すると、高周波信号入出力用コネ
クタのビンとパッケージの高周駁信号入出力用マイクロ
ストップ線路が接触し、バイアス電圧はトリプレート線
路の端子を通して、パッケージのバイアス用マイクロス
トリップ線路と接触するようにしたものである。
〔作 用]
本発明におけるICパッケージの特性評価治具は、IC
パッケージをその端子を下側にして治具の固定部に固定
すると、各端子が固定部両端に設けられた高周波信号用
入出力ピンとバイアス印加用端子に各々接続されてトリ
プレート線路は薄くできるため、ICパッケージのマイ
クロストリップ線路の引き出し口か短くても、ICパッ
ケージの特性測定か可能になる。
パッケージをその端子を下側にして治具の固定部に固定
すると、各端子が固定部両端に設けられた高周波信号用
入出力ピンとバイアス印加用端子に各々接続されてトリ
プレート線路は薄くできるため、ICパッケージのマイ
クロストリップ線路の引き出し口か短くても、ICパッ
ケージの特性測定か可能になる。
以下、本発明の実施例を図に基すいて説明する。
第1図は本発明の一実施例であるICパッケージの特性
評価治具の平面図、第2図は第1図の正崩図、第3図は
第1図の1111f図、第4図〜第6図は第1図から第
3図の導体板と台座に挾まれるバイアス用トリプレーナ
線路の平面図、正面図およびIII面図である。
評価治具の平面図、第2図は第1図の正崩図、第3図は
第1図の1111f図、第4図〜第6図は第1図から第
3図の導体板と台座に挾まれるバイアス用トリプレーナ
線路の平面図、正面図およびIII面図である。
次に動作について説明する。
台座1の両側にトリプレート線路をll或する基板3を
導体板2で挾み込み、導体板2に固定される高周波信号
用入出力コネクタ5とバイアス印加用コネクタ23の位
置を測定するICパッケージ7の各端子25.26に合
わせて置く。
導体板2で挾み込み、導体板2に固定される高周波信号
用入出力コネクタ5とバイアス印加用コネクタ23の位
置を測定するICパッケージ7の各端子25.26に合
わせて置く。
ICパッケージのバイアス用マイクロストリップ線路と
トリプレート線路3aは導体板2とICパッケージ7の
引き出し口25.26の間隔か狭くても接続か可能とな
る。
トリプレート線路3aは導体板2とICパッケージ7の
引き出し口25.26の間隔か狭くても接続か可能とな
る。
〔発明の効果)
以上のように本発明によれは、トリプレート線路の端面
を利用することによって、導体板とICパッケーミの狭
い間隔にバイアスのためのプローブ針を接触させる際の
短絡によりICパッケージ内部の1Cf1−破壊を防止
でき、また、ICパッケージの測定もコネクタの中心導
体とICパンケージの対応する端子か固定部に取り付け
るたけで行えるようになり、したかって、従来のように
ICパッケージとコネクタを接続させる作業が不用にな
り、その分、測定工程か開票化されるという効果がある
。
を利用することによって、導体板とICパッケーミの狭
い間隔にバイアスのためのプローブ針を接触させる際の
短絡によりICパッケージ内部の1Cf1−破壊を防止
でき、また、ICパッケージの測定もコネクタの中心導
体とICパンケージの対応する端子か固定部に取り付け
るたけで行えるようになり、したかって、従来のように
ICパッケージとコネクタを接続させる作業が不用にな
り、その分、測定工程か開票化されるという効果がある
。
第1図ないし第6図は本発明の一実施例を示す図で、第
1図はICパッケージの特性評価治具の平面図、第2図
は第1図の正面図、第3図は第1図の側面図、第4図〜
第6図は第1図〜第3図で使用したトリプレート線路基
板の平面図、正面図および側面図、第7図および第8図
は従来の高周波ICパッケージの平面図、正面図、第9
図はICパッケージの特性評価治具の平面図、第10図
は89図の側面図である。 1・・・台座、2・・・導体板、3・・・トリプレート
線路基板、3a・・・バイアス用ピンとICパッケージ
の接続部、3b、3c・・・トリプレート線路基板、5
・・・高周波信号用コネクタ、5a・・・中心導体、7
・・・ICパッケージ、8・・・パッケージ本体、23
・・・外部コネクタの接続部、23a・・・バイアス用
ビンと外部コネクタの接続部、25.26・・・端子、
30・・・治具。 なお、図中、ロー符号は同一 または相当部分を示す。
1図はICパッケージの特性評価治具の平面図、第2図
は第1図の正面図、第3図は第1図の側面図、第4図〜
第6図は第1図〜第3図で使用したトリプレート線路基
板の平面図、正面図および側面図、第7図および第8図
は従来の高周波ICパッケージの平面図、正面図、第9
図はICパッケージの特性評価治具の平面図、第10図
は89図の側面図である。 1・・・台座、2・・・導体板、3・・・トリプレート
線路基板、3a・・・バイアス用ピンとICパッケージ
の接続部、3b、3c・・・トリプレート線路基板、5
・・・高周波信号用コネクタ、5a・・・中心導体、7
・・・ICパッケージ、8・・・パッケージ本体、23
・・・外部コネクタの接続部、23a・・・バイアス用
ビンと外部コネクタの接続部、25.26・・・端子、
30・・・治具。 なお、図中、ロー符号は同一 または相当部分を示す。
Claims (1)
- 高周波信号用コネクタが貫通した導体板で両側を挟ま
れ、前記コネクタとの接触でICパッケージのマイクロ
ストリップ線路から入出力信号を取り出し、バイアス電
圧を印加するピンを前記導体板のICパッケージ側に前
記パッケージバイアス端子部の下部からバイアスを与え
るトリプレート線路を挟んだことを特徴とするICパッ
ケージの特性評価治具。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2071376A JPH03270248A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Icパッケージの特性評価治具 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2071376A JPH03270248A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Icパッケージの特性評価治具 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03270248A true JPH03270248A (ja) | 1991-12-02 |
Family
ID=13458723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2071376A Pending JPH03270248A (ja) | 1990-03-20 | 1990-03-20 | Icパッケージの特性評価治具 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03270248A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102621470A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法 |
-
1990
- 1990-03-20 JP JP2071376A patent/JPH03270248A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102621470A (zh) * | 2012-03-31 | 2012-08-01 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法 |
CN102621470B (zh) * | 2012-03-31 | 2014-06-11 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 一种半导体微波功率芯片封装外壳性能测试方法 |
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