JP5434019B2 - 検査用治具 - Google Patents

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Description

本発明は高周波半導体パッケージの検査用治具に係り、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を行うのに好適な検査用治具に関するものである。
高周波半導体パッケージの電気特性を検査する場合、検査用回路基板の配線を介して、テスト装置(コンピュータ)と高周波半導体パッケージとの高周波信号のやり取りを行なう。この際、高周波半導体パッケージの電極と検査用回路基板の配線とを導通させる必要がある。従来、高周波半導体パッケージの電極と検査用回路基板の配線とを導通させるためにコンタクタを適用した検査用治具が知られていた(特許文献1参照)。
特開2004−251720号公報
上述した従来の検査用治具は、検査用回路基板とコンタクタを備える。この検査用回路基板はマイクロストリップライン構造を有し、絶縁体基板、絶縁体基板の上面に設けられた配線および絶縁体基板の下面に設けられた接地用導体から構成される。そして、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスは、一定値(例えば、50Ω)に整合されている。一方、コンタクタは、コンタクトピンと、コンタクトピンに対向するように設けられた接地用ブロックを備える。コンタクトピンは検査用回路基板の配線に接続されている。また、接地用ブロックは、絶縁体基板のビアを介して検査用回路基板の接地用導体と接続している。
この従来の検査用治具を用いて高周波半導体パッケージの電気特性を検査する場合、検査用回路基板の配線と高周波半導体パッケージの電極との高周波信号のやり取りが、コンタクタのコンタクトピンを介して行なわれる。上述したように、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスは一定値に整合されている。一方、接地用ブロックとコンタクトピンとの距離は、高周波半導体パッケージのサイズ、構造等により制約を受けて定まる。このため、コンタクトピンの特性インピーダンスを、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスと整合させることができない場合がある。この場合、高周波信号は、コンタクトピンを通過する際に劣化する。この結果、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来ないという問題が生じていた。
本発明は、上述した課題を解決するためになされ、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来る検査用治具を提供することを目的とする。
本発明に係る検査用治具は、接地用電極と高周波信号用電極と直流電流用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線と、前記絶縁体基板の上面に形成された直流電流用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロック及び前記高周波信号用コンタクトピンとは離されて設けられ、前記直流電流用配線に接続された直流電流用コンタクトピンと、備え、前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記直流電流用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記直流電流用電極に直流電流を供給するものであり、前記接地用ブロックは、検査時において前記接地用電極に接続される上面と、前記絶縁体基板の前記上面及び前記接地用ブロックの前記上面と交差する側面とを有し、前記接地用ブロックの前記側面は、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分において前記側面の一部のみから前記側面の他の部分に対して前記高周波信号用コンタクトピンに向かって突出し、前記絶縁体基板の前記上面から前記接地用ブロックの前記上面に延在する突起部を有し、前記接地用ブロックの前記側面が前記直流電流用コンタクトピンと対向する部分には前記突起部は存在せず、前記突起部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する部分は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とするものである。
本発明により、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来る。
実施の形態1.
本発明の実施の形態1は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この検査用治具は、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。
[実施の形態1の検査用治具の構成]
以下に、この実施の形態1に係る検査用治具の構成について説明する。図1は、実施の形態1における検査用治具10に、高周波半導体パッケージ12が接続された状態を示す断面図である。図2は、図1の二点鎖線で囲まれた部分を拡大した断面図である。図3は、図2で示した部分の斜視図である。図3には、検査用治具10に対する高周波半導体パッケージ12の配置位置をあわせて示した。
検査用治具10は、検査用回路基板14とコンタクタ16を備える。検査用回路基板14は、絶縁体基板18と、絶縁体基板18の下面に形成された接地用導体20と、絶縁体基板18の上面に形成された高周波信号用配線22と、直流電流用配線24とを備える。コンタクタ16は、絶縁体基板18の上面に設けられた接地用ブロック26と、高周波信号用コンタクトピン28と、直流電流用コンタクトピン30とを備える。高周波信号用コンタクトピン28は、接地用ブロック26とは離されて設けられている。接地用ブロック26と高周波信号用コンタクトピン28は、絶縁体で構成されたハウジング32により検査用回路基板14上に固定されている。なお、図3では、検査用治具10をわかりやすく示すために、ハウジング32を省略した。
接地用ブロック26は、絶縁体基板18のビア34を介して検査用回路基板14の接地用導体20に接続されている。高周波信号用コンタクトピン28は、検査用回路基板14の高周波信号用配線22に接続されている。直流電流用コンタクトピン30は、検査用回路基板14の直流電流用配線24に接続されている。
検査用回路基板14の絶縁体基板18と、接地用導体20、および高周波信号用配線22は、マイクロストリップライン構造を構成する。このマイクロストリップライン構造においては、高周波信号用配線22と接地用導体20との距離が一定に維持されている。これにより、高周波信号用配線22の特性インピーダンスは50Ωに整合されている。一方、コンタクタ16の接地用ブロック26と、高周波信号用コンタクトピン28、および両者の間に設けられたハウジング32も、マイクロストリップライン構造を構成する。図2において示された実線の矢印は、これらのマイクロストリップライン構造における配線と接地面の距離を示すものである。これらの距離のうちの距離W1は、上述したマイクロストリップライン構造において、配線の役割を担う高周波信号用コンタクトピン28と、接地面の役割を担う接地用ブロック26の本体との間の距離を示すものである。
この実施の形態1においては、接地用ブロック26の高周波信号用コンタクトピン28と対向する部分のみに突起部36が設けられている。また、突起部36において高周波信号用コンタクトピン28と対向する対向部38は、高周波信号用コンタクトピン28と平行な面として構成されている。図2において破線の矢印で示された距離W2は、突起部36を考慮したマイクロストリップライン構造において、接地面の役割を担う突起部36と、配線の役割を担う高周波信号用コンタクトピン28との間の距離を示すものである。
[実施の形態1の検査用治具による検査方法]
以下に、この実施の形態1に係る検査用治具10により、高周波半導体パッケージ12の電気特性を検査する方法について説明する。
まず、接地用ブロック26と、高周波信号用コンタクトピン28、および直流電流用コンタクトピン30をそれぞれ、高周波半導体パッケージ12の接地用電極40と、高周波信号用電極42、および直流電流用電極44に接続する(高周波信号用電極42および直流電流用電極44への接続を図3の二点鎖線の矢印に示す。)。
次に、高周波信号用配線22を介して、テスト装置(コンピュータ)と高周波半導体パッケージ12との高周波信号のやり取りを行なって検査をする。この際、接地用ブロック26は、高周波半導体パッケージ12の接地用電極40と導通する。そして、高周波信号は、高周波信号用配線22を通過した後、高周波信号用コンタクトピン28を通過して高周波半導体パッケージ12の高周波信号用電極42に入力される。また、直流電流用コンタクトピン30は、高周波半導体パッケージ12の直流電流用電極44に直流電流を供給する。
[実施の形態1の効果]
実施の形態1の効果について説明するために、まず、この実施の形態1に係る検査用治具10に対する比較例を以下に説明する。図4は、実施の形態1における比較例に係る検査用治具46の断面図である。この比較例の検査用治具46には、検査用治具10と異なり、接地用ブロック26に突起部36が設けられていない。これ以外については、この比較例の検査用治具46の構成は、検査用治具10の構成と同一である。また、図4において示された実線の矢印、およびそれらの中で示された距離W1も検査用治具10の場合と同一の内容を示す。
この実施の形態1および比較例の両方において、距離W1は、検査の対象となる高周波半導体パッケージ12の構造等により制約を受けて定められる。そして、比較例においては、距離W1の長さにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスの大きさは変わる。このため、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを、高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)と整合できない場合がある。従って、比較例においては、高周波信号は高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に劣化する場合がある。
一方、この実施の形態1においては、接地用ブロック26の高周波信号用コンタクトピン28と対向する部分に突起部36が設けられている。このため、距離W2は距離W1より短くなり、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスは小さくなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波半導体パッケージ12の検査において、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に、高周波信号が劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージ12の電気特性を正確に検査することができる。
なお、この実施の形態1においては、突起部36を設けることのみによって特性インピーダンスを整合したが、突起部36を設けるとともに接地用ブロック26と高周波信号用コンタクトピン28との間のハウジング32の誘電率を調整することによって特性インピーダンスを整合することもできる。従って、高周波半導体パッケージ12の電気特性を正確に検査することができる。
実施の形態2.
本発明の実施の形態2は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態2に係る検査用治具は、実施の形態1と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態2に係る検査用治具について、実施の形態1とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態2の検査用治具の構成]
図5は、この実施の形態2に係る検査用治具48を示す斜視図である。図5において、実施の形態1に係る検査用治具10と同一の構成については同一の符号を付した。検査用治具48は、高周波信号用コンタクトピン50を備える。また、検査用治具48は、この高周波信号用コンタクトピン50にあわせて設けられた高周波信号用配線52を備える。この実施の形態2においては、検査対象となる高周波半導体パッケージは、実施の形態1とは異なるものである。そして、高周波信号用コンタクトピン50は、高周波半導体パッケージの高周波信号用電極の配置位置、形状に合わせて設けられている。このため、高周波信号用コンタクトピン50は、実施の形態1とは異なる方向を向くように配置されている。
実施の形態1と同様に、接地用ブロック26において、高周波信号用コンタクトピン50の絶縁体基板18とは垂直な部分と対向する部分に、突起部54が設けられている。また、突起部54において、高周波信号用コンタクトピン50の絶縁体基板18とは垂直な部分と対向する対向部56は、高周波信号用コンタクトピン50の上述した部分と平行な面として構成されている。
[実施の形態2の効果]
以上により、この実施の形態2においては、実施の形態1と同様の効果を得ることができる。
実施の形態3.
本発明の実施の形態3は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態3に係る検査用治具は、実施の形態1と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態3に係る検査用治具について、実施の形態1とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態3の検査用治具の構成]
図6は、この実施の形態3に係る検査用治具58を示す断面図である。図6において、実施の形態1に係る検査用治具10と同一の構成については同一の符号を付した。図6に示すように、突起部60の高周波信号用配線22の端部62と近接する部分には、切り欠き64が設けられている。
[実施の形態3の効果]
この検査用治具58を製造する場合、高周波信号用配線22の端部62よりも内側に高周波信号用コンタクトピン28を設ける必要がある。このため、高周波信号用配線22の端部62は、高周波信号用コンタクトピン28よりも、接地用ブロック26側に突き出すことになる。このため、切り欠き64を設けることなく突起部60を高周波信号用コンタクトピン28に近づけると、突起部60が高周波信号用配線22の端部62と接触する恐れがある。接触した場合には、接地用ブロック26と高周波信号用配線22が導通し、高周波半導体パッケージの検査ができなくなる。
この実施の形態3においては、突起部60に切り欠き64が設けられている。このため、高周波信号用配線22の端部62との接触を恐れることなく、突起部60を高周波信号用コンタクトピン28に可能な限り近づけることができる。これにより、高周波信号用コンタクトピン28と高周波信号用配線22の間で特性インピーダンスを整合するために、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスをより大きな範囲で調整することが可能になる。
実施の形態4.
本発明の実施の形態4は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態4に係る検査用治具は、実施の形態1と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態4に係る検査用治具について、実施の形態1とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態4の検査用治具の構成]
図7は、この実施の形態4に係る検査用治具66を示す断面図である。図8は、図7で示した部分の斜視図である。図7と図8において、実施の形態1に係る検査用治具10と同一の構成については同一の符号を付した。この実施の形態4においては、接地用ブロック26の高周波信号用コンタクトピン28と対向する部分に切り欠き68が設けられている。また、切り欠き68において高周波信号用コンタクトピン28と対向する内壁70は、高周波信号用コンタクトピン28と平行な面として構成されている。なお、図7に、接地用ブロック26の本体において切り欠き68が設けられた部分を破線で示した。
図7において、切り欠き68が設けられていないと想定した場合の高周波信号用コンタクトピン28と接地用ブロック26の本体との距離をW4で示す。また、高周波信号用コンタクトピン28と、切り欠き68の内壁70との距離をW5で示す。
[実施の形態4の効果]
以下に、この実施の形態4の効果について説明する。
距離W4は、検査の対象となる高周波半導体パッケージの構造等により制約を受けて定められる。そして、切り欠き68が設けられていない場合には、距離W4の長さにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスの大きさは変わる。このため、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを、高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)と整合できない場合がある。従って、切り欠き68が設けられていない場合には、高周波信号は高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に劣化する場合がある。
一方、この実施の形態4においては、接地用ブロック26の高周波信号用コンタクトピン28と対向する部分に切り欠き68が設けられている。このため、距離W5は距離W4より長くなり、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスは大きくなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
実施の形態5.
本発明の実施の形態5は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態5に係る検査用治具は、実施の形態4と同様に、接地用ブロックに切り欠きが設けられたものである。以下に、この実施の形態5に係る検査用治具について、実施の形態4の検査用治具とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態5の検査用治具の構成]
図9は、この実施の形態5に係る検査用治具72を示す斜視図である。図9において、実施の形態4に係る検査用治具66と同一の構成については同一の符号を付した。図9に示すように、接地用ブロック26に設けられた切り欠き68に、セラミックスから構成された低誘電率の絶縁体74が設けられている。
[実施の形態5の効果]
検査時において、高周波信号用コンタクトピン28が高周波半導体パッケージの高周波信号用電極からの接触を受け、接地用ブロック26側に倒れることがある。この場合に、切り欠き68に絶縁体74が設けられていないと、高周波信号用コンタクトピン28が、切り欠き68の内側にまで倒れる。このため、高周波信号用コンタクトピン28と接地用ブロック26との距離が短くなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスは小さくなる。この結果、実施の形態4のように、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができなくなる。
実施の形態5においては、切り欠き68に、セラミックスから構成された低誘電率の絶縁体74が設けられている。この場合、高周波信号用コンタクトピン28が切り欠き68の内側にまで倒れることを防止できる。このため、高周波信号用コンタクトピン28と接地用ブロック26との距離は、絶縁体74が設けられていない場合ほどは短くならない。これにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスが小さくなることを防止できる。従って、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
なお、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスが小さくなることを防止するために、セラミックスから構成された絶縁体を設けたが、テフロン(登録商標)から構成された絶縁体を設けることも出来る。
また、実施の形態5においては、切り欠き68に設けられた絶縁体74の誘電率を調整することにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを調整することができる。これによっても、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
実施の形態6.
本発明の実施の形態6は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態6に係る検査用治具は、実施の形態4と同様に、接地用ブロックに切り欠きが設けられたものである。以下に、この実施の形態6に係る検査用治具について、実施の形態4の検査用治具とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態6の検査用治具の構成]
図10は、この実施の形態6に係る検査用治具76を示す斜視図である。図10において、実施の形態4に係る検査用治具66と同一の構成については同一の符号を付した。図10に示すように、接地用ブロック26の直流電流用コンタクトピン30が対向する部分に、テフロン(登録商標)コーティングによる絶縁膜78が設けられている。

[実施の形態6の効果]
検査時において、直流電流用コンタクトピン30が高周波半導体パッケージの直流電流用電極からの接触を受け、接地用ブロック26側に倒れることがある。この場合に、接地用ブロック26に絶縁膜78が設けられていないと、直流電流用コンタクトピン30が接地用ブロック26と接触して短絡する恐れがある。
そこで、この実施の形態5においては、接地用ブロック26の直流電流用コンタクトピン30と対向する部分に絶縁膜78が設けられている。このため、直流電流用コンタクトピン30が接地用ブロック26と接触した場合においても、短絡することを防止できる。
なお、短絡を防止するために、テフロン(登録商標)コーティングによる絶縁膜78を設けたが、アルマイト処理による絶縁膜や、DLC成膜による絶縁膜を用いることも出来る。
実施の形態7.
本発明の実施の形態7は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態7に係る検査用治具は、実施の形態1と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態7に係る検査用治具について、実施の形態1とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態7の検査用治具の構成]
図11は、この実施の形態7に係る検査用治具80を示す斜視図である。また、図12は、図11に示した検査用治具80の平面図である。図11と図12において、実施の形態1に係る検査用治具10と同一の構成については同一の符号を付した。
この実施の形態7に係る検査用治具80は、絶縁体基板18の上面において高周波信号用コンタクトピン28とは離されて設けられた棒状導体82を備える。図12において、接地用ブロック26と高周波信号用コンタクトピン28とが対向する方向を実線の矢印で示す。また、破線の矢印は、この実線の矢印とは垂直な方向を示す。そして、上述した棒状導体82は、高周波信号用コンタクトピン28の位置から破線の矢印で示された方向の位置に設けられている。また、棒状導体82の下部は、絶縁体基板18のビア84を介して接地用導体20と接続されている。さらに、接地用ブロック26の上部と、棒状導体82の上部とを接続する導波路86が設けられている。
[実施の形態7の効果]
検査時において、高周波信号は、高周波信号用配線22を通過した後、高周波信号用コンタクトピン28を通過して、高周波半導体パッケージの高周波信号用電極に入力される。この際には、接地用導体20は、絶縁体基板18のビア84を介して棒状導体82の下部と導通する。棒状導体82の上部は、導波路86を介して接地用ブロック26の上部と導通する。接地用ブロック26は、検査時において高周波半導体パッケージの接地用電極と導通する。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン28を通過する際には、棒状導体82が、マイクロストリップライン構造における接地面としての役割を担う。
つまり、棒状導体82を設けることによって、高周波信号用コンタクトピン28を配線とするマイクロストリップライン構造において、接地用ブロック26とともに棒状導体82を接地面として機能させることができる。これにより、高周波信号用コンタクトピン28の特性インピーダンスを高周波信号用配線22の特性インピーダンス(50Ω)に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。この結果、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン28を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
実施の形態8.
本発明の実施の形態8は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態8に係る検査用治具は、実施の形態1と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態8に係る検査用治具について、実施の形態1とは異なる点のみを説明する。
[実施の形態8の検査用治具の構成]
図13は、この実施の形態8に係る検査用治具88を示す平面図である。図13において、実施の形態1に係る検査用治具10と同一の構成については同一の符号を付した。図13に示すように、この検査用治具88は、ハウジング32の直流電流用コンタクトピン30に近接する位置に設けられた開口部90を備える。この検査用治具88は、開口部90の内部に配置されたコンデンサ92を備える。コンデンサ92は、直流電流用コンタクトピン30に近接している。また、このコンデンサ92の一方の極板は直流電流用コンタクトピン30に接続されている。そして、コンデンサ92の他方の極板は接地されている。
[実施の形態8の効果]
高周波半導体パッケージが、実際に製品として使用される場合には、回路基板上に半田で直付けされる。この際、回路基板上において、高周波半導体パッケージの直流電流用電極の近接に、コンデンサが配置される。そして、コンデンサの一方の極板を高周波半導体パッケージの直流電流用電極に接続し、他方の極板を接地する。これにより、コンデンサを整合素子として機能させる。高周波半導体パッケージにおいて発振が生じることを抑制する整合回路を構成する。
この実施の形態8に係る検査用治具88においては、直流電流用コンタクトピン30の近接にコンデンサ92が配置されている。そして、コンデンサ92の一方の極板は直流電流用コンタクトピン30に接続されている。そして、コンデンサ92の他方の極板は接地されている。これにより、高周波半導体パッケージを検査する場合に、コンデンサ92を整合素子として機能させることができ、発振が生じることを抑制する整合回路を構成することができる。従って、この検査用治具88を使用することにより、高周波半導体パッケージが実際に製品として使用される場合と同じ条件で、高周波半導体パッケージの電気特性を検査することができる。
[実施の形態8の変形例]
この実施の形態8において、検査用治具は、コンデンサ92をハウジング32に設けられた開口部90に配置して、そのままの状態で使用されている。この実施の形態8において適用される検査用治具は、これに限定されない。ここで、図14は、実施の形態8の変形例に係る検査用治具94を示す平面図である。図14に示す検査用治具94のように、開口部90に配置されたコンデンサ92にエポキシ等の樹脂によるカバー96を設けることが好ましい。このカバー96を設けることにより、コンデンサ92をハウジング32と同様に、直流電流用コンタクトピン30を固定する部材として使用できる。これにより、高周波半導体パッケージを検査する際に、直流電流用コンタクトピン30が倒れなくなる。この結果、直流電流用コンタクトピン30と高周波半導体パッケージの直流電流用電極との接触性を維持できる。
また、この実施の形態8においては、直流電流用コンタクトピン30に接続された整合回路を適用した。これに限らず、高周波信号用コンタクトピン28に整合回路を接続してもよい。この場合、高周波信号用コンタクトピン28の近接に開口部を設けて、その開口部内部に整合素子を配置する。
また、この実施の形態8においては、コンデンサの一方の極板を直流電流用コンタクトピンに接続させて他方の極板を接地させた整合回路を適用した。これに限らず、高周波半導体パッケージが実際に製品として使用される場合に回路基板に設けられる整合回路に合わせて、適宜、整合回路を選択することが可能である。
実施の形態1における検査用治具に、高周波半導体パッケージが接続された状態を示す断面図である。 図1の二点鎖線で囲まれた部分を拡大した断面図である。 図2で示した部分の斜視図である。 実施の形態1における比較例に係る検査用治具の断面図である。 実施の形態2に係る検査用治具を示す斜視図である。 実施の形態3に係る検査用治具を示す断面図である。 実施の形態4に係る検査用治具を示す断面図である。 図7で示した部分の斜視図である。 実施の形態5に係る検査用治具を示す斜視図である。 実施の形態6に係る検査用治具を示す斜視図である。 実施の形態7に係る検査用治具を示す斜視図である。 図11に示した検査用治具の平面図である。 実施の形態8に係る検査用治具を示す平面図である。 実施の形態8の変形例に係る検査用治具を示す平面図である。
符号の説明
10;48;58;66;72;76;80;88;94 検索用治具
12 高周波半導体パッケージ
14 検査用基板
18 絶縁体基板
20 接地用導体
22;52 高周波信号用配線
24 直流電流用配線
26 接地用ブロック
28;50 高周波信号用コンタクトピン
30 直流電流用コンタクトピン
36;54;60 突起部
64 切り欠き
68 切り欠き
70 高周波信号用コンタクトピン28と対向する内壁
74 絶縁体
78 絶縁膜
82 棒状導体
86 導波路
90 開口部
92 コンデンサ

Claims (3)

  1. 接地用電極と高周波信号用電極と直流電流用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、
    絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線と、前記絶縁体基板の上面に形成された直流電流用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、
    前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、
    前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、
    前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロック及び前記高周波信号用コンタクトピンとは離されて設けられ、前記直流電流用配線に接続された直流電流用コンタクトピンと、
    を備え、
    前記接地用ブロックは、検査時において前記接地用電極と導通するものであり、
    前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
    前記直流電流用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記直流電流用電極に直流電流を供給するものであり、
    前記接地用ブロックは、検査時において前記半導体装置の前記接地用電極に接続される上面と、前記絶縁体基板の前記上面及び前記接地用ブロックの前記上面と交差する側面とを有し、
    前記接地用ブロックの前記側面は、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分において前記側面の一部のみから前記側面の他の部分に対して前記高周波信号用コンタクトピンに向かって突出し、前記絶縁体基板の前記上面から前記接地用ブロックの前記上面に延在する突起部を有し、
    前記接地用ブロックの前記側面が前記直流電流用コンタクトピンと対向する部分には前記突起部は存在せず、
    前記突起部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する部分は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とする検査用治具。
  2. 前記接地用ブロックと前記高周波信号用コンタクトピンとの間に設けられた絶縁体を更に備えることを特徴とする請求項1記載の検査用治具。
  3. 前記突起部の前記高周波信号用配線と近接する部分に切り欠き部が設けられていることを特徴とする請求項1〜2のいずれか1項に記載の検査用治具。
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