JPH04106484A - 高周波特性測定用ソケット - Google Patents
高周波特性測定用ソケットInfo
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- JPH04106484A JPH04106484A JP2227382A JP22738290A JPH04106484A JP H04106484 A JPH04106484 A JP H04106484A JP 2227382 A JP2227382 A JP 2227382A JP 22738290 A JP22738290 A JP 22738290A JP H04106484 A JPH04106484 A JP H04106484A
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 abstract description 7
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- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
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Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、SOPタイプのデバイスの高周波特性の測
定に用いられる高周波特性測定用ソケットに関する。
定に用いられる高周波特性測定用ソケットに関する。
第4図ないし第6図は従来の高周波特性測定用ソケット
の平面図、正面図、測定状態での一部の切断正面図であ
る。
の平面図、正面図、測定状態での一部の切断正面図であ
る。
それらの図に示すように、絶縁材からなるソケット本体
1のほぼ中央部に平面十字状の四部2が形成され、この
凹部2に複数の接触電極3がそれぞれ配置されている。
1のほぼ中央部に平面十字状の四部2が形成され、この
凹部2に複数の接触電極3がそれぞれ配置されている。
ところで、この接触電極3は、第6図に示すように、基
部3aと、基部3aに一体に形成され先端にデバイス4
の外部電極リード5が接触されるばね性を有する接触片
3bと、基部3aの下側に一体に形成され本体1を下方
に貫通してその先端部が本体1の下側に導出された導出
片3cとがらなり、接触片3bの先端に各外部電極リー
ド5が位置するように、各接触電極3が位置合わせされ
ている。
部3aと、基部3aに一体に形成され先端にデバイス4
の外部電極リード5が接触されるばね性を有する接触片
3bと、基部3aの下側に一体に形成され本体1を下方
に貫通してその先端部が本体1の下側に導出された導出
片3cとがらなり、接触片3bの先端に各外部電極リー
ド5が位置するように、各接触電極3が位置合わせされ
ている。
さらに、凹部2の中央部に、本体1に上方に膨出してデ
バイス4の載置台6か一体に形成されるとともに、この
載置台6の周囲に、デバイス4を載置する際のガイド7
か設けられている。
バイス4の載置台6か一体に形成されるとともに、この
載置台6の周囲に、デバイス4を載置する際のガイド7
か設けられている。
また、本体1の右側には切欠凹部8が形成され、本体1
に重合すべく設けられた絶縁材からなる蓋体9の左端部
に一対の突出片10が一体に形成され、両突出片10が
切欠凹部8内に挿入された状態で、切欠凹部8の前後の
本体部分及び両突出片10に前後方向にピン11が貫設
され、このピン11にばね12が巻装されるとともに、
ばね12の両端が切欠凹部8の下面と蓋体9の左端部に
係止され、蓋体9がばね12によりピン11を回転中心
として付勢されている。
に重合すべく設けられた絶縁材からなる蓋体9の左端部
に一対の突出片10が一体に形成され、両突出片10が
切欠凹部8内に挿入された状態で、切欠凹部8の前後の
本体部分及び両突出片10に前後方向にピン11が貫設
され、このピン11にばね12が巻装されるとともに、
ばね12の両端が切欠凹部8の下面と蓋体9の左端部に
係止され、蓋体9がばね12によりピン11を回転中心
として付勢されている。
そして、蓋体9がばね12に抗して回転されて本体1に
重合されたときに、載置台6上のデバイス4の各外部電
極のリード5が各接触電極3の接触片3bの先端に圧接
されるように、蓋体9に一対の抑圧体13が設けられ、
蓋体9の右端部に断面鉤状の係止体14が回転自在に設
けられ、本体1の左端部の下側に形成された係止凹部1
5に係止体14の先端が係止されて蓋体9の本体1との
重合状態が保持され、両押圧体13の押圧によってデバ
イス4の両側の各外部電極リード5それぞれと各接触電
極3それぞれとが確実に接触される。
重合されたときに、載置台6上のデバイス4の各外部電
極のリード5が各接触電極3の接触片3bの先端に圧接
されるように、蓋体9に一対の抑圧体13が設けられ、
蓋体9の右端部に断面鉤状の係止体14が回転自在に設
けられ、本体1の左端部の下側に形成された係止凹部1
5に係止体14の先端が係止されて蓋体9の本体1との
重合状態が保持され、両押圧体13の押圧によってデバ
イス4の両側の各外部電極リード5それぞれと各接触電
極3それぞれとが確実に接触される。
ところで、実際に測定を行う場合、前述のソケットを外
部テスト治具に実装した後、載置台6上に測定対象とな
るデバイス4を載置して位置合わせをし、蓋体9を閉じ
て係止体14を本体1に係止し、抑圧体13の押圧によ
ってデバイス4の各外部電極リード5と各接触電極3と
を確実に接触させ、ケーブル、及びパターン配線を使用
できるところは所定のパターン配線によって、外部テス
ト治具とソケットの下側に導出された各接触電極3の導
出片3cとを接続し、テスターからの信号を、外部テス
ト治具、接触電極3を介してデバイス4に与え、デバイ
ス4の出力信号を接触電極3゜外部テスト治具を介して
テスターに伝送し、デバイス4の高周波特性の評価を行
う。
部テスト治具に実装した後、載置台6上に測定対象とな
るデバイス4を載置して位置合わせをし、蓋体9を閉じ
て係止体14を本体1に係止し、抑圧体13の押圧によ
ってデバイス4の各外部電極リード5と各接触電極3と
を確実に接触させ、ケーブル、及びパターン配線を使用
できるところは所定のパターン配線によって、外部テス
ト治具とソケットの下側に導出された各接触電極3の導
出片3cとを接続し、テスターからの信号を、外部テス
ト治具、接触電極3を介してデバイス4に与え、デバイ
ス4の出力信号を接触電極3゜外部テスト治具を介して
テスターに伝送し、デバイス4の高周波特性の評価を行
う。
従来の場合、ソケットの各接触電極3がデバイス4のリ
ード5と接触するように第6図に示すようにばね性を有
する特殊な形状を有するため、この電極形状に起因した
インピーダンス不整合が生じ、又外部テスト治具とソケ
ットの各接触電極3とを接続するための長いケーブルや
パターン配線との半田付は等の不要結合が多くなり、こ
れが原因となってインピーダンス不整合か生じ、これら
のインピーダンス不整合により、信号周波数が高くなる
に連れて入出力信号の損失が大きくなり、デバイスの正
確な高周波特性の評価を行うことかできないという問題
点があった。
ード5と接触するように第6図に示すようにばね性を有
する特殊な形状を有するため、この電極形状に起因した
インピーダンス不整合が生じ、又外部テスト治具とソケ
ットの各接触電極3とを接続するための長いケーブルや
パターン配線との半田付は等の不要結合が多くなり、こ
れが原因となってインピーダンス不整合か生じ、これら
のインピーダンス不整合により、信号周波数が高くなる
に連れて入出力信号の損失が大きくなり、デバイスの正
確な高周波特性の評価を行うことかできないという問題
点があった。
また、第4図の構成では、ソケットにおいて十分な接地
面積を得ることができず、ケーブル等を介して外部テス
ト治具に接地するしかないため、接地インピーダンスが
大きくなり、やはり高周波帯域での損失の増大を招く。
面積を得ることができず、ケーブル等を介して外部テス
ト治具に接地するしかないため、接地インピーダンスが
大きくなり、やはり高周波帯域での損失の増大を招く。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、不要な結合を無くしてインピーダンス不整
合を抑制し、高周波数域での損失を低減して正確な特性
肝癌を行えるようにすることを目的とする。
れたもので、不要な結合を無くしてインピーダンス不整
合を抑制し、高周波数域での損失を低減して正確な特性
肝癌を行えるようにすることを目的とする。
この発明に係る高周波特性測定用ソケットは、複数の外
部電極リードを有するSOPタイプのデバイスの高周波
特性の測定に用いられる高周波特性測定用ソケットにお
いて、誘電体からなる基板と、前記基板の表面の前記各
外部電極リードが載置される位置にそれぞれ形成された
マイクロストリップ線路と、前記基板の裏面に形成され
た金属層と、前記マイクロストリップ線路のうちの接地
用の前記マイクロストリップ線路と前記金属層との接続
のために前記基板に形成されたスルーホールとを備えた
ことを特徴としている。
部電極リードを有するSOPタイプのデバイスの高周波
特性の測定に用いられる高周波特性測定用ソケットにお
いて、誘電体からなる基板と、前記基板の表面の前記各
外部電極リードが載置される位置にそれぞれ形成された
マイクロストリップ線路と、前記基板の裏面に形成され
た金属層と、前記マイクロストリップ線路のうちの接地
用の前記マイクロストリップ線路と前記金属層との接続
のために前記基板に形成されたスルーホールとを備えた
ことを特徴としている。
この発明においては、誘電体の基板表面にマイクロスト
リップ線路を形成し、このマイクロストリップ線路にデ
バイスの外部電極リードを接触するようにし、接地用の
マイクロストリップ線路と、基板裏面の金属層とをスル
ーホールを介して接続したため、従来のようにインピー
ダンス不整合の原因となるケーブルやパターン配線が不
要となり、不要結合をなくすことによって、高周波帯域
での損失か抑えられ、しかもデバイスに近い位置で十分
な接地面積か得られ、損失の低減が図れる。
リップ線路を形成し、このマイクロストリップ線路にデ
バイスの外部電極リードを接触するようにし、接地用の
マイクロストリップ線路と、基板裏面の金属層とをスル
ーホールを介して接続したため、従来のようにインピー
ダンス不整合の原因となるケーブルやパターン配線が不
要となり、不要結合をなくすことによって、高周波帯域
での損失か抑えられ、しかもデバイスに近い位置で十分
な接地面積か得られ、損失の低減が図れる。
第1図ないし第3図はこの発明の高周波特性測定用ソケ
ットの一実施例の平面図、測定状態の正面図及び斜視図
である。
ットの一実施例の平面図、測定状態の正面図及び斜視図
である。
同図に示すように、テフロン、テフロンガラス等の誘電
体からなる基板21の表面中央部の凸状のデバイス載置
部22の両側であって、デバイス4の各外部電極リード
5が載置される位置に、銅などからなるマイクロストリ
ップ線路23がそれぞれ形成され、基板21の表面の載
置部22の左側及び右側に、それぞれ各マイクロストリ
ップ線路23を囲むように銅などからなる平面コ字状の
接地電極24a、24bが対向して形成され、両接地電
極24 a、24bが接続部25によって接続されてい
る。
体からなる基板21の表面中央部の凸状のデバイス載置
部22の両側であって、デバイス4の各外部電極リード
5が載置される位置に、銅などからなるマイクロストリ
ップ線路23がそれぞれ形成され、基板21の表面の載
置部22の左側及び右側に、それぞれ各マイクロストリ
ップ線路23を囲むように銅などからなる平面コ字状の
接地電極24a、24bが対向して形成され、両接地電
極24 a、24bが接続部25によって接続されてい
る。
このとき、マイクロストリップ線路23の特性インピー
タンスか所定の値になるように、基板21の厚さ及びマ
イクロストリップ線路23の幅が決定され、各マイクロ
ストリップ線路23のうち接地用が右側の接地電極24
bに直接接続されている。
タンスか所定の値になるように、基板21の厚さ及びマ
イクロストリップ線路23の幅が決定され、各マイクロ
ストリップ線路23のうち接地用が右側の接地電極24
bに直接接続されている。
さらに、基板21の裏面に銅などからなる接地用金属層
26が形成され、この接地用金属層26と接地用マイク
ロストリップ線路23とが、基板21のデバイス4に近
接した位置に形成されたスルーホール27を介して接続
され、接地電極24a、24bと合わせて、十分な接地
面積が確保されている。
26が形成され、この接地用金属層26と接地用マイク
ロストリップ線路23とが、基板21のデバイス4に近
接した位置に形成されたスルーホール27を介して接続
され、接地電極24a、24bと合わせて、十分な接地
面積が確保されている。
つぎに、実際に測定を行う場合、第1図に示すソケット
の接地用金属層26を外部テスト治具の接地部上に直接
載置してソケットをテスト治具に実装した後、デバイス
4の各外部電極リード5を各マイクロストリップ線路2
3上に載置して位置合わせをし、図示されていない押え
治具でデバイス4の各外部電極リード5を上方から押え
て固定し、各外部電極リード5と各マイクロストリップ
線路23とを確実に接触する。
の接地用金属層26を外部テスト治具の接地部上に直接
載置してソケットをテスト治具に実装した後、デバイス
4の各外部電極リード5を各マイクロストリップ線路2
3上に載置して位置合わせをし、図示されていない押え
治具でデバイス4の各外部電極リード5を上方から押え
て固定し、各外部電極リード5と各マイクロストリップ
線路23とを確実に接触する。
ところで、マイクロストリップ線路構成にすることによ
って、従来のソケットと異なりコネクタによる接続が可
能となるため、外部テスト治具に予め専用コネクタを設
けておき、この専用コネクタを左側1右側の各マイクロ
ストリップ線路23に接続することによって、従来のよ
うに長いケーブルやパターン配線を用いることなく、簡
単にしかも必要最小限の長さで外部テスト治具と各マイ
クロストリップ線路23とを接続することができ、マイ
クロストリップ線路23の特性インピーダンスを厳密に
管理しておくことにより、インピーダンス整合を容易に
とることができる。
って、従来のソケットと異なりコネクタによる接続が可
能となるため、外部テスト治具に予め専用コネクタを設
けておき、この専用コネクタを左側1右側の各マイクロ
ストリップ線路23に接続することによって、従来のよ
うに長いケーブルやパターン配線を用いることなく、簡
単にしかも必要最小限の長さで外部テスト治具と各マイ
クロストリップ線路23とを接続することができ、マイ
クロストリップ線路23の特性インピーダンスを厳密に
管理しておくことにより、インピーダンス整合を容易に
とることができる。
そして、テスターからの信号を、外部テスト治具、コネ
クタ、マイクロストリップ線路23を介してデバイス2
4に与え、デバイス4の出力信号をマイクロストリップ
線路23.コネクタ、外部テスト治具を介してテスター
に伝送し、デバイス4の高周波特性の評価を行う。
クタ、マイクロストリップ線路23を介してデバイス2
4に与え、デバイス4の出力信号をマイクロストリップ
線路23.コネクタ、外部テスト治具を介してテスター
に伝送し、デバイス4の高周波特性の評価を行う。
従って、各マイクロストリップ線路23にデバイス4の
各外部電極リード5を接触するようにしたため、外部テ
スト治具との接続を従来のようなインピーダンス不整合
の原因となるケーブルやパターン配線が不要となり、イ
ンピーダンス整合を容易にとることができ、特にUHF
帯及びIGH2以上の高周波帯域での損失を従来に比べ
て大幅に低減することが可能となり、デバイスの高周波
特性をより正確に評価することができる。
各外部電極リード5を接触するようにしたため、外部テ
スト治具との接続を従来のようなインピーダンス不整合
の原因となるケーブルやパターン配線が不要となり、イ
ンピーダンス整合を容易にとることができ、特にUHF
帯及びIGH2以上の高周波帯域での損失を従来に比べ
て大幅に低減することが可能となり、デバイスの高周波
特性をより正確に評価することができる。
さらに、基板2〕の表面及び裏面に接地電極24a、2
4b及び接地用金属層26を形成し、スルーホール27
を介してこれらを接続したため、デバイス4に近い位置
で十分な接地面積を確保てき、接地インピーダンスを低
減することが可能となり、高周波帯域での損失の低減を
図ることができ、デバイスの特性肝癌の精度、信頼性を
向上できる。
4b及び接地用金属層26を形成し、スルーホール27
を介してこれらを接続したため、デバイス4に近い位置
で十分な接地面積を確保てき、接地インピーダンスを低
減することが可能となり、高周波帯域での損失の低減を
図ることができ、デバイスの特性肝癌の精度、信頼性を
向上できる。
なお、マイクロストリップ線路23の数、形状は図示の
ものに限らないのは勿論であり、デバイスの外部電極リ
ードの数に応じてマイクロストリップ線路を形成し、所
定の特性インピーダンスになるように幅、長さを設定す
ればよい。
ものに限らないのは勿論であり、デバイスの外部電極リ
ードの数に応じてマイクロストリップ線路を形成し、所
定の特性インピーダンスになるように幅、長さを設定す
ればよい。
以上のように、この発明の高周波特性測定用ソケットに
よれば、マイクロストリップ線路にデバイスの外部電極
リードを接触するようにし、接地用マイクロストリップ
線路と基板裏面の金属層とを接続したため、従来のよう
にインピーダンス不整合の原因となるケーブルやパター
ン配線が不要となり、不要結合をなくすことができ、高
周波帯域での損失を大幅に低減することができ、しかも
デバイスに近い位置で十分な接地面積を確保することが
でき、これによっても高周波帯域での損失を低減でき、
デバイスの高周波特性評価の精度。
よれば、マイクロストリップ線路にデバイスの外部電極
リードを接触するようにし、接地用マイクロストリップ
線路と基板裏面の金属層とを接続したため、従来のよう
にインピーダンス不整合の原因となるケーブルやパター
ン配線が不要となり、不要結合をなくすことができ、高
周波帯域での損失を大幅に低減することができ、しかも
デバイスに近い位置で十分な接地面積を確保することが
でき、これによっても高周波帯域での損失を低減でき、
デバイスの高周波特性評価の精度。
信頼性の向上を図ることが可能となる。
第1図はこの発明の高周波特性測定用ソケットの平面図
、第2図及び第3図は第1図の測定時における一部の正
面図及び一部の斜視図、第4図は従来の高周波特性測定
用ソケットの平面図、第5図は第4図の異なる状態での
一部切断正面図、第6図は第4図の測定時における一部
の切断正面図である。 図において、4はデバイス、5は外部電極リド、21は
基板、23はマイクロストリップ線路、26は接地用金
属層、27はスルーホールである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
、第2図及び第3図は第1図の測定時における一部の正
面図及び一部の斜視図、第4図は従来の高周波特性測定
用ソケットの平面図、第5図は第4図の異なる状態での
一部切断正面図、第6図は第4図の測定時における一部
の切断正面図である。 図において、4はデバイス、5は外部電極リド、21は
基板、23はマイクロストリップ線路、26は接地用金
属層、27はスルーホールである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- (1)複数の外部電極リードを有するSOPタイプのデ
バイスの高周波特性の測定に用いられる高周波特性測定
用ソケットにおいて、 誘電体からなる基板と、 前記基板の表面の前記各外部電極リードが載置される位
置にそれぞれ形成されたマイクロストリップ線路と、 前記基板の裏面に形成された金属層と、 前記マイクロストリップ線路のうちの接地用の前記マイ
クロストリップ線路と前記金属層との接続のために前記
基板に形成されたスルーホールとを備えたことを特徴と
する高周波特性測定用ソケット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2227382A JPH04106484A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 高周波特性測定用ソケット |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2227382A JPH04106484A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 高周波特性測定用ソケット |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04106484A true JPH04106484A (ja) | 1992-04-08 |
Family
ID=16859940
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2227382A Pending JPH04106484A (ja) | 1990-08-28 | 1990-08-28 | 高周波特性測定用ソケット |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04106484A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060426A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 検査用治具 |
JP2020041873A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 電気特性検査治具 |
-
1990
- 1990-08-28 JP JP2227382A patent/JPH04106484A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010060426A (ja) * | 2008-09-03 | 2010-03-18 | Mitsubishi Electric Corp | 検査用治具 |
JP2020041873A (ja) * | 2018-09-10 | 2020-03-19 | 三菱電機株式会社 | 電気特性検査治具 |
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