JP2002290115A - ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 - Google Patents
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造Info
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変
換する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、
当該部位での伝送ロスを低減可能とするミリ波伝送線路
の入出力端部接続構造を提供する。 【解決手段】コプレーナ線路構造体は信号線路と信号線
路の両側に２本の接地線路とを備え、３本の線路の先端
には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、マイクロス
トリップ線路の信号線路１０と同一導体幅で延長して備
えられる信号接触電極と必要最小限の接地線路用接触電
極を形成する第１と第２のプローブ専用電極８と、第
１、第２のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ信
号線路１０とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つマイクロストリップ線路の下面側のア
ース面と電気的に接続する第１、第２のバイアホールを
備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造。
換する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、
当該部位での伝送ロスを低減可能とするミリ波伝送線路
の入出力端部接続構造を提供する。 【解決手段】コプレーナ線路構造体は信号線路と信号線
路の両側に２本の接地線路とを備え、３本の線路の先端
には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、マイクロス
トリップ線路の信号線路１０と同一導体幅で延長して備
えられる信号接触電極と必要最小限の接地線路用接触電
極を形成する第１と第２のプローブ専用電極８と、第
１、第２のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ信
号線路１０とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つマイクロストリップ線路の下面側のア
ース面と電気的に接続する第１、第２のバイアホールを
備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＭＭＩＣ（Micr
owave Monolithic IC）等のマイクロストリップ線路の
端部に備えられる、信号入出力用のコプレーナ線路に変
換するミリ波伝送線路の入出力端部接続構造に関する。
特に、１００ＧＨｚ以上のミリ波信号を授受するマイク
ロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出
力端部接続構造に関する。
owave Monolithic IC）等のマイクロストリップ線路の
端部に備えられる、信号入出力用のコプレーナ線路に変
換するミリ波伝送線路の入出力端部接続構造に関する。
特に、１００ＧＨｚ以上のミリ波信号を授受するマイク
ロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出
力端部接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】オンウェハやオンチップＭＭＩＣ回路等
の半導体基板上に形成された被試験対象ＤＵＴのミリ波
帯域の伝送特性を測定評価する為には、図１（ｂ）に示
すように、２個のコプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１
と、例えばネットワークアナライザ（図示なし）とを接
続して行われる。コプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１
は、図１（ａ）に示すように、ＤＵＴと接続するプロー
ブヘッド２がコプレーナ線路構造となっている。また、
線路構造としては、線路間ピッチが例えば１００μｍ
で、導体幅２５μｍの接地線路（Ground Line）４と、
信号線路（Single Line）３と、接地線路４の配列順の
コプレーナ線路となっていて、小さなプローブ構造体で
ある。プローブヘッド２の先端部は、上記接地線路４と
信号線路３の端部によって、半導体基板１００側の対向
接触する電極へ押圧接続できる構造を備えている。この
とき、対向接触する電極面積は、電気的な接触特性を確
保するため２５μｍ×２５μｍ程度の有効な接触面が少
なくとも必要とされる。
の半導体基板上に形成された被試験対象ＤＵＴのミリ波
帯域の伝送特性を測定評価する為には、図１（ｂ）に示
すように、２個のコプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１
と、例えばネットワークアナライザ（図示なし）とを接
続して行われる。コプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１
は、図１（ａ）に示すように、ＤＵＴと接続するプロー
ブヘッド２がコプレーナ線路構造となっている。また、
線路構造としては、線路間ピッチが例えば１００μｍ
で、導体幅２５μｍの接地線路（Ground Line）４と、
信号線路（Single Line）３と、接地線路４の配列順の
コプレーナ線路となっていて、小さなプローブ構造体で
ある。プローブヘッド２の先端部は、上記接地線路４と
信号線路３の端部によって、半導体基板１００側の対向
接触する電極へ押圧接続できる構造を備えている。この
とき、対向接触する電極面積は、電気的な接触特性を確
保するため２５μｍ×２５μｍ程度の有効な接触面が少
なくとも必要とされる。
【０００３】一方、ＤＵＴ側の半導体基板１００は、マ
イクロストリップ線路構造で形成されている。但し、本
願に係るＤＵＴの入力線路端側や出力線路端側は、プロ
ーブヘッド２に対応してコプレーナ線路構造の接続端子
構造を備える必要性がある。即ち、ＤＵＴの入力／出力
線路端側での押圧接続部位において、コプレーナ線路か
らマイクロストリップ線路への線路変換／逆線路変換が
行われる。
イクロストリップ線路構造で形成されている。但し、本
願に係るＤＵＴの入力線路端側や出力線路端側は、プロ
ーブヘッド２に対応してコプレーナ線路構造の接続端子
構造を備える必要性がある。即ち、ＤＵＴの入力／出力
線路端側での押圧接続部位において、コプレーナ線路か
らマイクロストリップ線路への線路変換／逆線路変換が
行われる。
【０００４】次に、ＤＵＴの伝送特性を測定するには、
先ず、２個のコプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１を、
入力／出力線路端側へ各々所定に電気的に接触接続状態
にしておく。その後に、ネットワークアナライザによっ
て、コプレーナ型ＲＦプローブ１１を介して入力線路端
側へ試験信号を印加し、ＤＵＴの出力線路端側からの応
答信号をコプレーナ型ＲＦプローブ２１を介して受け
て、所望の伝送特性を測定実施する。ここで、伝送特性
の測定対象である被試験対象ＤＵＴとしては、マイクロ
ストリップ線路の他に、機能回路や分配／結合回路や能
動回路等を有する場合があるが、本願に係る特性改善が
判りやすいように、これら回路要素が介在しない単一の
マイクロストリップ線路構造の場合と仮定して、以後説
明する。
先ず、２個のコプレーナ型ＲＦプローブ１１、２１を、
入力／出力線路端側へ各々所定に電気的に接触接続状態
にしておく。その後に、ネットワークアナライザによっ
て、コプレーナ型ＲＦプローブ１１を介して入力線路端
側へ試験信号を印加し、ＤＵＴの出力線路端側からの応
答信号をコプレーナ型ＲＦプローブ２１を介して受け
て、所望の伝送特性を測定実施する。ここで、伝送特性
の測定対象である被試験対象ＤＵＴとしては、マイクロ
ストリップ線路の他に、機能回路や分配／結合回路や能
動回路等を有する場合があるが、本願に係る特性改善が
判りやすいように、これら回路要素が介在しない単一の
マイクロストリップ線路構造の場合と仮定して、以後説
明する。
【０００５】次に、ＤＵＴの入力／出力線路端側の構造
について、図１（ｃ）を参照して説明する。ここで、プ
ローブヘッド２側の先端部は、半導体基板１００上で図
１Ａ、Ｂに示す部位へ押圧接続する。そして、図１Ｃ、
Ｄ、Ｅの部位で、プローブヘッド２側の先端電極と各々
電気的に接触する構造である。この為、当該接続点での
線路形成構造が適切でないと伝送ロスや反射等の好まし
くない特性を生じる。
について、図１（ｃ）を参照して説明する。ここで、プ
ローブヘッド２側の先端部は、半導体基板１００上で図
１Ａ、Ｂに示す部位へ押圧接続する。そして、図１Ｃ、
Ｄ、Ｅの部位で、プローブヘッド２側の先端電極と各々
電気的に接触する構造である。この為、当該接続点での
線路形成構造が適切でないと伝送ロスや反射等の好まし
くない特性を生じる。
【０００６】半導体基板１００側には信号線路１０と、
４個の電極パッド６と、４個のバイアホール７とを備え
る。信号線路１０は、所定の特性インピーダンス、例え
ば５０Ωとなるように一定の線路幅Ｗを形成する必要が
ある。従って、線路幅Ｗは使用する半導体基板１００の
厚みと誘電率とによって、ほぼ決まってしまう。尚、半
導体基板１００の厚みとしては例えば１００μｍ程度が
適用される。
４個の電極パッド６と、４個のバイアホール７とを備え
る。信号線路１０は、所定の特性インピーダンス、例え
ば５０Ωとなるように一定の線路幅Ｗを形成する必要が
ある。従って、線路幅Ｗは使用する半導体基板１００の
厚みと誘電率とによって、ほぼ決まってしまう。尚、半
導体基板１００の厚みとしては例えば１００μｍ程度が
適用される。
【０００７】電極パッド６は、マイクロストリップ線路
からコプレーナ線路に変換する為の、２つの接地電極で
あって、上記プローブヘッド２に対応して、信号線路１
０の両側へ１００μｍピッチに配設されている。電極パ
ッド６にはバイアホール７を有していて、半導体基板１
００の直下に備えるグランド面に接続されて接地されて
いる。このとき、プローブ専用電極８の横幅Ｌは、プロ
ーブヘッド２の先端部に対応して、５０μｍ径のバイア
ホール７を避け、且つ少なくとも２５μｍが必要とされ
るので、例えば１００μｍ程度の横幅が必要となる。こ
れに伴って、電極パッド６と信号線路１０との間に形成
される線間容量が多くなってしまう難点がある。
からコプレーナ線路に変換する為の、２つの接地電極で
あって、上記プローブヘッド２に対応して、信号線路１
０の両側へ１００μｍピッチに配設されている。電極パ
ッド６にはバイアホール７を有していて、半導体基板１
００の直下に備えるグランド面に接続されて接地されて
いる。このとき、プローブ専用電極８の横幅Ｌは、プロ
ーブヘッド２の先端部に対応して、５０μｍ径のバイア
ホール７を避け、且つ少なくとも２５μｍが必要とされ
るので、例えば１００μｍ程度の横幅が必要となる。こ
れに伴って、電極パッド６と信号線路１０との間に形成
される線間容量が多くなってしまう難点がある。
【０００８】上記構造によれば、電極パッド６と信号線
路１０との間隔Ｓは、所望の間隔にできない。即ち、使
用するプローブヘッド２のピッチ制限のため、間隔Ｓを
広くすることができない。例えば、線路幅Ｗが７２μｍ
と仮定すると、間隔Ｓは３９μｍとなってしまう。この
結果、図２Ａの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性
は図２Ｂの伝送特性に示すように、１１０ＧＨｚ地点の
高周波では入力／出力線路端の部位での伝送ロスが大き
く生じている。この伝送ロスは周波数が高くなるにつれ
て顕著に現れる。このことは、所望の周波数区間での目
的とする線路／回路の伝送特性を高精度に測定すること
が求められる場合においては、測定誤差となってしまい
好ましくない。また、伝送ロスだけでなく、反射特性で
あるリターンロスＳ１１も生じる難点がある。例えば、
１１０ＧＨｚでは−１５．０ｄＢのリターンロスを生じ
る。
路１０との間隔Ｓは、所望の間隔にできない。即ち、使
用するプローブヘッド２のピッチ制限のため、間隔Ｓを
広くすることができない。例えば、線路幅Ｗが７２μｍ
と仮定すると、間隔Ｓは３９μｍとなってしまう。この
結果、図２Ａの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性
は図２Ｂの伝送特性に示すように、１１０ＧＨｚ地点の
高周波では入力／出力線路端の部位での伝送ロスが大き
く生じている。この伝送ロスは周波数が高くなるにつれ
て顕著に現れる。このことは、所望の周波数区間での目
的とする線路／回路の伝送特性を高精度に測定すること
が求められる場合においては、測定誤差となってしまい
好ましくない。また、伝送ロスだけでなく、反射特性で
あるリターンロスＳ１１も生じる難点がある。例えば、
１１０ＧＨｚでは−１５．０ｄＢのリターンロスを生じ
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上述説明したように従
来技術においては、コプレーナ型ＲＦプローブを、マイ
クロストリップ線路構造の入力／出力線路端側に各々電
気的に接続して、測定対象のマイクロストリップ線路や
マイクロストリップ線路を含む回路の伝送特性を測定実
施する場合、コプレーナ型ＲＦプローブのプローブヘッ
ド２と接続する入力／出力線路端の実装構造に伴って、
特に、高い周波数領域において伝送特性の測定誤差を生
じる難点がある。また、リターンロスＳ１１も生じる難
点がある。従って、伝送特性を高精度に測定することが
求められる場合においては、入力／出力線路端による測
定誤差要因は極力取り除くことが求められている。そこ
で、本発明が解決しようとする課題は、マイクロストリ
ップ線路をコプレーナ線路に変換する、線路変換部を備
えるミリ波伝送線路において、当該部位での伝送ロス／
リターンロスを低減可能とするミリ波伝送線路の入出力
端部接続構造を提供することである。
来技術においては、コプレーナ型ＲＦプローブを、マイ
クロストリップ線路構造の入力／出力線路端側に各々電
気的に接続して、測定対象のマイクロストリップ線路や
マイクロストリップ線路を含む回路の伝送特性を測定実
施する場合、コプレーナ型ＲＦプローブのプローブヘッ
ド２と接続する入力／出力線路端の実装構造に伴って、
特に、高い周波数領域において伝送特性の測定誤差を生
じる難点がある。また、リターンロスＳ１１も生じる難
点がある。従って、伝送特性を高精度に測定することが
求められる場合においては、入力／出力線路端による測
定誤差要因は極力取り除くことが求められている。そこ
で、本発明が解決しようとする課題は、マイクロストリ
ップ線路をコプレーナ線路に変換する、線路変換部を備
えるミリ波伝送線路において、当該部位での伝送ロス／
リターンロスを低減可能とするミリ波伝送線路の入出力
端部接続構造を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】第１の解決手段を示す。
上記課題を解決するために、コプレーナ線路構造体の端
部に備える先端電極へ電気的に接続する、マイクロスト
リップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部
接続構造において、上記コプレーナ線路構造体（例えば
コプレーナ型ＲＦプローブ）は中心に配設されている信
号線路３と前記信号線路の両側に所定間隔で配設される
２本の接地線路４とを備え、前記３本の線路の先端には
押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、上記
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記１本の
信号線路３の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路１０と同一導体
幅で延長して備えられる信号接触電極を具備し、上記ミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記２本の接
地線路４の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第１
と第２のプローブ専用電極８を具備し、上記第１のプロ
ーブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１
０とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第１のバイアホール７を備える第
１の電極パッド６を具備し、上記第２のプローブ専用電
極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１０とは等価
容量が小さくなるように所定に離れて配設され、且つ上
記マイクロストリップ線路の下面側のアース面と電気的
に接続する第２のバイアホール７を備える第２の電極パ
ッド６を具備し、以上を具備することを特徴とするミリ
波伝送線路の入出力端部接続構造である。上記発明によ
れば、マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変換
する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、当
該部位での伝送ロス／リターンロスを低減可能とするミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現できる。
上記課題を解決するために、コプレーナ線路構造体の端
部に備える先端電極へ電気的に接続する、マイクロスト
リップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部
接続構造において、上記コプレーナ線路構造体（例えば
コプレーナ型ＲＦプローブ）は中心に配設されている信
号線路３と前記信号線路の両側に所定間隔で配設される
２本の接地線路４とを備え、前記３本の線路の先端には
押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備え、上記
ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記１本の
信号線路３の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路１０と同一導体
幅で延長して備えられる信号接触電極を具備し、上記ミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上記２本の接
地線路４の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第１
と第２のプローブ専用電極８を具備し、上記第１のプロ
ーブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１
０とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第１のバイアホール７を備える第
１の電極パッド６を具備し、上記第２のプローブ専用電
極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１０とは等価
容量が小さくなるように所定に離れて配設され、且つ上
記マイクロストリップ線路の下面側のアース面と電気的
に接続する第２のバイアホール７を備える第２の電極パ
ッド６を具備し、以上を具備することを特徴とするミリ
波伝送線路の入出力端部接続構造である。上記発明によ
れば、マイクロストリップ線路をコプレーナ線路に変換
する、線路変換部を備えるミリ波伝送線路において、当
該部位での伝送ロス／リターンロスを低減可能とするミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現できる。
【００１１】次に、第２の解決手段を示す。上述コプレ
ーナ線路構造体の一態様としては、高周波の伝送特性の
評価に適用するコプレーナ型ＲＦプローブ１１のプロー
ブヘッド２である、ことを特徴とする上述ミリ波伝送線
路の入出力端部接続構造がある。これにより、コプレー
ナ線路とマイクロストリップ線路との接続部位におい
て、高い周波数領域での接続変換ロス／リターンロスが
大幅に改善される結果、測定誤差が低減されて、高精度
にミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点
が得られる。
ーナ線路構造体の一態様としては、高周波の伝送特性の
評価に適用するコプレーナ型ＲＦプローブ１１のプロー
ブヘッド２である、ことを特徴とする上述ミリ波伝送線
路の入出力端部接続構造がある。これにより、コプレー
ナ線路とマイクロストリップ線路との接続部位におい
て、高い周波数領域での接続変換ロス／リターンロスが
大幅に改善される結果、測定誤差が低減されて、高精度
にミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点
が得られる。
【００１２】次に、第３の解決手段を示す。ここで第３
図と第４図は、本発明に係る解決手段を示している。上
記課題を解決するために、コプレーナ型ＲＦプローブ１
１のプローブヘッド２へ電気的に接続する、マイクロス
トリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造において、上記プローブヘッド２はコプレー
ナ線路構造体となる３本の線路、即ち、中心に配設され
ている信号線路３と前記信号線路の両側に所定間隔で配
設される２本の接地線路４とを備え、前記３本の線路の
先端には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備
え、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記１本の信号線路３の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、マイクロストリップ線路の信号線路１０と
同一導体幅で延長して備えられる信号接触電極を具備
し、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記２本の接地線路４の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備
える第１と第２のプローブ専用電極８を具備し、上記第
１のプローブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信
号線路１０とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側
のアース面と電気的に接続する第１のバイアホール７を
備える第１の電極パッド６を具備し、上記第２のプロー
ブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１０
とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第２のバイアホール７を備える第
２の電極パッド６を具備し、以上を具備してミリ波での
接続変換ロス／リターンロスを解消可能とすることを特
徴とするミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。
図と第４図は、本発明に係る解決手段を示している。上
記課題を解決するために、コプレーナ型ＲＦプローブ１
１のプローブヘッド２へ電気的に接続する、マイクロス
トリップ線路の端部に備えるミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造において、上記プローブヘッド２はコプレー
ナ線路構造体となる３本の線路、即ち、中心に配設され
ている信号線路３と前記信号線路の両側に所定間隔で配
設される２本の接地線路４とを備え、前記３本の線路の
先端には押圧して電気的に接続できる先端電極を各々備
え、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記１本の信号線路３の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、マイクロストリップ線路の信号線路１０と
同一導体幅で延長して備えられる信号接触電極を具備
し、上記ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、上
記２本の接地線路４の先端電極に対して、対向接触する
配設部位に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備
える第１と第２のプローブ専用電極８を具備し、上記第
１のプローブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信
号線路１０とは等価容量が小さくなるように所定に離れ
て配設され、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側
のアース面と電気的に接続する第１のバイアホール７を
備える第１の電極パッド６を具備し、上記第２のプロー
ブ専用電極８へ電気的接続され、且つ上記信号線路１０
とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配設さ
れ、且つ上記マイクロストリップ線路の下面側のアース
面と電気的に接続する第２のバイアホール７を備える第
２の電極パッド６を具備し、以上を具備してミリ波での
接続変換ロス／リターンロスを解消可能とすることを特
徴とするミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。
【００１３】次に、第４の解決手段を示す。上述マイク
ロストリップ線路の一態様としては、オンウェハ若しく
はオンチップＭＭＩＣ回路である、ことを特徴とする上
述ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。これに
より、オンウェハ若しくはオンチップＭＭＩＣ回路へ、
コプレーナ型ＲＦプローブ１１等を接続して、高精度に
ミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点が
得られる。
ロストリップ線路の一態様としては、オンウェハ若しく
はオンチップＭＭＩＣ回路である、ことを特徴とする上
述ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造がある。これに
より、オンウェハ若しくはオンチップＭＭＩＣ回路へ、
コプレーナ型ＲＦプローブ１１等を接続して、高精度に
ミリ波伝送線路の伝送特性を測定評価可能となる利点が
得られる。
【００１４】
【００１５】本発明について、図３と図４とを参照して
以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符
号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
以下に説明する。尚、従来構成に対応する要素は同一符
号を付し、また重複する部位の説明は省略する。
【００１６】本願に係る要部構成は、図３に示すよう
に、プローブ専用電極８を追加して備える。これに伴い
電極パッド６と信号線路１０との間隔Ｓは所望間隔に広
くしたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造とすること
ができる。他の要素は従来と同一要素であるからして説
明を要しない。
に、プローブ専用電極８を追加して備える。これに伴い
電極パッド６と信号線路１０との間隔Ｓは所望間隔に広
くしたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造とすること
ができる。他の要素は従来と同一要素であるからして説
明を要しない。
【００１７】プローブ専用電極８は、一辺が電極パッド
６に接続されていて、プローブヘッド２の接地線路４に
対向接触する位置に配設して備える。このとき、プロー
ブ専用電極８の横幅Ｌは、プローブヘッド２の先端部に
対応して、少なくとも２５μｍが必要とされるので、例
えば３０μｍの横幅Ｌに形成可能となる。これに伴っ
て、電極パッド６と信号線路１０との間に形成される線
間容量は、従来比で１／３程度に低減できる利点が得ら
れる。尚、信号線路１０との間隔Ｓは従来と同一であ
る。
６に接続されていて、プローブヘッド２の接地線路４に
対向接触する位置に配設して備える。このとき、プロー
ブ専用電極８の横幅Ｌは、プローブヘッド２の先端部に
対応して、少なくとも２５μｍが必要とされるので、例
えば３０μｍの横幅Ｌに形成可能となる。これに伴っ
て、電極パッド６と信号線路１０との間に形成される線
間容量は、従来比で１／３程度に低減できる利点が得ら
れる。尚、信号線路１０との間隔Ｓは従来と同一であ
る。
【００１８】電極パッド６は、プローブヘッド２側の先
端部の接地線路４が押圧接続するときにバイアホール７
に掛からない位置に配設する。
端部の接地線路４が押圧接続するときにバイアホール７
に掛からない位置に配設する。
【００１９】上記構造によれば、プローブ専用電極８の
横幅Ｌと信号線路１０との線間容量の低減効果の結果、
図４Ｄの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性は図４
Ｅの伝送特性に示すように、１１０ＧＨｚの高周波でも
入力／出力線路端の部位での伝送ロスが０．１ｄＢ以下
に改善されている。従って、測定誤差が殆ど無くなる結
果、伝送特性を高精度に測定することが可能となる利点
が得られる。また、伝送ロスだけでなく、反射特性であ
るリターンロスＳ１１は、例えば、従来では、１１０Ｇ
Ｈｚにおいて１５．０ｄＢのリターンロスであったもの
が、本発明では２５．７ｄＢに改善できる利点が得られ
る。
横幅Ｌと信号線路１０との線間容量の低減効果の結果、
図４Ｄの理想伝送特性に対して、実際の伝送特性は図４
Ｅの伝送特性に示すように、１１０ＧＨｚの高周波でも
入力／出力線路端の部位での伝送ロスが０．１ｄＢ以下
に改善されている。従って、測定誤差が殆ど無くなる結
果、伝送特性を高精度に測定することが可能となる利点
が得られる。また、伝送ロスだけでなく、反射特性であ
るリターンロスＳ１１は、例えば、従来では、１１０Ｇ
Ｈｚにおいて１５．０ｄＢのリターンロスであったもの
が、本発明では２５．７ｄＢに改善できる利点が得られ
る。
【００２０】尚、本発明の技術的思想は、上述実施の形
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。上述実施例で
は、ＤＵＴとして所定長の単一のマイクロストリップ線
路構造の伝送線路のみで特性評価した具体例であった
が、本発明はこれに限らず、機能回路や分配／結合回路
や能動回路等を備える場合においても、高い周波数領域
で高精度に測定することが求められる場合においては、
優れたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現でき
る。
態の具体構成例、接続形態例に限定されるものではな
い。更に、本発明の技術的思想に基づき、上述実施の形
態を適宜変形して広汎に応用してもよい。上述実施例で
は、ＤＵＴとして所定長の単一のマイクロストリップ線
路構造の伝送線路のみで特性評価した具体例であった
が、本発明はこれに限らず、機能回路や分配／結合回路
や能動回路等を備える場合においても、高い周波数領域
で高精度に測定することが求められる場合においては、
優れたミリ波伝送線路の入出力端部接続構造が実現でき
る。
【００２１】また、上述実施例では、ＤＵＴであるマイ
クロストリップ線路の端部へ接続するコプレーナ線路構
造体の例としては、コプレーナ型ＲＦプローブ１１とし
た具体例で説明していたが、本発明はこれに限らず、他
のコプレーナ線路構造体との接続に対しても適用しても
良い。
クロストリップ線路の端部へ接続するコプレーナ線路構
造体の例としては、コプレーナ型ＲＦプローブ１１とし
た具体例で説明していたが、本発明はこれに限らず、他
のコプレーナ線路構造体との接続に対しても適用しても
良い。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、上述の説明内容からして、下
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造にお
いて、コプレーナ型ＲＦプローブのプローブヘッド２の
先端部と押圧接続できる、必要最小限の横幅Ｌに形成し
たプローブ専用電極を備え、この電極をバイアホールを
備える電極パッドへ接続する構造を備えることにより、
入出力端部構造における伝送ロス／リターンロスの影響
が実用的に解消できる利点が得られる。従って、特に高
い周波数領域での、伝送線路や被試験対象の真の伝送特
性を高精度に測定することが可能となる利点が得られ
る。
記に記載される効果を奏する。上述説明したように本発
明によれば、ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造にお
いて、コプレーナ型ＲＦプローブのプローブヘッド２の
先端部と押圧接続できる、必要最小限の横幅Ｌに形成し
たプローブ専用電極を備え、この電極をバイアホールを
備える電極パッドへ接続する構造を備えることにより、
入出力端部構造における伝送ロス／リターンロスの影響
が実用的に解消できる利点が得られる。従って、特に高
い周波数領域での、伝送線路や被試験対象の真の伝送特
性を高精度に測定することが可能となる利点が得られ
る。
【図１】（ａ）プローブヘッドのコプレーナ線路構造図
と、（ｂ）半導体基板上に形成されたミリ波伝送線路へ
プローブヘッドを接触接続して伝送特性を測定する概念
側面図と、（ｃ）従来の被試験対象のマイクロストリッ
プ線路を備える入力／出力端部構造例。
と、（ｂ）半導体基板上に形成されたミリ波伝送線路へ
プローブヘッドを接触接続して伝送特性を測定する概念
側面図と、（ｃ）従来の被試験対象のマイクロストリッ
プ線路を備える入力／出力端部構造例。
【図２】従来の、ミリ波伝送線路の入力／出力端部構造
例による伝送特性を示す特性図。
例による伝送特性を示す特性図。
【図３】本発明の、ミリ波伝送線路の入力／出力端部構
造例。
造例。
【図４】本発明の、入力／出力端部構造例による伝送特
性を示す特性図。
性を示す特性図。
２ プローブヘッド ３ 信号線路（Single Line） ４ 接地線路（Ground Line） ６ 電極パッド ７ バイアホール ８ プローブ専用電極 １０ 信号線路 １１，２１ コプレーナ型ＲＦプローブ １００ 半導体基板
Claims (4)
- 【請求項１】 コプレーナ線路構造体へ電気的に接続す
る、マイクロストリップ線路の端部に備えるミリ波伝送
線路の入出力端部接続構造において、 該コプレーナ線路構造体は中心に配設されている信号線
路と該信号線路の両側に所定間隔で配設される２本の接
地線路とを備え、該３本の線路の先端には押圧して電気
的に接続できる先端電極を各々備え、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該１本の
信号線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路と同一導体幅で
延長して備えられる信号接触電極と、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該２本の
接地線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第１
と第２のプローブ専用電極と、 該第１のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第１のバイアホールを備える第
１の電極パッドと、 該第２のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第２のバイアホールを備える第
２の電極パッドと、 を具備することを特徴とするミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造。 - 【請求項２】 コプレーナ線路構造体は、高周波の伝送
特性の評価に適用するコプレーナ型ＲＦプローブのプロ
ーブヘッドである、ことを特徴とする請求項１記載のミ
リ波伝送線路の入出力端部接続構造。 - 【請求項３】 コプレーナ型ＲＦプローブのプローブヘ
ッドへ電気的に接続する、マイクロストリップ線路の端
部に備えるミリ波伝送線路の入出力端部接続構造におい
て、 該プローブヘッドはコプレーナ線路構造体となる３本の
線路、即ち、中心に配設されている信号線路と該信号線
路の両側に所定間隔で配設される２本の接地線路とを備
え、該３本の線路の先端には押圧して電気的に接続でき
る先端電極を各々備え、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該１本の
信号線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、マイクロストリップ線路の信号線路と同一導体幅で
延長して備えられる信号接触電極と、 該ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造には、該２本の
接地線路の先端電極に対して、対向接触する配設部位
に、必要最小限の接地用接触電極を形成して備える第１
と第２のプローブ専用電極と、 該第１のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第１のバイアホールを備える第
１の電極パッドと、 該第２のプローブ専用電極へ電気的接続され、且つ該信
号線路とは等価容量が小さくなるように所定に離れて配
設され、且つ該マイクロストリップ線路の下面側のアー
ス面と電気的に接続する第２のバイアホールを備える第
２の電極パッドと、 を具備することを特徴とするミリ波伝送線路の入出力端
部接続構造。 - 【請求項４】 該マイクロストリップ線路は、オンウェ
ハ若しくはオンチップＭＭＩＣ回路である、ことを特徴
とする請求項１記載のミリ波伝送線路の入出力端部接続
構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089334A JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001089334A JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002290115A true JP2002290115A (ja) | 2002-10-04 |
Family
ID=18944275
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001089334A Withdrawn JP2002290115A (ja) | 2001-03-27 | 2001-03-27 | ミリ波伝送線路の入出力端部接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002290115A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100846452B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-07-16 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자 |
| US7671697B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-03-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit |
| KR100976627B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-08-18 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 |
| US9335344B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-05-10 | Yokowo Co., Ltd. | Signal transmission medium conversion mechanism including a probe tip and a flexible transmission line |
| CN113433348A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-24 | 中北大学 | 一种用于微波测试的探针 |
-
2001
- 2001-03-27 JP JP2001089334A patent/JP2002290115A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100846452B1 (ko) | 2006-12-05 | 2008-07-16 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 고격리도 스위치 소자 |
| US7671697B2 (en) | 2006-12-05 | 2010-03-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | High-isolation switching device for millimeter-wave band control circuit |
| KR100976627B1 (ko) * | 2007-12-10 | 2010-08-18 | 한국전자통신연구원 | 밀리미터파 대역 제어회로용 스위치 회로 |
| US7889023B2 (en) | 2007-12-10 | 2011-02-15 | Electronics and Telecomminucation Research Institute | Switching circuit for millimeter waveband control circuit |
| US9335344B2 (en) | 2010-11-29 | 2016-05-10 | Yokowo Co., Ltd. | Signal transmission medium conversion mechanism including a probe tip and a flexible transmission line |
| CN113433348A (zh) * | 2021-06-03 | 2021-09-24 | 中北大学 | 一种用于微波测试的探针 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080603 |