TWI616134B - 電路板高頻焊墊區之接地圖型結構 - Google Patents

Description

電路板高頻焊墊區之接地圖型結構

本發明係關於一種改善電路板高頻信號傳輸品質的結構設計，特別關於一種電路板高頻焊墊區之接地圖型結構。

在現今使用的各種電子裝置中，由於信號線傳輸資料量越來越大，因此所需要的信號傳輸線數量不但越來越多，傳輸信號的頻率也越來越高，故目前已普遍採用差模(Differential Mode)信號傳輸的技術以降低電磁干擾(EMI)，例如USB或LVDS(Low Voltage Differential Signaling)或EDP(Embedded Display Port)信號就大量使用這種傳輸技術來降低電磁干擾。

在差模信號傳輸的技術中，主要是以兩條差模信號線組成一信號對，傳送振幅相等、相位相反的信號。由於兩條差模信號線之信號振幅相等，與接地線之間的耦合電磁場的振幅也相等，同時兩條信號線的相位相反，其電磁場將相互抵消，因此具有較佳的電磁干擾防制效果。

雖然差模信號傳輸的技術可以大大地改善信號傳送可能發生的問題，但若設計不良，則在實際應用時，往往會有訊號反射、電磁波發散、訊號傳送接收漏失、訊號波形變形等問題。 特別是在電路板的基板厚度薄的狀況下，這些信號傳送的問題會較為嚴重。會造成這些問題的原因例如包括：差模信號線在長度 延伸方向之阻抗匹配不良、差模信號線與接地層間之電容耦合效應控制不良、高頻焊墊區與接地層間之電容耦合效應控制不良、差模信號線與高頻焊墊區的阻抗不匹配...等。

又例如在電路板在插接至一連接器母座的插接槽時，差模信號線與高頻焊墊區與連接器母座內部的導電端子間所產生的寄生電容及電感會造成高次諧波(Harmonic)反射與損耗，進而影響到高頻信號傳送的品質。

又例如在電路板上配置一連接器的應用場合中，差模信號線與高頻焊墊區與連接器之信號導接腳間所產生的寄生電容及電感亦會影響到高頻信號傳送的品質。

在現有的技術下，如何防止電路板在差模信號線之長度延伸方向受到電磁波輻射干擾及阻抗匹配之問題，目前已有許多研發出的技術足以予以克服。然而，在差模信號線與電路板上所佈設的高頻焊墊區連接處及鄰近區域，由於受到差模信號線的線寬(線寬極小)與連接器之信號導接腳及零組件尺寸規格(相對於信號線的線寬具有較大的尺寸)之限制，至目前為止，此技術領域業者則尚無有效的解決方法來確保高頻信號傳送的品質。

此外，在電路板在插接至一連接器母座的插接槽以及在電路板上配置一連接器的應用場合中，差模信號線與高頻焊墊區與連接器母座之導電端子、連接器之信號導接腳間之高頻信號傳送的品質問題，至目前為止亦無任何可行的有效方法來確保。

緣此，本發明的之一目的是提供電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其係在電路板的高頻焊墊區對應位置處，形成有一接地圖型結構，該接地圖型結構與該高頻焊墊區之間形成良 好的阻抗匹配，降低了信號傳輸時之高次諧波反射與損耗，進而改善該電路板之差模信號線之信號傳輸品質。

本發明為解決習知技術之問題所採用之技術手段係在一基板的元件面佈設有至少一對高頻焊墊區，至少一對差模信號線佈設在該基板並連接於該高頻焊墊區。基板之接地面在對應於該差模信號線的位置處，形成有一接地層，該接地層與該差模信號線之間，形成一第一電容耦合。基板之接地面在對應於該高頻焊墊區的鄰近位置處，形成有一接地圖型結構，該接地圖型結構與該接地層形成電導通，並與該高頻焊墊區之間形成一與該第一電容耦合相匹配之第二電容耦合。

本發明之接地圖型結構可為鏤空區或鏤空區的結構，亦可為由複數個固定尺寸或漸變尺寸的網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。

本發明在接地層與接地圖型結構之間更可包括有一臨界圖型區，該臨界圖型區係對應於該高頻焊墊區與該差模信號線連接之鄰近區域，且該臨界圖型區係由複數個固定尺寸或漸變尺寸的網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。

經由本發明所採用之技術手段，可使電路板的接地層與佈設在電路板的差模信號線之間形成之第一電容耦合可與接地圖型結構與高頻焊墊區之間形成之第二電容耦合相匹配，故使得差模信號線所傳送的高頻信號由延伸區段送至高頻焊墊區時，達到兩區段之阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

再者，本發明中的臨界圖型區使得該接地層與差模 信號線之間形成之電容耦合可與臨界圖型區與差模信號線之間形成之電容耦合相匹配，故使得差模信號線所傳送的高頻信號由延伸區段送至高頻焊墊區間之臨界區域時，達到阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

而在電路板結合連接器之應用場合時，差模信號線在傳送高頻差模信號、並將高頻差模信號導送至信號導接腳時，藉由本發明的接地圖型結構設計，亦可以使差模信號線所傳送的高頻信號由延伸區段送至高頻焊墊區時，達到兩區段之阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

本發明所採用的具體技術，將藉由以下之實施例及附呈圖式作進一步之說明。

100、200‧‧‧電路板

1‧‧‧基板

11‧‧‧第一端

12‧‧‧第二端

13‧‧‧延伸區段

14‧‧‧元件面

15‧‧‧接地面

16‧‧‧絶緣覆層

2‧‧‧焊墊區

2a、2b‧‧‧高頻焊墊區

21‧‧‧隔絶區

22‧‧‧縮短高頻焊墊區段

23‧‧‧虛留區段

3a、3b‧‧‧差模信號線

3c‧‧‧共模信號導線

4‧‧‧屏蔽層

41‧‧‧阻抗控制結構

5‧‧‧接地層

51‧‧‧臨界側緣

6、6a、6b、6c、6d、 6e、6f、6g、6h、6i、6j‧‧‧接地圖型結構

61a、61b‧‧‧鏤空區

62‧‧‧臨界圖型區

63a、63b‧‧‧鏤空區

7‧‧‧連接器母座

71‧‧‧電路板

72‧‧‧插接槽

73‧‧‧導電端子

8‧‧‧連接器

81‧‧‧高頻信號導接腳

c1‧‧‧第一電容耦合

c2‧‧‧第二電容耦合

d‧‧‧基板厚度

I1‧‧‧延伸方向

I2‧‧‧凸伸方向

P‧‧‧電力線

G‧‧‧接地線

S‧‧‧高頻差模信號

第1圖顯示本發明第一實施例之立體分解圖。

第2圖顯示本發明第一實施例之立體圖。

第3圖顯示第2圖中3-3斷面的剖視圖。

第4圖顯示第2圖中4-4斷面的剖視圖。

第5圖顯示第2圖的仰視圖。

第6圖顯示第5圖的接地圖型結構可更結合有一臨界圖型區之示意圖。

第6A圖顯示接地圖型結構之變化例一。

第6B圖顯示接地圖型結構之變化例二。

第6C圖顯示接地圖型結構之變化例三。

第6D圖顯示接地圖型結構之變化例四。

第6E圖顯示接地圖型結構之變化例五。

第6F圖顯示接地圖型結構之變化例六。

第6G圖顯示接地圖型結構之變化例七。

第6H圖顯示接地圖型結構之變化例八。

第6I圖顯示接地圖型結構之變化例九。

第7圖顯示本發明第一實施例之電路板可插置一連接器母座之分離示意圖。

第8圖顯示本發明第二實施例之立體分解圖。

第9圖顯示本發明第二實施例之側視示意圖。

第10圖顯示第8圖中接地圖型結構之示意圖。

第11圖顯示第9圖中的高頻焊墊區可進一步在每一個高頻焊墊區中包括有一隔絶區之側視示意圖。

參閱第1~2圖所示，其中第1圖顯示本發明第一實施例之立體分解圖，第2圖顯示本發明第一實施例之立體圖。本實施例之電路板100包括有一基板1，該基板1具有一第一端11、一第二端12、以及介於該第一端11與該第二端12間以一延伸方向I1延伸之一延伸區段13。

複數個焊墊區2，彼此相鄰且絶緣地佈設在該基板1之元件面14，並鄰近於該基板1之第一端11。各個焊墊區2中包括有至少一對高頻焊墊區2a、2b。

延伸區段13佈設有至少一對差模信號線3a、3b，用以載送至少一高頻差模信號S。差模信號線3a、3b分別連接於對 應的高頻焊墊區2a、2b。延伸區段13中亦包括有共模信號導線3c、電力線P、接地線G，這些信號線亦連接於指定的焊墊區2。

同時參閱第3圖及第4圖，基板1具有一預定的基板厚度d，並在該基板1的其中一表面作為元件面14，另一對應的表面作為接地面15。在實際產品中，基板1之元件面14可形成有一絶緣覆層16以及形成在該絶緣覆層16上之一屏蔽層4，且在該屏蔽層4形成有一阻抗控制結構41。

該基板1之接地面15在對應於差模信號線3a、3b的位置處，形成有一接地層5，該接地層5與該差模信號線3a、3b之間，形成一第一電容耦合c1。第一電容耦合c1與差模信號線3a、3b之線寬、基板1之基板厚度d有關。

該接地層5定義有一臨界側緣51，並由該臨界側緣51向高頻焊墊區2a、2b的凸伸方向I2延伸出一接地圖型結構6，該接地圖型結構6與該接地層5形成電導通，並與該高頻焊墊區2a、2b之間，藉由該接地圖型結構6形成一第二電容耦合c2。第二電容耦合c2與高頻焊墊區2a、2b之面積大小、基板1之基板厚度d、接地圖型結構6的圖型有關。

同時參閱第1圖及第5圖，其顯示接地圖型結構6係包括有至少一對鏤空區61a、61b分別對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區2a、2b。

藉由該具有鏤空區61a、61b之接地圖型結構6之設計，使得該接地層5與該差模信號線3a、3b之間形成之第一電容耦合c1可與接地圖型結構6與高頻焊墊區2a、2b之間形成之第二電容耦合c2相匹配，故使得差模信號線3a、3b所傳送的高頻信號S由延伸區段13送至高頻焊墊區2a、2b時，達到兩區段之 阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號S傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

參閱第6圖所示，其顯示接地層5與接地圖型結構6間之臨界側緣51的鄰近處更可更包括有一臨界圖型區62，亦即該臨界圖型區62係對應於該高頻焊墊區2a、2b與該差模信號線3a、3b兩者相連接之鄰近區域。圖中所示臨界圖型區62係以具有複數個開口之空洞圖型結構為例，且該臨界圖型區62係為一具有漸變尺寸的空洞圖型結構，亦即該臨界圖型區62之空洞圖型結構在連接於該接地層5之開口尺寸較小，越往該高頻焊墊區2a、2b之凸伸方向I2之開口尺寸較大。臨界圖型區62亦可為由其它幾何結構型式的複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。

藉由該臨界圖型區62之設計，使得該接地層5與該差模信號線3a、3b之間形成之電容耦合可與臨界圖型區62與差模信號線3a、3b之間形成之電容耦合相匹配，故使得差模信號線3a、3b所傳送的高頻信號由延伸區段13送至高頻焊墊區2a、2b間之臨界區域時，達到阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

接地圖型結構6亦可以設計成其它各種不同的圖型結構型態。例如，第6A圖顯示接地圖型結構6a可為一較大面積的鏤空區，而該鏤空區係對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區2a、2b、且含蓋該兩個相鄰的高頻焊墊區2a、2b。在接地層5與接地圖型結構6a間之連接區域亦可包括有一具有漸變尺寸之臨界圖型區62。

第6B圖顯示接地圖型結構6b可由複數個方形或矩 形空洞圖型結構所組成之空洞圖型結構，且在接地層5與接地圖型結構6b間之連接區域更可包括有一由複數個方形或矩形空洞所構成且具有漸變尺寸之的臨界圖型區62。

第6C圖相似於第6B圖的結構，其差異係在接地圖型結構6c係設計成具有漸變尺寸的空洞圖型結構。亦即，接地圖型結構6c在連接於該接地層5處之空洞尺寸較大，越往該高頻焊墊區2a、2b之方向之空洞尺寸較小。

第6D圖顯示接地圖型結構6d可包括有複數個菱形空洞圖型結構所組成之空洞圖型結構，且在接地層5與接地圖型結構6d間之連接區域更可包括有一由複數個菱形空洞所構成且具有漸變尺寸的臨界圖型區62。

第6E圖相似於第6D圖的結構，其差異係在接地圖型結構6e係設計成具有漸變尺寸的空洞圖型結構。亦即，接地圖型結構6e在連接於該接地層5處之空洞尺寸較大，越往該高頻焊墊區2a、2b之方向之空洞尺寸較小。

第6F圖顯示接地圖型結構6f可包括複數個圓形空洞圖型結構所組成之空洞圖型結構，且在接地層5與接地圖型結構6f間之連接區域更可包括有一由複數個圓形空洞所構成且具有漸變尺寸的臨界圖型區62。

第6G圖相似於第6F圖的結構，其差異係在接地圖型結構6f係設計成具有漸變尺寸的空洞圖型結構。亦即，接地圖型結構6g在連接於該接地層5處之空洞尺寸較大，越往該高頻焊墊區2a、2b之方向之空洞尺寸較小。

第6H圖顯示接地圖型結構6h可為網格狀開口所構成之網格狀空洞圖型結構，且在接地層5與接地圖型結構6h間之 連接區域更可包括有一由複數個網格狀空洞所構成且具有漸變尺寸的臨界圖型區62。

第6I圖相似於第6H圖的結構，其差異係在接地圖型結構6i係設計成具有漸變尺寸的空洞圖型結構。亦即，接地圖型結構6i在連接於該接地層5處之空洞尺寸較大，越往該高頻焊墊區2a、2b之方向之空洞尺寸較小。

參閱第7圖所示，其顯示本發明第一實施例之電路板100可插置一連接器母座之示意圖。其顯示一連接器母座7係設置於一電路板71上。當本發明之電路板100插入至連接器母座7之插接槽72時，電路板100之各高頻焊墊區2a、2b可定位接觸於連接器母座7內所佈設之導電端子73。此時，接地層5與差模信號線3a、3b之間形成一第一電容耦合，而接地圖型結構6與導電端子73之間，則形成一第二電容耦合。

參閱第8圖及第9圖所示，其分別顯示本發明第二實施例之立體分解圖及側視示意圖。本實施例之電路板200的大部份結構與前述第一實施例相同，其差異在於基板1的元件面14的第一端11佈設有二排以上的複數個焊墊區2，並在該焊墊區2上的對應位置可結合一習知的連接器8或習知的積體電路元件，且該連接器8的信號導接腳81可經由習知的焊料焊著於焊墊區2。

同時參閱第10圖所示，在接地層5的接地圖型結構6j中係在對應於高頻焊墊區2a、2b處形成鏤空區63a、63b。當連接器8焊著定位在高頻焊墊區2a、2b時，接地層5與差模信號線3a、3b之間形成一第一電容耦合，而接地圖型結構6j與高頻焊墊區2a、2b之間，則形成一第二電容耦合。

藉由該接地圖型結構6j之設計，同樣可以使差模信 號線3a、3b所傳送的高頻信號由延伸區段13送至高頻焊墊區2a、2b時，達到兩區段之阻抗匹配效果，進而降低了高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

本實施例的接地圖型結構6j亦可以設計成其它如同前一實施例中第6A~6I圖所示之各種不同的圖型結構型態。例如，接地圖型結構6j可由複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構，且這些空洞圖型結構亦可為具有漸變尺寸之的圖型結構。

相同於前一實施例，本實施例之接地層5與接地圖型結構6j間之連接區域亦可包括有一臨界圖型區62，該臨界圖型區62係對應於該高頻焊墊區2a、2b與該差模信號線3a、3b連接之鄰近區域，可使得該接地層5與該差模信號線3a、3b之間形成之電容耦合可與臨界圖型區62與差模信號線3a、3b之間形成之電容耦合相匹配，以達到降低高頻差模信號傳送失誤的機率及確保高頻信號傳輸的品質。

第11圖顯示第9圖中的高頻焊墊區2可進一步在每一個高頻焊墊區2a、2b中包括有一隔絶區21，將該高頻焊墊區2a、2b隔絶區分出一縮短高頻焊墊區段22及一與該縮短高頻焊墊區段22彼此絶緣的虛留區段23。而接地圖型結構6g僅對應於縮短高頻焊墊區段22的長度，並未延伸到虛留區段23。

當一連接器8結合在基板1的元件面14時，連接器8的信號導接腳81僅焊著於縮短高頻焊墊區段22。藉由該縮短長度的高頻焊墊區段22及接地圖型結構6g，可以降低高頻焊墊區與接地層之間的電容效應，而虛留區段23則可作為電路板之機構強度補強的作用。

以上所舉實施例僅係用以說明本發明，並非用以限制本發明之範圍，凡其他未脫離本發明所揭示之精神下而完成的等效修飾或置換，均應包含於後述申請專利範圍內。

100‧‧‧電路板

1‧‧‧基板

11‧‧‧第一端

12‧‧‧第二端

13‧‧‧延伸區段

14‧‧‧元件面

15‧‧‧接地面

2‧‧‧焊墊區

2a、2b‧‧‧高頻焊墊區

3a、3b‧‧‧差模信號線

3c‧‧‧共模信號導線

5‧‧‧接地層

51‧‧‧臨界側緣

6‧‧‧接地圖型結構

61a、61b‧‧‧鏤空區

62‧‧‧臨界圖型區

I1‧‧‧延伸方向

I2‧‧‧凸伸方向

P‧‧‧電力線

G‧‧‧接地線

S‧‧‧高頻差模信號

Claims (20)

1. 一種電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，該電路板包括有：一基板，具有一第一端、一第二端、以及介於該第一端與該第二端間以一延伸方向延伸之一延伸區段，該基板具有一預定的基板厚度，並在該基板的其中一表面作為元件面，另一對應的表面作為接地面；至少一對高頻焊墊區，彼此相鄰且絶緣地佈設在該基板之元件面，並鄰近於該基板之第一端；至少一對差模信號線，兩者彼此相鄰且絶緣地佈設在該基板之延伸區段並分別連接於該相鄰的高頻焊墊區，該至少一對差模信號線載送至少一高頻差模信號；其特徵在於：該基板之接地面在對應於該差模信號線的位置處，形成有一接地層，該接地層與該差模信號線之間，形成一第一電容耦合；該基板之接地面在對應於該高頻焊墊區的鄰近位置處，形成有一接地圖型結構，該接地圖型結構與該接地層形成電導通，並與該高頻焊墊區之間形成一與該第一電容耦合相匹配之第二電容耦合；該高頻焊墊區更包括有一隔絶區，該隔絶區將該高頻焊墊區隔絶區分出一縮短高頻焊墊區段及一與該縮短高頻焊墊區段彼此絶緣的虛留區段。
2. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係包括有至少一對鏤空區，而該鏤空區係分別對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區。
3. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係包括有至少一鏤空區，而該鏤空區係對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區、且含蓋該兩個相鄰的高頻焊墊區。
4. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係由複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。
5. 根據申請專利範圍第4項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該空洞圖型結構係為一具有漸變尺寸的空洞圖型結構，亦即該空洞圖型在連接於該接地層之開口尺寸較大，越往該高頻焊墊區之方向之開口尺寸較小。
6. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地層與該接地圖型結構之間更包括有一臨界圖型區，該臨界圖型區係對應於該高頻焊墊區與該差模信號線兩 者相連接之鄰近區域，且該臨界圖型區係由複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。
7. 根據申請專利範圍第6項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該臨界圖型區係為一具有漸變尺寸的空洞圖型結構，亦即該臨界圖型區之空洞圖型結構在連接於該接地層之開口尺寸較小，越往該高頻焊墊區之方向之開口尺寸較大。
8. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該基板之第一端係插置入一連接器母座之插接槽，該高頻焊墊區接觸導通於該插接槽中的至少一導電端子。
9. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係僅對應於該高頻焊墊區之縮短高頻焊墊區段。
10. 根據申請專利範圍第1項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該電路板之元件面形成有一絶緣覆層以及形成在該絶緣覆層上之一屏蔽層，且在該屏蔽層形成有一阻抗控制結構。
11. 一種電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，該電路板包括有：一基板，具有一第一端、一第二端、以及介於該第一端與該第二端間以一延伸方向延伸之一延伸區段，該基板具有一預定的基板厚度，並在該基板的其中一表面作為元件面，另一對應的表面作為接地面；至少一對高頻焊墊區，彼此相鄰且絶緣地佈設在該基板之元件面，並鄰近於該基板之第一端；至少一對差模信號線，兩者彼此相鄰且絶緣地佈設在該基板之延伸區段的元件面，並分別連接於該相鄰的高頻焊墊區，該至少一對差模信號線兩兩呈對，用以載送至少一高頻差模信號；至少一連接器，具有複數個信號導接腳，各個信號導接腳中的高頻信號導接腳係對應地焊著定位在該高頻焊墊區；其特徵在於：該基板之接地面在對應於該差模信號線的位置處，形成有一接地層，該接地層與該差模信號線之間，形成一第一電容耦合；該基板之接地面在對應於該高頻焊墊區的鄰近位置處，形成有一接地圖型結構，該接地圖型結構與該接地層形成電導通，並與該高頻焊墊區與該連接器之信號導接腳之間，形成一與該第一電容耦合相匹配之第二電容耦合；該高頻焊墊區更包括有一隔絶區，該隔絶區將該高頻焊墊區隔絶區分出一縮短高頻焊墊區段及一與該縮短高頻焊墊區段彼此絶緣的虛留區段。
12. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係包括有至少一對鏤空區，而該鏤空區係分別對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區。
13. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係包括有至少一鏤空區，而該鏤空區係對應於該兩個相鄰的高頻焊墊區、且含蓋該兩個相鄰的高頻焊墊區。
14. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係由複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。
15. 根據申請專利範圍第14項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該空洞圖型結構係為一具有漸變尺寸的空洞圖型結構，亦即該空洞圖型在連接於該接地層之開口尺寸較大，越往該高頻焊墊區之方向之開口尺寸較小。
16. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地層與該接地圖型結構之間更包括有一臨界圖型區，該臨界圖型區係對應於該高頻焊墊區與該差模信號線兩者相連接之鄰近區域，且該臨界圖型區係由複數個網格狀開口、方形開口、矩形開口、菱形開口、圓形開口之一所構成之空洞圖型結構。
17. 根據申請專利範圍第16項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該臨界圖型區係為一具有漸變尺寸的空洞圖型結構，亦即該臨界圖型區之空洞圖型結構在連接於該接地層之開口尺寸較小，越往該高頻焊墊區之方向之開口尺寸較大。
18. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該基板之第一端係插置入一連接器母座之插接槽，該高頻焊墊區接觸導通於該插接槽中的至少一導電端子。
19. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該接地圖型結構係僅對應於該高頻焊墊區之縮短高頻焊墊區段。
20. 根據申請專利範圍第11項所述之電路板高頻焊墊區之接地圖型結構，其中該電路板之元件面形成有一絶緣覆層以及形成在該絶緣覆層上之一屏蔽層，且在該屏蔽層形成有一阻抗控制結構。