JPS6384133A - プロ−ブカ−ド - Google Patents
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- JPS6384133A JPS6384133A JP23101186A JP23101186A JPS6384133A JP S6384133 A JPS6384133 A JP S6384133A JP 23101186 A JP23101186 A JP 23101186A JP 23101186 A JP23101186 A JP 23101186A JP S6384133 A JPS6384133 A JP S6384133A
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- probes
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Landscapes
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ウエハブローバ等に配置され、半導体デバイ
ス等の試験測定に利用されるプローブカードに関する。
ス等の試験測定に利用されるプローブカードに関する。
（従来の技術）
一般に、半導体ウェハ表面に多数形成された集積回路は
、その製造工程において電気的な試験測定を行なわれる
。このような半導体ウェハ上の集積回路と、計測装置と
の電気的な接続は、プローブカードによって行なわれる
ことが多い。
、その製造工程において電気的な試験測定を行なわれる
。このような半導体ウェハ上の集積回路と、計測装置と
の電気的な接続は、プローブカードによって行なわれる
ことが多い。
第８図はこのようなプローブカードの例を示すもので、
プリント基板等から構成される基板１の開口２の周囲に
は、基板１千面に対して下方向へ傾斜をもって開口２の
中央方向へ向けて突出された多数の探針３が配置されて
いる。そして、これらの探針３はそれぞれ基板１に形成
された導体パターン（図示せず）により基板１端部に配
列された計測器への接続端子４に電気的に接続されてお
り、探針３の先端を半導体ウェハ上の電極バットに接続
させて計測器との電気的接続が行なわれる。
プリント基板等から構成される基板１の開口２の周囲に
は、基板１千面に対して下方向へ傾斜をもって開口２の
中央方向へ向けて突出された多数の探針３が配置されて
いる。そして、これらの探針３はそれぞれ基板１に形成
された導体パターン（図示せず）により基板１端部に配
列された計測器への接続端子４に電気的に接続されてお
り、探針３の先端を半導体ウェハ上の電極バットに接続
させて計測器との電気的接続が行なわれる。
また、上述のプローブカードでは高周波信号の測定等を
行なうことができないので、探針３と測定機器との電気
的接続を、基板１に形成された導体パターンによらず、
探針３の基板１固定側端部に同軸ケーブルを接続して、
この同軸ケーブルにより測定機器との電気的接続を行な
うプローブカードもある。
行なうことができないので、探針３と測定機器との電気
的接続を、基板１に形成された導体パターンによらず、
探針３の基板１固定側端部に同軸ケーブルを接続して、
この同軸ケーブルにより測定機器との電気的接続を行な
うプローブカードもある。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来のプローブカードでは、
例えば同軸ケーブルによって測定機器との接続を行なう
プローブカードでも、探針が例えば数ｃｎにわたり露出
しているため、この部分において相互作用等が生じ、ノ
イズ、クロストーク等が発生する６まな、高周波信号の
減衰も生じるため、ＩＧＨ２程度の周波数までしか測定
することができないという問題があった。
例えば同軸ケーブルによって測定機器との接続を行なう
プローブカードでも、探針が例えば数ｃｎにわたり露出
しているため、この部分において相互作用等が生じ、ノ
イズ、クロストーク等が発生する６まな、高周波信号の
減衰も生じるため、ＩＧＨ２程度の周波数までしか測定
することができないという問題があった。
本発明は、係る従来の事情に対処してなされたもので、
従来に比べてノイズ、クロストークおよび高周波信号の
減衰等を減少させ、１ＧｌｌＺ以上の高周波信号でも測
定を行なうことのできるプローブカードを提供しようと
するものである。
従来に比べてノイズ、クロストークおよび高周波信号の
減衰等を減少させ、１ＧｌｌＺ以上の高周波信号でも測
定を行なうことのできるプローブカードを提供しようと
するものである。
［発明の構成コ
（問題点を解決するための手段）
すなわち本発明は、基板に設けられた開口の周囲からこ
の開口中央方向へ突設された多数の探針を備えたプロー
ブカードにおいて、前記探針のうち少なくとも高周波信
号が導通される探針は同軸ケーブルにより構成され、こ
のケーブルの先瑞の露出した部分の長さを３ｎｌ以下に
構成したことを特徴とする。
の開口中央方向へ突設された多数の探針を備えたプロー
ブカードにおいて、前記探針のうち少なくとも高周波信
号が導通される探針は同軸ケーブルにより構成され、こ
のケーブルの先瑞の露出した部分の長さを３ｎｌ以下に
構成したことを特徴とする。
（作 用）
本発明のプローブカードでは、高周波信号が導通される
探針を絶縁体層を介して長手方向に等抵抗値で同軸的に
配置された導体層により被覆された同軸ケーブルからな
り、この探針の先端部の露出した部分の長さは３ｔＩＩ
ｌ以下に構成されている。
探針を絶縁体層を介して長手方向に等抵抗値で同軸的に
配置された導体層により被覆された同軸ケーブルからな
り、この探針の先端部の露出した部分の長さは３ｔＩＩ
ｌ以下に構成されている。
従って、従来に比べて高周波信号によるノイズ、クロス
トーク等を大幅に減少させることができ、高周波信号の
減衰も、例えば５０Ｈ２の高周波信号において、−３ｄ
Ｂ以下とすることもできる。
トーク等を大幅に減少させることができ、高周波信号の
減衰も、例えば５０Ｈ２の高周波信号において、−３ｄ
Ｂ以下とすることもできる。
（実施例）
以下本発明のプローブカードの実施例を図面を参照して
説明する。
説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例のプローブカード
を示すもので、樹脂等からなるプリント基板によって構
成された基板１１には、直径数センチメートル程度の円
形の開口１２が設けられており、この開口１２の周囲に
は、基板１１の下側に一端を固着され、その中間部を樹
脂等からなり開口１２に沿って配置されたリング状の支
持体１３によって支持され、開口１２の中央方向へ基板
１２平面に対して下向きに傾斜して突出された探引１４
が多数配置されている。
を示すもので、樹脂等からなるプリント基板によって構
成された基板１１には、直径数センチメートル程度の円
形の開口１２が設けられており、この開口１２の周囲に
は、基板１１の下側に一端を固着され、その中間部を樹
脂等からなり開口１２に沿って配置されたリング状の支
持体１３によって支持され、開口１２の中央方向へ基板
１２平面に対して下向きに傾斜して突出された探引１４
が多数配置されている。
なおこれらの探針１４は、プリント基板である基板１１
の下面に形成された導体層（図示せず）を介して基板１
１の端部に配列された測定機器接続用の端子１５にそれ
ぞれ接続されている。
の下面に形成された導体層（図示せず）を介して基板１
１の端部に配列された測定機器接続用の端子１５にそれ
ぞれ接続されている。
基板１１上側の開口１２周囲には、例えば深さ１ｎｎ、
幅１０〜２０ＩＩＩＩｌ程度の環状の消１１ａが形成さ
れている。渭１１ａには、この渭１１ａとほぼ同形に形
成された例えば金等からなる環状のプレート１６が嵌合
されており、プレート１６上には、被測定体（図示せず
）の高周波信号印加および検出の所定位置に対応して、
ガラスエポキシ樹脂等からなる例えば直径１０数ｍｌ、
高さ数ｌＩｍ程度の円柱状の台座１７が配置され、台座
１７には同軸ケーブル接続用のソケット１８と、このソ
ケット１８に接続され開口１２中央方向へ基板１１平面
対して下側へ傾斜して突出された同軸探針１９が埋設さ
れており、台座１７の上側には、金等の導体からなる環
状のプレート２０が配置されている。
幅１０〜２０ＩＩＩＩｌ程度の環状の消１１ａが形成さ
れている。渭１１ａには、この渭１１ａとほぼ同形に形
成された例えば金等からなる環状のプレート１６が嵌合
されており、プレート１６上には、被測定体（図示せず
）の高周波信号印加および検出の所定位置に対応して、
ガラスエポキシ樹脂等からなる例えば直径１０数ｍｌ、
高さ数ｌＩｍ程度の円柱状の台座１７が配置され、台座
１７には同軸ケーブル接続用のソケット１８と、このソ
ケット１８に接続され開口１２中央方向へ基板１１平面
対して下側へ傾斜して突出された同軸探針１９が埋設さ
れており、台座１７の上側には、金等の導体からなる環
状のプレート２０が配置されている。
同軸探針１９は、第３図に示すように例えば中針部に配
置された直径２００μ重乃至２５０μｍ程度のタングス
テン等からなる信号伝達用の導体針１９ａと、この導体
針１９ａの周囲に配置され、例えばテフロン等からなる
絶縁体層１９ｂ、および絶縁体層１９ｂの外側に同軸的
に配置された例えば鋼管等からなる導体層１９ｃとから
構成され、その外径Ａは例えば０．８ｍ１１程度に構成
されている。
置された直径２００μ重乃至２５０μｍ程度のタングス
テン等からなる信号伝達用の導体針１９ａと、この導体
針１９ａの周囲に配置され、例えばテフロン等からなる
絶縁体層１９ｂ、および絶縁体層１９ｂの外側に同軸的
に配置された例えば鋼管等からなる導体層１９ｃとから
構成され、その外径Ａは例えば０．８ｍ１１程度に構成
されている。
なおここで、同軸探針１８の外径Ａは、細いほど柔軟屈
曲性があり探針の配置等が簡単に行なえるが、測定機器
とのインピーダンス＜５０Ω）のマツチングを行なうな
めには、絶縁体層１９ｂの厚さを０．８ｎｍ程度で長手
方向に形成する必要がある。
曲性があり探針の配置等が簡単に行なえるが、測定機器
とのインピーダンス＜５０Ω）のマツチングを行なうな
めには、絶縁体層１９ｂの厚さを０．８ｎｍ程度で長手
方向に形成する必要がある。
また、同軸探針１９先端部には、導体針１９ａが露出さ
れた露出部１９ｄが形成されており、この露出部１９ｄ
の長さは、３ｆｆ１１１以下、例えば２ＴＩｌ＋１１と
され、露出部１９ｄの先端は、下側へ向けて折曲されて
おり、この先端は例えば直径５０μ頂程度の小径とされ
ている。
れた露出部１９ｄが形成されており、この露出部１９ｄ
の長さは、３ｆｆ１１１以下、例えば２ＴＩｌ＋１１と
され、露出部１９ｄの先端は、下側へ向けて折曲されて
おり、この先端は例えば直径５０μ頂程度の小径とされ
ている。
上記構成のこの実施例のプローブカードでは、開口１２
の下部に配置された半導体ウェハ上に形成された例えば
１００μｌ×８０μｍ程度の大きさの電極バットに、探
針１４および同軸探針１９を接触させ、ソケット１８に
同軸ケーブルを接続し、この同軸ケーブルおよび接続用
の端子１５を測定機器に電極的に接続して半導体ウェハ
上に形成された集積回路の試験測定を行なう。
の下部に配置された半導体ウェハ上に形成された例えば
１００μｌ×８０μｍ程度の大きさの電極バットに、探
針１４および同軸探針１９を接触させ、ソケット１８に
同軸ケーブルを接続し、この同軸ケーブルおよび接続用
の端子１５を測定機器に電極的に接続して半導体ウェハ
上に形成された集積回路の試験測定を行なう。
このときソケット１８に接続された同軸探針１９は、ウ
ェハ上の高周波信号印加または高周波信号読取り部位に
接続されており、この高周波信号によるノイズ、クロス
トーク等は、従来に比べて大幅に減少させることができ
る。また、同軸探針１９の先端露出部１９ｄの長さが、
ａｌ１１１以下とされており、５ＧＨｚの信号周波数に
おける信号の減衰幅を、−３ｄＢ以下とすることができ
る。
ェハ上の高周波信号印加または高周波信号読取り部位に
接続されており、この高周波信号によるノイズ、クロス
トーク等は、従来に比べて大幅に減少させることができ
る。また、同軸探針１９の先端露出部１９ｄの長さが、
ａｌ１１１以下とされており、５ＧＨｚの信号周波数に
おける信号の減衰幅を、−３ｄＢ以下とすることができ
る。
なお、高周波信号の減衰を少なくするためには、露出部
１９ｄの長さが短いほど好ましいが、同軸探針１９の先
端は直径５０μｍ程度の小径とする必要があり、加工上
は露出部１９ｄの長さを極端に短くすることは困難であ
る。一方、一般に高周波信号のプローブカードにおける
減衰幅は、−３ｄＢ程度以下であれば測定機器の補償に
より使用できる範囲とされている。そこで、実測により
、例えば５ＧＩＩｚの高周波信号における減衰を一３ｄ
Ｂ以下とするためには、露出部１９ｄの長さをａｌ１１
１以下とすればよいことを確かめることができたので、
この実施例では、露出部１９ｄの長さを３１１１以下例
えば２ｎｎとした。
１９ｄの長さが短いほど好ましいが、同軸探針１９の先
端は直径５０μｍ程度の小径とする必要があり、加工上
は露出部１９ｄの長さを極端に短くすることは困難であ
る。一方、一般に高周波信号のプローブカードにおける
減衰幅は、−３ｄＢ程度以下であれば測定機器の補償に
より使用できる範囲とされている。そこで、実測により
、例えば５ＧＩＩｚの高周波信号における減衰を一３ｄ
Ｂ以下とするためには、露出部１９ｄの長さをａｌ１１
１以下とすればよいことを確かめることができたので、
この実施例では、露出部１９ｄの長さを３１１１以下例
えば２ｎｎとした。
また、この実施例では、同軸探針１９を基板１１の上面
に台座１７によって固定したが、第４図に示すように基
板１１に透孔１１ｂを設け、この透孔１１ｂを貫通させ
てソケット１８および同軸探針１９を配置して固定し、
探針１４は基板１１の上側に配置することもできる。さ
らに、第５図に示すように複数の同軸探針１９外側の導
体層１９ｃを、例えばリング状等の導体２１で接続する
ことにより、各回軸探針１９先端部を同電位にして測定
することができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることもできる。
に台座１７によって固定したが、第４図に示すように基
板１１に透孔１１ｂを設け、この透孔１１ｂを貫通させ
てソケット１８および同軸探針１９を配置して固定し、
探針１４は基板１１の上側に配置することもできる。さ
らに、第５図に示すように複数の同軸探針１９外側の導
体層１９ｃを、例えばリング状等の導体２１で接続する
ことにより、各回軸探針１９先端部を同電位にして測定
することができ、Ｓ／Ｎ比を向上させることもできる。
また、第６図および第７図に示すように、半導体チップ
２２の対向する２辺に被測定電極が存在する半導体ウェ
ハ２３の検査を行なうプローブカードの構造は、基板１
１ｃに例えば長方形の開口１２ａを設け、この間口１２
ａの周囲に複数組の探針１４を配置することにより多数
個、例えば８個、１６個等の半導体チップ２２の検査を
同時に行なうことのできるマルチブロービング形に構成
できる。
２２の対向する２辺に被測定電極が存在する半導体ウェ
ハ２３の検査を行なうプローブカードの構造は、基板１
１ｃに例えば長方形の開口１２ａを設け、この間口１２
ａの周囲に複数組の探針１４を配置することにより多数
個、例えば８個、１６個等の半導体チップ２２の検査を
同時に行なうことのできるマルチブロービング形に構成
できる。
［発明の効果］
上述のように本発明のプローブカードでは、従来に比べ
て高周波信号によるノイズ、クロストーク等を大幅に減
少させることができ、高周波信号の減衰も、５ＧＨ２に
おいて一３ｄＢ以下とすることができ、５ Ｇ ｔｌ
ｚ等の高周波信号も測定することができる。
て高周波信号によるノイズ、クロストーク等を大幅に減
少させることができ、高周波信号の減衰も、５ＧＨ２に
おいて一３ｄＢ以下とすることができ、５ Ｇ ｔｌ
ｚ等の高周波信号も測定することができる。
第１図は本発明の一実施例のプローブカードを示す上面
図で、第２図は第１図の要部を拡大して示す縦断面図、
第３図は同軸探針の縦断面図、第４図は第１に示すプロ
ーブカードの変形例を示す縦断面図、第５図および第６
図は第１図の変形例を示す上面図、第７図は第６図はの
縦断面図、第８図は従来のプローブカードを示ず上面図
である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・開口、１４・
・・・・・探針、１８・・・・・・同軸ケーブル用ソケ
ット、１９・・・・・・同軸探針、１９ｄ・・・・・・
露出部。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 第６図 第７図 第８図
図で、第２図は第１図の要部を拡大して示す縦断面図、
第３図は同軸探針の縦断面図、第４図は第１に示すプロ
ーブカードの変形例を示す縦断面図、第５図および第６
図は第１図の変形例を示す上面図、第７図は第６図はの
縦断面図、第８図は従来のプローブカードを示ず上面図
である。 １１・・・・・・基板、１２・・・・・・開口、１４・
・・・・・探針、１８・・・・・・同軸ケーブル用ソケ
ット、１９・・・・・・同軸探針、１９ｄ・・・・・・
露出部。 出願人 東京エレクトロン株式会社 代理人 弁理士 須 山 佐 − 第１図 第２図 第３図 第６図 第７図 第８図
Claims (1)
- （１）基板に設けられた開口の周囲からこの開口中央方
向へ突設された多数の探針を備えたプローブカードにお
いて、前記探針のうち少なくとも高周波信号が導通され
る探針は同軸ケーブルにより構成され、このケーブルの
先端の露出した部分の長さを３ｍｍ以下に構成したこと
を特徴とするプローブカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23101186A JPS6384133A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | プロ−ブカ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23101186A JPS6384133A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | プロ−ブカ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384133A true JPS6384133A (ja) | 1988-04-14 |
Family
ID=16916847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23101186A Pending JPS6384133A (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | プロ−ブカ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6384133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019148576A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | エス ブイ プローブ プライベート リミテッド | テスト用回路基板及びその操作方法 |
| CN113267714A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768046A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-26 | Nec Corp | Probe card |
| JPS58173841A (ja) * | 1982-04-03 | 1983-10-12 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プロ−ブカ−ド |
| JPS6171367A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Hiyuuguru Electron Kk | 固定ブロ−ブカ−ド |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP23101186A patent/JPS6384133A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5768046A (en) * | 1980-10-16 | 1982-04-26 | Nec Corp | Probe card |
| JPS58173841A (ja) * | 1982-04-03 | 1983-10-12 | Nippon Denshi Zairyo Kk | プロ−ブカ−ド |
| JPS6171367A (ja) * | 1984-09-17 | 1986-04-12 | Hiyuuguru Electron Kk | 固定ブロ−ブカ−ド |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019148576A (ja) * | 2018-02-26 | 2019-09-05 | エス ブイ プローブ プライベート リミテッド | テスト用回路基板及びその操作方法 |
| CN113267714A (zh) * | 2021-04-29 | 2021-08-17 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
| CN113267714B (zh) * | 2021-04-29 | 2022-05-20 | 复旦大学 | 一种多针阵列式伪mos结构测量探头 |
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