JPS62177454A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針Info
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- JPS62177454A JPS62177454A JP61019815A JP1981586A JPS62177454A JP S62177454 A JPS62177454 A JP S62177454A JP 61019815 A JP61019815 A JP 61019815A JP 1981586 A JP1981586 A JP 1981586A JP S62177454 A JPS62177454 A JP S62177454A
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- Japan
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- lsi
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- tip
- probe needle
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
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- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体ウェーハ(以下に単にウェーハと云う
)上のIC,LSI等の電気的特性を測定する為のプロ
ーブ針に関する。
)上のIC,LSI等の電気的特性を測定する為のプロ
ーブ針に関する。
(従来の技術)
従来、第6図に示すウェーハ1上のIC,LSI等の電
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第5図に示す如く同
軸ケーブル3の先端中心に信号線4を突出し、同軸ケー
ブル3の先端外周にグランド部5を取付けてその尖端を
信号線4の尖端に平行に200μ程度接近させて成る同
軸型プローブ針6を、第6図の如く計測器7のx、y、
z軸方向に移動可能なアーム8にセットし、ウェーハ1
上のIC,LSI等のパッド2に接触させて電気的特性
を測定する方法が採られている。
気的特性を測定するのに、高い周波数領域でも電気的特
性の測定可能なプローブ針として、第5図に示す如く同
軸ケーブル3の先端中心に信号線4を突出し、同軸ケー
ブル3の先端外周にグランド部5を取付けてその尖端を
信号線4の尖端に平行に200μ程度接近させて成る同
軸型プローブ針6を、第6図の如く計測器7のx、y、
z軸方向に移動可能なアーム8にセットし、ウェーハ1
上のIC,LSI等のパッド2に接触させて電気的特性
を測定する方法が採られている。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、上記同軸型プローブ針6は、信号線4とグラ
ンド部5が同軸ケーブル3の先端で敗報にわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。
ンド部5が同軸ケーブル3の先端で敗報にわたって同軸
構造をとらない為、特性インピーダンスがその部分で変
化してしまい、高周波数領域での正確な電気的特性測定
ができなかった。また、この構造では多端子化が不可能
であった。
一方、近時IC,LSIは高密度、高速化の開発が進め
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のバッドとの確実なコンタクトを図れるプローブ針を
備えることが必要で、これの開発が急がれている。
られ、これに伴いこれらを評価する為のプローバとして
は、特性インピーダンスの安定化、多端子化、ウェーハ
上のバッドとの確実なコンタクトを図れるプローブ針を
備えることが必要で、これの開発が急がれている。
そこで、本発明は、特性インピーダンスの設定に対する
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域で正確な電気的特性測定をできるプローブ針を
提供しようとするものである。
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域で正確な電気的特性測定をできるプローブ針を
提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するための本発明のプローブ針は、誘
電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各伝
送線路の先端部に、めっきにより隆起部を形成し、この
隆起部を接触部となしたことを特徴とする。
電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この各伝
送線路の先端部に、めっきにより隆起部を形成し、この
隆起部を接触部となしたことを特徴とする。
(実施例)
本発明のプローブ針の一実施例を第1図によって説明す
る。10はアルミナ(AJ!03)より成る長さ40g
1m、幅10龍、厚さ0.6龍の誘電体基板で、この誘
電体基板10上の長手方向に厚さ3μ、幅150μのC
uより成る伝送線路11が200μの間隔を存して3列
平行に設けられている。各伝送線路11上の先端部には
Auめっきにより高さ80μ、長さ300μ、上面幅1
50μの断面台形状の隆起部12が誘電体基板10の先
端面より50μ突出して設けられ、この隆起部12が接
触部となっている。
る。10はアルミナ(AJ!03)より成る長さ40g
1m、幅10龍、厚さ0.6龍の誘電体基板で、この誘
電体基板10上の長手方向に厚さ3μ、幅150μのC
uより成る伝送線路11が200μの間隔を存して3列
平行に設けられている。各伝送線路11上の先端部には
Auめっきにより高さ80μ、長さ300μ、上面幅1
50μの断面台形状の隆起部12が誘電体基板10の先
端面より50μ突出して設けられ、この隆起部12が接
触部となっている。
第2図に示す他の実施例は、誘電体基板lo上に設けた
各伝送線路11上の先端部に、Au−3iめっきにより
高さ80μ、長さ200μの断面カマボコ形状の隆起部
12′を設け、この隆起部12′を接触部となしたもの
である。
各伝送線路11上の先端部に、Au−3iめっきにより
高さ80μ、長さ200μの断面カマボコ形状の隆起部
12′を設け、この隆起部12′を接触部となしたもの
である。
第3図に示す他の実施例は、誘電体基板10上に設けた
各伝送線路11上の先端部に、Auめっき後成形により
球径100μの球状隆起部12“を3個づつ連ねて設け
、この球状隆起部12″を接触部となしたものである。
各伝送線路11上の先端部に、Auめっき後成形により
球径100μの球状隆起部12“を3個づつ連ねて設け
、この球状隆起部12″を接触部となしたものである。
上述の如く本発明のプローブ針13.13’、13”は
、誘電体基板10上に伝送線路11が3列平行に設けら
れているので、伝送線路11はストリップ線路構造とな
っていて、伝送線路11の特性インピーダンスには変化
は無く、どの部分でも一定である。
、誘電体基板10上に伝送線路11が3列平行に設けら
れているので、伝送線路11はストリップ線路構造とな
っていて、伝送線路11の特性インピーダンスには変化
は無く、どの部分でも一定である。
そこで、実施例のプローブ針、例えばプローブ針’13
を第4図に示す如く、計測器7のX、Y、Z軸方向に移
動可能なアーム8にセットし、ウェーハl上のIC,L
SI等のバッド2に接触させて、電気的特性を測定した
処、高周波数領域で、本例では30GH2の高周波数で
正確に電気的特性測定ができた。また、この測定を繰り
返し行っても、各伝送線路11上の先端部にはめっきに
よりAuの隆起部12を設けて接触部としているので、
伝送線路11の消耗が無く、測定するIC,LSI等の
バッド2との接触も安定する。特に隆起部12を誘電体
基板lOの先端より突出させた図示のプローブ針13に
おいては、電気的特性測定時、顕微鏡にてつ工−ハ1上
のIC,LSI等のバッド2と位置合わせする際、接触
部分が誘電体基板10の外側に見えるので、簡単に位置
合わせできて測定作業が能率良く行われる。
を第4図に示す如く、計測器7のX、Y、Z軸方向に移
動可能なアーム8にセットし、ウェーハl上のIC,L
SI等のバッド2に接触させて、電気的特性を測定した
処、高周波数領域で、本例では30GH2の高周波数で
正確に電気的特性測定ができた。また、この測定を繰り
返し行っても、各伝送線路11上の先端部にはめっきに
よりAuの隆起部12を設けて接触部としているので、
伝送線路11の消耗が無く、測定するIC,LSI等の
バッド2との接触も安定する。特に隆起部12を誘電体
基板lOの先端より突出させた図示のプローブ針13に
おいては、電気的特性測定時、顕微鏡にてつ工−ハ1上
のIC,LSI等のバッド2と位置合わせする際、接触
部分が誘電体基板10の外側に見えるので、簡単に位置
合わせできて測定作業が能率良く行われる。
尚、上記実施例のプローブ針13.13’、13”の誘
電体基板10は、アルミナより成るが石英でも良いもの
である。また、上記実施例では伝送線路11が3列であ
るが、これに限るものではなく、2列以上何列でも良い
もので、数10列、数100列等の場合もある。
電体基板10は、アルミナより成るが石英でも良いもの
である。また、上記実施例では伝送線路11が3列であ
るが、これに限るものではなく、2列以上何列でも良い
もので、数10列、数100列等の場合もある。
さらに伝送線路11の表面にはAuめっきを施しても良
いものである。
いものである。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明のプローブ針は、誘電体
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンス
を一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子
化が実現できる。その上、本発明のプローブ針は、複数
列の伝送線路上の先端部にめっきにより導電性の隆起部
を形成して接触部としているので、伝送線路の消耗が無
(、測定物の接触も安定し、特に隆起部を誘電体基板の
先端より突出した場合は、顕微鏡で測定物との位置合わ
せすることが容易となる。
基板上に、伝送線路を複数列平行に設けたものであるか
ら、伝送線路はストリップ線路構造となっている。従っ
て、特性インピーダンスの設定を安定化させることがで
き、また各伝送線路はどの部分でも特性インピーダンス
を一定化でき、さらに複数列の伝送線路によって多端子
化が実現できる。その上、本発明のプローブ針は、複数
列の伝送線路上の先端部にめっきにより導電性の隆起部
を形成して接触部としているので、伝送線路の消耗が無
(、測定物の接触も安定し、特に隆起部を誘電体基板の
先端より突出した場合は、顕微鏡で測定物との位置合わ
せすることが容易となる。
かくして、高密度、高速化されるウェーハ上のIC,L
SI等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、確
実に安定して行うことができる。
SI等の高周波数領域での電気的特性の測定を正確、確
実に安定して行うことができる。
第1図乃至第3図は夫々本発明のプローブ針の実施例を
示す斜視図、第4図は第1図のプローブ針の使用状態を
示す概略図、第5図は従来の同軸型プローブ針の斜視図
、第6図は第5図の同軸型プローブ針の使用状態を示す
概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 13″・・・アローフ・・4丁
示す斜視図、第4図は第1図のプローブ針の使用状態を
示す概略図、第5図は従来の同軸型プローブ針の斜視図
、第6図は第5図の同軸型プローブ針の使用状態を示す
概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 13″・・・アローフ・・4丁
Claims (1)
- 誘電体基板上に、伝送線路を複数列平行に設け、この
各伝送線路の先端部に、めっきにより隆起部を形成し、
この隆起部を接触部となしたことを特徴とする半導体ウ
ェーハの電気的特性測定用プローブ針。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019815A JPS62177454A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61019815A JPS62177454A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62177454A true JPS62177454A (ja) | 1987-08-04 |
Family
ID=12009818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61019815A Pending JPS62177454A (ja) | 1986-01-31 | 1986-01-31 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−ブ針 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62177454A (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
-
1986
- 1986-01-31 JP JP61019815A patent/JPS62177454A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5587451A (en) * | 1978-12-26 | 1980-07-02 | Seiko Epson Corp | Probe card |
JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
JPS60260861A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Hitachi Ltd | プロ−ブ |
JPS62109334A (ja) * | 1985-11-07 | 1987-05-20 | Mitsubishi Electric Corp | ウエハプロ−ビング装置 |
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