JP3435241B2 - テープ状半導体搭載装置の評価装置 - Google Patents
テープ状半導体搭載装置の評価装置Info
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- JP3435241B2 JP3435241B2 JP00790095A JP790095A JP3435241B2 JP 3435241 B2 JP3435241 B2 JP 3435241B2 JP 00790095 A JP00790095 A JP 00790095A JP 790095 A JP790095 A JP 790095A JP 3435241 B2 JP3435241 B2 JP 3435241B2
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- stage
- shaped semiconductor
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- semiconductor mounting
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、主に数百MHz以上
のマイクロ波帯で動作するテープ状半導体搭載装置の評
価装置に関するものである。
のマイクロ波帯で動作するテープ状半導体搭載装置の評
価装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図18は、従来のテープ状半導体搭載装
置(以下TABテープと称す。TAB:Tape Au
tomated Bonding)の一例を示す平面
図、図19はTABテープに高周波IC4を接続した状
態を示す断面図である。図において1はポリイミド等か
らなる誘電体層、2は銅等からなる表面信号線路、3は
裏面接地金属層である。この3者でマイクロストリップ
ラインを形成している。4は高周波帯IC、5はインナ
ーリード、6はアウターリードである。高周波IC4
は、超音波圧着その他の方法を用いて、インナーリード
5の上面または下面に圧着される。
置(以下TABテープと称す。TAB:Tape Au
tomated Bonding)の一例を示す平面
図、図19はTABテープに高周波IC4を接続した状
態を示す断面図である。図において1はポリイミド等か
らなる誘電体層、2は銅等からなる表面信号線路、3は
裏面接地金属層である。この3者でマイクロストリップ
ラインを形成している。4は高周波帯IC、5はインナ
ーリード、6はアウターリードである。高周波IC4
は、超音波圧着その他の方法を用いて、インナーリード
5の上面または下面に圧着される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来のTABテープは
以上のような構造であるため、容易に変形し、かつ弾力
がほとんど無いため、変形した場合、元の形状に復帰し
ない。このため、図20に示すようにステージ上に単体
TABテープを置いて、プロービングによりその電気的
特性(DCのみ)を評価することが極めて困難であっ
た。従って、図21に示すように硬式のパッケージ9に
アウターリード6を接続した上で、全体としての高周波
特性の評価を行っていた。図において、7はプローブニ
ードル、8はプローバのステージ、9はパッケージであ
る。
以上のような構造であるため、容易に変形し、かつ弾力
がほとんど無いため、変形した場合、元の形状に復帰し
ない。このため、図20に示すようにステージ上に単体
TABテープを置いて、プロービングによりその電気的
特性(DCのみ)を評価することが極めて困難であっ
た。従って、図21に示すように硬式のパッケージ9に
アウターリード6を接続した上で、全体としての高周波
特性の評価を行っていた。図において、7はプローブニ
ードル、8はプローバのステージ、9はパッケージであ
る。
【0004】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、パッケージや治具を介するこ
となく、直接に高周波特性の評価を行うことが可能な、
テープ状半導体搭載装置の評価装置を得ることを目的と
する。
るためになされたもので、パッケージや治具を介するこ
となく、直接に高周波特性の評価を行うことが可能な、
テープ状半導体搭載装置の評価装置を得ることを目的と
する。
【0005】
【課題を解決するための手段】この発明に係わるテープ
状半導体搭載装置の評価装置は、テープ状半導体搭載装
置を設置するステージと、このステージ内部に埋設さ
れ、一端がステージ上面に垂直に開口しており、他端が
測定器等の外部機器に接続される導波管と、ステージの
上方に設けられた可動式の導波管ショート部を備えたも
のである。また、テープ状半導体搭載装置を設置するス
テージと、このステージ上方に設けられ、一端を測定器
等の外部機器に接続される可動式の導波管と、ステージ
上面に垂直に開口部を有する導波管ショート部を備えた
ものである。また、テープ状半導体搭載装置を設置する
ステージと、このステージ内部に埋設され、一端がステ
ージ上面に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に
接続される同軸ケーブルと、ステージ上方に設けられた
可動式のおさえ部材を備えたものである。
状半導体搭載装置の評価装置は、テープ状半導体搭載装
置を設置するステージと、このステージ内部に埋設さ
れ、一端がステージ上面に垂直に開口しており、他端が
測定器等の外部機器に接続される導波管と、ステージの
上方に設けられた可動式の導波管ショート部を備えたも
のである。また、テープ状半導体搭載装置を設置するス
テージと、このステージ上方に設けられ、一端を測定器
等の外部機器に接続される可動式の導波管と、ステージ
上面に垂直に開口部を有する導波管ショート部を備えた
ものである。また、テープ状半導体搭載装置を設置する
ステージと、このステージ内部に埋設され、一端がステ
ージ上面に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に
接続される同軸ケーブルと、ステージ上方に設けられた
可動式のおさえ部材を備えたものである。
【0006】また、ステージは、テープ状半導体搭載装
置の裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体
搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方
または両方を備えたものである。さらに、テープ状半導
体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する凹凸
部には、誘電体カバーを設けたものである。また、ステ
ージをスライドまたは回転して、テープ状半導体搭載装
置を送り出しするように構成したものである。
置の裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体
搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方
または両方を備えたものである。さらに、テープ状半導
体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する凹凸
部には、誘電体カバーを設けたものである。また、ステ
ージをスライドまたは回転して、テープ状半導体搭載装
置を送り出しするように構成したものである。
【0007】
【作用】この発明におけるテープ状半導体搭載装置の評
価装置は、テープ状半導体搭載装置の信号線路をステー
ジの導波管開口部上に設置した後、導波管ショート部を
ステージに圧着して導波管開口部を覆うことにより、導
波管とテープ状半導体搭載装置との間で信号の入出力を
行うことが可能となる。また、テープ状半導体搭載装置
の信号線路を、ステージに設けられた導波管ショート部
の開口部上に設置した後、導波管をステージに圧着して
導波管ショート部を覆うことにより、導波管とテープ状
半導体搭載装置との間で信号の入出力を行うことが可能
となる。また、テープ状半導体搭載装置の信号線路を、
上記ステージに露出した同軸ケーブル上に設置した後、
おさえ部材で上方から加圧することにより、信号線路と
同軸ケーブルの中心信号導体とが接触し、さらに、同軸
ケーブルの外側の接地導体とテープ状半導体搭載装置の
裏面接地金属層とがステージを介して接続されているの
で、同軸ケーブルとテープ状半導体搭載装置との間で信
号の入出力が可能となる。
価装置は、テープ状半導体搭載装置の信号線路をステー
ジの導波管開口部上に設置した後、導波管ショート部を
ステージに圧着して導波管開口部を覆うことにより、導
波管とテープ状半導体搭載装置との間で信号の入出力を
行うことが可能となる。また、テープ状半導体搭載装置
の信号線路を、ステージに設けられた導波管ショート部
の開口部上に設置した後、導波管をステージに圧着して
導波管ショート部を覆うことにより、導波管とテープ状
半導体搭載装置との間で信号の入出力を行うことが可能
となる。また、テープ状半導体搭載装置の信号線路を、
上記ステージに露出した同軸ケーブル上に設置した後、
おさえ部材で上方から加圧することにより、信号線路と
同軸ケーブルの中心信号導体とが接触し、さらに、同軸
ケーブルの外側の接地導体とテープ状半導体搭載装置の
裏面接地金属層とがステージを介して接続されているの
で、同軸ケーブルとテープ状半導体搭載装置との間で信
号の入出力が可能となる。
【0008】また、ステージに真空吸着口、およびテー
プ状半導体搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のい
ずれか一方または両方を備えたので、テープ状半導体搭
載装置のずれを防止することができる。また、テープ状
半導体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する
凹凸部には、誘電体カバーを設けたので、テープ状半導
体搭載装置とステージとのショートを防止できる。ま
た、ステージをスライドまたは回転させることにより、
テープ状半導体搭載装置を安定した状態で、連続して送
り出しすることができる。
プ状半導体搭載装置の裏面の形状に対応した凹凸部のい
ずれか一方または両方を備えたので、テープ状半導体搭
載装置のずれを防止することができる。また、テープ状
半導体搭載装置の裏面接地電極部以外の部位と接触する
凹凸部には、誘電体カバーを設けたので、テープ状半導
体搭載装置とステージとのショートを防止できる。ま
た、ステージをスライドまたは回転させることにより、
テープ状半導体搭載装置を安定した状態で、連続して送
り出しすることができる。
【0009】
【実施例】実施例1.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。図1
は、本発明の実施例1であるTAB評価装置を示す断面
図である。図1において10は信号源、測定器等の外部
機器、11は導波管ショート部、12は導波管であり、
ステ−ジ8に埋設されている。
は、本発明の実施例1であるTAB評価装置を示す断面
図である。図1において10は信号源、測定器等の外部
機器、11は導波管ショート部、12は導波管であり、
ステ−ジ8に埋設されている。
【0010】次に動作について説明する。図2は、導波
管12の開口部端面に、TABテープ信号線路2を固定
した状態を示す斜視図である。なお、導波管開口部長辺
は約2.5mm、短辺は約1.3mm、信号線路2の挿
入長は、0.5〜0.8mm程度が一般的である(いず
れもW帯:75〜110GHzでの使用を想定した場合
の値)。図3は、ステージ8上部に設けた可動式の導波
管ショート部11を降下させ、ステージに圧着させた状
態を示す断面図である。この状態でいわゆるE面プロー
ブ変換器が形成され、導波管12とTABテープとの間
で信号の入出力が可能となる。なお、導波管ショート部
の奥行きは、W帯の場合1〜1.3mm程度が一般的で
ある。
管12の開口部端面に、TABテープ信号線路2を固定
した状態を示す斜視図である。なお、導波管開口部長辺
は約2.5mm、短辺は約1.3mm、信号線路2の挿
入長は、0.5〜0.8mm程度が一般的である(いず
れもW帯:75〜110GHzでの使用を想定した場合
の値)。図3は、ステージ8上部に設けた可動式の導波
管ショート部11を降下させ、ステージに圧着させた状
態を示す断面図である。この状態でいわゆるE面プロー
ブ変換器が形成され、導波管12とTABテープとの間
で信号の入出力が可能となる。なお、導波管ショート部
の奥行きは、W帯の場合1〜1.3mm程度が一般的で
ある。
【0011】実施例2.
図4は、本発明の実施例2であるTAB評価装置を示す
断面図である。図において、11はステージ上面に垂直
に開口部を有する導波管ショート部、12は外部機器1
0へと続く導波管である。図5は、導波管ショート部1
1の端面に、TABテープ信号線路2を固定した状態を
示す斜視図である。図6はステージ8上部の導波管12
を降下させ、ステージ8に圧着した状態を示す断面図で
ある。この状態で、導波管12とTABテープとの間で
信号の入出力が可能となる。なお、各部寸法は実施例1
と同様である。
断面図である。図において、11はステージ上面に垂直
に開口部を有する導波管ショート部、12は外部機器1
0へと続く導波管である。図5は、導波管ショート部1
1の端面に、TABテープ信号線路2を固定した状態を
示す斜視図である。図6はステージ8上部の導波管12
を降下させ、ステージ8に圧着した状態を示す断面図で
ある。この状態で、導波管12とTABテープとの間で
信号の入出力が可能となる。なお、各部寸法は実施例1
と同様である。
【0012】実施例3.
図7は、本発明の実施例3であるTAB評価装置を示す
断面図である。図において、13はステージに埋め込ま
れた高周波用同軸ケーブル、14は同軸ケーブルの中心
信号導体、15はその周囲の同軸誘導体、16は同軸ケ
ーブルの外側の接地導体であり、ステージ8に直接接し
ている。17はおさえ用の誘電体である。図8は、同軸
ケーブル13の解放端上にTABテープ信号線路2を固
定した状態を示す斜視図である。図9は、ステージ8上
部の誘電体おさえ17を降下させ、TABテープ信号線
路2を加圧している状態を示す断面図である。これによ
り同軸中心導体14と信号線路2が接触し、外部接地導
体16とTABテープの裏面接地金属層3とがステージ
8を介して接続されているため、同軸ケーブル13とT
ABテープとの間で信号のやりとりが可能となる。
断面図である。図において、13はステージに埋め込ま
れた高周波用同軸ケーブル、14は同軸ケーブルの中心
信号導体、15はその周囲の同軸誘導体、16は同軸ケ
ーブルの外側の接地導体であり、ステージ8に直接接し
ている。17はおさえ用の誘電体である。図8は、同軸
ケーブル13の解放端上にTABテープ信号線路2を固
定した状態を示す斜視図である。図9は、ステージ8上
部の誘電体おさえ17を降下させ、TABテープ信号線
路2を加圧している状態を示す断面図である。これによ
り同軸中心導体14と信号線路2が接触し、外部接地導
体16とTABテープの裏面接地金属層3とがステージ
8を介して接続されているため、同軸ケーブル13とT
ABテープとの間で信号のやりとりが可能となる。
【0013】実施例4.
図10は、本発明の実施例4であるTAB評価装置の一
例を示す断面図である。図において、18は真空吸着孔
である。図11は、本実施例のTAB評価装置上に、高
周波帯IC4を含むTABテープを固定している状態を
示す断面図である。真空吸着孔18がTABテープの底
面である裏面接地金属層3のパターンに対応した位置に
のみ存在するため、空気もれが少なく、確実にTABテ
ープを固定しうる。この状態で、電気的特性の試験を行
う。本実施例においては、実施例1で示した方法を用い
て高周波信号の入出力をとっているが、実施例2または
3、または通常のDCプローブ等の方法を用いてもかま
わない。
例を示す断面図である。図において、18は真空吸着孔
である。図11は、本実施例のTAB評価装置上に、高
周波帯IC4を含むTABテープを固定している状態を
示す断面図である。真空吸着孔18がTABテープの底
面である裏面接地金属層3のパターンに対応した位置に
のみ存在するため、空気もれが少なく、確実にTABテ
ープを固定しうる。この状態で、電気的特性の試験を行
う。本実施例においては、実施例1で示した方法を用い
て高周波信号の入出力をとっているが、実施例2または
3、または通常のDCプローブ等の方法を用いてもかま
わない。
【0014】実施例5.
図12は、本発明の実施例5であるTAB評価装置を示
す断面図である。図において、19はステージ8に設け
られた凸部、20は誘電体カバーである。図13は、本
実施例のTAB評価装置上に、高周波帯IC4を含むT
ABテープを固定している状態を示す断面図である。T
ABテープの裏面パターンに対応した凹凸がステージ8
の表面に形成されているため、横方向へのずれが生じ
ず、確実にTABテープを固定することができる。ま
た、TABテープの裏面接地金属層3以外の端子直下部
にあたる凸部19には誘電体カバー20を設けているた
め、ステージ8とのショートを防止する。また、上方よ
り高周波プローブヘッド21を接触させた場合も変形し
ない。
す断面図である。図において、19はステージ8に設け
られた凸部、20は誘電体カバーである。図13は、本
実施例のTAB評価装置上に、高周波帯IC4を含むT
ABテープを固定している状態を示す断面図である。T
ABテープの裏面パターンに対応した凹凸がステージ8
の表面に形成されているため、横方向へのずれが生じ
ず、確実にTABテープを固定することができる。ま
た、TABテープの裏面接地金属層3以外の端子直下部
にあたる凸部19には誘電体カバー20を設けているた
め、ステージ8とのショートを防止する。また、上方よ
り高周波プローブヘッド21を接触させた場合も変形し
ない。
【0015】本実施例によれば、TABテープ裏面だけ
でなく、高周波帯IC4もステージ8に密着しており、
高周波特性の評価に非常に重要であるグランド面が明確
であり、さらに、高周波帯IC4の温度上昇に対して
も、熱がステージに伝わることにより冷却効果が生じる
ため、熱的な面でも有利である。本実施例については、
高周波プローブヘッド21を用いて高周波信号の入出力
をとっているが、実施例1〜3またはその他の方法を用
いてもかまわない。
でなく、高周波帯IC4もステージ8に密着しており、
高周波特性の評価に非常に重要であるグランド面が明確
であり、さらに、高周波帯IC4の温度上昇に対して
も、熱がステージに伝わることにより冷却効果が生じる
ため、熱的な面でも有利である。本実施例については、
高周波プローブヘッド21を用いて高周波信号の入出力
をとっているが、実施例1〜3またはその他の方法を用
いてもかまわない。
【0016】実施例6.
図14は、本発明の実施例6であるTAB評価装置を示
す断面図である。図において、22はスプロケットホイ
ールである。図15は、本実施例のTAB評価装置上に
IC4を含むTABテープを装着している状態を示す断
面図である。実施例5で示した凹凸パターンがスプロケ
ットホイール22の周囲に形成されており、かつそのパ
ターンがTABテープの送り出し機構に連動しているた
め、非常に安定した状態で、連続的に自動試験を行うこ
とが可能である。また、本実施例では回転式のTABテ
ープ送り出し機構を示したが、スライド式等のその他の
方法でも良い。
す断面図である。図において、22はスプロケットホイ
ールである。図15は、本実施例のTAB評価装置上に
IC4を含むTABテープを装着している状態を示す断
面図である。実施例5で示した凹凸パターンがスプロケ
ットホイール22の周囲に形成されており、かつそのパ
ターンがTABテープの送り出し機構に連動しているた
め、非常に安定した状態で、連続的に自動試験を行うこ
とが可能である。また、本実施例では回転式のTABテ
ープ送り出し機構を示したが、スライド式等のその他の
方法でも良い。
【0017】参考例.
図16は、本発明の参考例であるTABテープの一例を
示す平面図である。図において、23は裏面接地金属へ
と続くスルーホール、24は接地電極パッドである。図
17は上記TABテープ信号線路端に高周波プローブヘ
ッド21を接続している状態を示す斜視図である。一般
に高周波プローブヘッド21は、信号線路の左右に接地
線路を有するコプレーナ構造であるため、本参考例のT
ABテープは高周波プローブヘッド21との整合性が高
く、信号の入出力が容易である。
示す平面図である。図において、23は裏面接地金属へ
と続くスルーホール、24は接地電極パッドである。図
17は上記TABテープ信号線路端に高周波プローブヘ
ッド21を接続している状態を示す斜視図である。一般
に高周波プローブヘッド21は、信号線路の左右に接地
線路を有するコプレーナ構造であるため、本参考例のT
ABテープは高周波プローブヘッド21との整合性が高
く、信号の入出力が容易である。
【0018】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、テー
プ状半導体搭載装置と導波管、または同軸ケーブルとの
間で、容易に高周波信号の入出力が可能となり、従来の
ような硬式のパッケージに実装する必要がなく、安価で
容易にテープ状半導体搭載装置の評価を行うことができ
る。また、送り出しが連続して行えるので、テープ状半
導体搭載装置の評価が効率的に行われ、自動検査が可能
となる。
プ状半導体搭載装置と導波管、または同軸ケーブルとの
間で、容易に高周波信号の入出力が可能となり、従来の
ような硬式のパッケージに実装する必要がなく、安価で
容易にテープ状半導体搭載装置の評価を行うことができ
る。また、送り出しが連続して行えるので、テープ状半
導体搭載装置の評価が効率的に行われ、自動検査が可能
となる。
【図1】 本発明の一実施例を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図2】 本発明の一実施例を示すTAB評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図3】 本発明の一実施例を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図4】 本発明の実施例2を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図5】 本発明の実施例2を示すTAB評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図6】 本発明の実施例2を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図7】 本発明の実施例3を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図8】 本発明の実施例3を示すTAB評価装置の斜
視図である。
視図である。
【図9】 本発明の実施例3を示すTAB評価装置の断
面図である。
面図である。
【図10】 本発明の実施例4を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図11】 本発明の実施例4を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図12】 本発明の実施例5を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図13】 本発明の実施例5を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図14】 本発明の実施例6を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図15】 本発明の実施例6を示すTAB評価装置の
断面図である。
断面図である。
【図16】 本発明の参考例を示すTABテープの平面
図である。
図である。
【図17】 本発明の参考例を示すTABテープの斜視
図である。
図である。
【図18】 従来のTABテープの一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図19】 従来のTABテープの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図20】 従来のTABテープの一例を示す断面図で
ある。
ある。
【図21】 従来のTABテープの評価方法を示す斜視
図である。
図である。
1 誘電体層、2 表面信号線路、3 裏面接地金属
層、4 高周波帯IC、5 インナーリード、6 アウ
ターリード、7 DC用プローブニードル、8 評価用
ステージ、9 硬式パッケージ、10 外部機器、11
導波管ショート部、12 導波管、13 同軸ケーブ
ル、14 同軸中心導体、15 同軸誘電体、16 同
軸周囲導体、17 おさえ、18 真空吸着孔、19
凸部、20 誘電体カバー、21 高周波プローブヘッ
ド、22 スプロケットホイール、23 スルーホー
ル、24 接地パッド。
層、4 高周波帯IC、5 インナーリード、6 アウ
ターリード、7 DC用プローブニードル、8 評価用
ステージ、9 硬式パッケージ、10 外部機器、11
導波管ショート部、12 導波管、13 同軸ケーブ
ル、14 同軸中心導体、15 同軸誘電体、16 同
軸周囲導体、17 おさえ、18 真空吸着孔、19
凸部、20 誘電体カバー、21 高周波プローブヘッ
ド、22 スプロケットホイール、23 スルーホー
ル、24 接地パッド。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭64−84625(JP,A)
特開 昭60−236241(JP,A)
特開 昭62−58703(JP,A)
特開 平5−273234(JP,A)
特開 平7−221223(JP,A)
特開 平4−371003(JP,A)
特開 平5−235109(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H01L 21/60
H01L 23/12
H01P 3/08
G01R 31/26
Claims (6)
- 【請求項1】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ内部に埋設され、一端が上記ステージ上面
に垂直に開口しており、他端が測定器等の外部機器に接
続される導波管、 上記ステージの上方に設けられた可動式の導波管ショー
ト部を備え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を
上記ステージの導波管開口部上に設置し、上記導波管シ
ョート部を上記ステージに圧着して上記導波管開口部を
覆い、上記導波管と上記テープ状半導体搭載装置との間
で信号の入出力を行うことを特徴とするテープ状半導体
搭載装置の評価装置。 - 【請求項2】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ上方に設けられ、一端を測定器等の外部機
器に接続される可動式の導波管、 上記ステージ上面に垂直に開口部を有する導波管ショー
ト部を備え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を
上記導波管ショート部の開口部上に設置し、上記導波管
を上記ステージに圧着して上記導波管ショート部を覆
い、上記導波管と上記テープ状半導体搭載装置との間で
信号の入出力を行うことを特徴とするテープ状半導体搭
載装置の評価装置。 - 【請求項3】 テープ状半導体搭載装置を設置するステ
ージ、 このステージ内部に埋設され、一端が上記ステージ上面
に垂直に露出し、他端が測定器等の外部機器に接続され
る同軸ケーブル、 上記ステージ上方に設けられた可動式のおさえ部材を備
え、上記テープ状半導体搭載装置の信号線路を上記ステ
ージに露出した上記同軸ケーブル上に設置し、上記おさ
え部材で上方から加圧し、上記信号線路と上記同軸ケー
ブルとを接続することを特徴とするテープ状半導体搭載
装置の評価装置。 - 【請求項4】 ステージは、テープ状半導体搭載装置の
裏面を吸着する真空吸着口、およびテープ状半導体搭載
装置の裏面の形状に対応した凹凸部のいずれか一方また
は両方を備え、上記テープ状半導体搭載装置のずれを防
止するよう構成したことを特徴とする請求項1〜請求項
3のいずれか一項記載のテープ状半導体搭載装置の評価
装置。 - 【請求項5】 凹凸部の、テープ状半導体搭載装置の裏
面接地電極部以外の部位と接触する面には、誘電体カバ
ーを設けたことを特徴とする請求項4記載のテープ状半
導体搭載装置の評価装置。 - 【請求項6】 ステージは、スライドまたは回転され、
テープ状半導体搭載装置を送り出しするように構成した
ことを特徴とする請求項4または請求項5記載のテープ
状半導体搭載装置の評価装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00790095A JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP00790095A JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08203963A JPH08203963A (ja) | 1996-08-09 |
JP3435241B2 true JP3435241B2 (ja) | 2003-08-11 |
Family
ID=11678458
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP00790095A Expired - Fee Related JP3435241B2 (ja) | 1995-01-23 | 1995-01-23 | テープ状半導体搭載装置の評価装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
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JP4850056B2 (ja) * | 2006-12-27 | 2012-01-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JP6121345B2 (ja) * | 2014-02-10 | 2017-04-26 | 日本電信電話株式会社 | 結合器および導波回路 |
JP6536283B2 (ja) * | 2015-08-24 | 2019-07-03 | 富士通株式会社 | 高周波モジュール及び高周波モジュールの製造方法 |
-
1995
- 1995-01-23 JP JP00790095A patent/JP3435241B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JPH08203963A (ja) | 1996-08-09 |
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