JPH0315765A - テストボード - Google Patents

テストボード

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Publication number
JPH0315765A
JPH0315765A JP15126089A JP15126089A JPH0315765A JP H0315765 A JPH0315765 A JP H0315765A JP 15126089 A JP15126089 A JP 15126089A JP 15126089 A JP15126089 A JP 15126089A JP H0315765 A JPH0315765 A JP H0315765A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
test
socket
semiconductor device
device under
Prior art date
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Pending
Application number
JP15126089A
Other languages
English (en)
Inventor
Takatoshi Fukuda
高利 福田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPH0315765A publication Critical patent/JPH0315765A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Testing Electric Properties And Detecting Electric Faults (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 被試験用半導体素子を着脱するソケットが基板に実装さ
れ、該基板に配列されたパッドに所定のテスト信号の入
出力を行うことで該被試験用半導体素子に対する電気特
性の測定を行うテストボードに関し、 配線材による接続をなくすことで、作業工数の削減を図
ると共に、被試験用半導体素子の電源供給に対するイン
ダクダンスを極力小さくすることでテストに於ける信頼
性の向上を図ることを目的とし、 基板の表面および裏面にはスルホールに近接されたペタ
パターンを形成し、必要に応じて、該表面または裏面の
いつれかの該ペタパターンに所定の該スルホールを半田
による半田付けによって短絡し、被試験用半導体素子に
対する電源供給が該ペタパターンを介して行われるよう
に構戒する.〔産業上の利用分野〕 本発明は被試験用半導体素子を着脱するソケットが基板
に実装され、該基板に配列されたパッドに所定のテスト
信号の人出力を行うことで該該被試験用半導体素子に対
する電気特性の測定を行うテストボードに関する。
電子機器に広く用いられる半導体素子は、その製造工程
において、電気特性が測定され、所定の規格を満足する
かどうかの試験が行われる。
このような試験は、一般的に、半導体素子の着脱が可能
なソケットが実装されたテストボードが準備され、テス
トボードに試験すべき半導体素子を逐次装着し、半導体
素子の入出力端子がテストボードを介して電気特性を測
定する試験器に接続されることで行われる。
したがって、このようなテストボードは、装着された半
導体素子の入出力端子が試験器に接続されるように形成
され、かつ、種々の半導体素子の着脱が容易に行えるよ
うに形成されることが必要である. 〔従来の技術〕 従来は第4図の従来の説明図に示すように構或さていた
。第4図の(a)は側面図,(b)は配線接続の説明図
である。
第4図の(a)に示すように、基板10の表面10Aに
は被試験用半導体素子1が矢印Aのように着脱されるソ
ケット2が設けられ、裏面10Bには試験器(図示され
ていない)のコンタクト15に圧接される引き出しパッ
ド14と、引き出しパッドl4にパターン配線18によ
って接続された接続パッド13とが配列され、更に、電
源のグランドに接続されたペタパターン11と、電源の
所定の電位に接続されたべタパターン12とが張架され
ている。
また、ソケット2のピン2Aは基板10の裏面10Aに
突出され、電源を供給すべきビン2Aに対してはペタパ
ターンl1と12からディスクリート配線材17が接続
され、被試験用半導体素子lに電源の供給を行い、一方
、テスト信号の入出力を行うべきピン2Aに対しては接
続パッドから同軸配線材l6が接続され、被試験用半導
体素子1にテスト信号の入出力を行うように形成されて
いる。
このような同軸配線材16およびディスクリート配線材
17の接続は(b)に示すように、同軸配線材16の場
合は、一端の芯線を接続パッド13に半田付けし、外被
のシールド編組をグランドGが接続されたべタパターン
l1に半田8による半田付けを行い、他端の芯線を所定
のピン2Aに半田付けすることで行われ、ディスクリー
ト配線材17の場合は、一端をグランドGに接続された
ペタパターン1lおよび電源に接続されペタパターンl
2にそれぞれ半田8による半田付けを行い、他端を所定
のピン2Aに半田付けすることで行われていた。
したがって、測定器のコンタクトl5が引き出しパッド
14に圧接されることで、測定器からのテスト信号が被
試験用半導体素子lに入出力され、電気特性の測定が行
われていた。
また、これらの同軸配線材l6およびディスクリート配
線材17の接続は、通常、被試験用半導体素子lのタイ
プに応じて、接続換えが行われ、所定の被試験用半導体
素子lに対する試験が行えるように配慮されていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
このようなビン2Aが同軸配線材16によって接続パッ
ド13に、また、ディスクリート配線材17によってペ
タパターン1lまたは12のそれぞれに接続させる構戒
では、特に、電源の供給を行うビン2Aとペタパターン
11およびl2との間に距離があり、長い長さのディス
クリート配線材l7によって接続されることになる。
したがって、電源供給を行うペタパターン1lと12と
にに対する接続のインダクタンスが大きくなり、測定器
による電気特性の微細な値の測定が困難となる問題を有
していた. また、このような同軸配線材l6またはディスクリート
配線材l7によって接続を行うことは手間が掛り、工数
を要する問題を有していた。
そこで、本発明では、配線材による接続をなくすことで
、作業工数の削減を図ると共に、被試験用半導体素子の
電源供給に対するインダクダンスを極力小さくすること
でテストに於ける信頼性の向上を図ることを目的とする
〔課題を解決するための手段〕
第1図は本発明の原理説明図である。
第1図に示すように、基Fi3の表面3Aおよび裏面3
Bにはスルホール4に近接されたべタパターン7を形成
し、必要に応して、該表面3Aまたは裏面3Bのいづれ
かの該ペタパターン7に所定の該スルホール4を半田8
による半田付けによって短絡し、被試験用半導体素子1
に対する電源供給が該ペタパターン7を介して行われる
ように構戒する。
このように構成することによって前述の課題は解決され
る。
〔作用〕
即ち、基板3の表面3Aおよび裏面3Bにはスルホール
4に近接されたべタパターン7を形成し、所定のスルホ
ール4を表面3Aおよび裏面3Bのいづれかのべタパタ
ーン7に短絡させることで被試験用半導体素子Iに対す
る電源の供給が行えるようにしたものである。
したがって、被試験用半導体素子1を着脱するソケット
2のビン2Aをスルホール4に半田付けすることでテス
ト信号および電源供給の接続が行え、従来のような同軸
線材16およびディスクリート配線材17による配線が
不要となり、作業工数の削減が図れると共に、電源供給
に対する接続が短い距離によって行われることになり、
インダクダンスの低減が行われ、電気特性の測定精度の
向上が図れる。
〔実施例〕
以下本発明を第2図および第3図を参考に詳細に説明す
る. 第2図は本発明による一実施例の説明図で、(a)は側
面断面図, (bl) (b2)はソケットの斜視図,
第3図は本発明の説明図で、(a)はペタパターンの平
面図,(b)は(a)のB−8断面図,(C)は短絡の
説明図である。全図を通じて、同一符号は同一対象物を
示す。
第2図に示すように、基板3の表面3Aにはスルホール
4にピン2Aを半田付けすることでソケット2を固着し
、裏面3Bには前述の測定器のコンタクト15が圧接さ
れるパッド5が配列され、全てのスルホール4は内層パ
ターン6によってパッド5に接続され、更に、基板3の
表面3Aおよび裏面3Bにはスルホール4に近接したべ
タパターン7を張架されるように構威されている。
また、ソケット2には被試験用半導体素子1の着脱が行
われるように形成され、着脱すべき被試験用半導体素子
lが(b1)に示すように、ピングリットアレイクイブ
の半導体素子1−1の場合は、ソケット2−1を基板3
に固着させ、ソケット2−1の挿脱穴2Bに半導体素子
1−1の端子1Aを挿脱することで矢印Aのように着脱
が行われる。
更に、着脱すべき被試験用半導体素子Iが(b2)に示
すように、ディップタイプの半導体素子1−2の場合は
、半導体素子1−2の幅が11のように小さいものとL
2のように大きいものとがある。
そこで、それぞれの素子に合ったソケット2−2のピン
2Aが挿入されるよう基板3にはスルホール4が配列さ
れており、ソケット2−2を基板3に固着させ、ソケッ
ト2−2の挿脱穴2Cに半導体素子l2のリード端子I
Bを挿脱することで矢印AlまたはA2のようにいつれ
かの半導体素子2−2が着脱されるように形成されてい
る。
この場合、被試験用半導体素子Iに対するテスト信号の
入出力はソケット2の全てのビン2Aが内層パターン6
によってパッド5に接続されているため、所定のパッド
5を選択することでコンタクト15を圧接することによ
り行える。
この場合、人出力するテスト信号の内容によって内層パ
ターン6のインピーダンスの調整を図るよう内層パター
ン6の張架形態を配慮することが必要であり、更に、多
層化を行い内層にグランド層を設けることでも良い。
また、被試験用半導体素子Iに対するt源供給の供給は
、例えば、基板3の表面3Aに張架されたペタパターン
7を電位Vを有する電源に、裏面3Bに張架されたペタ
パターン7をグランドGに接続し、電源を供給するスル
ホール4に対して、半田8を溶着し、近接したべタパタ
ーン7とスルホール4と短絡させることで容易に電源供
給の供給を行うことができる。
このようなペタパターン7は第3図の(a)(b)に示
すように、基板3の表面3八および裏面3Bに配列され
たソケット2をボンディングするスルホール4の外周と
の間に隙間Sを形或することで全面的に張架するように
形成されている。
そこで、被試験用半導体素子1の種類に応じて、(c)
に示すように、ソケット2を固着する前に、所定の個所
のスルホール4を半田8によって表面3Aのペタパター
ン7または裏面3Bのべタパターン7にそれぞれ短絡さ
せ、実際に試験を行う被試験用半導体素子lの電源供給
端子に電源の供給を行うようにすることができる。
この場合、短絡したスルホール4が内層パターン6によ
ってパッド5に接続されていても、テスト信号の人出力
に際してそのパッド5を無視するようにすることができ
るので支障はない。
したがって、被試験用半導体素子lに対する電源の供給
は短い距離の隙間Sを短絡することで行えることになり
、特に、電源の供給路に於けるインダクダンスを小さく
することができ、更に、テスト信号の人出力を行う端子
と、電源の供給を行う端子との配列が被試験用半導体素
子lの種類によって異なった場合でも、半田8による短
絡を所定のスルホール4に行うことで容易に対処するこ
とが行える。
〔発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、ソケットのビン
が固着されるスルホールに近接するように基板の表面お
よび裏面にペタパターンを張架し、所定のスルホールを
ペタパターンに短絡させ、被試験用半導体素子に対する
電源の供給を行うことで、電源の供給路に於けるインダ
クダンスを極力小さくすことができ、更に、所定のピン
に対して電源の供給を自在に行えるようにすることがで
きる。
したがって、従来のような同軸線材16,ディスクリー
ト配線材17などの接続は不要となり、作業工数の削減
が図れると共に、電源の供給路に於けるインダクダンス
が小さくなることで、電気特性の測定精度の向上が図れ
、信頼度の高い試験が行えることになり、実用的効果は
大である。
3は基板, 5はパッド, 7はペタパターン 2Aはピン, 3Bは裏面を示す。
4はスルホール 6は内層パターン, 8は半田1 3Aは表面,
【図面の簡単な説明】
第l図は本発明の原理説明図, 第2図は本発明による一実施例の説明図で、(a)は側
面断面図, (bl) (b2)はソケットの斜視図, 第3図は本発明の説明図で、(a)はペタパターンの平
面図,(b)は(a)のB−8断面図,(C)は短絡の
説明図. 第4図は従来の説明図で、(a) 妹は側面図,(b)
は配線接続の説明図を示す. 図において、 1は被試験要半導体素子,2はソケット.第 1 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 被試験用半導体素子(1)を着脱するソケット(2)と
    、該ソケット(2)のピン(2A)が半田付けされるス
    ルホール(4)を配設し、該スルホール(4)を所定の
    パッド(5)に接続する内層パターン(6)を有する基
    板(3)とを備え、該パッド(5)に所定のテスト信号
    の入出力を行うことで、該被試験用半導体素子(1)に
    対する電気特性の測定を行うテストボードであって、 前記基板(3)の表面(3A)および裏面(3B)には
    前記スルホール(4)に近接されたペタパターン(7)
    を形成し、必要に応じて、該表面(3A)または裏面(
    3B)のいづれかの該ペタパターン(7)に所定の該ス
    ルホール(4)を半田(8)による半田付けによって短
    絡し、前記被試験用半導体素子(1)に対する電源供給
    が該ペタパターン(7)を介して行われることを特徴と
    するテストボード。
JP15126089A 1989-06-13 1989-06-13 テストボード Pending JPH0315765A (ja)

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JP15126089A JPH0315765A (ja) 1989-06-13 1989-06-13 テストボード

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6281697B1 (en) 1998-12-04 2001-08-28 Nec Corporation Semiconductor device evaluation apparatus
KR20030024480A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 기아자동차주식회사 자동차용 루프랙 장착구조
KR100794125B1 (ko) * 2006-07-27 2008-01-10 웅진코웨이주식회사 비접촉식 수위 제어 장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6281697B1 (en) 1998-12-04 2001-08-28 Nec Corporation Semiconductor device evaluation apparatus
KR20030024480A (ko) * 2001-09-18 2003-03-26 기아자동차주식회사 자동차용 루프랙 장착구조
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