TWI739592B - 探針組件 - Google Patents
探針組件 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI739592B TWI739592B TW109131000A TW109131000A TWI739592B TW I739592 B TWI739592 B TW I739592B TW 109131000 A TW109131000 A TW 109131000A TW 109131000 A TW109131000 A TW 109131000A TW I739592 B TWI739592 B TW I739592B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- blank area
- head section
- ground layer
- probe assembly
- signal line
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06716—Elastic
- G01R1/06722—Spring-loaded
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/0735—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card arranged on a flexible frame or film
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/06711—Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
- G01R1/06755—Material aspects
- G01R1/06761—Material aspects related to layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
Abstract
一種探針組件,用以測試電路板之高速訊號傳輸線,包含兩根用以提供高頻差動測試訊號之彈簧針,且彈簧針二側沒有金屬層(接地層)。實驗發現,當兩根彈簧針在對待側物進行測試時,測試訊號會耦合到兩側的金屬層而產生輻射共振,導致在某個特定頻帶上的測試訊號發生損失,進而使得探針組件之有效頻寬下降。本發明之探針組件的彈簧針二側的金屬層經過削減,因而可以達到避免上述輻射共振現象發生的功效。
Description
本發明是關於一種探針組件,特別是一種應用於高速差動訊號測試之探針組件。
傳統差動訊號量測的探針結構係將多根探針設置在印刷電路板上,其探針排列型式分別為GSS、SSG、SGS、GSSG和GSGSG,其中G代表接地探針,S代表訊號探針。隨著印刷電路板的走線布局設計愈來愈緊湊與多樣化,未來或有可能會發生待測物之測試接點沒有包含接地點的態樣,導致上述包含有接地探針之探針結構均無法使用。換言之,先前技術並不存在以SS架構為基礎的探針設計方案。
有鑑於此,本發明提出一種探針組件,其包含介電層、第一訊號線路、第二訊號線路、第一彈簧針、第二彈簧針、第一上接地層、第二上接地層以及下接地層。
介電層包含上表面、下表面、第一側面、第二側面與第三側面,第一側面與第二側面彼此相對,第三側面位於第一側面與第二側面之間。介電層之上表面包含第一上空白區、第二上空白區、第一上接地區與第二上接地區,且介電層之下表面包含第一下空白區與第二下空白區。第一訊號線路設置於介電層之上表面,第一訊號線路包含第一頭部區段與第一尾部區段,第一頭部區段之一端連接於第一尾部區段,第一頭部區段之另一端指向第三側面。第一上空白區與第一下空白區位於第一頭部區段與第一側面之間。第一上接地區位於第一尾部區段與第一側面之間。第二訊號線路,設置於介電層之上表面且與第一訊號線路相間隔。第二訊號線路包含第二頭部區段與第二尾部區段,第二頭部區段之一端連接於第二尾部區段,第二頭部區段之另一端指向第三側面。第二上空白區與第二下空白區位於第二頭部區段與第二側面之間。第二上接地區位於第二尾部區段與第二側面之間。第一彈簧針設置於第一頭部區段。第二彈簧針設置於第二頭部區段。第一上接地層設置於第一上接地區,第二上接地層設置於第二上接地區,下接地層則是設置於介電層之下表面但不通過第一下空白區與第二下空白區。
本發明還提出一種探針組件,包含介電層、第一訊號線路、第二訊號線路、第一彈簧針、第二彈簧針、上接地層以及下接地層。介電層包含本體部分與凸出部分,其中凸出部分係自本體部分之一側面沿一第一方向朝遠離所述側面之方向凸出。第一訊號線路設置於介電層之上表面,第一訊號線路包含第一頭部區段與第一尾部區段,第一頭部區段設置於凸出部分,第一尾部區段設置於本體部分,第一頭部區段之一端連接於第一尾部區段,第一頭部區段之另一端指向凸出部分之一端面。第二訊號線路設置於介電層之上表面且與第一訊號線路相間隔。第二訊號線路包含第二頭部區段與第二尾部區段,其中第二頭部區段設置於介電層之凸出部分,第二尾部區段設置於介電層之本體部分。第二頭部區段之一端連接於第二尾部區段,另一端則指向凸出部分之端面。第一彈簧針設置於第一頭部區段。第二彈簧針設置於第二頭部區段。上接地層設置於介電層之本體部分之上表面,下接地層則設置於介電層之本體部分之下表面以及凸出部分之下表面。
本發明之其中一特點在於沒有包含接地探針,因而可以適用於測試接點不具接地點之待測裝置。本發明之另一特點在於彈簧針兩側的接地層(金屬層)經過縮減,因此在測試過程中,測試訊號不會耦合到兩側的接地層而產生輻射共振使得探針組件之有效頻寬下降。
在本案說明書與申請專利範圍中,「上」或「下」僅是用來說明其在圖式中所呈現的方位,並非限制其實際位向。
圖式中各元件的相對大小、厚薄僅為例示,並非限制各元件的實際相對尺寸關係。
參照圖1與圖2,分別為本發明之第一實施例之立體示意圖(一)與立體示意圖(二),其繪示出一探針組件100。探針組件100包含介電層11、第一訊號線路12、第二訊號線路13、第一彈簧針123、第二彈簧針133、第一上接地層141、第二上接地層142以及下接地層16。探針組件100可以適用於對印刷電路板的高速訊號傳輸線進行差動訊號測試,尤其特別適用於測試接點不具有接地點的印刷電路板。
介電層11包含上表面111、下表面112、第一側面113、第二側面114與第三側面115,第一側面113與第二側面114彼此相對,第三側面115位於第一側面113與第二側面114之間。介電層11之上表面111包含第一上空白區111A、第二上空白區111B、第一上接地區111G1與第二上接地區111G2,且介電層11之下表面112包含第一下空白區112A與第二下空白區112B。
第一訊號線路12設置於介電層11之上表面111,其包含第一頭部區段121與第一尾部區段122。第一頭部區段121之一端連接於第一尾部區段122,另一端則指向第三側面115。第一上空白區111A以及第一下空白區112A位於第一頭部區段121與第一側面113之間。進一步來說,第一下空白區112A設置於下表面112,且對應上表面111的第一上空白區111A位置,即第一下空白區112A設置於下表面112,且對應在上表面111的第一頭部區段121與第一側面113之間的部位。第一上接地區111G1位於第一尾部區段122與介電層11之第一側面113之間,且第一上接地層141係設置於第一上接地區111G1。
第二訊號線路13設置於介電層11之上表面111且與第一訊號線路12相間隔。第二訊號線路13包含第二頭部區段131與第二尾部區段132,其中第二頭部區段131之一端連接於第二尾部區段132,第二頭部區段131之另一端則指向第三側面115。第二上空白區111B以及第二下空白區112B位於第二頭部區段131與第二側面114之間。進一步來說,第二下空白區112B設置於下表面112,且對應上表面111的第二上空白區111B位置,即第二下空白區112B設置於下表面112,且對應在上表面111的第二頭部區段131與第二側面114之間的部位。第二上接地區111G2位於第二尾部區段132與第二側面114之間,且第二上接地層142係設置於第二上接地區111G2。
第一彈簧針123係設置於第一訊號線路12之第一頭部區段121。在部分實施例中,第一彈簧針123係透過焊錫焊接的方式設置於第一訊號線路12之第一頭部區段121上。第一彈簧針123包含一針身部123B與一伸縮部123T,伸縮部123T位於針身部123B的一端,且伸縮部123T於自由狀態下係凸出介電層11之第三側面115。第二彈簧針133則是設置於第二訊號線路13之第二頭部區段131。在部分實施例中,第二彈簧針133係透過焊錫焊接的方式設置於第二訊號線路13之第二頭部區段131上。第二彈簧針133包含一針身部133B與一伸縮部133T,伸縮部133T位於針身部133B的一端,且伸縮部133T於自由狀態下係凸出介電層11之第三側面115。在執行測試的過程中時,第一彈簧針123之伸縮部123T與第二彈簧針133之伸縮部133T係分別接觸待測裝置的二個差動訊號測試接點,藉此將差動測試訊號傳送至待測裝置而對待測裝置進行測試。在部分實施例中,伸縮部123T、133T於自由狀態下係凸出介電層11之第三側面115,而伸縮部123T位於針身部123B的一端及伸縮部133T位於針身部133B的設置位置,可以與介電層11之第三側面115切齊,或者設置於介電層11之上表面111上而未與第三側面115切齊,或者超過第三側面115而凸出第三側面115,並不受限制。也就是說,伸縮部123T位於針身部123B的一端及伸縮部133T位於針身部133B的設置位置與第三側面115的相對位置,可以為針身部123B、133B的一端切齊第三側面115,或者在第三側面115朝向或遠離介電層11之上表面111的一側,並沒有特別的限制。
下接地層16係設置於介電層11之下表面112,且會覆蓋下表面112之第一下空白區112A與第二下空白區112B以外的區域。在此需特別說明,下接地層16會覆蓋第一彈簧針123之針身部123B與第二彈簧針133之針身部133B的下方,也就是會覆蓋第一下空白區112A與第二下空白區112B之間的部分。如此一來,整個第一訊號線路12與第二訊號線路13的阻抗匹配可以延伸到幾乎與待測裝置相接觸之處。
在本實施例中,第一上接地層141、第二上接地層142以及下接地層16均沒有覆蓋到第一彈簧針123之針身部123B以及第二彈簧針133針身部133B沿其長度方向的二側的部分,因此當使用本實施例之探針組件100對印刷電路板進行差動訊號測試時,測試訊號不會耦合到第一彈簧針123以及第二彈簧針133兩側的接地層,有效避免輻射共振的產生。
在部分實施例中,第一上接地層141、第二上接地層142以及下接地層16係共地。在部分實施例中,介電層11之上表面111更包含第三上接地區111G3,其位於第一尾部區段122與第二尾部區段132之間。探針組件100更包含第三上接地層143,其設置於第三上接地區111G3,且第一上接地層141、第二上接地層142、第三上接地層143以及下接地層16係共地。
在部分實施例中,介電層11係設置有複數導電通孔119,其中至少一導電通孔119電性連接第一上接地層141與下接地層16,至少一導電通孔119電性連接第二上接地層142與下接地層16,且至少一導電通孔119電性連接第三上接地層143與下接地層16。如此一來第一上接地層141、第二上接地層142、第三上接地層143以及下接地層16即可透過導電通孔119而實現共地。
在部分實施例中,第一頭部區段121沿第一方向(例如圖中的X軸方向)延伸而具有一長度L1。第一上空白區111A沿第一方向(X軸方向)具有一寬度W1,且第一下空白區112A沿第一方向(X軸方向)具有一寬度W2。在部分實施例中,寬度W1實質上等於寬度W2,且寬度W1與W2實質上等於長度L1。此外,在部分實施例中,第二頭部區段131沿第一方向(X軸方向)延伸而具有一長度L2。第二上空白區111B沿第一方向(X軸方向)具有一寬度W3,且第二下空白區112B沿第一方向(X軸方向)具有一寬度W4。在部分實施例中,寬度W3實質上等於W4,且寬度W3與W4實質上等於長度L2。
在部分實施例中,第一上空白區111A沿上表面111之法線方向的投影與第一下空白區112A沿下表面112之法線方向的投影完全重合,且第二上空白區111B沿上表面111之法線方向之投影亦與第二下空白區112B沿下表面112之法線方向之投影重合。惟需特別說明,所有加工程序均存在一定程度的加工誤差,第一上空白區111A沿上表面111之法線方向的投影與第一下空白區112A沿下表面112之法線方向的投影之間仍可能存在加工誤差所致的些微差異,對於所屬技術領域中具有通常知識者而言,上述些許差異單純源自加工誤差而非源自設計上的不同,因此仍應視為重合。同理,第二上空白區111B沿上表面111之法線方向之投影與第二下空白區112B沿下表面112之法線方向之投影之間亦然。
參照圖3與圖4,分別為本發明之第二實施例之立體示意圖(一)與立體示意圖(二),其繪示出一探針組件200。在本實施例中,第一彈簧針123之針身部123B的長度等於第一頭部區段121沿X軸方向之長度L1,但第一上空白區111A與第一下空白區112A沿X軸方向之寬度W1與寬度W2係小於L1。此外,第二彈簧針133之針身部133B的長度等於第二頭部區段131沿X軸方向之長度L2,但第二上空白區111B與第二下空白區112B沿X軸方向之寬度W3與W4係小於L2。進一步參照圖9至圖11,分別為W1=W2=W3=W4=0 mm、W1=W2=W3=W4=0.5 mm以及W1=W2=W3=W4=0.8 mm時的插入損失相對於測試頻率的曲線圖。如圖9所示,當W1=W2=W3=W4=0 mm時,相當於第一彈簧針123之針身部123B與第二彈簧針133之針身部133B兩側都是接地層,此時在特定頻率附近(圖中所示為15GHz)會因為前述輻射共振的緣故而有能量損失。如圖10所示,當W1=W2= W3=W4=0.5 mm時,第一彈簧針123之針身部123B與第二彈簧針133之針身部133B兩側的接地層減少,輻射共振現象降低,因此特定頻率附近的能量損失大幅減少。再如圖11所示,當W1、W2、W3與W4進一步從0.5mm增加至0.8mm時,第一彈簧針123之針身部123B與第二彈簧針133之針身部133B兩側的接地層更進一步地減少,此時輻射共振的影響已趨近於零,所有測試頻率均未發現明顯的能量損失。同理,第一實施例之探針組件100的第一彈簧針123與第二彈簧針133兩側的接地層相較上述W1=W2=W3=W4=0.8 mm時的態樣更加減少,輻射共振的影響同樣趨近於零,因此第一實施例之探針組件100的插入損失相對於測試頻率的曲線圖也會如圖11所示般在所有測試頻率均不會出現明顯的能量損失。惟需特別說明,本實施例僅需注意第一上空白區111A、第一下空白區112A、第二上空白區111B與第二下空白區112B的寬度W1、W2、W3與W4對於輻射共振的影響,並不需要特別顧及第一彈簧針123之針身部123B與第二彈簧針133之針身部133B的長度。
在此需特別說明,上述實施例中W1=W2=W3=W4僅為一特例,W1、W2、W3與W4彼此可以不相同,只要滿足W1≧0.8 mm、W2≧0.8 mm、W3≧0.8 mm以及W4≧0.8 mm即可達到避免輻射共振的功效。
參照圖5與圖6,分別為本發明之第三實施例之立體示意圖(一)與立體示意圖(二),其繪示出一探針組件300。探針組件300包含介電層21、第一訊號線路22、第二訊號線路23、第一彈簧針223、第二彈簧針233、上接地層24以及下接地層26。探針組件300同樣可適用於對印刷電路板的高速訊號傳輸線進行差動訊號測試,尤其特別適用於測試接點不具有接地點的印刷電路板。
如圖所示,介電層21包含一上表面211、一下表面212,且介電層21可區分為一本體部分21A與一凸出部分21B。本體部分21A具有一側面215,凸出部分21B係自本體部分21A之側面215沿一第一方向(例如圖中的X軸方向)朝遠離側面215之方向延伸凸出。在部分實施例中,凸出部分21B係自本體部分21A之側面215之中心沿第一方向(X軸方向)朝遠離側面215之方向延伸凸出。
第一訊號線路22設置於介電層21之上表面211,其中第一訊號線路22包含第一頭部區段221與第一尾部區段222。第一頭部區段221設置於介電層21之凸出部分21B,第一尾部區段222設置於介電層21之本體部分21A。第一頭部區段221之一端連接於第一尾部區段222,另一端則指向凸出部分21B之一端面21B1。
第二訊號線路23設置於介電層21之上表面211且與第一訊號線路22相間隔。第二訊號線路23包含第二頭部區段231與第二尾部區段232,其中第二頭部區段231設置於介電層21之凸出部分21B,第二尾部區段232設置於介電層21之本體部分21A。第二頭部區段231之一端連接於第二尾部區段232,其另一端則指向凸出部分21B之端面21B1。
第一彈簧針223係設置於第一訊號線路22之第一頭部區段221。第一彈簧針223包含一針身部223B與一伸縮部223T,伸縮部223T位於針身部223B的一端,且伸縮部223T於自由狀態下係凸出介電層21之凸出部分21B之端面21B1。第二彈簧針233係設置於第二訊號線路23之第二頭部區段231。第二彈簧針233之包含一針身部233B與一伸縮部233T,伸縮部233T位於針身部233B的一端,且伸縮部233T於自由狀態下係凸出介電層21之凸出部分21B之端面21B1。
上接地層24設置於介電層21之本體部分21A之上表面,下接地層26則設置於介電層21之本體部分21A之下表面以及凸出部分21B之下表面。在本實施例中,整個第一訊號線路22與第二訊號線路23的阻抗匹配同樣可以延伸到幾乎與待測裝置相接觸之處。
如圖5所示,探針組件300包含有三個上接地層24,分別位於第一訊號線路22之第一尾部區段222與鄰近第一訊號線路22之介電層21邊緣之間、第一訊號線路22之第一尾部區段222與第二訊號線路23之第二尾部區段232之間、以及位於第二訊號線路23之第二尾部區段232與鄰近第二訊號線路23之介電層21邊緣之間。在部分實施例中,上接地層24與下接地層26共地。在部分實施例中,介電層21更包含至少一導電通孔219,導電通孔219係電性連接上接地層24與下接地層26,如此一來上接地層24以及下接地層26即可透過導電通孔219而實現共地。
在部分實施例中,第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B沿第一方向(X軸方向)分別具有長度L3與L4。上接地層24具有一第一邊緣241與一第二邊緣242,第一邊緣241與第二邊緣242分別位於介電層21之凸出部分21B之兩側且相鄰於介電層21之本體部分21A之側面215。下接地層26具有一第三邊緣261與一第四邊緣262,第三邊緣261與第四邊緣262分別位於介電層21之凸出部分21B之兩側且相鄰於介電層21之本體部分21A之側面215。第一邊緣241與凸出部分21B之端面21B1之間沿第一方向(X軸方向)具有一第一距離D1,第二邊緣242與凸出部分21B之端面21B1之間沿第一方向(X軸方向)具有一第二距離D2,第三邊緣261與凸出部分21B之端面21B1之間沿第一方向(X軸方向)具有一第三距離D3,第四邊緣262與凸出部分21B之端面21B1之間沿第一方向(X軸方向)具有一第四距離D4。其中D1=D2=D3=D4。在部分實施例中,L3=L4=D1=D2=D3=D4。
在部分實施例中,本體部分21A與凸出部分21B係透過對單一片介電層進行機械加工所形成。例如對一矩形的介電層的同一側的兩個角隅進行L形切割。切除兩個角隅後,位於兩切除部分之間的介電層部分即為凸出部分21B,而凸出部分21B以外的介電層部分即為本體部分21A。
參照圖7與圖8,其分別為本發明之第四實施例之立體示意圖(一)與立體示意圖(二),其繪示出一探針組件400。本實施例與第三實施例的主要差異在於D1、D2、D3與D4均小於第一彈簧針223之針身部223B的長度L3及/或第二彈簧針233之針身部233B的長度L4。參照圖9至圖11,分別為D1=D2=D3=D4= 0 mm、D1=D2=D3=D4= 0.5 mm以及D1=D2=D3=D4= 0.8 mm時的插入損失相對於測試頻率的曲線圖。如圖9所示,當D1=D2=D3=D4= 0 mm時,相當於第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B兩側都是接地層,此時在特定頻率附近(圖中所示為15GHz)會因為前述輻射共振的緣故而有能量損失。如圖10所示,當D1=D2=D3=D4= 0.5 mm時,第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B兩側的接地層減少,輻射共振現象降低,因此特定頻率附近的能量損失大幅減少。再如圖11所示,當 D1、D2、D3與D4進一步從0.5 mm增加至0.8 mm時,第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B兩側的接地層更進一步地減少,此時輻射共振的影響已趨近於零,所有測試頻率均未發現明顯的能量損失。同理,第三實施例之探針組件300的第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B兩側的接地層相較上述D1=D2=D3=D4= 0.8 mm時的態樣更加地減少,輻射共振的影響同樣趨近於零,因此第三實施例之探針組件300的插入損失相對於測試頻率的曲線圖也會如圖11所示般在所有測試頻率均不會發現明顯的能量損失。惟需特別說明,本實施例僅需注意D1=D2=D3=D4的大小即可,並不需要特別顧及第一彈簧針223之針身部223B與第二彈簧針233之針身部233B的長度。
在此需特別說明,上述實施例中D1=D2=D3=D4僅為一特例,D1、D2、D3與D4彼此可以不相同,只要滿足D1≧0.8 mm,D2≧0.8 mm,D3≧0.8 mm以及D4≧0.8 mm即可達到避免輻射共振的功效。此外,介電層21在本體部分21A的側面215到凸出部分21B之端面21B1之間沿第一方向(X軸方向)的距離不限制一定要等於D1、D2、D3與D4。在部分實施例中,側面215到端面21B1的距離可以小於D1、D2、D3與D4,但仍可視為第一邊緣241與第二邊緣242相鄰於介電層21之本體部分21A之側面215,第三邊緣261與第四邊緣262相鄰於介電層21之本體部分21A之側面215。
參照圖5與圖7,在部分實施例中,考量加工便利性以及凸出部分21B的機械強度,第一彈簧針223之針身部223B與凸出部分21B的側邊邊緣之間保留一局部區域21B7,第二彈簧針233之針身部233B與凸出部分21B的側邊邊緣之間亦保留一局部區域21B9。在部分實施例中,在加工精度允許兼且機械強度符合實際應用需求的前提下,亦可以不保留局部區域21B7以及局部區域21B9。
在部分實施例中,亦可以先在一矩形的介電層的兩表面分別形成上接地層與下接地層,然後再將第一訊號線路22、第二訊號線路23、第一彈簧針223與第二彈簧針233形成於介電層的其中一表面,後續只要再對介電層的同一側的兩個角隅進行L形切割而移除該處的介電層部分以及接地層部分,如此便可形成探針組件200。
於此需再次強調,本發明之探針組件為全新設計,也就是沒有包含接地探針,因而可適用於測試接點不具有接地點之待測裝置。此外,本發明用來提供差動訊號之第一彈簧針與第二彈簧針的兩側的接地層(金屬層)經過適當削減,因此在測試過程中,測試訊號不會耦合到兩側的接地層而產生輻射共振。惟需特別說明,只需要適當削減第一彈簧針與第二彈簧針的兩側的接地層(金屬層)即可避免輻射共振的影響,輻射共振與第一彈簧針與第二彈簧針的長度並沒有任何關係。
雖然本發明已以實施例揭露如上然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明之精神和範圍內,當可作些許之更動與潤飾,故本發明之保護範圍當視後附之專利申請範圍所界定者為準。
100、200:探針組件
11:介電層
111:上表面
111A:第一上空白區
111B:第二上空白區
111G1:第一上接地區
111G2:第二上接地區
111G3:第三上接地區
112:下表面
112A:第一下空白區
112B:第二下空白區
113:第一側面
114:第二側面
115:第三側面
119:導電通孔
12:第一訊號線路
121:第一頭部區段
122:第一尾部區段
123:第一彈簧針
123B:針身部
123T:伸縮部
13:第二訊號線路
131:第二頭部區段
132:第二尾部區段
133:第二彈簧針
133B:針身部
133T:伸縮部
141:第一上接地層
142:第二上接地層
143:第三上接地層
16:下接地層
300、400:探針組件
21:介電層
21A:本體部分
21B:凸出部分
21B1:端面
21B7:局部區域
21B9:局部區域
211:上表面
212:下表面
215:側面
219:導電通孔
22:第一訊號線路
221:第一頭部區段
222:第一尾部區段
223:第一彈簧針
223B:針身部
223T:伸縮部
23:第二訊號線路
231:第二頭部區段
232:第二尾部區段
233:第二彈簧針
233B:針身部
233T:伸縮部
24:上接地層
241:第一邊緣
242:第二邊緣
26:下接地層
261:第三邊緣
262:第四邊緣
D1:第一距離
D2:第二距離
D3:第三距離
D4:第四距離
L1:長度
L2:長度
L3:長度
L4:長度
W1:寬度
W2:寬度
W3:寬度
W4:寬度
[圖1] 為本發明第一實施例之立體示意圖(一)。
[圖2] 為本發明第一實施例之立體示意圖(二)。
[圖3] 為本發明第二實施例之立體示意圖(一)。
[圖4] 為本發明第二實施例之立體示意圖(二)。
[圖5] 為本發明第三實施例之立體示意圖(一)。
[圖6] 為本發明第三實施例之立體示意圖(二)。
[圖7] 為本發明第四實施例之立體示意圖(一)。
[圖8] 為本發明第四實施例之立體示意圖(二)。
[圖9] 為空白區的寬度W1/W2/W3/W4或各上接地層、下接地層的邊緣與凸出部分之端面的第一距離D1/第二距離D2/第三距離D3/第四距離D4為0 mm時,探針組件之插入損失相對於測試頻率的曲線圖。
[圖10] 為空白區的寬度W1/W2/W3/W4或第一距離D1/第二距離D2/第三距離D3/第四距離D4為0.5 mm時,探針組件之插入損失相對於測試頻率的曲線圖。
[圖11] 為空白區的寬度W1/W2/W3/W4或第一距離D1/第二距離D2/第三距離D3/第四距離D4為0.8 mm時,探針組件之插入損失相對於測試頻率的曲線圖。
100:探針組件
11:介電層
111:上表面
111A:第一上空白區
111B:第二上空白區
111G1:第一上接地區
111G2:第二上接地區
111G3:第三上接地區
113:第一側面
114:第二側面
115:第三側面
119:導電通孔
12:第一訊號線路
121:第一頭部區段
122:第一尾部區段
123:第一彈簧針
123B:針身部
123T:伸縮部
13:第二訊號線路
131:第二頭部區段
132:第二尾部區段
133:第二彈簧針
133B:針身部
133T:伸縮部
141:第一上接地層
142:第二上接地層
143:第三上接地層
L1:長度
L2:長度
W1:寬度
W3:寬度
Claims (10)
- 一種探針組件,包含: 一介電層,包含一上表面、一下表面、一第一側面、一第二側面與一第三側面,該第一側面與該第二側面彼此相對,該第三側面位於該第一側面與該第二側面之間,該上表面包含一第一上空白區、一第二上空白區、一第一上接地區與一第二上接地區,且該下表面包含一第一下空白區與一第二下空白區; 一第一訊號線路,設置於該上表面,該第一訊號線路包含一第一頭部區段與一第一尾部區段,該第一頭部區段之一端連接於該第一尾部區段,該第一頭部區段之另一端指向該第三側面,該第一上空白區與該第一下空白區位於該第一頭部區段與該第一側面之間,該第一上接地區位於該第一尾部區段與該第一側面之間; 一第二訊號線路,設置於該上表面且與該第一訊號線路相間隔,該第二訊號線路包含一第二頭部區段與一第二尾部區段,該第二頭部區段之一端連接於該第二尾部區段,該第二頭部區段之另一端指向該第三側面,該第二上空白區與該第二下空白區位於該第二頭部區段與該第二側面之間,該第二上接地區位於該第二尾部區段與該第二側面之間; 一第一彈簧針,設置於該第一頭部區段,該第一彈簧針包含一針身部與一伸縮部; 一第二彈簧針,設置於該第二頭部區段,該第二彈簧針包含一針身部與一伸縮部; 一第一上接地層,設置於該第一上接地區; 一第二上接地層,設置於該第二上接地區;及 一下接地層,設置於該下表面但不通過該第一下空白區與該第二下空白區。
- 如請求項1所述之探針組件,其中該第一上接地層、該第二上接地層與該下接地層共地。
- 如請求項2所述之探針組件,其中該介電層更包含一第三上接地區,位於該第一尾部區段與該第二尾部區段之間,該探針組件更包含一第三上接地層,設置於該第三上接地區,其中該第一上接地層、該第二上接地層、該第三上接地層與該下接地層共地。
- 如請求項3所述之探針組件,其中該介電層更包含複數導電通孔,至少一該導電通孔電性連接該第一上接地層與該下接地層,至少一該導電通孔電性連接該第二上接地層與該下接地層,且至少一該導電通孔電性連接該第三上接地層與該下接地層。
- 如請求項1所述之探針組件,其中該第一上空白區沿一第一方向具有一寬度W1,該第一下空白區沿該第一方向具有一寬度W2,該第二上空白區沿該第一方向具有一寬度W3,該第二下空白區沿該第一方向具有一寬度W4,其中W1≧0.8 mm,W2≧0.8 mm,W3≧0.8 mm,且W4≧0.8 mm。
- 如請求項1至5任一項所述之探針組件,其中該第一上空白區沿該上表面之法線方向之投影與該第一下空白區沿該下表面之法線方向之投影重合,且該第二上空白區沿該上表面之法線方向之投影亦與該第二下空白區沿該下表面之法線方向之投影重合。
- 一種探針組件,包含: 一介電層,包含一本體部分與一凸出部分,該凸出部分自該本體部分之一側面沿一第一方向朝遠離該側面之方向凸出; 一第一訊號線路,設置於該介電層之上表面,該第一訊號線路包含一第一頭部區段與一第一尾部區段,該第一頭部區段設置於該凸出部分,該第一尾部區段設置於該本體部分,該第一頭部區段之一端連接於該第一尾部區段,該第一頭部區段之另一端指向該凸出部分之一端面; 一第二訊號線路,設置於該介電層之上表面且與該第一訊號線路相間隔,該第二訊號線路包含一第二頭部區段與一第二尾部區段,該第二頭部區段設置於該凸出部分,該第二尾部區段設置於該本體部分,該第二頭部區段之一端連接於該第二尾部區段,該第二頭部區段之另一端指向該端面; 一第一彈簧針,設置於該第一頭部區段,該第一彈簧針包含一針身部與一伸縮部; 一第二彈簧針,設置於該第二頭部區段,該第二彈簧針包含一針身部與一伸縮部; 一上接地層,設置於該本體部分之上表面;及 一下接地層,設置於該本體部分之下表面與該凸出部分之下表面。
- 如請求項7所述之探針組件,其中該上接地層與該下接地層共地。
- 如請求項8所述之探針組件,其中該介電層更包含一導電通孔,該導電通孔電性連接該上接地層與該下接地層。
- 如請求項7所述之探針組件,其中該上接地層具有一第一邊緣與一第二邊緣,該第一邊緣與該第二邊緣分別位於該凸出部分之兩側且相鄰於該本體部分之側面;該下接地層具有一第三邊緣與一第四邊緣,該第三邊緣與該第四邊緣分別位於該凸出部分之兩側且相鄰於本體部分之側面;該第一邊緣與該端面之間沿該第一方向具有一第一距離D1,該第二邊緣與該端面之間沿該第一方向具有一第二距離D2,該第三邊緣與該端面之間沿該第一方向具有一第三距離D3,該第四邊緣與該端面之間沿該第一方向具有一第四距離D4,其中D1≧0.8 mm,D2≧0.8 mm,D3≧0.8 mm,且D4≧0.8 mm。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109131000A TWI739592B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 探針組件 |
CN202110966250.0A CN114236198B (zh) | 2020-09-09 | 2021-08-23 | 探针组件 |
US17/469,412 US11543430B2 (en) | 2020-09-09 | 2021-09-08 | Probe assembly |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW109131000A TWI739592B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 探針組件 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI739592B true TWI739592B (zh) | 2021-09-11 |
TW202210842A TW202210842A (zh) | 2022-03-16 |
Family
ID=78778023
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW109131000A TWI739592B (zh) | 2020-09-09 | 2020-09-09 | 探針組件 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11543430B2 (zh) |
CN (1) | CN114236198B (zh) |
TW (1) | TWI739592B (zh) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2804876Y (zh) * | 2005-04-30 | 2006-08-09 | 董玟昌 | 一种微机电探针电路薄膜 |
TW200708740A (en) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Via Tech Inc | Testing assembly for electric test of electric package and testing socket thereof |
TW200813436A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Microelectonics Technology Inc | High frequency cantilever probe card |
US20090079451A1 (en) * | 2005-06-08 | 2009-03-26 | Cascade Microtech, Inc. | High frequency probe |
TW201522978A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-16 | Mpi Corp | 高頻探針模組 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3460031A (en) * | 1966-06-08 | 1969-08-05 | Industrial Nucleonics Corp | Microwave waveguide moisture measurement |
US4697143A (en) * | 1984-04-30 | 1987-09-29 | Cascade Microtech, Inc. | Wafer probe |
US4894612A (en) * | 1987-08-13 | 1990-01-16 | Hypres, Incorporated | Soft probe for providing high speed on-wafer connections to a circuit |
US5561378A (en) * | 1994-07-05 | 1996-10-01 | Motorola, Inc. | Circuit probe for measuring a differential circuit |
US5508630A (en) * | 1994-09-09 | 1996-04-16 | Board Of Regents, University Of Texas Systems | Probe having a power detector for use with microwave or millimeter wave device |
US6343369B1 (en) * | 1998-09-15 | 2002-01-29 | Microconnect, Inc. | Methods for making contact device for making connection to an electronic circuit device and methods of using the same |
TWI264554B (en) * | 2005-07-14 | 2006-10-21 | Chunghwa Telecom Co Ltd | Grounding type structure of Integrated circuit test socket |
US7808226B1 (en) * | 2005-10-26 | 2010-10-05 | Research Electronics International | Line tracing method and apparatus utilizing non-linear junction detecting locator probe |
US20070222468A1 (en) * | 2006-03-22 | 2007-09-27 | Mctigue Michael T | High bandwidth probe system |
US7659790B2 (en) * | 2006-08-22 | 2010-02-09 | Lecroy Corporation | High speed signal transmission line having reduced thickness regions |
CN101738509B (zh) * | 2008-11-24 | 2011-11-30 | 旺矽科技股份有限公司 | 高频垂直式探针装置 |
US8884640B2 (en) * | 2011-04-28 | 2014-11-11 | Mpi Corporation | Integrated high-speed probe system |
CN106443079A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | 旺矽科技股份有限公司 | 整合式高速测试模块 |
KR101817858B1 (ko) * | 2016-05-12 | 2018-01-11 | 국방과학연구소 | 안테나의 방사특성 측정용 프로브 |
US10852322B1 (en) * | 2017-12-08 | 2020-12-01 | Signal Microwave, LLC | High-frequency data differential testing probe |
US10914756B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-02-09 | Keysight Technologies, Inc. | Miniature test probe |
-
2020
- 2020-09-09 TW TW109131000A patent/TWI739592B/zh active
-
2021
- 2021-08-23 CN CN202110966250.0A patent/CN114236198B/zh active Active
- 2021-09-08 US US17/469,412 patent/US11543430B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN2804876Y (zh) * | 2005-04-30 | 2006-08-09 | 董玟昌 | 一种微机电探针电路薄膜 |
US20090079451A1 (en) * | 2005-06-08 | 2009-03-26 | Cascade Microtech, Inc. | High frequency probe |
TW200708740A (en) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Via Tech Inc | Testing assembly for electric test of electric package and testing socket thereof |
TW200813436A (en) * | 2006-09-13 | 2008-03-16 | Microelectonics Technology Inc | High frequency cantilever probe card |
TW201522978A (zh) * | 2013-12-13 | 2015-06-16 | Mpi Corp | 高頻探針模組 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114236198A (zh) | 2022-03-25 |
US11543430B2 (en) | 2023-01-03 |
US20220074970A1 (en) | 2022-03-10 |
CN114236198B (zh) | 2024-04-02 |
TW202210842A (zh) | 2022-03-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101329595B1 (ko) | 임피던스 컨트롤되는 비어 구조 | |
JP3710652B2 (ja) | ストリップライン給電装置 | |
KR100282274B1 (ko) | 입체적으로 스트립선로를 사용한 전송회로 | |
JP2008526034A (ja) | 直交型アーキテクチャ電子システムに特に適用可能な中立面 | |
JP2008525972A (ja) | 直交型アーキテクチャ電子システムに特に適用可能な中立面 | |
US7173433B2 (en) | Circuit property measurement method | |
US9313890B2 (en) | Attenuation reduction structure for high frequency signal contact pads of circuit board | |
TWI616134B (zh) | 電路板高頻焊墊區之接地圖型結構 | |
JP4427645B2 (ja) | コンタクトプローブ、そのコンタクトプローブに用いる測定用パッド、及びそのコンタクトプローブの作製方法 | |
JP3583706B2 (ja) | 高周波信号伝送用回路基板、その製造方法及びそれを用いた電子機器 | |
KR101577370B1 (ko) | 마이크로웨이브 필터 | |
TWI739592B (zh) | 探針組件 | |
TWI722811B (zh) | 檢查裝置 | |
JP2011506925A (ja) | Eco接触器 | |
TWI672506B (zh) | 射頻探針卡裝置及其間距轉換板 | |
JP5228925B2 (ja) | 高周波用コンタクタ | |
JP4775956B2 (ja) | 高周波ソケット | |
TWI778549B (zh) | 探針單元 | |
JP4402259B2 (ja) | 同軸プローブ | |
TWI397694B (zh) | 同軸電纜探針結構 | |
JP7255702B2 (ja) | 高周波線路接続構造 | |
WO2009157563A1 (ja) | 伝送線路基板及び高周波部品の測定装置 | |
CN215732135U (zh) | 传输线路以及电子设备 | |
TWI684010B (zh) | 探針結構 | |
KR100293422B1 (ko) | 회로기판 |