JP5228925B2

JP5228925B2 - 高周波用コンタクタ

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Publication number: JP5228925B2
Application number: JP2009003780A
Authority: JP
Inventors: 邦宏佐藤; 知之神山
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 2009-01-09
Filing date: 2009-01-09
Publication date: 2013-07-03
Anticipated expiration: 2029-01-09
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Description

本発明は、高周波半導体デバイスの電気特性を検査する際に、高周波半導体デバイスとテスト用回路基板とを電気的に接続する高周波用コンタクタに関し、特に高周波信号の劣化を防止できる高周波用コンタクタに関するものである。

高周波半導体デバイスの電気特性を検査する場合、テスト用回路基板の配線を介して、テスト装置と高周波半導体デバイスとの高周波信号のやり取りを行なう。この際、高周波半導体デバイスの電極とテスト用回路基板の配線とを導通させる必要がある。従来、高周波半導体デバイスの電極とテスト用回路基板の配線とを導通させるためにコンタクタが適用されていた（例えば、特許文献１参照）。

実開平３−１２５５０３号公報

上述したコンタクタは、テスト用回路基板、ピンコンタクタ及びピンコンタクタに対向する接地導体を備える。テスト用回路基板は、配線及び配線に対向するように下面に設けられた下面接地導体から構成される。このテスト用回路基板の配線の特性インピーダンスは、一定値に整合されている。また、ピンコンタクタ及びピンコンタクタに対向する接地導体は、テスト用回路基板の配線及び下面接地導体にそれぞれ接続されている。

このコンタクタを用いて高周波半導体デバイスの電気特性を検査する場合、テスト用回路基板の配線と高周波半導体デバイスの電極との高周波信号のやり取りは、ピンコンタクタを介して行なわれる。ピンコンタクタ及びピンコンタクタに対向する接地導体のサイズや形状や設置位置は、高周波半導体デバイスのサイズ、構造等により制約を受けて定まる。このため、ピンコンタクタの特性インピーダンスを、テスト用回路基板の配線の特性インピーダンスと整合させることができない場合があった。この場合、高周波信号がピンコンタクタを通過する際に劣化するという問題があった。

本発明は上述した課題を解決するためになされ、高周波信号の劣化を防止できる高周波用コンタクタを提供することを目的とする。

第１の発明に係る高周波用コンタクタは、高周波信号用電極と接地用電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記接地ブロックに接続された第１の側面接地導体及び第２の側面接地導体と、を備え、前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、前記第１の側面接地導体は、前記誘電体基板の前記上面において、前記高周波信号用ピンコンタクタに対して、前記接地ブロックと前記高周波信号用ピンコンタクタとが対向する方向とは垂直な方向に設けられ、前記第２の側面接地導体は、前記誘電体基板の前記上面において、前記高周波信号用ピンコンタクタを挟んで前記第１の側面接地導体とは反対側に設けられていることを特徴とするものである。

第２の発明に係る高周波用コンタクタは、高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、を備え、前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、前記高周波信号用ピンコンタクタは、先端に近づくほど細くなるように構成され、前記接地ブロックは、前記高周波信号用ピンコンタクタと前記接地ブロックの前記高周波信号用ピンコンタクタに対向する部分との距離が、前記高周波信号用ピンコンタクタの先端に近づくほど短くなるように構成されていることを特徴とするものである。

第３の発明に係る高周波用コンタクタは、高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、を備え、前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、前記下面接地導体は、前記高周波信号用配線及び前記誘電体基板を挟んで前記高周波信号用ピンコンタクタと対向する部分に、前記高周波信号用ピンコンタクタ側に突出した突起部を有することを特徴とするものである。

第４の発明に係る高周波用コンタクタは、高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、を備え、前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、前記高周波信号用配線は、前記高周波信号用配線と前記高周波信号用ピンコンタクタとの接続部に近づくほど、前記高周波信号用配線の幅が前記高周波信号用ピンコンタクタの幅に近づくように構成されていることを特徴とするものである。

本発明により高周波信号の劣化を防止できる。

実施の形態１．
実施の形態１は高周波信号用電極と接地用電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタに関する。

［実施の形態１の高周波用コンタクタの構成］
以下に、実施の形態１に係る高周波用コンタクタの構成について説明する。図１は、実施の形態１に係る高周波用コンタクタに、高周波半導体デバイスが接続された状態を示す断面図である。図２は、図１の二点鎖線で囲まれた部分の斜視図である。図２は、高周波用コンタクタ１０が見易くなるように高周波半導体デバイス１２を省略して示した。

高周波用コンタクタ１０はテスト用回路基板１４及びコンタクト部１６を備える。テスト用回路基板１４は、誘電体基板１８、誘電体基板１８の下面に形成された下面接地導体２０、及び誘電体基板１８の上面に形成された高周波信号用配線２２を備える。コンタクト部１６は、誘電体基板１８の上面にそれぞれ形成された、高周波信号用ピンコンタクタ２４、接地ブロック２６、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０を備える。高周波信号用ピンコンタクタ２４は、テスト用回路基板１４の高周波信号用配線２２に接続されている。接地ブロック２６、第１の側面接地導体２８、及び第２の側面接地導体３０は、高周波信号用配線２２及び高周波信号用ピンコンタクタ２４とは離されて設けられている。

接地ブロック２６は、誘電体基板１８に設けられたビア３２を介してテスト用回路基板１４の下面接地導体２０に接続されている。また、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０は接地ブロック２６に接続され、かつ、ビア３４を介してテスト用回路基板１４の下面接地導体２０にも接続されている。そして、第１の側面接地導体２８は、誘電体基板１８の上面において、高周波信号用ピンコンタクタ２４に対して、接地ブロック２６と高周波信号用ピンコンタクタ２４とが対向する方向（図２内の実線の矢印の方向）とは垂直な方向（図２内の破線の矢印の方向）に設けられている。第２の側面接地導体３０は、誘電体基板１８の上面において、高周波信号用ピンコンタクタ２４を挟んで第１の側面接地導体２８とは反対側に設けられている。

テスト用回路基板１４において、誘電体基板１８、下面接地導体２０及び高周波信号用配線２２はマイクロストリップライン構造を構成する。このマイクロストリップライン構造において、高周波信号用配線２２と下面接地導体２０との距離（図１内のＬ１）は一定に維持され、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスは一定値に整合されている。一方、コンタクト部１６においては、接地ブロック２６及び高周波信号用ピンコンタクタ２４がマイクロストリップライン構造を構成する。

［実施の形態１の高周波用コンタクタによる検査方法］
以下に、実施の形態１に係る高周波用コンタクタ１０により、高周波半導体デバイス１２の電気特性を検査する方法について説明する。

まず、接地ブロック２６と高周波信号用ピンコンタクタ２４をそれぞれ、高周波半導体デバイス１２の接地電極３６と高周波信号用電極３８に接続する。

次に、高周波信号用配線２２を介して、テスト装置と高周波半導体デバイス１２との高周波信号のやり取りを行なって検査をする。この際、接地ブロック２６は、高周波半導体デバイス１２の接地電極３６と導通する。そして、高周波信号は、高周波信号用配線２２を通過した後、高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過して高周波半導体デバイス１２の高周波信号用電極３８に入力される。

［実施の形態１の効果］
実施の形態１の効果について説明するために、まず、高周波用コンタクタ１０に対する比較例を説明する。図３は、比較例に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。図３は実施の形態１に係る高周波用コンタクタ１０を示す図２と対応する。図３に示すように、比較例に係る高周波用コンタクタ４０は、実施の形態１に係る高周波用コンタクタ１０とは異なり、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０を有していない。そして、これ以外の構成については、比較例に係る高周波用コンタクタ４０は高周波用コンタクタ１０と同一である。なお、図３には、実施の形態６、７で参照するために、高周波信号用配線２２の幅、厚さを、Ｗ１、Ｔ１でそれぞれ示し、高周波信号用ピンコンタクタ２４の幅、厚さを、Ｗ２、Ｔ２でそれぞれ示した。

高周波用コンタクタ１０及び比較例に係る高周波用コンタクタ４０の両方において、高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６のサイズや形状や設置位置は、高周波半導体デバイスのサイズ、構造等により制約を受けて定められる。そして、高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６のサイズや形状や設置位置により、高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６から構成されるマイクロストリップライン構造が定められることとなる。この結果、このマイクロストリップライン構造においては、インダクタンス成分がテスト用回路基板１４のマイクロストリップライン構造と比較して大きくなる。このため、比較例においては、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスは、高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（一定値）よりも大きくなる。これにより、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスは、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスと整合されない。この結果、比較例においては、高周波半導体デバイス１２の検査において、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化する問題が生じる。

一方、実施の形態１に係る高周波用コンタクタ１０においては、検査時に高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際、下面接地導体２０がビア３４を介して第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０の下部に導通し、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０が接地ブロック２６に導通する。そして、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０は、高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６から構成されるマイクロストリップライン構造において、接地面としての役割を接地ブロック２６とともに担う。これにより、このマイクロストリップライン構造において容量成分は増大し、上述したインダクタンス成分が大きくなることによる特性インピーダンスへの影響は相殺される。これにより、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスが高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（一定値）よりも大きくなることを抑制できる。この結果、実施の形態１においては、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスと、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスを整合できる。従って、高周波半導体デバイス１２の検査において、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できる。

なお、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０は、ビア３４を介してテスト用回路基板１４の下面接地導体２０に接続されていないとしても、高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６から構成されるマイクロストリップライン構造において、接地面としての役割を接地ブロック２６とともに担うことができる。これにより、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できる。

実施の形態２．
以下に、実施の形態２に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態１とは異なる点を中心に説明する。

［実施の形態２の高周波用コンタクタの構成］
図４は、実施の形態２に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。高周波用コンタクタ４２は、実施の形態１の高周波用コンタクタ１０の構成に加えて誘電体基板１８の上面において、高周波信号用配線２２の両側にそれぞれ設けられた、第１の配線側部接地導体４４及び第２の配線側部接地導体４６を更に備える。高周波信号用配線２２、第１の配線側部接地導体４４、第２の配線側部接地導体４６、及び下面接地導体２０は、コプレナー線路を構成する。そして、第１の配線側部接地導体４４は、第１の側面接地導体２８と接続されている。第２の配線側部接地導体４６は、第２の側面接地導体３０と接続されている。また、第１の配線側部接地導体４４及び第２の配線側部接地導体４６は、誘電体基板１８に設けられた複数のビア４８を介して下面接地導体２０に接続されている。

［実施の形態２の効果］
実施の形態１に係る高周波用コンタクタ１０では、図２に示すように、高周波信号が高周波信号用配線２２を介して高周波半導体デバイス１２に入力される際、高周波信号が第１の側面接地導体２８の端部５０及び第２の側面接地導体３０の端部５２付近を通過する前は、下面接地導体２０のみが高周波信号に対向する接地面として機能する。しかし、高周波信号が、第１の側面接地導体２８の端部５０及び第２の側面接地導体３０の端部５２を通過した後は、第１の側面接地導体２８及び第２の側面接地導体３０も接地面として機能する。このため、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスは、第１の側面接地導体２８の端部５０及び第２の側面接地導体３０の端部５２の付近で変化し、この結果、高周波信号は第１の側面接地導体２８の端部５０及び第２の側面接地導体３０の端部５２の付近を通過する際に劣化する。

一方、実施の形態２に係る高周波用コンタクタ４２においては、高周波信号が高周波信号用配線２２のどの位置を通過する場合でも、高周波信号に対向する接地面として、第１の配線側部接地導体４４、第１の側面接地導体２８、第２の配線側部接地導体４６、第２の側面接地導体３０及び下面接地導体２０が機能する。このため、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスが、第１の側面接地導体２８の端部５０及び第２の側面接地導体３０の端部５２の付近で変化するのを抑制できる。従って、高周波半導体デバイス１２の検査において、実施の形態１よりも更に、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際の劣化を防止できる。

なお、第１の配線側部接地導体４４及び第２の配線側部接地導体４６は、ビア４８を介して下面接地導体２０に接続されていないとしても、接地面としての役割を担うことができる。これにより、高周波半導体デバイス１２の検査において、実施の形態１よりも更に、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際の劣化を防止できる。

なお、接地ブロック２６、第１の側面接地導体２８、第２の側面接地導体３０、第１の配線側部接地導体４４及び第２の配線側部接地導体４６は、部品として高周波用コンタクタ４２に取り付けるものなので、高周波信号の高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際の劣化を防止するのに最適なものを選択できる。

実施の形態３．
以下に、実施の形態３に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態２とは異なる点を中心に説明する。

図５は、実施の形態３に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。実施の形態３に係る高周波用コンタクタ５４では、実施の形態２に係る高周波用コンタクタ４２とは異なり、第１の配線側部接地導体５６及び第２の配線側部接地導体５８は高周波信号用配線２２と同じ厚さを有する。

このため、実施の形態３では、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できるとともに、第１の配線側部接地導体５６及び第２の配線側部接地導体５８は高周波信号用配線２２と同一の薄膜として形成できる。これにより、製造工程の簡略化が可能となる。

実施の形態４．
以下に、実施の形態４に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態１とは異なる点を中心に説明する。

図６は、実施の形態４に係る高周波用コンタクタを示す断面図である。この高周波用コンタクタ６０は実施の形態１とは異なる高周波信号用ピンコンタクタ６２を備える。高周波ピンコンタクタ６２は、高周波信号用電極３８に確実に接続させるために、先端に近づくほど（図６内の実線の矢印の方向に行くほど）細くなるように構成されている。接地ブロック６４は、高周波信号用ピンコンタクタ６２と、接地ブロック６４の高周波信号用ピンコンタクタ６２に対向する部分との間の距離（図６内のＬ２）が高周波信号用ピンコンタクタ６２の先端に近づくほど（図６内の実線の矢印の方向に行くほど）短くなるように構成されている。

一般に、マイクロストリップライン構造において、信号用配線が薄くなるほど特性インピーダンスは大きくなり、信号用配線と接地導体の間の距離が短くなるほど特性インピーダンスは小さくなる。上述したように、高周波信号用ピンコンタクタ６２は、先端に近づくほど細くなるように構成されている。このため、仮に、高周波信号用ピンコンタクタ６２と接地ブロック６４の高周波信号用ピンコンタクタ６２に対向する部分との間の距離がどの位置でも一定であるとすると、高周波信号用ピンコンタクタ６２と接地ブロック６４から構成されるマイクロストリップライン構造において、特性インピーダンスが高周波信号用ピンコンタクタ６２の先端に近づくほど（図６内の実線の矢印の方向に行くほど）大きくなる。この結果、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ６２を通過する際に劣化する問題が生じる。

そこで、実施の形態４では、接地ブロック６４を、高周波信号用ピンコンタクタ６２と、接地ブロック６４の高周波信号用ピンコンタクタ６２に対向する部分との間の距離が高周波信号用ピンコンタクタ６２の先端に近づくほど（図６内の実線の矢印の方向に行くほど）短くなるように構成する。従って、高周波信号用ピンコンタクタ６２と接地ブロック６４から構成されるマイクロストリップライン構造において、特性インピーダンスが高周波信号用ピンコンタクタ６２の先端に近づくほど（図６内の実線の矢印の方向に行くほど）小さくなる効果が得られる。これにより、高周波信号用ピンコンタクタ６２の先端に近づくほど特性インピーダンスが大きくなる上述の影響が相殺されることとなる。この結果、高周波半導体デバイス１２の検査において、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ６２を通過する際に劣化するのを防止できる。

実施の形態５．
以下に、実施の形態５に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態１とは異なる点を中心に説明する。

図７は、実施の形態５に係る高周波用コンタクタを示す断面図である。実施の形態５では、実施の形態１とは異なり、下面接地導体２０は、高周波信号用配線２２及び誘電体基板１８を挟んで高周波信号用ピンコンタクタ２４と対向する部分に高周波信号用ピンコンタクタ２４側に突出した突起部６８を有する。

図３に示した比較例のように高周波信号用ピンコンタクタ２４及び接地ブロック２６から構成されるマイクロストリップライン構造では、インダクタンス成分がテスト用回路基板１４のマイクロストリップライン構造と比較して大きくなる。このため、比較例においては、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスは、高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（一定値）よりも大きくなる。これにより、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスは、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスと整合されない。この結果、比較例においては、高周波半導体デバイス１２の検査において、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化する問題が生じる。

この問題を解決するために、実施の形態５では、下面接地導体２０に上述した突起部６８を形成した。これにより、高周波信号用配線２２と下面接地導体２０との間の距離は、高周波信号用ピンコンタクタ２４が設けられた箇所において、他の箇所よりも短くなる。これにより、高周波信号用ピンコンタクタ２４が設けられた箇所において、テスト用回路基板１４のマイクロストリップライン構造の容量成分が増大する。そして、この影響によって、実施の形態１の比較例で問題となっていたインダクタンス成分が大きくなることによる特性インピーダンスへの影響は相殺される。高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスが高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（一定値）よりも大きくなることを抑制できる。この結果、実施の形態５においては、高周波信号用ピンコンタクタ２４の特性インピーダンスと、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスを整合できる。従って、高周波半導体デバイス１２の検査において、高周波信号が高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できる。

実施の形態６．
以下に、実施の形態６に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態１とは異なる点を中心に説明する。

図８は、実施の形態６に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。図８では、高周波信号用配線７２の幅をＷ１、高周波信号用ピンコンタクタ２４の幅をＷ２で示した。実施の形態６では、実施の形態１とは異なり、高周波信号用配線７２は、高周波信号用ピンコンタクタ２４に近づくほど、その幅Ｗ１が高周波信号用ピンコンタクタ２４の幅Ｗ２に近づくように構成されている。なお、図８には、実施の形態７で参照するために、高周波信号用配線７２及び高周波信号用ピンコンタクタ２４の厚さをそれぞれＴ１及びＴ２で示した。

実施の形態１の比較例に係る高周波用コンタクタ４０では、図３に示すように、高周波信号用配線２２の幅Ｗ１と比較して、高周波信号用ピンコンタクタ２４の幅Ｗ２は小さくなっている。一般に、マイクロストリップライン構造において、信号用配線の幅が小さくなるほど特性インピーダンスは大きくなる。このため、比較例に係る高周波用コンタクタ４０において、特性インピーダンスは高周波信号用配線２２よりも高周波信号用ピンコンタクタ２４の方が大きくなり、高周波信号用配線２２と高周波信号用ピンコンタクタ２４の接続部付近で急激に変化する。従って、実施の形態１の比較例では、検査時に高周波信号が高周波信号用配線２２を通過した後、高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化する問題が生じる。

そこで、実施の形態６に係る高周波用コンタクタ７０では、高周波信号用配線７２を、高周波信号用ピンコンタクタ２４との接続部に近づくほど、その幅Ｗ１が高周波信号用ピンコンタクタ２４の幅Ｗ２に近づくように構成する。これにより、高周波用コンタクタ７０では、高周波信号用配線７２と高周波信号用ピンコンタクタ２４の接続部付近での幅Ｗ１と幅Ｗ２の差を原因とする特性インピーダンスの変化は緩やかになる、従って、検査時に高周波信号が高周波信号用配線７２を通過した後、高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できる。

実施の形態７．
以下に、実施の形態７に係る高周波用コンタクタについて、実施の形態６とは異なる点を中心に説明する。

図９は、実施の形態７に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。図９では、高周波信号用配線７６の厚さをＴ１、高周波信号用ピンコンタクタ２４の厚さをＴ２で示した。実施の形態７に係る高周波用コンタクタ７４では、高周波信号用配線７６を、高周波信号用ピンコンタクタ２４との接続部に近づくほど、その厚さＴ１が高周波信号用ピンコンタクタ２４の厚さＴ２に近づくように構成する。

実施の形態６に係る高周波用コンタクタ７０では、図８に示すように、高周波信号用配線７２の厚さＴ１と比較して、高周波信号用ピンコンタクタ２４の厚さＴ２は大きくなっている。一般に、マイクロストリップライン構造において、信号用配線の厚さが大きくなるほど特性インピーダンスは小さくなる。このため、実施の形態６に係る高周波用コンタクタ７０において、特性インピーダンスは高周波信号用配線７２よりも高周波信号用ピンコンタクタ２４の方が小さくなり、高周波信号用配線７２と高周波信号用ピンコンタクタ２４の接続部付近で急激に変化する。従って、検査時に高周波信号が高周波信号用配線７２を通過した後、高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化する問題が生じる。

一方、実施の形態７に係る高周波用コンタクタ７４では、高周波信号用配線７６は、高周波信号用ピンコンタクタ２４との接続部に近づくほど、その厚さＴ１が高周波信号用ピンコンタクタ２４の厚さＴ２に近づくように構成されている。このため、高周波用コンタクタ７４では、高周波信号用配線７６と高周波信号用ピンコンタクタ２４の接続部付近での厚さＴ１とＴ２の差を原因とする特性インピーダンスの変化は緩やかになる、従って、実施の形態７においては、検査時に高周波信号が高周波信号用配線７６を通過した後、高周波信号用ピンコンタクタ２４を通過する際に劣化するのを防止できる。

実施の形態１に係る高周波用コンタクタに、高周波半導体デバイスが接続された状態を示す断面図である。図１の二点鎖線で囲まれた部分の斜視図である。比較例に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。実施の形態２に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。実施の形態３に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。実施の形態４に係る高周波用コンタクタを示す断面図である。実施の形態５に係る高周波用コンタクタを示す断面図である。実施の形態６に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。実施の形態７に係る高周波用コンタクタを示す斜視図である。

１０，４０，４２，５４，６０，７０，７４高周波用コンタクタ
１２高周波半導体デバイス
１４テスト用回路基板
１８誘電体基板
２０下面接地導体
２２，７２，７６高周波信号用配線
２４，６２高周波信号用ピンコンタクタ
２６，６４接地ブロック
２８第１の側面接地導体
３０第２の側面接地導体
３６接地電極
３８高周波信号用電極
４４第１の配線側部接地導体
４６第２の配線側部接地導体
５０，５６第１の側面接地導体の端部
５２，５８第２の側面接地導体の端部
６８突起部

Claims

高周波信号用電極と接地用電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、
誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、
前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、
前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、
前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記接地ブロックに接続された第１の側面接地導体及び第２の側面接地導体と、
を備え、
前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、
前記第１の側面接地導体は、前記誘電体基板の前記上面において、前記高周波信号用ピンコンタクタに対して、前記接地ブロックと前記高周波信号用ピンコンタクタとが対向する方向とは垂直な方向に設けられ、
前記第２の側面接地導体は、前記誘電体基板の前記上面において、前記高周波信号用ピンコンタクタを挟んで前記第１の側面接地導体とは反対側に設けられていることを特徴とする高周波用コンタクタ。
第１の側面接地導体の下部、及び第２の側面接地導体の下部は、前記下面接地導体と接続されたことを特徴とする請求項１に記載の高周波用コンタクタ。
前記誘電体基板の前記上面において、前記高周波信号用配線の両側にそれぞれ設けられた、第１の配線側部接地導体及び第２の配線側部接地導体を更に備え、
前記高周波信号用配線と、前記第１の配線側部接地導体と、前記第２の配線側部接地導体と、前記下面接地導体とは、コプレナー線路を構成し、
前記第１の配線側部接地導体は、前記第１の側面接地導体と接続され、
前記第２の配線側部接地導体は、前記第２の側面接地導体と接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の高周波用コンタクタ。
前記第１の配線側部接地導体及び前記第２の配線側部接地導体は、前記高周波信号用配線と同じ厚さに形成されていることを特徴とする請求項３に記載の高周波用コンタクタ。
前記第１の配線側部接地導体の下部、及び前記第２の配線側部接地導体の下部は、前記下面接地導体と接続されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の高周波用コンタクタ。
高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、
誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、
前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、
前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、
を備え、
前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、
前記高周波信号用ピンコンタクタは、先端に近づくほど細くなるように構成され、
前記接地ブロックは、前記高周波信号用ピンコンタクタと前記接地ブロックの前記高周波信号用ピンコンタクタに対向する部分との距離が、前記高周波信号用ピンコンタクタの先端に近づくほど短くなるように構成されていることを特徴とする高周波用コンタクタ。
高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、
誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、
前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、
前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、
を備え、
前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、
前記下面接地導体は、前記高周波信号用配線及び前記誘電体基板を挟んで前記高周波信号用ピンコンタクタと対向する部分に、前記高周波信号用ピンコンタクタ側に突出した突起部を有することを特徴とする高周波用コンタクタ。
高周波信号用電極と接地電極を有する高周波半導体デバイスの電気特性を検査するための高周波用コンタクタであって、
誘電体基板と、前記誘電体基板の下面に形成された下面接地導体と、前記誘電体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造のテスト用回路基板と、
前記誘電体基板の前記上面に設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用ピンコンタクタと、
前記誘電体基板の前記上面において前記高周波信号用配線及び前記高周波信号用ピンコンタクタとは離されて設けられ、前記下面接地導体に接続された接地ブロックと、
を備え、
前記高周波信号用ピンコンタクタは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地ブロックは、検査時において前記高周波半導体デバイスの前記接地電極と導通するものであり、
前記高周波信号用配線は、前記高周波信号用配線と前記高周波信号用ピンコンタクタとの接続部に近づくほど、前記高周波信号用配線の幅が前記高周波信号用ピンコンタクタの幅に近づくように構成されていることを特徴とする高周波用コンタクタ。
前記高周波信号用配線は、前記高周波信号用配線と前記高周波信号用ピンコンタクタとの接続部に近づくほど、前記高周波信号用配線の厚さが前記高周波信号用ピンコンタクタの厚さに近づくように構成されていることを特徴とする請求項８に記載の高周波用コンタクタ。