JPS59215737A - 高速信号測定装置 - Google Patents
高速信号測定装置Info
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- JPS59215737A JPS59215737A JP58089124A JP8912483A JPS59215737A JP S59215737 A JPS59215737 A JP S59215737A JP 58089124 A JP58089124 A JP 58089124A JP 8912483 A JP8912483 A JP 8912483A JP S59215737 A JPS59215737 A JP S59215737A
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- Japan
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- face
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- Pending
Links
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 abstract description 8
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明はウェハ状態の高速ＩＣの測定を行なうことがで
きる高速信号測定装置、特に電源線の電圧安定化に適し
た高速信号測定装置に関する。
きる高速信号測定装置、特に電源線の電圧安定化に適し
た高速信号測定装置に関する。
ＩＣの特性測定をチップごとに切シ離さずにウェハ状態
のままで行なうことは製造コストの低減開発期間の短縮
などに有効でらる。従来この様な測定を行なうため第１
図に示すようなＩＣのノくラドと電気的接触をとるため
の針５を持つプローブカード４（第１図（ｂ）、 （Ｃ
）、 （ｄ） ）およびグローブカード４を支持し、か
つ電気的接続を行なうコネクタ２を備えたパーフォーマ
ンスポード１よシ成る測定装置が一般に使われている。
のままで行なうことは製造コストの低減開発期間の短縮
などに有効でらる。従来この様な測定を行なうため第１
図に示すようなＩＣのノくラドと電気的接触をとるため
の針５を持つプローブカード４（第１図（ｂ）、 （Ｃ
）、 （ｄ） ）およびグローブカード４を支持し、か
つ電気的接続を行なうコネクタ２を備えたパーフォーマ
ンスポード１よシ成る測定装置が一般に使われている。
この例ではＩＣに対して入力信号、出力信号および電源
などがプローブカード４の針５を通して供給されている
。
などがプローブカード４の針５を通して供給されている
。
ＩＣの高速化に伴い測定対象となる信号Ω周波数は高く
なってきているが従来の方法は針が長いためインダクタ
ンスが大きく、またコネクタや°伝送線路の特性イ／ピ
ーダンスの整合がとられていないため高速ＩＣを測定す
るのに充分な周波数特性を得るのは困難である。
なってきているが従来の方法は針が長いためインダクタ
ンスが大きく、またコネクタや°伝送線路の特性イ／ピ
ーダンスの整合がとられていないため高速ＩＣを測定す
るのに充分な周波数特性を得るのは困難である。
装置の周波数特性を改善するには、針を短かくしてイン
ダクタンスを減少させるとともに伝送線路の特性インピ
ーダンスの整合金とることが必要である。最近その様な
性能を実現した特殊な装置が発表されている。例えばａ
ｏａｙ Ｉ；、 ＶＡＮＴＵＹＬ ｅｔ ａｌ、、”Ａ
Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒ
Ａｎａｌｏｇ ａｎｄ ］）ｉｇｉｔａｌ Ｑａｌｌｉ
ｕｍ Ａｒ５ｅｎｉ −ｄｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
ダクタンスを減少させるとともに伝送線路の特性インピ
ーダンスの整合金とることが必要である。最近その様な
性能を実現した特殊な装置が発表されている。例えばａ
ｏａｙ Ｉ；、 ＶＡＮＴＵＹＬ ｅｔ ａｌ、、”Ａ
Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒ
Ａｎａｌｏｇ ａｎｄ ］）ｉｇｉｔａｌ Ｑａｌｌｉ
ｕｍ Ａｒ５ｅｎｉ −ｄｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ
Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、”ＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ。
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ １）ｅｖｉｃｅｓ、ｖｏｌ、ＥＤ−
２９，Ｊｕｌ、１９８２゜ｐｐ、 １０３１−１０３７
およびＥ、８ｔｒｉｄ ｅｔ ａｌ、。
２９，Ｊｕｌ、１９８２゜ｐｐ、 １０３１−１０３７
およびＥ、８ｔｒｉｄ ｅｔ ａｌ、。
“Ａ ＭＩＣＩＩ、Ｏ８’ｒＲ，Ｉ’Ｐ ＰＲＯＢＥ
ＦＯＲＭＩＣＲＯ−ＷＡＶＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭ
ＥＮＴ８ ＯＮ ＧａＡｓ ＦＥＴＡＮＤ ＩＣ
ＷＡＦＥＲ８，’ ｆｎ １ｅｓｅａｒｃｈ Ａｂｓｔ
ｒａ −ｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ２９ｔｈ ＩＥＥＥ
ＧａＡｓ ＩＣ８’／ｍｐ、。
ＦＯＲＭＩＣＲＯ−ＷＡＶＥ ＭＥＡＳＵＲＥＭ
ＥＮＴ８ ＯＮ ＧａＡｓ ＦＥＴＡＮＤ ＩＣ
ＷＡＦＥＲ８，’ ｆｎ １ｅｓｅａｒｃｈ Ａｂｓｔ
ｒａ −ｃｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ２９ｔｈ ＩＥＥＥ
ＧａＡｓ ＩＣ８’／ｍｐ、。
Ｎｏｖ、 １９８０． ｐａｐｅｒ３１． カ４ル。開
ａｔＲノ犬’１はこの例では７關メ７ｗｎ程度、針の長
さは２咽程度である。この例ではサファイア、セラミッ
クなどの絶縁体でできた基板上に形成されたマイクロス
トリップラインを使って整合のとれた伝送線路をＩＣの
近傍まで延長するとともに短かい針をマイクロストリッ
プラインに直接接続することによυ針のインダクタンス
を減少させて良好な周波数特性が得られる。さて高速Ｉ
Ｃの測定を行なう場合にＩＣに近い位置で電源線と接地
線の間にバイパスコンデンサを入れて電源電圧を安定化
しなければならない。第１図の従来例ではバーフオーマ
ンスポード１上にバイパスコンデンサが取付けられてい
る。ところが周波数特性を改良した装置ではＩＣの近傍
ではマイクロストリップラインが高密度に集中している
ためバイパスコンデンサ全取付けるにはマイクロストリ
ップラインの数を減らすかあるいはバイパスコンデンサ
を取付けるためのパターンをあらかじめ用意しておかね
ばならない。しかし前者の方法ではマイクロストリップ
ラインの数すなわち針の本数を減らさなければならない
。ＩＣの高集積化に伴い接続に必要な針の本数は増加し
ておシ、本数を減らすのは限界がふる。
ａｔＲノ犬’１はこの例では７關メ７ｗｎ程度、針の長
さは２咽程度である。この例ではサファイア、セラミッ
クなどの絶縁体でできた基板上に形成されたマイクロス
トリップラインを使って整合のとれた伝送線路をＩＣの
近傍まで延長するとともに短かい針をマイクロストリッ
プラインに直接接続することによυ針のインダクタンス
を減少させて良好な周波数特性が得られる。さて高速Ｉ
Ｃの測定を行なう場合にＩＣに近い位置で電源線と接地
線の間にバイパスコンデンサを入れて電源電圧を安定化
しなければならない。第１図の従来例ではバーフオーマ
ンスポード１上にバイパスコンデンサが取付けられてい
る。ところが周波数特性を改良した装置ではＩＣの近傍
ではマイクロストリップラインが高密度に集中している
ためバイパスコンデンサ全取付けるにはマイクロストリ
ップラインの数を減らすかあるいはバイパスコンデンサ
を取付けるためのパターンをあらかじめ用意しておかね
ばならない。しかし前者の方法ではマイクロストリップ
ラインの数すなわち針の本数を減らさなければならない
。ＩＣの高集積化に伴い接続に必要な針の本数は増加し
ておシ、本数を減らすのは限界がふる。
また後者の方法ではＩＣによって電源パッドの位置が異
なるため測定対象のＩＣが変わるたびに装置のマイクロ
ストリップラインのパターンを変更しなければならず装
置の製作に要する時間および費用が大きくなる。
なるため測定対象のＩＣが変わるたびに装置のマイクロ
ストリップラインのパターンを変更しなければならず装
置の製作に要する時間および費用が大きくなる。
本発明の目的はマイクロストリップラインの本数の制限
やパターンの変更などを行なわずにバイパスコンデンサ
全取付けることが可能な高速信号測定装置を提供するこ
とにある。
やパターンの変更などを行なわずにバイパスコンデンサ
全取付けることが可能な高速信号測定装置を提供するこ
とにある。
従来例（几ＯＲＹ Ｌ、ＶＡＮ ＴＵＹＬ ｅｔ ａｌ
、。
、。
＠Ａ Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ ｐｒｏｃｅｓｓ
ｆｏｒ Ａｎａｌｏｇａｎｄ ｌ）ｉｇｉｔａｌ Ｑａ
ｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｉｄｅ 工ｎｔｅｇｒａ−ｔｅ
ｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、”ＪＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｌ）ｅｙｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＥＤ−２
９，Ｊｕｌ、 １９８２ ）では、グローブカードの性
能向上のために、ＩＣに対応してグローブカードのパタ
ーンをカスタム化するという方法が提案され、−例とし
てバイパスコンデンサを取付けることが挙げられている
。しかし、この方法ではバイパスコンデンサをマイクロ
ストリップラインの信号線側に取付けるために、測定対
象のＩＣＥ合わせてグローブカードをカスタム化するた
め製作に要する時間および費用が増大する。またマイク
ロストリップラインの本数の減少が本質的に避けられな
い。本発明はバイパスコンデンサを信号線側ではなく、
接地面側に、金属膜の一部を取り除いて取付けることに
より、この問題を解決したものである。
ｆｏｒ Ａｎａｌｏｇａｎｄ ｌ）ｉｇｉｔａｌ Ｑａ
ｌｌｉｕｍ Ａｒ５ｅｎｉｄｅ 工ｎｔｅｇｒａ−ｔｅ
ｄ Ｃ１ｒｃｕｉｔｓ、”ＪＥＥＥ Ｔｒａｎｓ、Ｅｌ
ｅｃｔｒｏｎｌ）ｅｙｉｃｅｓ、 ｖｏｌ、 ＥＤ−２
９，Ｊｕｌ、 １９８２ ）では、グローブカードの性
能向上のために、ＩＣに対応してグローブカードのパタ
ーンをカスタム化するという方法が提案され、−例とし
てバイパスコンデンサを取付けることが挙げられている
。しかし、この方法ではバイパスコンデンサをマイクロ
ストリップラインの信号線側に取付けるために、測定対
象のＩＣＥ合わせてグローブカードをカスタム化するた
め製作に要する時間および費用が増大する。またマイク
ロストリップラインの本数の減少が本質的に避けられな
い。本発明はバイパスコンデンサを信号線側ではなく、
接地面側に、金属膜の一部を取り除いて取付けることに
より、この問題を解決したものである。
以下、本発明の一実施例を説明する。本発明の一実施例
を第２図に示し、その開口部の拡大図を第３図に示す。
を第２図に示し、その開口部の拡大図を第３図に示す。
第２図および第３図に示された装置では、伝送線路がマ
イクロストリップライン１３で作られているため、グロ
ーブカード１１の針１５の取付けられた面の反対側の面
は接地面となっている。グローブカード１１は取付台１
７に固定されているが取付台１７の中心の開口部１８を
グローブカード１１の開口部１９より大きくし、プロー
グカード１１の接地面を中心附近で取付台１７から露出
させている。この露出部分２０の接地面の金属膜を、第
４図に示すように取り除き、グローブカードの絶縁体基
板２１を露出させ、チップコンデンサ２２（ｆ−半田付
は等の方法により一方の電極を接地面に接続し、もう一
方の電極は露出した基板上にあって接地面から絶縁され
た状態になるように固定し、電源線の針１５とチップコ
ンデンサ２２を接続する。この様に゛チップコンデンサ
２２を信号線のある面の反対側の接地面に取付けること
により、バイパスコンデンサを取付けるために、マイク
ロストリップラインの数を減らす必要がなく、またＩＣ
の電源パッドの位置が変わっても、マイクロストリップ
ラインのパターンを変更する必要がないので、パターン
は一種類で済み、装置の製作に要する時間や費用を小さ
くすることができる。
イクロストリップライン１３で作られているため、グロ
ーブカード１１の針１５の取付けられた面の反対側の面
は接地面となっている。グローブカード１１は取付台１
７に固定されているが取付台１７の中心の開口部１８を
グローブカード１１の開口部１９より大きくし、プロー
グカード１１の接地面を中心附近で取付台１７から露出
させている。この露出部分２０の接地面の金属膜を、第
４図に示すように取り除き、グローブカードの絶縁体基
板２１を露出させ、チップコンデンサ２２（ｆ−半田付
は等の方法により一方の電極を接地面に接続し、もう一
方の電極は露出した基板上にあって接地面から絶縁され
た状態になるように固定し、電源線の針１５とチップコ
ンデンサ２２を接続する。この様に゛チップコンデンサ
２２を信号線のある面の反対側の接地面に取付けること
により、バイパスコンデンサを取付けるために、マイク
ロストリップラインの数を減らす必要がなく、またＩＣ
の電源パッドの位置が変わっても、マイクロストリップ
ラインのパターンを変更する必要がないので、パターン
は一種類で済み、装置の製作に要する時間や費用を小さ
くすることができる。
なお、前記実施例では４分割されたグローブカード１１
について説明したが、例えば第５図に示す様に、分割さ
れておらず中心に開口部のあるグローブカード３１にお
いても、同様に本発明を適用できることは明らかである
。
について説明したが、例えば第５図に示す様に、分割さ
れておらず中心に開口部のあるグローブカード３１にお
いても、同様に本発明を適用できることは明らかである
。
伝送線路にマイクロストリップラインを用いた高速信号
測定装置において、本発明を適用することによシ、マイ
クロストリップラインの本数を減らすことなしにバイパ
スコンデンサヲ取付けられるとともに、電源を供給する
線の位置が変わってもマイクロストリップラインのパタ
ーンを変更する必要がないため、装置の製作に要する時
間や費用を低減することができる。
測定装置において、本発明を適用することによシ、マイ
クロストリップラインの本数を減らすことなしにバイパ
スコンデンサヲ取付けられるとともに、電源を供給する
線の位置が変わってもマイクロストリップラインのパタ
ーンを変更する必要がないため、装置の製作に要する時
間や費用を低減することができる。
第１図（ａ）、 （ｂ）、 （Ｃ）、 （ｄ）は従来例
のパーフォーマンスポードを示す図、第２図（ａ）は本
発明の実施例を示す下面図、第２図（ｂ）はそのＡ−Ａ
線断面図、第３図はその中心部の拡大図、第４図は本発
明の実施例を示す拡大図、第５図（ａ）、 （ｂ）は本
発明の他の実施例を示す図である。 １１．３１・・・プローブカード、１３・・・マイクロ
ストリップライン、１５・・・針、１７・・・取付台、
２１第 １ 図 （σ） （す （ｂ） 第 ′５ （２） 第 ４ 図
のパーフォーマンスポードを示す図、第２図（ａ）は本
発明の実施例を示す下面図、第２図（ｂ）はそのＡ−Ａ
線断面図、第３図はその中心部の拡大図、第４図は本発
明の実施例を示す拡大図、第５図（ａ）、 （ｂ）は本
発明の他の実施例を示す図である。 １１．３１・・・プローブカード、１３・・・マイクロ
ストリップライン、１５・・・針、１７・・・取付台、
２１第 １ 図 （σ） （す （ｂ） 第 ′５ （２） 第 ４ 図
Claims (1)
- １、被測定ＩＣを中心部に置き、その回りにマイクロス
トリップラインを放射状に配置し、該マイクロストリッ
プラインの終端に上記ＩＣに接触するための針を設けた
グローブカードラ有スる高速信号測定装置において、上
記グローブカードの接地面側にコンデンサを設け、該コ
ンデンサと上記針を接続したことを特徴とする高速信号
測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089124A JPS59215737A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 高速信号測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58089124A JPS59215737A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 高速信号測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59215737A true JPS59215737A (ja) | 1984-12-05 |
Family
ID=13962133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58089124A Pending JPS59215737A (ja) | 1983-05-23 | 1983-05-23 | 高速信号測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59215737A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179126A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Nippon Denshi Zairyo Kk | マイクロ・ウエ−ブ用プロ−ブカ−ド |
| JPS6365638A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | テクトロニクス・インコーポレイテツド | 集積回路ウエハ・プローブ装置 |
| JPS63273328A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPH02216467A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プローバ |
| JP2005524855A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 半導体ウェハを試験するための高性能プローブシステム |
| JP2006308528A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Asahi Kasei Microsystems Kk | プローブカード |
| US7764075B2 (en) | 2002-05-08 | 2010-07-27 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
-
1983
- 1983-05-23 JP JP58089124A patent/JPS59215737A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62179126A (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-06 | Nippon Denshi Zairyo Kk | マイクロ・ウエ−ブ用プロ−ブカ−ド |
| JPS6365638A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-24 | テクトロニクス・インコーポレイテツド | 集積回路ウエハ・プローブ装置 |
| JPS63273328A (ja) * | 1987-05-01 | 1988-11-10 | Tokyo Electron Ltd | プロ−ブカ−ド |
| JPH02216467A (ja) * | 1989-02-17 | 1990-08-29 | Tokyo Electron Ltd | プローバ |
| JP2005524855A (ja) * | 2002-05-08 | 2005-08-18 | フォームファクター，インコーポレイテッド | 半導体ウェハを試験するための高性能プローブシステム |
| US7764075B2 (en) | 2002-05-08 | 2010-07-27 | Formfactor, Inc. | High performance probe system |
| US8614590B2 (en) | 2002-05-08 | 2013-12-24 | Charles A. Miller | High performance probe system |
| JP2006308528A (ja) * | 2005-05-02 | 2006-11-09 | Asahi Kasei Microsystems Kk | プローブカード |
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