JPH10300778A - 高周波デバイスの高周波特性を測定する方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】接点部分の高周波信号の反射を低減させて、測
定誤差が生じないようにした高周波デバイスの高周波特
性を測定する方法を提供する。 【解決手段】電極と端子とを接続して、高周波デバイス
の高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端
部分のみのインピ−ダンスを、伝送線路の特性インピ−
ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と
端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、プロ−ブ、ポゴ
ピン及び導電マット等の電極を用いて高周波デバイスを
測定する際に生じる接触面の不整合を減少させて、高周
波信号の反射を減少させる高周波デバイスの高周波特性
を測定する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、電極と端子とを接続して高周波デ
バイスの高周波特性を測定するには、図１に示すよう
に、端子１に電極２を接続することにより行っている。

【０００３】しかして、従来は、電極（プロ−ブ）２と
端子（ＩＣのパッド）１までは、高周波（例えば５０
Ω）の設計となっているが、通常端子１に電極２を接続
する場合、プロ−ビング精度等を考慮して、端子１の面
積は電極２の先端の面積の数倍から数百倍になってい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】上記したように、端子
１の面積が電極２の面積よりも著しく大きくなっている
ので、この部分での高周波信号の反射が大きくなるか
ら、これが測定誤差の一因となっていた。

【０００５】高周波信号の反射が大きいと、反射点で信
号が戻ってしまって次に伝送しないため、振幅が減少す
るほか、反射量が周波数によってことなるため、信号波
形が歪んだりする。その結果、信号が正しく伝わらない
ので、測定誤差等が生じる。

【０００６】この発明は、このような問題点を解消しよ
うとするものであり、接点部分の高周波信号の反射を低
減させて、測定誤差が生じないようにした高周波デバイ
スの高周波特性を測定する方法を提供することを目的と
する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的に沿う本発明の
構成は、電極と端子とを接続して、高周波デバイスの高
周波特性を測定する方法において、前記電極の先端部分
のみのインピ−ダンスを、伝送線路の特性インピ−ダン
スに比べて低く設定することによって、前記電極と端子
との接点部分の高周波信号の反射を低減させることを特
徴とする。

【０００８】従来のプロ−ブ、例えば同軸プロ−ブは、
先端部分は針が剥き出しの為、インピ−ダンスが高くな
ることはあっても、低くなってはいない。本発明は、先
端部分のインピ−ダンスを故意に低くすることによっ
て、ロ−パスフイルタ−を構成し、フイルタ−の帯域内
では、反射を低減させることができるようにしたことを
要旨とするものである。

【０００９】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。本発明に使用する電極２として
は、プロ−ブ、ポゴピンまたは導電マット等が挙げられ
る。本発明に使用する端子１としては、ＩＣパッドまた
は基板例えばパフオ−マンスボ−ド等が挙げられる。

【００１０】電極の先端部分のみのインピ−ダンスを、
伝送線路の特性インピ−ダンスに比べて低く設定するに
は、電極の先端部分にコンデンサ−を付加するか、電極
の先端部分の幅を広げるか、電極の先端部分とＧＮＤと
の距離を縮めるか、または絶縁体の誘電率を上げる等の
方法により行えば良い。

【００１１】回路の特性インピ−ダンスは、ラインの微
小部分のインダクタンスとキャパシタンスとの比で決ま
るため、上記方法によりインピ−ダンスを下げることが
できる。等価回路的に考えると、インピ−ダンスを下げ
る＝ラインの容量が増えることになる。

【００１２】図２は、本発明の実施例を示すモデル図で
あり、ＩＣ内部の伝送線路１及びプロ−ブの伝送線路２
は、高周波、例えば５０Ωになっている。

【００１３】伝送線路のインピ−ダンスを低く設定する
と、デバイスのパッドと電極の先端とが接触している部
分は、インピ−ダンスが高くなり、接点部分でインダク
タ−（ハイインピ−ダンス部分）３が生じる。このイン
ダクタ−３と、インピ−ダンスを下げることにより新た
に生じた容量（従来はない）４と、パッドのオ−プンエ
ンドエフエクトによるオ−プンキャパシタ−（容量）５
と、パッドとＧＮＤ等との間に生じるキャパシタ−（容
量）６とで、ロ−パスフイルタ−が形成される。

【００１４】通常、インダクタンスのみが伝送線路に存
在すると、周波数と共にインピ−ダンスが上昇するた
め、狭い範囲でしか電極１と端子２とのインピ−ダンス
（上記実施例では５０Ω）のマッチングを取ることがで
きない。本発明のようにロ−パスフイルタ−を形成する
と、インダクタンスが存在しても、ロ−パスフイルタ−
帯域内の反射を少なくすることができるので、広い範囲
でマッチングを取ることができる。

【００１５】チエビシエフ型、バタ−ワ−ス型及びエリ
ビテック型等に沿った回路となるように、接点部分のイ
ンピ−ダンスの高くなった部分を用いれば、同様にロ−
パスフイルタ−が形成されるので、基本的には同様の効
果が得られる。

【００１６】本発明によれば、ロ−パスフイルタ−が形
成されるので、使用周波数帯域内の反射を著しく低減さ
せることができる。高周波信号の反射が少なくなること
によって、接触面の不整合（＝インピ−ダンスのずれ）
がなくなり、測定誤差の一因が取り除かれる。

【００１７】

【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、高
周波信号の反射を低減させて測定することができるの
で、接触面の不整合を減少させることができると共に、
高周波信号の反射に伴う測定誤差をなくすことができ
る。

【００１８】

【図面の簡単な説明】

【図１】従来の測定法を示す概略図である。

【図２】本発明の実施例を示すモデル図である。

【符号の説明】

１ 端子 ２ 電極 ３ 接点部分で生じるインダクタ− ４ インピ−ダンスを下げることによ
り新たに生じた容量

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】電極と端子とを接続して、高周波デバイス
   の高周波特性を測定する方法において、前記電極の先端
   部分のみのインピ−ダンスを、伝送線路の特性インピ−
   ダンスに比べて低く設定することによって、前記電極と
   端子との接点部分の高周波信号の反射を低減させること
   を特徴とする高周波特性を測定する方法。
2. 【請求項２】前記電極と端子との接点部分で生じるイン
   ダクタ−と、該接点部分の両端に接続されるキャパシタ
   −とでロ−パスフイルタ−を形成してなる請求項１に記
   載の測定方法。
3. 【請求項３】前記伝送線路のインピ−ダンスを低く設定
   した部分と、前記接点の接触部分で生じるインダクタ−
   と、前記端子のオ−プンエンドエフエクトによるオ−プ
   ンキャパシタ−と、前記端子とＧＮＤ等との間で生じる
   キャパシタ−とで、ロ−パスフイルタ−を形成してなる
   請求項１に記載の測定方法。
4. 【請求項４】前記電極が、プロ−ブ、ポゴピンまたは導
   電マットである請求項２に記載の測定方法。
5. 【請求項５】前記端子が、基板またはＩＣのパッドであ
   る請求項４に記載の測定方法。
6. 【請求項６】前記電極の先端部分に、コンデンサ−を付
   加して、前記電極の先端部分のみのインピ−ダンスを、
   伝送線路の特性インピ−ダンスに比べて低く設定してな
   る請求項２または５に記載の測定方法。
7. 【請求項７】前記電極の先端部分の幅を広げて、前記電
   極の先端部分のみのインピ−ダンスを、伝送線路の特性
   インピ−ダンスに比べて低く設定してなる請求項２また
   は５に記載の測定方法。
8. 【請求項８】前記電極の先端部分とＧＮＤとの距離を縮
   めて、前記電極の先端部分のみのインピ−ダンスを、伝
   送線路の特性インピ−ダンスに比べて低く設定してなる
   請求項２または５に記載の測定方法。
9. 【請求項９】絶縁体の誘電率を上げて、前記電極の先端
   部分のみのインピ−ダンスを、伝送線路の特性インピ−
   ダンスに比べて低く設定してなる請求項２または５に記
   載の測定方法。