JP3435241B2 - テープ状半導体搭載装置の評価装置 - Google Patents
テープ状半導体搭載装置の評価装置Info
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- JP3435241B2 JP3435241B2 JP00790095A JP790095A JP3435241B2 JP 3435241 B2 JP3435241 B2 JP 3435241B2 JP 00790095 A JP00790095 A JP 00790095A JP 790095 A JP790095 A JP 790095A JP 3435241 B2 JP3435241 B2 JP 3435241B2
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- JP
- Japan
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- tape
- stage
- shaped semiconductor
- mounting device
- semiconductor mounting
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、主に数百ＭＨｚ以上
のマイクロ波帯で動作するテープ状半導体搭載装置の評
価装置に関するものである。
のマイクロ波帯で動作するテープ状半導体搭載装置の評
価装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１８は、従来のテープ状半導体搭載装
置（以下ＴＡＢテープと称す。ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の一例を示す平面
図、図１９はＴＡＢテープに高周波ＩＣ４を接続した状
態を示す断面図である。図において１はポリイミド等か
らなる誘電体層、２は銅等からなる表面信号線路、３は
裏面接地金属層である。この３者でマイクロストリップ
ラインを形成している。４は高周波帯ＩＣ、５はインナ
ーリード、６はアウターリードである。高周波ＩＣ４
は、超音波圧着その他の方法を用いて、インナーリード
５の上面または下面に圧着される。
置（以下ＴＡＢテープと称す。ＴＡＢ：Ｔａｐｅ Ａｕ
ｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）の一例を示す平面
図、図１９はＴＡＢテープに高周波ＩＣ４を接続した状
態を示す断面図である。図において１はポリイミド等か
らなる誘電体層、２は銅等からなる表面信号線路、３は
裏面接地金属層である。この３者でマイクロストリップ
ラインを形成している。４は高周波帯ＩＣ、５はインナ
ーリード、６はアウターリードである。高周波ＩＣ４
は、超音波圧着その他の方法を用いて、インナーリード
５の上面または下面に圧着される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】従来のＴＡＢテープは
以上のような構造であるため、容易に変形し、かつ弾力
がほとんど無いため、変形した場合、元の形状に復帰し
ない。このため、図２０に示すようにステージ上に単体
ＴＡＢテープを置いて、プロービングによりその電気的
特性（ＤＣのみ）を評価することが極めて困難であっ
た。従って、図２１に示すように硬式のパッケージ９に
アウターリード６を接続した上で、全体としての高周波
特性の評価を行っていた。図において、７はプローブニ
ードル、８はプローバのステージ、９はパッケージであ
る。
以上のような構造であるため、容易に変形し、かつ弾力
がほとんど無いため、変形した場合、元の形状に復帰し
ない。このため、図２０に示すようにステージ上に単体
ＴＡＢテープを置いて、プロービングによりその電気的
特性（ＤＣのみ）を評価することが極めて困難であっ
た。従って、図２１に示すように硬式のパッケージ９に
アウターリード６を接続した上で、全体としての高周波
特性の評価を行っていた。図において、７はプローブニ
ードル、８はプローバのステージ、９はパッケージであ
る。
【０００４】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、パッケージや治具を介するこ
となく、直接に高周波特性の評価を行うことが可能な、
テープ状半導体搭載装置の評価装置を得ることを目的と
する。
るためになされたもので、パッケージや治具を介するこ
となく、直接に高周波特性の評価を行うことが可能な、
テープ状半導体搭載装置の評価装置を得ることを目的と
する。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるテープ
状半導体搭載装置の評価装置は、テープ状半導体搭載装
置を設置するステージと、このステージ内部に埋設さ
れ、一端がステージ上面に垂直に開口しており、他端が
測定器等の外部機器に接続される導波管と、ステージの
上方に設けられた可動式の導波管ショート部を備えたも
のである。また、テープ状半導体搭載装置を設置するス
テージと、このステージ上方に設けられ、一端を測定器
等の外部機器に接続される可動式の導波管と、ステージ
上面に垂直に開口部を有する導波管ショート部を備えた
ものである。また、テープ状半導体搭載装置を設置する
ステージと、このステージ内部に埋設され、一端がステ
ージ上面に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に
接続される同軸ケーブルと、ステージ上方に設けられた
可動式のおさえ部材を備えたものである。
状半導体搭載装置の評価装置は、テープ状半導体搭載装
置を設置するステージと、このステージ内部に埋設さ
れ、一端がステージ上面に垂直に開口しており、他端が
測定器等の外部機器に接続される導波管と、ステージの
上方に設けられた可動式の導波管ショート部を備えたも
のである。また、テープ状半導体搭載装置を設置するス
テージと、このステージ上方に設けられ、一端を測定器
等の外部機器に接続される可動式の導波管と、ステージ
上面に垂直に開口部を有する導波管ショート部を備えた
ものである。また、テープ状半導体搭載装置を設置する
ステージと、このステージ内部に埋設され、一端がステ
ージ上面に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に
接続される同軸ケーブルと、ステージ上方に設けられた
可動式のおさえ部材を備えたものである。
【０００６】また、ステージは、テープ状半導体搭載装
置の裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体
搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方
または両方を備えたものである。さらに、テープ状半導
体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する凹凸
部には、誘電体カバーを設けたものである。また、ステ
ージをスライドまたは回転して、テープ状半導体搭載装
置を送り出しするように構成したものである。
置の裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体
搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方
または両方を備えたものである。さらに、テープ状半導
体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する凹凸
部には、誘電体カバーを設けたものである。また、ステ
ージをスライドまたは回転して、テープ状半導体搭載装
置を送り出しするように構成したものである。
【０００７】
【作用】この発明におけるテープ状半導体搭載装置の評
価装置は、テープ状半導体搭載装置の信号線路をステー
ジの導波管開口部上に設置した後、導波管ショート部を
ステージに圧着して導波管開口部を覆うことにより、導
波管とテープ状半導体搭載装置との間で信号の入出力を
行うことが可能となる。また、テープ状半導体搭載装置
の信号線路を、ステージに設けられた導波管ショート部
の開口部上に設置した後、導波管をステージに圧着して
導波管ショート部を覆うことにより、導波管とテープ状
半導体搭載装置との間で信号の入出力を行うことが可能
となる。また、テープ状半導体搭載装置の信号線路を、
上記ステージに露出した同軸ケーブル上に設置した後、
おさえ部材で上方から加圧することにより、信号線路と
同軸ケーブルの中心信号導体とが接触し、さらに、同軸
ケーブルの外側の接地導体とテープ状半導体搭載装置の
裏面接地金属層とがステージを介して接続されているの
で、同軸ケーブルとテープ状半導体搭載装置との間で信
号の入出力が可能となる。
価装置は、テープ状半導体搭載装置の信号線路をステー
ジの導波管開口部上に設置した後、導波管ショート部を
ステージに圧着して導波管開口部を覆うことにより、導
波管とテープ状半導体搭載装置との間で信号の入出力を
行うことが可能となる。また、テープ状半導体搭載装置
の信号線路を、ステージに設けられた導波管ショート部
の開口部上に設置した後、導波管をステージに圧着して
導波管ショート部を覆うことにより、導波管とテープ状
半導体搭載装置との間で信号の入出力を行うことが可能
となる。また、テープ状半導体搭載装置の信号線路を、
上記ステージに露出した同軸ケーブル上に設置した後、
おさえ部材で上方から加圧することにより、信号線路と
同軸ケーブルの中心信号導体とが接触し、さらに、同軸
ケーブルの外側の接地導体とテープ状半導体搭載装置の
裏面接地金属層とがステージを介して接続されているの
で、同軸ケーブルとテープ状半導体搭載装置との間で信
号の入出力が可能となる。
【０００８】また、ステージに真空吸着口、およびテー
プ状半導体搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のい
ずれか一方または両方を備えたので、テープ状半導体搭
載装置のずれを防止することができる。また、テープ状
半導体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する
凹凸部には、誘電体カバーを設けたので、テープ状半導
体搭載装置とステージとのショートを防止できる。ま
た、ステージをスライドまたは回転させることにより、
テープ状半導体搭載装置を安定した状態で、連続して送
り出しすることができる。
プ状半導体搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のい
ずれか一方または両方を備えたので、テープ状半導体搭
載装置のずれを防止することができる。また、テープ状
半導体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する
凹凸部には、誘電体カバーを設けたので、テープ状半導
体搭載装置とステージとのショートを防止できる。ま
た、ステージをスライドまたは回転させることにより、
テープ状半導体搭載装置を安定した状態で、連続して送
り出しすることができる。
【０００９】
【実施例】実施例１．
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図１
は、本発明の実施例１であるＴＡＢ評価装置を示す断面
図である。図１において１０は信号源、測定器等の外部
機器、１１は導波管ショート部、１２は導波管であり、
ステ−ジ８に埋設されている。
は、本発明の実施例１であるＴＡＢ評価装置を示す断面
図である。図１において１０は信号源、測定器等の外部
機器、１１は導波管ショート部、１２は導波管であり、
ステ−ジ８に埋設されている。
【００１０】次に動作について説明する。図２は、導波
管１２の開口部端面に、ＴＡＢテープ信号線路２を固定
した状態を示す斜視図である。なお、導波管開口部長辺
は約２．５ｍｍ、短辺は約１．３ｍｍ、信号線路２の挿
入長は、０．５〜０．８ｍｍ程度が一般的である（いず
れもＷ帯：７５〜１１０ＧＨｚでの使用を想定した場合
の値）。図３は、ステージ８上部に設けた可動式の導波
管ショート部１１を降下させ、ステージに圧着させた状
態を示す断面図である。この状態でいわゆるＥ面プロー
ブ変換器が形成され、導波管１２とＴＡＢテープとの間
で信号の入出力が可能となる。なお、導波管ショート部
の奥行きは、Ｗ帯の場合１〜１．３ｍｍ程度が一般的で
ある。
管１２の開口部端面に、ＴＡＢテープ信号線路２を固定
した状態を示す斜視図である。なお、導波管開口部長辺
は約２．５ｍｍ、短辺は約１．３ｍｍ、信号線路２の挿
入長は、０．５〜０．８ｍｍ程度が一般的である（いず
れもＷ帯：７５〜１１０ＧＨｚでの使用を想定した場合
の値）。図３は、ステージ８上部に設けた可動式の導波
管ショート部１１を降下させ、ステージに圧着させた状
態を示す断面図である。この状態でいわゆるＥ面プロー
ブ変換器が形成され、導波管１２とＴＡＢテープとの間
で信号の入出力が可能となる。なお、導波管ショート部
の奥行きは、Ｗ帯の場合１〜１．３ｍｍ程度が一般的で
ある。
【００１１】実施例２．
図４は、本発明の実施例２であるＴＡＢ評価装置を示す
断面図である。図において、１１はステージ上面に垂直
に開口部を有する導波管ショート部、１２は外部機器１
０へと続く導波管である。図５は、導波管ショート部１
１の端面に、ＴＡＢテープ信号線路２を固定した状態を
示す斜視図である。図６はステージ８上部の導波管１２
を降下させ、ステージ８に圧着した状態を示す断面図で
ある。この状態で、導波管１２とＴＡＢテープとの間で
信号の入出力が可能となる。なお、各部寸法は実施例１
と同様である。
断面図である。図において、１１はステージ上面に垂直
に開口部を有する導波管ショート部、１２は外部機器１
０へと続く導波管である。図５は、導波管ショート部１
１の端面に、ＴＡＢテープ信号線路２を固定した状態を
示す斜視図である。図６はステージ８上部の導波管１２
を降下させ、ステージ８に圧着した状態を示す断面図で
ある。この状態で、導波管１２とＴＡＢテープとの間で
信号の入出力が可能となる。なお、各部寸法は実施例１
と同様である。
【００１２】実施例３．
図７は、本発明の実施例３であるＴＡＢ評価装置を示す
断面図である。図において、１３はステージに埋め込ま
れた高周波用同軸ケーブル、１４は同軸ケーブルの中心
信号導体、１５はその周囲の同軸誘導体、１６は同軸ケ
ーブルの外側の接地導体であり、ステージ８に直接接し
ている。１７はおさえ用の誘電体である。図８は、同軸
ケーブル１３の解放端上にＴＡＢテープ信号線路２を固
定した状態を示す斜視図である。図９は、ステージ８上
部の誘電体おさえ１７を降下させ、ＴＡＢテープ信号線
路２を加圧している状態を示す断面図である。これによ
り同軸中心導体１４と信号線路２が接触し、外部接地導
体１６とＴＡＢテープの裏面接地金属層３とがステージ
８を介して接続されているため、同軸ケーブル１３とＴ
ＡＢテープとの間で信号のやりとりが可能となる。
断面図である。図において、１３はステージに埋め込ま
れた高周波用同軸ケーブル、１４は同軸ケーブルの中心
信号導体、１５はその周囲の同軸誘導体、１６は同軸ケ
ーブルの外側の接地導体であり、ステージ８に直接接し
ている。１７はおさえ用の誘電体である。図８は、同軸
ケーブル１３の解放端上にＴＡＢテープ信号線路２を固
定した状態を示す斜視図である。図９は、ステージ８上
部の誘電体おさえ１７を降下させ、ＴＡＢテープ信号線
路２を加圧している状態を示す断面図である。これによ
り同軸中心導体１４と信号線路２が接触し、外部接地導
体１６とＴＡＢテープの裏面接地金属層３とがステージ
８を介して接続されているため、同軸ケーブル１３とＴ
ＡＢテープとの間で信号のやりとりが可能となる。
【００１３】実施例４．
図１０は、本発明の実施例４であるＴＡＢ評価装置の一
例を示す断面図である。図において、１８は真空吸着孔
である。図１１は、本実施例のＴＡＢ評価装置上に、高
周波帯ＩＣ４を含むＴＡＢテープを固定している状態を
示す断面図である。真空吸着孔１８がＴＡＢテープの底
面である裏面接地金属層３のパターンに対応した位置に
のみ存在するため、空気もれが少なく、確実にＴＡＢテ
ープを固定しうる。この状態で、電気的特性の試験を行
う。本実施例においては、実施例１で示した方法を用い
て高周波信号の入出力をとっているが、実施例２または
３、または通常のＤＣプローブ等の方法を用いてもかま
わない。
例を示す断面図である。図において、１８は真空吸着孔
である。図１１は、本実施例のＴＡＢ評価装置上に、高
周波帯ＩＣ４を含むＴＡＢテープを固定している状態を
示す断面図である。真空吸着孔１８がＴＡＢテープの底
面である裏面接地金属層３のパターンに対応した位置に
のみ存在するため、空気もれが少なく、確実にＴＡＢテ
ープを固定しうる。この状態で、電気的特性の試験を行
う。本実施例においては、実施例１で示した方法を用い
て高周波信号の入出力をとっているが、実施例２または
３、または通常のＤＣプローブ等の方法を用いてもかま
わない。
【００１４】実施例５．
図１２は、本発明の実施例５であるＴＡＢ評価装置を示
す断面図である。図において、１９はステージ８に設け
られた凸部、２０は誘電体カバーである。図１３は、本
実施例のＴＡＢ評価装置上に、高周波帯ＩＣ４を含むＴ
ＡＢテープを固定している状態を示す断面図である。Ｔ
ＡＢテープの裏面パターンに対応した凹凸がステージ８
の表面に形成されているため、横方向へのずれが生じ
ず、確実にＴＡＢテープを固定することができる。ま
た、ＴＡＢテープの裏面接地金属層３以外の端子直下部
にあたる凸部１９には誘電体カバー２０を設けているた
め、ステージ８とのショートを防止する。また、上方よ
り高周波プローブヘッド２１を接触させた場合も変形し
ない。
す断面図である。図において、１９はステージ８に設け
られた凸部、２０は誘電体カバーである。図１３は、本
実施例のＴＡＢ評価装置上に、高周波帯ＩＣ４を含むＴ
ＡＢテープを固定している状態を示す断面図である。Ｔ
ＡＢテープの裏面パターンに対応した凹凸がステージ８
の表面に形成されているため、横方向へのずれが生じ
ず、確実にＴＡＢテープを固定することができる。ま
た、ＴＡＢテープの裏面接地金属層３以外の端子直下部
にあたる凸部１９には誘電体カバー２０を設けているた
め、ステージ８とのショートを防止する。また、上方よ
り高周波プローブヘッド２１を接触させた場合も変形し
ない。
【００１５】本実施例によれば、ＴＡＢテープ裏面だけ
でなく、高周波帯ＩＣ４もステージ８に密着しており、
高周波特性の評価に非常に重要であるグランド面が明確
であり、さらに、高周波帯ＩＣ４の温度上昇に対して
も、熱がステージに伝わることにより冷却効果が生じる
ため、熱的な面でも有利である。本実施例については、
高周波プローブヘッド２１を用いて高周波信号の入出力
をとっているが、実施例１〜３またはその他の方法を用
いてもかまわない。
でなく、高周波帯ＩＣ４もステージ８に密着しており、
高周波特性の評価に非常に重要であるグランド面が明確
であり、さらに、高周波帯ＩＣ４の温度上昇に対して
も、熱がステージに伝わることにより冷却効果が生じる
ため、熱的な面でも有利である。本実施例については、
高周波プローブヘッド２１を用いて高周波信号の入出力
をとっているが、実施例１〜３またはその他の方法を用
いてもかまわない。
【００１６】実施例６．
図１４は、本発明の実施例６であるＴＡＢ評価装置を示
す断面図である。図において、２２はスプロケットホイ
ールである。図１５は、本実施例のＴＡＢ評価装置上に
ＩＣ４を含むＴＡＢテープを装着している状態を示す断
面図である。実施例５で示した凹凸パターンがスプロケ
ットホイール２２の周囲に形成されており、かつそのパ
ターンがＴＡＢテープの送り出し機構に連動しているた
め、非常に安定した状態で、連続的に自動試験を行うこ
とが可能である。また、本実施例では回転式のＴＡＢテ
ープ送り出し機構を示したが、スライド式等のその他の
方法でも良い。
す断面図である。図において、２２はスプロケットホイ
ールである。図１５は、本実施例のＴＡＢ評価装置上に
ＩＣ４を含むＴＡＢテープを装着している状態を示す断
面図である。実施例５で示した凹凸パターンがスプロケ
ットホイール２２の周囲に形成されており、かつそのパ
ターンがＴＡＢテープの送り出し機構に連動しているた
め、非常に安定した状態で、連続的に自動試験を行うこ
とが可能である。また、本実施例では回転式のＴＡＢテ
ープ送り出し機構を示したが、スライド式等のその他の
方法でも良い。
【００１７】参考例．
図１６は、本発明の参考例であるＴＡＢテープの一例を
示す平面図である。図において、２３は裏面接地金属へ
と続くスルーホール、２４は接地電極パッドである。図
１７は上記ＴＡＢテープ信号線路端に高周波プローブヘ
ッド２１を接続している状態を示す斜視図である。一般
に高周波プローブヘッド２１は、信号線路の左右に接地
線路を有するコプレーナ構造であるため、本参考例のＴ
ＡＢテープは高周波プローブヘッド２１との整合性が高
く、信号の入出力が容易である。
示す平面図である。図において、２３は裏面接地金属へ
と続くスルーホール、２４は接地電極パッドである。図
１７は上記ＴＡＢテープ信号線路端に高周波プローブヘ
ッド２１を接続している状態を示す斜視図である。一般
に高周波プローブヘッド２１は、信号線路の左右に接地
線路を有するコプレーナ構造であるため、本参考例のＴ
ＡＢテープは高周波プローブヘッド２１との整合性が高
く、信号の入出力が容易である。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、テー
プ状半導体搭載装置と導波管、または同軸ケーブルとの
間で、容易に高周波信号の入出力が可能となり、従来の
ような硬式のパッケージに実装する必要がなく、安価で
容易にテープ状半導体搭載装置の評価を行うことができ
る。また、送り出しが連続して行えるので、テープ状半
導体搭載装置の評価が効率的に行われ、自動検査が可能
となる。
プ状半導体搭載装置と導波管、または同軸ケーブルとの
間で、容易に高周波信号の入出力が可能となり、従来の
ような硬式のパッケージに実装する必要がなく、安価で
容易にテープ状半導体搭載装置の評価を行うことができ
る。また、送り出しが連続して行えるので、テープ状半
導体搭載装置の評価が効率的に行われ、自動検査が可能
となる。
【図１】 本発明の一実施例を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図２】 本発明の一実施例を示すＴＡＢ評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図３】 本発明の一実施例を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図４】 本発明の実施例２を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図５】 本発明の実施例２を示すＴＡＢ評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図６】 本発明の実施例２を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図７】 本発明の実施例３を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図８】 本発明の実施例３を示すＴＡＢ評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図９】 本発明の実施例３を示すＴＡＢ評価装置の断
面図である。
面図である。
【図１０】 本発明の実施例４を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１１】 本発明の実施例４を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１２】 本発明の実施例５を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１３】 本発明の実施例５を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１４】 本発明の実施例６を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１５】 本発明の実施例６を示すＴＡＢ評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図１６】 本発明の参考例を示すＴＡＢテープの平面
図である。
図である。
【図１７】 本発明の参考例を示すＴＡＢテープの斜視
図である。
図である。
【図１８】 従来のＴＡＢテープの一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図１９】 従来のＴＡＢテープの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２０】 従来のＴＡＢテープの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図２１】 従来のＴＡＢテープの評価方法を示す斜視
図である。
図である。
１ 誘電体層、２ 表面信号線路、３ 裏面接地金属
層、４ 高周波帯ＩＣ、５ インナーリード、６ アウ
ターリード、７ ＤＣ用プローブニードル、８ 評価用
ステージ、９ 硬式パッケージ、１０ 外部機器、１１
導波管ショート部、１２ 導波管、１３ 同軸ケーブ
ル、１４ 同軸中心導体、１５ 同軸誘電体、１６ 同
軸周囲導体、１７ おさえ、１８ 真空吸着孔、１９
凸部、２０ 誘電体カバー、２１ 高周波プローブヘッ
ド、２２ スプロケットホイール、２３ スルーホー
ル、２４ 接地パッド。
層、４ 高周波帯ＩＣ、５ インナーリード、６ アウ
ターリード、７ ＤＣ用プローブニードル、８ 評価用
ステージ、９ 硬式パッケージ、１０ 外部機器、１１
導波管ショート部、１２ 導波管、１３ 同軸ケーブ
ル、１４ 同軸中心導体、１５ 同軸誘電体、１６ 同
軸周囲導体、１７ おさえ、１８ 真空吸着孔、１９
凸部、２０ 誘電体カバー、２１ 高周波プローブヘッ
ド、２２ スプロケットホイール、２３ スルーホー
ル、２４ 接地パッド。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭64−84625（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−236241（ＪＰ，Ａ)
特開 昭62−58703（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−273234（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−221223（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−371003（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−235109（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/60
H01L 23/12
H01P 3/08
G01R 31/26
Claims (6)
- 【請求項１】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ内部に埋設され、一端が上記ステージ上面
に垂直に開口しており、他端が測定器等の外部機器に接
続される導波管、 上記ステージの上方に設けられた可動式の導波管ショー
ト部を備え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を
上記ステージの導波管開口部上に設置し、上記導波管シ
ョート部を上記ステージに圧着して上記導波管開口部を
覆い、上記導波管と上記テープ状半導体搭載装置との間
で信号の入出力を行うことを特徴とするテープ状半導体
搭載装置の評価装置。 - 【請求項２】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ上方に設けられ、一端を測定器等の外部機
器に接続される可動式の導波管、 上記ステージ上面に垂直に開口部を有する導波管ショー
ト部を備え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を
上記導波管ショート部の開口部上に設置し、上記導波管
を上記ステージに圧着して上記導波管ショート部を覆
い、上記導波管と上記テープ状半導体搭載装置との間で
信号の入出力を行うことを特徴とするテープ状半導体搭
載装置の評価装置。 - 【請求項３】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ内部に埋設され、一端が上記ステージ上面
に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に接続され
る同軸ケーブル、 上記ステージ上方に設けられた可動式のおさえ部材を備
え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を上記ステ
ージに露出した上記同軸ケーブル上に設置し、上記おさ
え部材で上方から加圧し、上記信号線路と上記同軸ケー
ブルとを接続することを特徴とするテープ状半導体搭載
装置の評価装置。 - 【請求項４】 ステージは、テープ状半導体搭載装置の
裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体搭載
装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方また
は両方を備え、上記テープ状半導体搭載装置のずれを防
止するよう構成したことを特徴とする請求項１〜請求項
３のいずれか一項記載のテープ状半導体搭載装置の評価
装置。 - 【請求項５】 凹凸部の、テープ状半導体搭載装置の裏
面接地電極部以外の部位と接触する面には、誘電体カバ
ーを設けたことを特徴とする請求項４記載のテープ状半
導体搭載装置の評価装置。 - 【請求項６】 ステージは、スライドまたは回転され、
テープ状半導体搭載装置を送り出しするように構成した
ことを特徴とする請求項４または請求項５記載のテープ
状半導体搭載装置の評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00790095A JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00790095A JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08203963A JPH08203963A (ja) | 1996-08-09 |
| JP3435241B2 true JP3435241B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=11678458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00790095A Expired - Fee Related JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3435241B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1058290A (ja) * | 1996-08-21 | 1998-03-03 | Hiroshi Hashimoto | 硬脆材料の研削装置 |
| JP4850056B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-01-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
| JP6121345B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-04-26 | 日本電信電話株式会社 | 結合器および導波回路 |
| JP6536283B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-07-03 | 富士通株式会社 | 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法 |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP00790095A patent/JP3435241B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08203963A (ja) | 1996-08-09 |
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