JPS5851482A - 半導体装置用ソケツト - Google Patents

半導体装置用ソケツト

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JPS5851482A
JPS5851482A JP56147906A JP14790681A JPS5851482A JP S5851482 A JPS5851482 A JP S5851482A JP 56147906 A JP56147906 A JP 56147906A JP 14790681 A JP14790681 A JP 14790681A JP S5851482 A JPS5851482 A JP S5851482A
Authority
JP
Japan
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socket
contact
semiconductor device
present
partition wall
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Pending
Application number
JP56147906A
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English (en)
Inventor
正幸 佐藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明に−L’P導体装置用ソケッ)K関するものであ
る。
従来、集積回路(IC)の如き半導体装置のテストを行
う場合、ソケットを用いている。たとえば、従来のIC
実装用のソケットは第1rIAVc示すように、ICソ
ケット台IK多数のコンタクトビン2を設けた構造とな
っている。すなわち、このソケット構造においては、コ
ンタクトビン2がICビンと接触し、また固定実装でき
るようになっている。
しかしながら、従来のICソケッ)においては、コンタ
クトビン部分のインダクタンス効果、および高周波イン
ピーダンス不整合のため、超高速デバイス等においては
、高周波領域では反射等の悪影響が発生し、有効な機能
を果たすことができず、デバイス試験においても高精度
の測定を行うことができないという欠点がある。
また、前記従来技術では、微小信号においてコンタクト
ビン間のクロストーク容量に起因してノイズが多くなる
という欠点もある。
本発明の目的は前記従来技術の欠点を解消し、コンタク
トビン部分のインダクタンス成分を低下させかつ反射を
減少させ、しかもノイズが少く、しかも!易に実装でき
る半導体用ソケットを提供するととにある。
この目的を達成するため、本発明の半導体装置用ソケッ
トは、コンタクトビン間に電気伝導体の隔壁を設けて該
隔壁を接地したものである。
以下、本発明を図面に示す一実施例にしたがって説明す
る。
第2図は本発明による半導体装置用ソケットの一実施例
を示す斜視図である。
本実施例の半導体装置用ソケッlおいて、ICソケット
台IKは多数のコンタクトピン2が配置されている。ま
た、各コンタクトビン2の間およびICソケット台1の
周囲には、電気伝導体の隔壁3が設けられている。この
隔壁30下部には、複数個の接地端子4が一体形成され
ており、#接地端子4により隔壁3を接地するよう構成
されている。
したがって、本実施例においては、各コンタクトビン毎
に同軸構造を構成している。
本実施例によれば、コンタクトピン2の部分におけるイ
ンダクタンス効果、および高周波インピーダンス不整合
は、W!地端子4で!I地される電気伝導体の隔壁3に
より低減され、超高速デバイスの場合でも、反射による
デバイスの機能低下を阻止できる。また、コンタクトビ
ン間のクロストーク容量によるノイズを減少させ、精度
の良いデバイス試験を行うことが可能である。しかも、
本実施例においては、従来の実装ソケット(テストソケ
ット)の持つ便利さを低下させることもなく、実装が容
易であることKより作業性が良好に保たれる。
なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
様々な変形が可能である。
以上説明したように、本発明によれば、コンタクトビン
部分のインダクタンス効果を低下させかつ高周波インピ
ーダンス不整合を低減することができ、超高速デバイス
でも機能低下を阻止し、またノイズが少く、デバイス試
験を行う場合にも高精度の測定を行うことができ、しか
も実装が容易で曳好な作業性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来技術を示す斜視図、第2図は本発明による
半導体装置用ソケットの一実施例を示す斜視図である。 1・・・ICソケット台、2・・・コンタクトピン、3
・・・電気伝導体の隔壁、4・・・接地端子。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ソケット台に設けた複数個のコンタクトビン間に電気伝
    導体の隔壁を配設して該隔壁を接地し、各コンタクトビ
    ンを同軸構造とした半導体装置用ソケット。
JP56147906A 1981-09-21 1981-09-21 半導体装置用ソケツト Pending JPS5851482A (ja)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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