JPS62279651A - 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ - Google Patents
半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バInfo
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- JPS62279651A JPS62279651A JP12311986A JP12311986A JPS62279651A JP S62279651 A JPS62279651 A JP S62279651A JP 12311986 A JP12311986 A JP 12311986A JP 12311986 A JP12311986 A JP 12311986A JP S62279651 A JPS62279651 A JP S62279651A
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- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 8
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract 2
- CDFSOKHNACTNPU-GHUQRRHWSA-N 3-[(1r,3s,5s,8r,9s,10s,11r,13r,17r)-1,5,11,14-tetrahydroxy-10,13-dimethyl-3-[(2r,3r,4r,5s,6s)-3,4,5-trihydroxy-6-methyloxan-2-yl]oxy-2,3,4,6,7,8,9,11,12,15,16,17-dodecahydro-1h-cyclopenta[a]phenanthren-17-yl]-2h-furan-5-one Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@H](O)[C@H](C)O[C@H]1O[C@@H]1C[C@@]2(O)CC[C@H]3C4(O)CC[C@H](C=5COC(=O)C=5)[C@@]4(C)C[C@@H](O)[C@@H]3[C@@]2(C)[C@H](O)C1 CDFSOKHNACTNPU-GHUQRRHWSA-N 0.000 abstract 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 3
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
3、発明の詳細な説明
(産業上の利用分野)
本発明は、ウェーハ上のIC,LSI等の電気的特性を
測定する為のプローバに関する。
測定する為のプローバに関する。
(従来の技術)
従来、第6図に示すウェーハ1上のIC,LSI等の電
気的特性を測定するのに、第5図に示す如く1本の信号
線3と1木のグランド4から成るプローブ針5を、第6
図に示す如く同軸ケーブル6に半田付けしたプローバフ
を使用していた。
気的特性を測定するのに、第5図に示す如く1本の信号
線3と1木のグランド4から成るプローブ針5を、第6
図に示す如く同軸ケーブル6に半田付けしたプローバフ
を使用していた。
(発明が解決しようとする問題点)
ところで、上記のプローバフは、プローブ針5を同軸ケ
ーブル6に接合する為、複数の信号線が取出せない。つ
まり平面線路のプローブ針5と、同軸のケーブル6では
多端子化が不可能である。
ーブル6に接合する為、複数の信号線が取出せない。つ
まり平面線路のプローブ針5と、同軸のケーブル6では
多端子化が不可能である。
また、形状の異なるプローブ針5の信号線3と同軸ケー
ブル6とを半田付けする為、特性インピーダンスは不整
合を生じ、反射波が出てしまい、正確な電気的特性の測
定ができなくなり、特に高周波数領域では正確な電気的
特性の測定が不可能であった。
ブル6とを半田付けする為、特性インピーダンスは不整
合を生じ、反射波が出てしまい、正確な電気的特性の測
定ができなくなり、特に高周波数領域では正確な電気的
特性の測定が不可能であった。
一方、近時IC,LSI等は高密度、高速化の開発が進
められ、これに伴いこれらを評価するためのブローハと
しては、特性インピーダンスの安走化、多端子化、ウェ
ーハ上のパッドとの確実なコンタクトを図れるブロー八
が必要で、これの開発が急がれている。
められ、これに伴いこれらを評価するためのブローハと
しては、特性インピーダンスの安走化、多端子化、ウェ
ーハ上のパッドとの確実なコンタクトを図れるブロー八
が必要で、これの開発が急がれている。
そこで、本発明は、特性インピーダンスの設定に対する
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域でも正確な電気的特性測定のできるブロー八を
提供しようとするものである。
安定化、多端子化、確実なコンタクトを達成でき、高周
波数領域でも正確な電気的特性測定のできるブロー八を
提供しようとするものである。
(問題点を解決するための手段)
上記問題点を解決するための第1の発明のブロー八は、
誘電体上に伝送線路を複数列平行に一体に設け、反対面
に導電体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線
路の先端部に、プローブ針としての隆起した接触部を設
けたことを特徴とする。
誘電体上に伝送線路を複数列平行に一体に設け、反対面
に導電体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線
路の先端部に、プローブ針としての隆起した接触部を設
けたことを特徴とする。
上記問題点を解決するための第2の発明のブロー八は、
誘電体上に伝送線路を複数列平行に設け、反対面に導電
体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線路の先
端部に、プローブ針としての隆起した接触部を設け、こ
の接触部を除いた伝送線路を挾んで誘電体を接合し、そ
の誘電体上に4電体を接合したことを特徴とする。
誘電体上に伝送線路を複数列平行に設け、反対面に導電
体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線路の先
端部に、プローブ針としての隆起した接触部を設け、こ
の接触部を除いた伝送線路を挾んで誘電体を接合し、そ
の誘電体上に4電体を接合したことを特徴とする。
(実施例)
第1発明のブロー八の一実施例を第1図によって説明す
る。10はポリイミドより成る幅1011、厚さ200
μの誘電体で、この誘電体10上の長手方向に厚さ3μ
、幅150μのCuより成る伝送線路11が200μの
間隔を存して3列平行に設けられ、その反対側の面上に
厚さ3μのCuより成る導電体12が接合されてフラッ
トケーブル13が構成され、このフラットケーブル13
の前記各伝送線路11の先端部が高さ80μに側断面半
円状に隆起せしめられて接触部14となっている。
る。10はポリイミドより成る幅1011、厚さ200
μの誘電体で、この誘電体10上の長手方向に厚さ3μ
、幅150μのCuより成る伝送線路11が200μの
間隔を存して3列平行に設けられ、その反対側の面上に
厚さ3μのCuより成る導電体12が接合されてフラッ
トケーブル13が構成され、このフラットケーブル13
の前記各伝送線路11の先端部が高さ80μに側断面半
円状に隆起せしめられて接触部14となっている。
第2図は第2発明のブロー八の一実施例で、これは第1
図の第1発明のブロー八における誘電体10上に、接触
部14を除く伝送線路11を挾んで厚さ200μのポリ
イミドより成る誘電体10′を接合し、さらにその誘電
体10′上に厚さ3μのCuより成る導電体12′が接
合されて成るものである。
図の第1発明のブロー八における誘電体10上に、接触
部14を除く伝送線路11を挾んで厚さ200μのポリ
イミドより成る誘電体10′を接合し、さらにその誘電
体10′上に厚さ3μのCuより成る導電体12′が接
合されて成るものである。
上述の如く各実施例のブロー八15.15′は誘電体1
0上に伝送線路11が3列平行に設けられているので伝
送線路11はストリップ線路構造となっていて、伝送線
路11の特性インピーダンスには変化は無く、どの部分
でも一定である。そこで各実施例のブロー八15.15
′を夫々第3図及び第4図に示す如く計測器16のX、
Y、Z軸方向に移動可能なアーム17に支持されたブロ
ー八ホルダー18に取付け、基端をコネクタ19に連結
して計測器16に接続した上、該ブロー八15.15′
の先端の接触部14を、ウェーハ1上のIC,、LSI
等のパッド2に接触させて、電気的特性を測定したとこ
ろ、高周波数領域で、本例では30GH2の高周波数で
正確にパラメータ測定ができた。また、この測定を繰り
返して行っても、各伝送線路11上の先端部には隆起し
た接触部14が設けられているので、前記電気的特性の
測定において、ウェーハ1上のIC,LSI等のパッド
2とは常に確実に安定して接触する。
0上に伝送線路11が3列平行に設けられているので伝
送線路11はストリップ線路構造となっていて、伝送線
路11の特性インピーダンスには変化は無く、どの部分
でも一定である。そこで各実施例のブロー八15.15
′を夫々第3図及び第4図に示す如く計測器16のX、
Y、Z軸方向に移動可能なアーム17に支持されたブロ
ー八ホルダー18に取付け、基端をコネクタ19に連結
して計測器16に接続した上、該ブロー八15.15′
の先端の接触部14を、ウェーハ1上のIC,、LSI
等のパッド2に接触させて、電気的特性を測定したとこ
ろ、高周波数領域で、本例では30GH2の高周波数で
正確にパラメータ測定ができた。また、この測定を繰り
返して行っても、各伝送線路11上の先端部には隆起し
た接触部14が設けられているので、前記電気的特性の
測定において、ウェーハ1上のIC,LSI等のパッド
2とは常に確実に安定して接触する。
さらに導電体12が誘電体11に、導電体12′が誘電
体10′上に夫々に接合されて、導電層が2層あるいは
3層に形成されているので、特性インピーダンスの設定
に対し著しく安定する。また、誘電体10上の各伝送線
路12が誘電体10′に挾まれて、電気的にシールドさ
れているブロー八15′は、外部からのノイズが低減さ
れ、しかも各伝送線路11間のクロストークが低減され
る。
体10′上に夫々に接合されて、導電層が2層あるいは
3層に形成されているので、特性インピーダンスの設定
に対し著しく安定する。また、誘電体10上の各伝送線
路12が誘電体10′に挾まれて、電気的にシールドさ
れているブロー八15′は、外部からのノイズが低減さ
れ、しかも各伝送線路11間のクロストークが低減され
る。
尚、上記各実施例のブロー八における誘電体10及び1
0′はポリイミドより成るが、これに限るもではなく、
ポリエステルでも良い。また上記各実施例では伝送線路
11が3列であるが、これに限るものではなく、2列以
上なら何列でも良いもので、数10列、数100列の場
合もある。
0′はポリイミドより成るが、これに限るもではなく、
ポリエステルでも良い。また上記各実施例では伝送線路
11が3列であるが、これに限るものではなく、2列以
上なら何列でも良いもので、数10列、数100列の場
合もある。
(発明の効果)
以上の説明で判るように本発明のブロー八は、フラット
ケーブルの誘電体上に、伝送線路が複数列平行に設けら
れていて、該伝送線路がスl−IJツブ線路構造となっ
ている。従って、特性インピーダンスの設定を安定化さ
せることができ、また、各伝送線路はどの部分でも特性
インピーダンスを一定化でき、さらに複数列の伝送線路
によって多端子化が実現できる。その上本発明のブロー
八は、伝送線路の先端部に隆起した接触部が設けられて
いるので、伝送線路の消耗が無く、測定物との接触も安
定する。また誘電体上の各伝送線路が誘電体に挾まれて
電気的にシールドされている場合は、外部からのノイズ
が低減され、しかも各伝送線路間のクロストークが低減
される。また誘電体上に導電体が接合されて導電層が少
なくとも2層形成されているので、特性インピーダンス
の設定に対し著しく安定する。かくして、高密度、高速
化される半導体ウェーハ上のIC,LSI等の高周波数
領域での電気的特性の測定を正確、確実に安定して行う
ことができる。
ケーブルの誘電体上に、伝送線路が複数列平行に設けら
れていて、該伝送線路がスl−IJツブ線路構造となっ
ている。従って、特性インピーダンスの設定を安定化さ
せることができ、また、各伝送線路はどの部分でも特性
インピーダンスを一定化でき、さらに複数列の伝送線路
によって多端子化が実現できる。その上本発明のブロー
八は、伝送線路の先端部に隆起した接触部が設けられて
いるので、伝送線路の消耗が無く、測定物との接触も安
定する。また誘電体上の各伝送線路が誘電体に挾まれて
電気的にシールドされている場合は、外部からのノイズ
が低減され、しかも各伝送線路間のクロストークが低減
される。また誘電体上に導電体が接合されて導電層が少
なくとも2層形成されているので、特性インピーダンス
の設定に対し著しく安定する。かくして、高密度、高速
化される半導体ウェーハ上のIC,LSI等の高周波数
領域での電気的特性の測定を正確、確実に安定して行う
ことができる。
第1図及び第2図は夫々本発明のブローハの実施例を示
す一部斜視図、第3図及び第4図は第1図及び第2図の
プローバの使用状態を示す概略図、第5図は従来のプロ
ーバを示す斜視図、第6図は従来のプローバの使用状態
を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第1図 第3図 第5図
す一部斜視図、第3図及び第4図は第1図及び第2図の
プローバの使用状態を示す概略図、第5図は従来のプロ
ーバを示す斜視図、第6図は従来のプローバの使用状態
を示す概略図である。 出願人 田中貴金属工業株式会社 第1図 第3図 第5図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)誘電体上に伝送線路を複数列平行に一体に設け、反
対面に導電体を接合して成るフラットケーブルの前記伝
送線路の先端部に、プローブ針としての隆起した接触部
を設けたことを特徴とする半導体ウェーハの電気的特性
測定用プローバ。 2)誘電体上に伝送線路を複数列平行に設け、反対面に
導電体を接合して成るフラットケーブルの前記伝送線路
の先端部に、プローブ針としての隆起した接触部を設け
、この接触部を除いた伝送線路を挾んで誘電体を接合し
、その誘電体上に導電体を接合したことを特徴とする半
導体ウェーハの電気的特性測定用プローバ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61123119A JPH0671035B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61123119A JPH0671035B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62279651A true JPS62279651A (ja) | 1987-12-04 |
JPH0671035B2 JPH0671035B2 (ja) | 1994-09-07 |
Family
ID=14852652
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61123119A Expired - Lifetime JPH0671035B2 (ja) | 1986-05-28 | 1986-05-28 | 半導体ウエ−ハの電気的特性測定用プロ−バ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0671035B2 (ja) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59141239A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Fujitsu Ltd | Ic測定用プロ−バ |
JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
JPS612338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
JPS6114389U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-28 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 高周波コンタクト装置 |
-
1986
- 1986-05-28 JP JP61123119A patent/JPH0671035B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59141239A (ja) * | 1983-01-31 | 1984-08-13 | Fujitsu Ltd | Ic測定用プロ−バ |
JPS60236241A (ja) * | 1984-04-30 | 1985-11-25 | カスケード・マイクロテツク・インコーポレイテツド | ウエハプローブ |
JPS612338A (ja) * | 1984-06-15 | 1986-01-08 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
JPS6114389U (ja) * | 1984-06-29 | 1986-01-28 | 日立電子エンジニアリング株式会社 | 高周波コンタクト装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0671035B2 (ja) | 1994-09-07 |
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