JPH0690222B2 - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
- Publication number
- JPH0690222B2 JPH0690222B2 JP61019817A JP1981786A JPH0690222B2 JP H0690222 B2 JPH0690222 B2 JP H0690222B2 JP 61019817 A JP61019817 A JP 61019817A JP 1981786 A JP1981786 A JP 1981786A JP H0690222 B2 JPH0690222 B2 JP H0690222B2
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- JP
- Japan
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- probe needle
- electrical characteristics
- semiconductor wafers
- measuring electrical
- substrate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体ウェーハ（以下単にウェーハと云う）
上のIC、LSI等の電気的特性を測定する為のプローブ針
に関するものである。
上のIC、LSI等の電気的特性を測定する為のプローブ針
に関するものである。
（従来の技術） 従来、第３図に示すウェーハ１上のIC、LSI等のパッド
２のパラメータを測定するには、図示の如く外径150m
m、内径30mmのプローブカード３上に、即ちガラスエポ
キシ板上に形成するCuパターン上に、プローブ針４を取
付けたプローバ５が、用いられている。
２のパラメータを測定するには、図示の如く外径150m
m、内径30mmのプローブカード３上に、即ちガラスエポ
キシ板上に形成するCuパターン上に、プローブ針４を取
付けたプローバ５が、用いられている。
かかる構成のプローバ５は、多端子（数百ピン）である
が、同軸針ではないので、高い周波数領域での電気的特
性測定はできず、測定可能なのはせいぜい数10MHzまで
である。その為、高い周波数領域での電気的特性測定に
は、第４図に示す如く同軸ケーブル６の先端中心に信号
線７を突出し、同軸ケーブル６の先端外周にグランド部
８を取付けてその尖端を信号線７の尖端に平行に200μ
程度まで接近させて成る同軸型プローブ針９を、第５図
の如く計測器10のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム
11にセットし、ウェーハ１上のIC、LSI等のパッド２に
接触させて電気的特性を測定する方法が採られている。
が、同軸針ではないので、高い周波数領域での電気的特
性測定はできず、測定可能なのはせいぜい数10MHzまで
である。その為、高い周波数領域での電気的特性測定に
は、第４図に示す如く同軸ケーブル６の先端中心に信号
線７を突出し、同軸ケーブル６の先端外周にグランド部
８を取付けてその尖端を信号線７の尖端に平行に200μ
程度まで接近させて成る同軸型プローブ針９を、第５図
の如く計測器10のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移動可能なアーム
11にセットし、ウェーハ１上のIC、LSI等のパッド２に
接触させて電気的特性を測定する方法が採られている。
（発明が解決しようとする問題点） ところで、上記の同軸型プローブ針９は、信号線７とグ
ランド部８が同軸ケーブル６の先端で数mmにわたって同
軸構造を採らない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。またこの構造では多端子化が不可能
であった。
ランド部８が同軸ケーブル６の先端で数mmにわたって同
軸構造を採らない為、特性インピーダンスがその部分で
変化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測
定ができなかった。またこの構造では多端子化が不可能
であった。
一方、近時IC、LSIは高密度、高速化の開発が進めら
れ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化を図れるプ
ローブ針を備えることが必要で、これの開発が急がれて
いる。
れ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化を図れるプ
ローブ針を備えることが必要で、これの開発が急がれて
いる。
そこで本発明は、特性インピーダンスの設定に対する安
定化、多端子化を図ることができ、高周波数領域で正確
な電気的特性測定のできるプローブ針を提供しようとす
るものである。
定化、多端子化を図ることができ、高周波数領域で正確
な電気的特性測定のできるプローブ針を提供しようとす
るものである。
（問題点を解決するための手段） 上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、ア
ルミナ又は石英基板上に、伝送線路が複数平行に且つ該
基板の端部にまで達するように設けられていること及び
該複数平行な伝送線路の一端部をそのままプローブの接
触部としたことを特徴とする。
ルミナ又は石英基板上に、伝送線路が複数平行に且つ該
基板の端部にまで達するように設けられていること及び
該複数平行な伝送線路の一端部をそのままプローブの接
触部としたことを特徴とする。
（実施例） 本発明のプローブ針の一実施例を第１図によって説明す
る。15はアルミナ（Al2O3）より成る長さ40mm、幅10m
m、厚さ0.6mmの基板で、この誘電体基板15上の長手方向
に厚さ３μ、幅150μのCuより成る伝送線路16が200μの
間隔を存して３列平行に設けられている。
る。15はアルミナ（Al2O3）より成る長さ40mm、幅10m
m、厚さ0.6mmの基板で、この誘電体基板15上の長手方向
に厚さ３μ、幅150μのCuより成る伝送線路16が200μの
間隔を存して３列平行に設けられている。
アルミナ基板15上に伝送線路16を設けるには、アルミナ
基板15上に、CuをμスパッタリングしてCu層を形成し、
次にCu層上に所要のレジストを施した後、エッチング
し、次いでレジストを剥離して、アルミナ基板15上にCu
の伝送線路16を形成する。
基板15上に、CuをμスパッタリングしてCu層を形成し、
次にCu層上に所要のレジストを施した後、エッチング
し、次いでレジストを剥離して、アルミナ基板15上にCu
の伝送線路16を形成する。
上述の如く本発明のプローブ針17は、アルミナ基板15上
に伝送線路16を３列平行に設けられているので、伝送線
路16はストリップ線路構造となっている。従って、この
プローブ針17の伝送線路16の特性インピーダンスは、ど
の部分でも一定となる。そこで本発明のプローブ針17
を、第２図に示す如く計測器10のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移
動可能なアーム11にセットし、ウェーハ１上のIC、LSI
等のパッド２に接触させて、電気的特性を測定した処、
高周波数領域で、本例では30GHzの高周波数で正確に電
気的特性測定ができた。
に伝送線路16を３列平行に設けられているので、伝送線
路16はストリップ線路構造となっている。従って、この
プローブ針17の伝送線路16の特性インピーダンスは、ど
の部分でも一定となる。そこで本発明のプローブ針17
を、第２図に示す如く計測器10のＸ、Ｙ、Ｚ軸方向に移
動可能なアーム11にセットし、ウェーハ１上のIC、LSI
等のパッド２に接触させて、電気的特性を測定した処、
高周波数領域で、本例では30GHzの高周波数で正確に電
気的特性測定ができた。
尚、上記実施例のプローブ針17の基板15は、アルミナ
（Al2O3）より成るが、石英でも良いものである。また
上記実施例では伝送線路16が３列であるが、これに限る
ものではなく、２列以上何列でも形成できるものであ
る。
（Al2O3）より成るが、石英でも良いものである。また
上記実施例では伝送線路16が３列であるが、これに限る
ものではなく、２列以上何列でも形成できるものであ
る。
（発明の効果） 以上の説明で判るように本発明のプローブ針はアルミナ
又は石英基板上に、伝送線路が複数平行に且つ該基板の
端部にまで達するように設けられているものであり、ま
た該複数平行な伝送線路の一端部をそのままプローブの
接触部としたものであるから、伝送線路はストリップ線
路構造となっている。従って、特性インピーダンスの設
定を安定化させることができ、また各伝送線路はどの部
分でも特性インピーダンスを一定化でき、さらに複数列
の伝送線路によって多端子化が実現できる。かくして、
高密度、高速化されるウェーブ上のIC、LSI等の高周波
数領域での電気的特性の測定を正確に行うことができ
る。
又は石英基板上に、伝送線路が複数平行に且つ該基板の
端部にまで達するように設けられているものであり、ま
た該複数平行な伝送線路の一端部をそのままプローブの
接触部としたものであるから、伝送線路はストリップ線
路構造となっている。従って、特性インピーダンスの設
定を安定化させることができ、また各伝送線路はどの部
分でも特性インピーダンスを一定化でき、さらに複数列
の伝送線路によって多端子化が実現できる。かくして、
高密度、高速化されるウェーブ上のIC、LSI等の高周波
数領域での電気的特性の測定を正確に行うことができ
る。
第１図は本発明によるウェーハの電気的特性測定用プロ
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図はそのプローブ
針の使用状態を示す概略図、第３図は従来のプローバを
示す斜視図、第４図は従来の同軸型プローブ針の斜視
図、第５図は第４図の同軸型プローブ針の使用状態を示
す概略図である。
ーブ針の一実施例を示す斜視図、第２図はそのプローブ
針の使用状態を示す概略図、第３図は従来のプローバを
示す斜視図、第４図は従来の同軸型プローブ針の斜視
図、第５図は第４図の同軸型プローブ針の使用状態を示
す概略図である。
Claims (1)
- 【請求項１】アルミナ又は石英基板上に、伝送線路が複
数平行に且つ該基板の端部にまで達するように設けら
れ、複数平行な伝送線路の一方の端部がプローブ接触部
であることを特徴とする半導体ウェーハの電気的特性測
定用プローブ針。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019817A JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61019817A JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62177456A JPS62177456A (ja) | 1987-08-04 |
| JPH0690222B2 true JPH0690222B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=12009870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61019817A Expired - Lifetime JPH0690222B2 (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690222B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3139478B2 (ja) | 1998-11-11 | 2001-02-26 | 日本電気株式会社 | Ｉｃソケット |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5295182A (en) * | 1976-02-06 | 1977-08-10 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Measurement for high frequency characteristics of transistor wafer |
| JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
| US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
| JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
| JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019817A patent/JPH0690222B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62177456A (ja) | 1987-08-04 |
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