JP2691809B2 - 半導体デバイステスト装置 - Google Patents
半導体デバイステスト装置Info
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- JP2691809B2 JP2691809B2 JP3255777A JP25577791A JP2691809B2 JP 2691809 B2 JP2691809 B2 JP 2691809B2 JP 3255777 A JP3255777 A JP 3255777A JP 25577791 A JP25577791 A JP 25577791A JP 2691809 B2 JP2691809 B2 JP 2691809B2
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
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- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07392—Multiple probes manipulating each probe element or tip individually
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイステスト
装置、特にアナログ及びデジタル混合集積回路(IC)
等の被試験デバイス(以下DUTという)用テスト装置
に関する。
装置、特にアナログ及びデジタル混合集積回路(IC)
等の被試験デバイス(以下DUTという)用テスト装置
に関する。
【0002】
【従来の技術】半導体デバイステスト装置は、ICデバ
イスの動作特性を確認するテストを行うために用いられ
る。通常のテストシステムにおいては、ICデバイス
は、試験中デバイス(DUT)基板上に搭載されている
テストフィクスチュアに載置されている。半導体デバイ
ステスト装置では、より小型でICデバイス入力及び出
力ピン配列に対応すべく多数の高精度デジタル及びアナ
ログ信号に対するものが増々要望されている。かかるテ
スタは、DUT基板とともに搭載されているテストヘッ
ド近傍に集中せしめられているドライバとレシーバを有
する。しかしながら、種々の半導体デバイスとのインタ
フェースのためには、テスタの固定信号位置とデバイス
ピン出力の可変位置構成とを切り換える手段が必要であ
る。上記テスタを設計するエンジニアにとって、高い電
気特性を維持しつつ、テスタ−デバイスインタフェース
を再構成することは主要テーマである。
イスの動作特性を確認するテストを行うために用いられ
る。通常のテストシステムにおいては、ICデバイス
は、試験中デバイス(DUT)基板上に搭載されている
テストフィクスチュアに載置されている。半導体デバイ
ステスト装置では、より小型でICデバイス入力及び出
力ピン配列に対応すべく多数の高精度デジタル及びアナ
ログ信号に対するものが増々要望されている。かかるテ
スタは、DUT基板とともに搭載されているテストヘッ
ド近傍に集中せしめられているドライバとレシーバを有
する。しかしながら、種々の半導体デバイスとのインタ
フェースのためには、テスタの固定信号位置とデバイス
ピン出力の可変位置構成とを切り換える手段が必要であ
る。上記テスタを設計するエンジニアにとって、高い電
気特性を維持しつつ、テスタ−デバイスインタフェース
を再構成することは主要テーマである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体デバイス
テスト装置は、メモリ、デジタル論理または単一アナロ
グ集積回路のいずれかのテストに制限される一方、テス
タの電流発生は、しばしば“混合された信号”のテスト
を可能とする。これら混合信号テスタは、デジタルとア
ナログ回路が高密度で混在する集積回路をテストするも
のである。アナログ信号テストは、テスタ−DUTイン
タフェースに特殊な負担を与える。テスタ−DUTイン
タフェースの更なる負担としては、含まれているアナロ
グ周波数とデジタルデータレートが益々高くなり続ける
ことである。正確に計測されなければならない低レベル
アナログ信号と、非常に高い周波数とデータレートにつ
いてのテストの際には、非常に高い信号忠実度、非常に
低いノイズレベル及び最小クロストークをもつテスタ及
びテスタ−DUTインタフェースを必要とする。この必
要性に適合するための1つの方法は、各デバイスの種類
に応じた専用DUT基板を設計することである。しか
し、この方法は、高価であり、時間を要し、新しいデバ
イス種類の充分なテストをする際に、要求される設計サ
イクルに起因して、容認できないような長時間遅れが生
じてしまう。また、アナログとデジタルの混合集積回路
では、各デバイスは異なるピン出力配置をもつ傾向があ
る。
テスト装置は、メモリ、デジタル論理または単一アナロ
グ集積回路のいずれかのテストに制限される一方、テス
タの電流発生は、しばしば“混合された信号”のテスト
を可能とする。これら混合信号テスタは、デジタルとア
ナログ回路が高密度で混在する集積回路をテストするも
のである。アナログ信号テストは、テスタ−DUTイン
タフェースに特殊な負担を与える。テスタ−DUTイン
タフェースの更なる負担としては、含まれているアナロ
グ周波数とデジタルデータレートが益々高くなり続ける
ことである。正確に計測されなければならない低レベル
アナログ信号と、非常に高い周波数とデータレートにつ
いてのテストの際には、非常に高い信号忠実度、非常に
低いノイズレベル及び最小クロストークをもつテスタ及
びテスタ−DUTインタフェースを必要とする。この必
要性に適合するための1つの方法は、各デバイスの種類
に応じた専用DUT基板を設計することである。しか
し、この方法は、高価であり、時間を要し、新しいデバ
イス種類の充分なテストをする際に、要求される設計サ
イクルに起因して、容認できないような長時間遅れが生
じてしまう。また、アナログとデジタルの混合集積回路
では、各デバイスは異なるピン出力配置をもつ傾向があ
る。
【0004】単一導体や同軸ケーブルのような個別ジャ
ンパワイヤを用いて、テスタ−DUTインタフェースを
再構成することは不便であり、必要なレベルの信号完全
性を与えない。更に、高密度入力と出力をもつ多数のジ
ャンパワイヤ、特に同軸のものは、結局は、多くの空間
をとり、接続及び分離が困難になる。また、更に複雑な
混合信号テスタでは、DUT基板上にはより多くの種類
の回路が存在する。多くの回路が存在する場合には、デ
バイス上の特定ピン用の適切な回路への平均距離が増加
し、テスタ−DUTインタフェースを再構成するため、
個別ジャンパワイヤを用いる作業をより複雑にしてしま
う。
ンパワイヤを用いて、テスタ−DUTインタフェースを
再構成することは不便であり、必要なレベルの信号完全
性を与えない。更に、高密度入力と出力をもつ多数のジ
ャンパワイヤ、特に同軸のものは、結局は、多くの空間
をとり、接続及び分離が困難になる。また、更に複雑な
混合信号テスタでは、DUT基板上にはより多くの種類
の回路が存在する。多くの回路が存在する場合には、デ
バイス上の特定ピン用の適切な回路への平均距離が増加
し、テスタ−DUTインタフェースを再構成するため、
個別ジャンパワイヤを用いる作業をより複雑にしてしま
う。
【0005】そこで、本発明の目的は、簡単に再構成可
能で、電気的及び機械的な信頼性が高く、ノイズとクロ
ストークが低く、且つテストされる高密度デジタルアナ
ログ混合デバイスを許容するDUT基板接続部を有する
半導体デバイステスト装置を提供することにある。
能で、電気的及び機械的な信頼性が高く、ノイズとクロ
ストークが低く、且つテストされる高密度デジタルアナ
ログ混合デバイスを許容するDUT基板接続部を有する
半導体デバイステスト装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】前述の課題を解決するた
め、本発明による半導体デバイステスト装置は、接地路
及び複数の信号路が形成されると共に多数のスルーホー
ルが形成された多層基板(10)と、該多層基板(1
0)の一面(17)に重ねて配置されると共に前記多層
基板(10)の前記スルーホールの少なくとも一部に対
応する穴(20)が形成された接地ブロック(18)
と、前記多層基板(10)の前記多数のスルーホール内
に挿入され、前記一面(17)側から突出するピン(1
6)及び他面(15)側にソケット(14)を有し、内
側アレイ(11)及び外側アレイ(13)を形成する多
数のピン/ソケット(12)とを具え、該ピン/ソケッ
ト(12)の前記内側アレイ(11)の前記ソケット
(14)には被試験半導体デバイス(21)のピン(1
9)が接続され、前記外側アレイ(13)の前記ピン/
ソケット(12)は前記多層基板(10)の前記接地路
又は前記信号路が接続され、前記内側アレイ(11)と
外側アレイ(13)の前記ピン(16)間をジャンパワ
イヤ(22)で選択的に接続可能にするように構成され
ている。
め、本発明による半導体デバイステスト装置は、接地路
及び複数の信号路が形成されると共に多数のスルーホー
ルが形成された多層基板(10)と、該多層基板(1
0)の一面(17)に重ねて配置されると共に前記多層
基板(10)の前記スルーホールの少なくとも一部に対
応する穴(20)が形成された接地ブロック(18)
と、前記多層基板(10)の前記多数のスルーホール内
に挿入され、前記一面(17)側から突出するピン(1
6)及び他面(15)側にソケット(14)を有し、内
側アレイ(11)及び外側アレイ(13)を形成する多
数のピン/ソケット(12)とを具え、該ピン/ソケッ
ト(12)の前記内側アレイ(11)の前記ソケット
(14)には被試験半導体デバイス(21)のピン(1
9)が接続され、前記外側アレイ(13)の前記ピン/
ソケット(12)は前記多層基板(10)の前記接地路
又は前記信号路が接続され、前記内側アレイ(11)と
外側アレイ(13)の前記ピン(16)間をジャンパワ
イヤ(22)で選択的に接続可能にするように構成され
ている。
【0007】
【作用】本発明では、内側アレイ穴と外側アレイ穴を有
し、回路基板接地と電気的に接続されている導体材料か
ら成る接地グリッドを備える半導体デバイステスタ用の
DUT基板についてのものである。これらアレイ穴は、
回路基板の導体部材の下方の内側及び外側アレイについ
て、形状とサイズが対応し、電気的に接続されている。
各導体部材は、対応する穴の中央にピンが設けられ、各
穴を同軸コンタクトリセプタクルとする。導体部材の内
側アレイは、回路基板のDUT側上のDUTを受容する
ソケットまたはパッドを、接地グリッドがある回路基板
の他側に接続する。したがって、内側アレイの同軸コン
タクトリセプタクルは、DUTとのインタフェースとな
る。外側アレイの個々の導体部材は、オペレータがDU
Tに接続を希望するテスタ信号のそれぞれに接続され
る。外側アレイの同軸コンタクトリセプタクルは、それ
故、テスタの信号とのインタフェースとなる。したがっ
て、小型で高品質の同軸ジャンパワイヤを用い、内側及
び外側アレイ内の選択位置間をブリッジすることによっ
て、いずれのテスタ信号も他の任意のデバイスピンに容
易に接続することが可能となる。未使用の内側アレイ同
軸コンタクトリセプタクルは、接地ピースで充填され、
接地ブロックの電気的完全性を維持している。DUT用
電源は、それらの中央導体に接続されている1本の大容
量電源ワイヤと1本の小容量センスワイヤをもつ1本以
上のジャンパを介して供給される。デカップルキャパシ
タは、電源ジャンパ中央導体と最近接の同軸接地ピース
との間に設けられる。
し、回路基板接地と電気的に接続されている導体材料か
ら成る接地グリッドを備える半導体デバイステスタ用の
DUT基板についてのものである。これらアレイ穴は、
回路基板の導体部材の下方の内側及び外側アレイについ
て、形状とサイズが対応し、電気的に接続されている。
各導体部材は、対応する穴の中央にピンが設けられ、各
穴を同軸コンタクトリセプタクルとする。導体部材の内
側アレイは、回路基板のDUT側上のDUTを受容する
ソケットまたはパッドを、接地グリッドがある回路基板
の他側に接続する。したがって、内側アレイの同軸コン
タクトリセプタクルは、DUTとのインタフェースとな
る。外側アレイの個々の導体部材は、オペレータがDU
Tに接続を希望するテスタ信号のそれぞれに接続され
る。外側アレイの同軸コンタクトリセプタクルは、それ
故、テスタの信号とのインタフェースとなる。したがっ
て、小型で高品質の同軸ジャンパワイヤを用い、内側及
び外側アレイ内の選択位置間をブリッジすることによっ
て、いずれのテスタ信号も他の任意のデバイスピンに容
易に接続することが可能となる。未使用の内側アレイ同
軸コンタクトリセプタクルは、接地ピースで充填され、
接地ブロックの電気的完全性を維持している。DUT用
電源は、それらの中央導体に接続されている1本の大容
量電源ワイヤと1本の小容量センスワイヤをもつ1本以
上のジャンパを介して供給される。デカップルキャパシ
タは、電源ジャンパ中央導体と最近接の同軸接地ピース
との間に設けられる。
【0008】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を参照し
ながら詳細に説明する。図1は、本発明の半導体デバイ
ステスト装置(以下DUT基板ということもある)の一
実施例を示す斜視図である。多層回路基板(10)は、
混合信号テスタの回路にインタフェースする中央部の周
囲に同心円状に配列された多数列のパッド8を有する。
この回路は、アナログ信号を発生する波形発生器及び波
形デジタイザ、またデジタル信号を発生するデジタルス
ティミュレーション及びアクィジション(取込み)回路
(図示せず)を有する。好ましい実施例では、この多層
基板10は高密度化のため12層の印刷回路をもつ。ま
た、信号パスの調整インピーダンスを維持するために交
互配列された信号面と接地面を有する。これら層内の回
路は、この回路基板の背面上の回路エレメント間、これ
ら回路エレメントとテスタの残部間、及び前記のすべて
と回路基板の中央部間のコミュニケーションを与える。
回路基板10の中央部には、接地ブロック18と構成面
(configuration plate)32が設
けられている。
ながら詳細に説明する。図1は、本発明の半導体デバイ
ステスト装置(以下DUT基板ということもある)の一
実施例を示す斜視図である。多層回路基板(10)は、
混合信号テスタの回路にインタフェースする中央部の周
囲に同心円状に配列された多数列のパッド8を有する。
この回路は、アナログ信号を発生する波形発生器及び波
形デジタイザ、またデジタル信号を発生するデジタルス
ティミュレーション及びアクィジション(取込み)回路
(図示せず)を有する。好ましい実施例では、この多層
基板10は高密度化のため12層の印刷回路をもつ。ま
た、信号パスの調整インピーダンスを維持するために交
互配列された信号面と接地面を有する。これら層内の回
路は、この回路基板の背面上の回路エレメント間、これ
ら回路エレメントとテスタの残部間、及び前記のすべて
と回路基板の中央部間のコミュニケーションを与える。
回路基板10の中央部には、接地ブロック18と構成面
(configuration plate)32が設
けられている。
【0009】図2には、本実施例におけるDUT基板、
接地ブロック18、構成面32の分解断面図が示されて
いる。図1に示す多層回路基板10の中央部には、2ア
レイのピン/ソケット12と、内側アレイ11と、外側
アレイ13とが設けられている。ピン/ソケット12
は、回路基板10のスルーホール内に圧接フィットされ
ている。ピン/ソケット12のすべてのソケット14
は、基板10のDUT側15に開かれており、ピン/ソ
ケット12のすべてのピン16は、基板10の背側17
から突出している。次に、図3を参照して説明する。ピ
ン/ソケット12の内側アレイ11は各種アナログデジ
タル混合デバイス(DUT)21の1つのピン19を受
けるよう意図されている。しかし、ピン/ソケット12
の内側アレイ11は、このDUT21を受けるソケット
のピンを受けることもでき、DUT21に付されたハン
ドラコンタクタのピンを受けてもよく、またウェハDU
Tを受けるウェハプローバィンターフェース21のピン
を受けてもよい。現在の内側アレイ11のコンタクト間
隔は2.54mm(0.1インチ)であるが、デバイス
が高密度化すると一層接近したリードスペース用のアレ
イが必要となろう。
接地ブロック18、構成面32の分解断面図が示されて
いる。図1に示す多層回路基板10の中央部には、2ア
レイのピン/ソケット12と、内側アレイ11と、外側
アレイ13とが設けられている。ピン/ソケット12
は、回路基板10のスルーホール内に圧接フィットされ
ている。ピン/ソケット12のすべてのソケット14
は、基板10のDUT側15に開かれており、ピン/ソ
ケット12のすべてのピン16は、基板10の背側17
から突出している。次に、図3を参照して説明する。ピ
ン/ソケット12の内側アレイ11は各種アナログデジ
タル混合デバイス(DUT)21の1つのピン19を受
けるよう意図されている。しかし、ピン/ソケット12
の内側アレイ11は、このDUT21を受けるソケット
のピンを受けることもでき、DUT21に付されたハン
ドラコンタクタのピンを受けてもよく、またウェハDU
Tを受けるウェハプローバィンターフェース21のピン
を受けてもよい。現在の内側アレイ11のコンタクト間
隔は2.54mm(0.1インチ)であるが、デバイス
が高密度化すると一層接近したリードスペース用のアレ
イが必要となろう。
【0010】ピン/ソケット12は、米国、カリフォル
ニア州 フレモントのマッケンジーテクノロジー社(Mck
enzie Technolpgy,Inc.)のモデル番号BUーSTGGー
8631ーVLIである。これらピン/ソケット12の
ソケット14は、非常に低い挿入力をもち、2.54m
mのリード間隔をもつすべての標準SIP,DIP及び
PGAデバイス(または、それらのソケットやハンドラ
コンタクタ等)のピン19を受容する。また、ピン/ソ
ケット12をピン/スルーホール/パッドに変えること
によって、表面実装に適合可能となる。外側アレイ13
のピン/ソケット12が、回路基板10の多層内の信号
ラン41と電気的に接続しており、回路基板10上及び
テスタ内の回路エレメントと外側アレイ13のピン16
間のコミュニケーションを与える。こうして、テスタか
らの信号は、外側アレイ13のピン16で利用可能とさ
れる。外側アレイ13の他行では、接続ラン42は、回
路基板10の接地面に接続されるので、外側アレイ13
のすべての他行のすべてのピン16が接地される。
ニア州 フレモントのマッケンジーテクノロジー社(Mck
enzie Technolpgy,Inc.)のモデル番号BUーSTGGー
8631ーVLIである。これらピン/ソケット12の
ソケット14は、非常に低い挿入力をもち、2.54m
mのリード間隔をもつすべての標準SIP,DIP及び
PGAデバイス(または、それらのソケットやハンドラ
コンタクタ等)のピン19を受容する。また、ピン/ソ
ケット12をピン/スルーホール/パッドに変えること
によって、表面実装に適合可能となる。外側アレイ13
のピン/ソケット12が、回路基板10の多層内の信号
ラン41と電気的に接続しており、回路基板10上及び
テスタ内の回路エレメントと外側アレイ13のピン16
間のコミュニケーションを与える。こうして、テスタか
らの信号は、外側アレイ13のピン16で利用可能とさ
れる。外側アレイ13の他行では、接続ラン42は、回
路基板10の接地面に接続されるので、外側アレイ13
のすべての他行のすべてのピン16が接地される。
【0011】例えば、ねじやボルト35を用いて(図
1)、回路基板10の背側17には、例えば、金被覆金
属等の導電材から成る接地ブロック18が固定される。
この接地ブロック18は、2つのアレイ穴(図2)、内
側アレイ25及び外側アレイ27とを有する。これら
は、回路基板10上のピン/ソケット12の内側アレイ
11と外側アレイ13に対応し、位置合わせされる。穴
20の中央のピン/ソケット12のピン16は、同軸コ
ンタクトリセプタクル内に入り込む。外側穴アレイ27
では、すべての交互行及び列は、穴20とは異なり、よ
り小さい穴44を規定するために金属46で略充填され
ている。これらのより小さい穴44は、外側13のピン
/ソケット12のすべての他の行と列のピン16を受容
するのに適する。こうして、多層基板10内のピン/ソ
ケット12の外側アレイ13の接地行と列は、導体材料
から成る接地ブロック18と直接に接触している。した
がって、最大の遮弊効果が得られ、接地ブロック18の
電気的完全性を増大させている。
1)、回路基板10の背側17には、例えば、金被覆金
属等の導電材から成る接地ブロック18が固定される。
この接地ブロック18は、2つのアレイ穴(図2)、内
側アレイ25及び外側アレイ27とを有する。これら
は、回路基板10上のピン/ソケット12の内側アレイ
11と外側アレイ13に対応し、位置合わせされる。穴
20の中央のピン/ソケット12のピン16は、同軸コ
ンタクトリセプタクル内に入り込む。外側穴アレイ27
では、すべての交互行及び列は、穴20とは異なり、よ
り小さい穴44を規定するために金属46で略充填され
ている。これらのより小さい穴44は、外側13のピン
/ソケット12のすべての他の行と列のピン16を受容
するのに適する。こうして、多層基板10内のピン/ソ
ケット12の外側アレイ13の接地行と列は、導体材料
から成る接地ブロック18と直接に接触している。した
がって、最大の遮弊効果が得られ、接地ブロック18の
電気的完全性を増大させている。
【0012】回路基板10上のピン/ソケット12のア
レイ11,13と位置合わせされた接地ブロック18内
の穴20のアレイ25,27とともに、突出ピン16と
対応する穴20は、一緒になってソケットや、小型同軸
コンタクト受容用に適する充分な機能同軸コンタクトリ
セプタクルを構成する。穴20は、略2.29mm内径
を有し、この内径は上記ソケットと嵌合するのに適する
挿入された同軸コンタクトの外径と等しい。
レイ11,13と位置合わせされた接地ブロック18内
の穴20のアレイ25,27とともに、突出ピン16と
対応する穴20は、一緒になってソケットや、小型同軸
コンタクト受容用に適する充分な機能同軸コンタクトリ
セプタクルを構成する。穴20は、略2.29mm内径
を有し、この内径は上記ソケットと嵌合するのに適する
挿入された同軸コンタクトの外径と等しい。
【0013】本発明のDUT基板は、前述した如く、ピ
ン/ソケット12の外側アレイ13に接続されているテ
スタ回路を有するとともに、もしデバイス21が設置さ
れているならば、ピン/ソケット12の内側アレイ11
のソケット14のサブセットに接続されているデバイス
21のI/Oピン19を有する。穴の外側アレイ27の
同軸コンタクトリセプタクルは、テスタ回路とのインタ
フェースとなり、一方、内側アレイ穴25の同軸コンタ
クトコネクタは、デバイス21のピン19へのインタフ
ェースとなる。
ン/ソケット12の外側アレイ13に接続されているテ
スタ回路を有するとともに、もしデバイス21が設置さ
れているならば、ピン/ソケット12の内側アレイ11
のソケット14のサブセットに接続されているデバイス
21のI/Oピン19を有する。穴の外側アレイ27の
同軸コンタクトリセプタクルは、テスタ回路とのインタ
フェースとなり、一方、内側アレイ穴25の同軸コンタ
クトコネクタは、デバイス21のピン19へのインタフ
ェースとなる。
【0014】さて、図4を参照すると、512個迄の能
動ピン19をもつテスト対象デバイス21に適合する実
施例においては、穴25の内側アレイは24×24の合
計576穴である。テスタは、ステミュレーションまた
は取得データを与える512個のドライバ/レシーバチ
ャンネルを有するが、デバイスは合計576個迄のピン
をもつことができる。本実施例の外側アレイ27の穴の
ラインは、それぞれ次のラインよりも2つ長い。しか
し、すべての他の行は接地され、これらのすべては、金
属層46(図2)の接地ブロック18の上面図に示され
ている。したがって、穴の能動ラインのそれぞれは、内
側アレイから見て4だけ長い。すなわち、外側アレイ2
7の穴のラインは、28,32,36及び40穴のよう
に長くなり、外側アレイ内の合計528個の穴を与えて
いる。したがって、外側アレイ内の528ポイントがテ
スタの512入力/出力チャンネルから信号を供給する
のにより充分となる。
動ピン19をもつテスト対象デバイス21に適合する実
施例においては、穴25の内側アレイは24×24の合
計576穴である。テスタは、ステミュレーションまた
は取得データを与える512個のドライバ/レシーバチ
ャンネルを有するが、デバイスは合計576個迄のピン
をもつことができる。本実施例の外側アレイ27の穴の
ラインは、それぞれ次のラインよりも2つ長い。しか
し、すべての他の行は接地され、これらのすべては、金
属層46(図2)の接地ブロック18の上面図に示され
ている。したがって、穴の能動ラインのそれぞれは、内
側アレイから見て4だけ長い。すなわち、外側アレイ2
7の穴のラインは、28,32,36及び40穴のよう
に長くなり、外側アレイ内の合計528個の穴を与えて
いる。したがって、外側アレイ内の528ポイントがテ
スタの512入力/出力チャンネルから信号を供給する
のにより充分となる。
【0015】各端に同軸コンタクト23とともに設けら
れた同軸ジャンパワイヤ22が、デバイス21(内側同
軸コンタクトリセプタクルアレイ25)へのインタフェ
ースを用いて、所望の方法でインタフェースをテスタ
(外側同軸コンタクトリセプタクルアレイ27)に接続
するために用いられる。これらの同軸ジャンパワイヤ2
2は、内側アレイ11と外側アレイ13内のポイント間
の最悪ケース距離を接続するのに充分な長さをもたなけ
ればならない。2.54mmの24×24及び40×4
0アレイ寸法の接地ブロック18に対して、約12.7
cmの同軸ジャンパ長が満足すべきものであることが確
認された。
れた同軸ジャンパワイヤ22が、デバイス21(内側同
軸コンタクトリセプタクルアレイ25)へのインタフェ
ースを用いて、所望の方法でインタフェースをテスタ
(外側同軸コンタクトリセプタクルアレイ27)に接続
するために用いられる。これらの同軸ジャンパワイヤ2
2は、内側アレイ11と外側アレイ13内のポイント間
の最悪ケース距離を接続するのに充分な長さをもたなけ
ればならない。2.54mmの24×24及び40×4
0アレイ寸法の接地ブロック18に対して、約12.7
cmの同軸ジャンパ長が満足すべきものであることが確
認された。
【0016】好ましい実施例では、これらのジャンパワ
イヤは、22.66mm長の通常の短ピンの代わりに、
例えば、AMP社から販売され、11.43mm長とさ
れ、部品番号51563−2のサブミニチュアコンタク
ト(SubminitureContact)のような
非常に短いコンタクトを有する。このコンタクトは、
W.L.Gore&Associates社により製造
された小型同軸ケーブルC06C029に適合するよう
に変形されている。このケーブルは、小型であるにもか
かわらず、シールド面では優れた電気的特性を有する。
つまり、このシールドは、標準テフロン(TM:商標)
よりも良好な誘電性をもつエクスパンドテフロン(Ex
panded Teflon)(商標)から成るからで
ある。また、実施例は、半剛性同軸ケーブルを利用して
いる。このケーブルは、フレキシブル性は少ないが、よ
り良好な電気的特性をもっている。
イヤは、22.66mm長の通常の短ピンの代わりに、
例えば、AMP社から販売され、11.43mm長とさ
れ、部品番号51563−2のサブミニチュアコンタク
ト(SubminitureContact)のような
非常に短いコンタクトを有する。このコンタクトは、
W.L.Gore&Associates社により製造
された小型同軸ケーブルC06C029に適合するよう
に変形されている。このケーブルは、小型であるにもか
かわらず、シールド面では優れた電気的特性を有する。
つまり、このシールドは、標準テフロン(TM:商標)
よりも良好な誘電性をもつエクスパンドテフロン(Ex
panded Teflon)(商標)から成るからで
ある。また、実施例は、半剛性同軸ケーブルを利用して
いる。このケーブルは、フレキシブル性は少ないが、よ
り良好な電気的特性をもっている。
【0017】ノイズとクロストークを最小化し、接地ブ
ロック18近傍での環境の電気的完全性を保持するた
め、内側同軸コンタクトリセプタクルアレイ25内の未
使用リセプタクルは、接地ピース24を使ってショート
される。一方、通常コンタクト23内では、内側導体3
8と外側導体36は、互いに絶縁されており、接地ピー
ス24内では、これらの導体は付加導体40によって共
にショートされる。こうして、内側アレイ11内の未使
用ピン/ソケット12は、接地ブロック18にショート
される。外側アレイ13内の未使用ピン/ソケット14
は、プロトタイプまたは変形のために、付加回路を回路
基板10に接続するために用いることができる。電源ジ
ャンパ26により、電源がデバイス21の適切なピン1
9に供給されている。電源ジャンパ26は、接地ブロッ
ク18に電気的に接続する外側導体をもっている。その
内側導体は、大容量電源ワイヤ28と小型センスワイヤ
30に接続されている。小型センスワイヤ30は、主電
源ワイヤ28に沿うIR降下の後、負荷に何ボルトの電
圧が加わっているかを電源供給部に送出している。デカ
ップリングコンデンサは、電源ジャンパ26中央導体と
最近接同軸接地ピース24間に設けることができる。
ロック18近傍での環境の電気的完全性を保持するた
め、内側同軸コンタクトリセプタクルアレイ25内の未
使用リセプタクルは、接地ピース24を使ってショート
される。一方、通常コンタクト23内では、内側導体3
8と外側導体36は、互いに絶縁されており、接地ピー
ス24内では、これらの導体は付加導体40によって共
にショートされる。こうして、内側アレイ11内の未使
用ピン/ソケット12は、接地ブロック18にショート
される。外側アレイ13内の未使用ピン/ソケット14
は、プロトタイプまたは変形のために、付加回路を回路
基板10に接続するために用いることができる。電源ジ
ャンパ26により、電源がデバイス21の適切なピン1
9に供給されている。電源ジャンパ26は、接地ブロッ
ク18に電気的に接続する外側導体をもっている。その
内側導体は、大容量電源ワイヤ28と小型センスワイヤ
30に接続されている。小型センスワイヤ30は、主電
源ワイヤ28に沿うIR降下の後、負荷に何ボルトの電
圧が加わっているかを電源供給部に送出している。デカ
ップリングコンデンサは、電源ジャンパ26中央導体と
最近接同軸接地ピース24間に設けることができる。
【0018】好ましい実施例における内側アレイ23の
寸法は、最大576個のピン19にデバイス21を適合
させるため24×24であるから、一旦、ユーザが外側
同軸コンタクトリセプタクルアレイ27と内側同軸コン
タクトリセプタクルアレイ25間及び付加されたすべて
の必要な電源ジャンパ26と接地ピース24間の所望マ
ップを生成するために時間と労力を費やしたときには、
将来の参考のためセットアップを保管することができる
ことが非常に望ましい。したがって、これらのすべての
接続は、プラスチックや他の適当な材料から製造され、
同軸コンタクトリセプタクル20の内側25または外側
27のアレイに対応してコンタクト通路34の内側31
と外側33アレイをもつ構成プレート32を通して行う
ことができる。構成プレート32は、所定の材料から成
り、ジャンパ22のコンタクト23と適合し、それらを
きちんと所定場所に保持するような寸法の通路を有す
る。すべての接続と構成プレート32は、持ち上げるこ
とができ、接地ブロック18から外し、将来の容易な使
用のために保管される。構成が保存され、この構成プレ
ートが使用されているときには、上述した半剛性ケーブ
ルが特に望ましい。以上の説明は、本発明の好ましい実
施例を示すものであり、本発明は前述実施例に限らず種
々の変形が可能である。例えば、種々の寸法や形状のコ
ンタクトまた異なるアレイ内の中心間隔がDUT基板に
用いられる。
寸法は、最大576個のピン19にデバイス21を適合
させるため24×24であるから、一旦、ユーザが外側
同軸コンタクトリセプタクルアレイ27と内側同軸コン
タクトリセプタクルアレイ25間及び付加されたすべて
の必要な電源ジャンパ26と接地ピース24間の所望マ
ップを生成するために時間と労力を費やしたときには、
将来の参考のためセットアップを保管することができる
ことが非常に望ましい。したがって、これらのすべての
接続は、プラスチックや他の適当な材料から製造され、
同軸コンタクトリセプタクル20の内側25または外側
27のアレイに対応してコンタクト通路34の内側31
と外側33アレイをもつ構成プレート32を通して行う
ことができる。構成プレート32は、所定の材料から成
り、ジャンパ22のコンタクト23と適合し、それらを
きちんと所定場所に保持するような寸法の通路を有す
る。すべての接続と構成プレート32は、持ち上げるこ
とができ、接地ブロック18から外し、将来の容易な使
用のために保管される。構成が保存され、この構成プレ
ートが使用されているときには、上述した半剛性ケーブ
ルが特に望ましい。以上の説明は、本発明の好ましい実
施例を示すものであり、本発明は前述実施例に限らず種
々の変形が可能である。例えば、種々の寸法や形状のコ
ンタクトまた異なるアレイ内の中心間隔がDUT基板に
用いられる。
【0019】更には、ピン/ソケット12は、回路基板
10のデバイス側15から接地ブロック側17への電気
的接続を与えるために用いられる。また、同軸ジャンパ
ワイヤ22のコンタクト23の内側導体と嵌合するのに
必要なピン16は、回路基板10の接地ブロック(背)
側17上の導体部材の端部と部分的な電気的接触してい
る中間層によって与えられる。また、接地ブロック18
には、穴20の回路基板側で絶縁ピン16がピンの背端
が対応する導体部材と電気的に接触して設けられてい
る。図5に示すように穴20は、矩形同軸コンタクト2
3と適合させるために矩形とされる。
10のデバイス側15から接地ブロック側17への電気
的接続を与えるために用いられる。また、同軸ジャンパ
ワイヤ22のコンタクト23の内側導体と嵌合するのに
必要なピン16は、回路基板10の接地ブロック(背)
側17上の導体部材の端部と部分的な電気的接触してい
る中間層によって与えられる。また、接地ブロック18
には、穴20の回路基板側で絶縁ピン16がピンの背端
が対応する導体部材と電気的に接触して設けられてい
る。図5に示すように穴20は、矩形同軸コンタクト2
3と適合させるために矩形とされる。
【0020】上記実施例においては、DUT基板10
は、内側アレイ穴25と外側アレイ穴27を有し、基板
10と電気的に接触する導電材から成る接地ブロック1
8を含む。これらアレイ穴25、27は、下方の回路基
板10内の導体部材12の内側アレイ穴11と外側アレ
イ穴13の形状と寸法に対応し、電気的に接触してい
る。各導体部材は、対応する穴のピンを与え,各穴を同
軸コンタクトリセプタクルとする。導体部材12の内側
アレイ11は、回路基板10のDUT側15上のDUT
21を受容するソケットまたはパッド14を、接地ブロ
ック18がある回路基板10の他側17に接続する。し
たがって、内側アレイ25の同軸コンタクトリセプタク
ル20は、インタフェースをDUT21に与える。外側
アレイ13内の個々の導体部材12は、操作者がDUT
21に接続を希望するテスタ信号のそれぞれに接続され
る。外側アレイ27の同軸コンタクトリセプタクル20
は、それ故、テスタの信号とのインタフェースとなる。
そして同軸ジャンパは、内側アレイ25と外側アレイ2
7内の選択位置間を接続する。
は、内側アレイ穴25と外側アレイ穴27を有し、基板
10と電気的に接触する導電材から成る接地ブロック1
8を含む。これらアレイ穴25、27は、下方の回路基
板10内の導体部材12の内側アレイ穴11と外側アレ
イ穴13の形状と寸法に対応し、電気的に接触してい
る。各導体部材は、対応する穴のピンを与え,各穴を同
軸コンタクトリセプタクルとする。導体部材12の内側
アレイ11は、回路基板10のDUT側15上のDUT
21を受容するソケットまたはパッド14を、接地ブロ
ック18がある回路基板10の他側17に接続する。し
たがって、内側アレイ25の同軸コンタクトリセプタク
ル20は、インタフェースをDUT21に与える。外側
アレイ13内の個々の導体部材12は、操作者がDUT
21に接続を希望するテスタ信号のそれぞれに接続され
る。外側アレイ27の同軸コンタクトリセプタクル20
は、それ故、テスタの信号とのインタフェースとなる。
そして同軸ジャンパは、内側アレイ25と外側アレイ2
7内の選択位置間を接続する。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半導
体デバイステスト装置は、種々の半導体デバイスに対応
すべく、再構成可能で、電気的及び機械的な信頼性が高
いだけでなく、ノイズとクロストークが低く、高密度混
合デジタル及びアナログデバイスに対しても適用可能と
なる。
体デバイステスト装置は、種々の半導体デバイスに対応
すべく、再構成可能で、電気的及び機械的な信頼性が高
いだけでなく、ノイズとクロストークが低く、高密度混
合デジタル及びアナログデバイスに対しても適用可能と
なる。
【図1】本発明による半導体装置テスタ用のDUT基板
の斜視図である。
の斜視図である。
【図2】本発明の実施例におけるDUT基板、接地ブロ
ック及び構成プレートの分解断面図である。
ック及び構成プレートの分解断面図である。
【図3】本発明の実施例における再構成同軸相互接続ブ
リッドの一部の断面図である。
リッドの一部の断面図である。
【図4】本発明の実施例における内側アレイと外側アレ
イを示す接地ブロックの上平面図である。
イを示す接地ブロックの上平面図である。
【図5】本発明の実施例における矩形穴の図4と同様な
上平面図である。
上平面図である。
10 回路基板 11,25
内側アレイ 12 導体部材 13,27
外側アレイ 14 ソケット(パッド) 18
接地ブロック 20 穴 21
半導体デバイス
内側アレイ 12 導体部材 13,27
外側アレイ 14 ソケット(パッド) 18
接地ブロック 20 穴 21
半導体デバイス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平4−204392(JP,A) 特開 昭63−127169(JP,A) 特開 昭63−155629(JP,A) 特開 平4−25777(JP,A)
Claims (1)
- 【請求項1】接地路及び複数の信号路が形成されると共
に多数のスルーホールが形成された多層基板(10)
と、 該多層基板(10)の一面(17)に重ねて配置される
と共に前記多層基板(10)の前記スルーホールの少な
くとも一部に対応する穴(20)が形成された接地ブロ
ック(18)と、 前記多層基板(10)の前記多数のスルーホール内に挿
入され、前記一面(17)側から突出するピン(16)
及び他面(15)側にソケット(14)を有し、内側ア
レイ(11)及び外側アレイ(13)を形成する多数の
ピン/ソケット(12)とを具え、 該ピン/ソケット(12)の前記内側アレイ(11)の
前記ソケット(14)には被試験半導体デバイス(2
1)のピン(19)が接続され、前記外側アレイ(1
3)の前記ピン/ソケット(12)は前記多層基板(1
0)の前記接地路又は前記信号路が接続され、前記内側
アレイ(11)と外側アレイ(13)の前記ピン(1
6)間をジャンパワイヤ(22)で選択的に接続可能に
したことを特徴とする半導体デバイステスト装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US7/579,423 | 1990-09-07 | ||
US07/579,423 | 1990-09-07 | ||
US07/579,423 US5068602A (en) | 1990-09-07 | 1990-09-07 | DUT board for a semiconductor device tester having a reconfigurable coaxial interconnect grid and method of using same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07244114A JPH07244114A (ja) | 1995-09-19 |
JP2691809B2 true JP2691809B2 (ja) | 1997-12-17 |
Family
ID=24316849
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3255777A Expired - Fee Related JP2691809B2 (ja) | 1990-09-07 | 1991-09-07 | 半導体デバイステスト装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5068602A (ja) |
JP (1) | JP2691809B2 (ja) |
DE (1) | DE4129925C2 (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5597313A (en) * | 1986-06-19 | 1997-01-28 | Labinal Components And Systems, Inc. | Electrical connectors |
US5672062A (en) * | 1991-01-30 | 1997-09-30 | Labinal Components And Systems, Inc. | Electrical connectors |
US5704794A (en) * | 1986-12-29 | 1998-01-06 | Labinal Components And Systems, Inc. | Electrical connectors |
US5304921A (en) * | 1991-08-07 | 1994-04-19 | Hewlett-Packard Company | Enhanced grounding system for short-wire lengthed fixture |
US5308250A (en) * | 1992-10-30 | 1994-05-03 | Hewlett-Packard Company | Pressure contact for connecting a coaxial shield to a microstrip ground plane |
WO1996007924A1 (en) * | 1994-09-09 | 1996-03-14 | Micromodule Systems | Membrane probing of circuits |
US5672981A (en) * | 1994-09-16 | 1997-09-30 | At&T Global Information Solutions Company | Universal power interface adapter for burn-in board |
US6025730A (en) * | 1997-03-17 | 2000-02-15 | Micron Technology, Inc. | Direct connect interconnect for testing semiconductor dice and wafers |
US6037787A (en) * | 1998-03-24 | 2000-03-14 | Teradyne, Inc. | High performance probe interface for automatic test equipment |
JP2001343433A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-12-14 | Toshiba Corp | 半導体テスト装置 |
US20020089322A1 (en) * | 2001-01-11 | 2002-07-11 | Frame James Warren | Modular high parallelism interface for integrated circuit testing, method of assembly, and use of same |
US6552528B2 (en) * | 2001-03-15 | 2003-04-22 | Advantest Corporation | Modular interface between a device under test and a test head |
US7108546B2 (en) * | 2001-06-20 | 2006-09-19 | Formfactor, Inc. | High density planar electrical interface |
US6624639B2 (en) * | 2001-11-05 | 2003-09-23 | Intel Corporation | Molded plastic coaxial connector |
US20040066207A1 (en) * | 2002-10-05 | 2004-04-08 | Bottoms Wilmer R. | Flexible DUT interface assembly |
EP2096449B1 (en) | 2008-02-29 | 2013-02-27 | Research In Motion Limited | Testbed for testing electronic circuits and components |
US8390308B2 (en) * | 2008-02-29 | 2013-03-05 | Research In Motion Limited | Testbed for testing electronic circuits and components |
TWI367327B (en) * | 2008-04-18 | 2012-07-01 | King Yuan Electronics Co Ltd | A fixture for mixed signal integrated circuits to parallel test |
CN101587168B (zh) * | 2008-05-19 | 2012-05-30 | 京元电子股份有限公司 | 混合信号集成电路的平行测试治具 |
US8622752B2 (en) * | 2011-04-13 | 2014-01-07 | Teradyne, Inc. | Probe-card interposer constructed using hexagonal modules |
KR102315536B1 (ko) * | 2021-08-31 | 2021-10-21 | 하병호 | 검사소켓 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US3911361A (en) * | 1974-06-28 | 1975-10-07 | Ibm | Coaxial array space transformer |
US4099120A (en) * | 1976-04-19 | 1978-07-04 | Akin Aksu | Probe head for testing printed circuit boards |
US4230985A (en) * | 1978-01-12 | 1980-10-28 | Fairchild Camera And Instrument Corporation | Fixturing system |
US4209745A (en) * | 1978-06-12 | 1980-06-24 | Everett/Charles, Inc. | Interchangeable test head for loaded test member |
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DE3115787A1 (de) * | 1981-03-06 | 1982-11-04 | Feinmetall Gmbh, 7033 Herrenberg | Kontaktvorrichtung |
EP0305734A3 (de) * | 1987-08-26 | 1989-04-05 | Siemens Aktiengesellschaft | Prüfanordnung für Leiterplatten |
US4967147A (en) * | 1988-05-26 | 1990-10-30 | Zehntel, Inc. | Circuit tester having mechanical fingers and pogo probes for causing electrical contact with test fixture assemblies |
-
1990
- 1990-09-07 US US07/579,423 patent/US5068602A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-09-07 JP JP3255777A patent/JP2691809B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-09 DE DE4129925A patent/DE4129925C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5068602A (en) | 1991-11-26 |
DE4129925A1 (de) | 1992-03-12 |
JPH07244114A (ja) | 1995-09-19 |
DE4129925C2 (de) | 1996-10-17 |
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Legal Events
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