JPS623906B2 - - Google Patents
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- JPS623906B2 JPS623906B2 JP16480778A JP16480778A JPS623906B2 JP S623906 B2 JPS623906 B2 JP S623906B2 JP 16480778 A JP16480778 A JP 16480778A JP 16480778 A JP16480778 A JP 16480778A JP S623906 B2 JPS623906 B2 JP S623906B2
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- coaxial
- prober
- probe
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- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 4
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- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
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- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は高周波の測定に使用する高周波同軸プ
ローバに関するものである。
ローバに関するものである。
半導体集積回路の製造工程に於いて、例えば高
速スイツチング回路の特性をウエフアの状態で測
定評価する必要があり、ウエフアのボンデイング
パツトに直接針を立てそこに電気信号を与えたり
そこから電気信号を取り出して、特性の測定を行
うことが行なわれている。それに使用されるプロ
ーバとして、従来第１図に示すような単線ケーブ
ルを用いたものが使用されている。第１図に於い
て、１は試験されるべきウエフア、２は単線ケー
ブル、３は探針、４はパルス発生器、５はパルス
発生器の内部抵抗である。
速スイツチング回路の特性をウエフアの状態で測
定評価する必要があり、ウエフアのボンデイング
パツトに直接針を立てそこに電気信号を与えたり
そこから電気信号を取り出して、特性の測定を行
うことが行なわれている。それに使用されるプロ
ーバとして、従来第１図に示すような単線ケーブ
ルを用いたものが使用されている。第１図に於い
て、１は試験されるべきウエフア、２は単線ケー
ブル、３は探針、４はパルス発生器、５はパルス
発生器の内部抵抗である。
図に於いて、パルス発生器４で発生したパルス
信号を単線２を介し、探針３からウエフア１に与
え、図示していないが別のプローバによつてウエ
フア１の別の部分からこの信号をとり出し、測定
装置で観測する。
信号を単線２を介し、探針３からウエフア１に与
え、図示していないが別のプローバによつてウエ
フア１の別の部分からこの信号をとり出し、測定
装置で観測する。
しかしながらこの従来のプローバは単線ケーブ
ルを使用しているため、ケーブルのインダクタン
スやケーブルと接地間の浮遊容量が大きく高周波
の測定には適さなかつた。そのため、第２図に示
すような同軸ケーブル６を用いたプローバが考案
されている。これは同軸ケーブル６の両端を線路
の特性インピーダンスと等しい抵抗５，７で終端
し、プローバとウエフア間でのインピーダンスの
不整合による信号パルスの多重反射を防止するよ
うに設計される。この抵抗５はパルス発生器の内
部抵抗であつてしかも線路の特性インピーダンス
（例えば50Ω）に等しく設定されているが、抵抗
７としては別途このようなインピーダンスを有す
る抵抗器を取付ける。
ルを使用しているため、ケーブルのインダクタン
スやケーブルと接地間の浮遊容量が大きく高周波
の測定には適さなかつた。そのため、第２図に示
すような同軸ケーブル６を用いたプローバが考案
されている。これは同軸ケーブル６の両端を線路
の特性インピーダンスと等しい抵抗５，７で終端
し、プローバとウエフア間でのインピーダンスの
不整合による信号パルスの多重反射を防止するよ
うに設計される。この抵抗５はパルス発生器の内
部抵抗であつてしかも線路の特性インピーダンス
（例えば50Ω）に等しく設定されているが、抵抗
７としては別途このようなインピーダンスを有す
る抵抗器を取付ける。
しかしながらこのプローバでは第２図ｂに第２
図ａのＡ部を拡大して示したように、終端抵抗７
が現在ある抵抗器を使用する場合、比較的大きい
（例えば１×１×２mm）ため探針３の先端から少
し離して取付けざるを得なかつた。（例えば10mm
程度）。
図ａのＡ部を拡大して示したように、終端抵抗７
が現在ある抵抗器を使用する場合、比較的大きい
（例えば１×１×２mm）ため探針３の先端から少
し離して取付けざるを得なかつた。（例えば10mm
程度）。
しかしながら、同軸ケーブル６の端部とウエフ
ア１との距離が長くなると信号パルスの多重反射
が生じてくる。
ア１との距離が長くなると信号パルスの多重反射
が生じてくる。
例えば長さ10mmの探針３が、特性インピーダン
ス７で終端された同軸線路６から飛出している場
合の影響は信号の伝播時間が約40PSなので、同
軸線路の端部で、時間間隔80PS程度のパルスの
反射を生ずる。従つてこのようなプローバはスイ
ツチング時間数100PSの高速スイツチング回路の
測定には適さない。
ス７で終端された同軸線路６から飛出している場
合の影響は信号の伝播時間が約40PSなので、同
軸線路の端部で、時間間隔80PS程度のパルスの
反射を生ずる。従つてこのようなプローバはスイ
ツチング時間数100PSの高速スイツチング回路の
測定には適さない。
すなわちこの同軸線路から飛出している探針の
長さは短かければ短いほど、高周波特性測定のた
めには望ましい。しかしながら従来の同軸プロー
バでは終端抵抗をとりつける必要上、探針の長さ
をあまり短くできなかつた。又抵抗をつけるため
に細いケーブルを使うことが出来ず、プローバの
小型化ができなかつた。
長さは短かければ短いほど、高周波特性測定のた
めには望ましい。しかしながら従来の同軸プロー
バでは終端抵抗をとりつける必要上、探針の長さ
をあまり短くできなかつた。又抵抗をつけるため
に細いケーブルを使うことが出来ず、プローバの
小型化ができなかつた。
これに対し本発明は上記欠点を除去し、探針の
長さを短くでき、高周波特性の測定に最適なプロ
ーバを提案するものである。
長さを短くでき、高周波特性の測定に最適なプロ
ーバを提案するものである。
すなわち本発明は折返された同軸線路と、その
折返し点で心線に接続された探針を有し、同軸線
路の両端が該同軸線路の特性インピーダンスで終
端されるように構成されていることを特徴とする
ものである。本発明は第３図に示すように同軸線
路６を折返し、折返し部分で心線と探針３を接続
し、同軸線路の端部に終端抵抗を取付ける。この
終端抵抗の値は同軸線路の特性インピーダンスと
等しくしておけば、線路の端部にあつても、信号
パルスの多重反射を防止することができ、第２図
の位置に抵抗を入れたのと全く同一の効果を有す
る。しかも本発明の構成に於いては探針と同軸線
との接続部分に抵抗を配置する必要がないため、
探針の長さを非常に短くすることができる。従来
10mm程度の長さが必要であつたが、本発明によれ
ば１mm程度の長さにすることが可能である。第３
図ａの８は同軸コネクタで、Ａ部を拡大して示し
たのが第３図ｂである。第３図ｂに於いて３はタ
ングステン等からなる探針、９は中心導体、すな
わち心線で通常は銅線であり、１０は外部導体で
銅のパイプ等であり、１１はテフロン等の誘電体
である。
折返し点で心線に接続された探針を有し、同軸線
路の両端が該同軸線路の特性インピーダンスで終
端されるように構成されていることを特徴とする
ものである。本発明は第３図に示すように同軸線
路６を折返し、折返し部分で心線と探針３を接続
し、同軸線路の端部に終端抵抗を取付ける。この
終端抵抗の値は同軸線路の特性インピーダンスと
等しくしておけば、線路の端部にあつても、信号
パルスの多重反射を防止することができ、第２図
の位置に抵抗を入れたのと全く同一の効果を有す
る。しかも本発明の構成に於いては探針と同軸線
との接続部分に抵抗を配置する必要がないため、
探針の長さを非常に短くすることができる。従来
10mm程度の長さが必要であつたが、本発明によれ
ば１mm程度の長さにすることが可能である。第３
図ａの８は同軸コネクタで、Ａ部を拡大して示し
たのが第３図ｂである。第３図ｂに於いて３はタ
ングステン等からなる探針、９は中心導体、すな
わち心線で通常は銅線であり、１０は外部導体で
銅のパイプ等であり、１１はテフロン等の誘電体
である。
第４図は本発明の高周波同軸プローバを用い
て、ウエフア状態でICのスイツチング特性を測
定するときの状態を示した図であり、４はパルス
発生器、８は同軸コネクタ、１２は同軸ケーブ
ル、１３は本発明の同軸プローバ、１４は終端抵
抗、１５は試料台、１６はICが形成された半導
体ウエフア、１７はボンデイングパツト、１８は
サンプリングオシロスコープを示している。パル
ス発生器４からの信号を本発明の同軸プローバ１
３によつて半導体ウエフア１６のボンデイングパ
ツド１７に与え、別の同軸プローバ１３によつ
て、別の位置のボンデイングパツド１７より信号
をとり出し、サンプリングオシロスコープ１８で
特性を測定する。
て、ウエフア状態でICのスイツチング特性を測
定するときの状態を示した図であり、４はパルス
発生器、８は同軸コネクタ、１２は同軸ケーブ
ル、１３は本発明の同軸プローバ、１４は終端抵
抗、１５は試料台、１６はICが形成された半導
体ウエフア、１７はボンデイングパツト、１８は
サンプリングオシロスコープを示している。パル
ス発生器４からの信号を本発明の同軸プローバ１
３によつて半導体ウエフア１６のボンデイングパ
ツド１７に与え、別の同軸プローバ１３によつ
て、別の位置のボンデイングパツド１７より信号
をとり出し、サンプリングオシロスコープ１８で
特性を測定する。
なお第４図に於いてパルス発生器４及びサンプ
リングオシロスコープの内部抵抗は同軸線路の特
性インピーダンスと等しく設計されている。
リングオシロスコープの内部抵抗は同軸線路の特
性インピーダンスと等しく設計されている。
第１図及び第２図は従来の装置、第３図は本発
明の実施例、第４図は本発明の同軸プローバの使
用例であり、図に於いて、１は試験されるべきウ
エフア、２は単線ケーブル、３は探針、４はパル
ス発生器、５は内部抵抗、６は同軸ケーブル、７
は抵抗、８は同軸コネクタ、９は心線、１０は外
部導線、１１は誘導体、１２は同軸ケーブル、１
３は本発明のプローバ、１４は終端抵抗、１５は
試料台、１６はICウエフア、１７はボンデイン
グパツド、１８はサンプリングオツシロスコープ
を示す。
明の実施例、第４図は本発明の同軸プローバの使
用例であり、図に於いて、１は試験されるべきウ
エフア、２は単線ケーブル、３は探針、４はパル
ス発生器、５は内部抵抗、６は同軸ケーブル、７
は抵抗、８は同軸コネクタ、９は心線、１０は外
部導線、１１は誘導体、１２は同軸ケーブル、１
３は本発明のプローバ、１４は終端抵抗、１５は
試料台、１６はICウエフア、１７はボンデイン
グパツド、１８はサンプリングオツシロスコープ
を示す。
Claims (1)
- １ 折返えされた同軸線路と、その折返し部分で
心線に接続された探針を有し、該同軸線路の特性
インピーダンスで終端されるように構成されてい
ることを特徴とする高周波同軸プローバ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480778A JPS5590861A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | High-frequency coaxial probe |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16480778A JPS5590861A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | High-frequency coaxial probe |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5590861A JPS5590861A (en) | 1980-07-09 |
| JPS623906B2 true JPS623906B2 (ja) | 1987-01-27 |
Family
ID=15800284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16480778A Granted JPS5590861A (en) | 1978-12-28 | 1978-12-28 | High-frequency coaxial probe |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5590861A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6047432A (ja) * | 1983-08-26 | 1985-03-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 同軸高周波プロ−プ |
| US6753676B1 (en) * | 2000-09-07 | 2004-06-22 | Lucent Technologies Inc. | RF test probe |
| DE202010013616U1 (de) * | 2010-09-27 | 2010-12-30 | Ingun Prüfmittelbau Gmbh | Hochfrequenz-Prüfstift |
| KR20180072218A (ko) | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 주식회사 아이지에스피 | 곡물 군집의 품질판정을 겸하는 선별장치 |
| KR20180072204A (ko) | 2016-12-21 | 2018-06-29 | 주식회사 아이지에스피 | 곡물의 군집 품질 측정 결과를 선별 기준으로 하는 선별 장치 및 방법 |
-
1978
- 1978-12-28 JP JP16480778A patent/JPS5590861A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5590861A (en) | 1980-07-09 |
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