JP2005091127A - 評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板 - Google Patents

Abstract

【課題】 低コスト及び短納期で、高精度な評価が可能な高速光通信モジュール用評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板を実現する。
【解決手段】 高速光通信モジュール用評価基板は、誘電体層１を有し、この誘電体層１の下面には、第１の接地導体２ａが設けられている。一方、この誘電体層１の上面には、一端部の両側からこれと反対の他端部に向かって延び、且つ他端部において連接されたＵ字状の第２の接地導体２ｂが設けられている。この第１の接地導体２ａと第２の接地導体２ｂとは、誘電体層１に設けた複数のビア５により電気的に接続されている。このＵ字状の第２の接地導体２ｂで囲まれた上面部分には、信号導体３が第２の接地導体２ｂと等距離をもって離間して設けられ、信号導体３及び第２の接地導体２ｂの一端部上には、突起部４がそれぞれ設けられている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板に係り、特に高速光通信モジュール用評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板に関する。

近年、光通信分野においては、通信情報量の増大化に対応するために高速化及び大容量化が進み、それと共に通信インフラのローコスト要求から、高速光通信モジュールの低価格化及び高速光通信モジュール用回路基板の小型化・多層化が進んでいる。

このため、最終出荷検査での高速光通信モジュールの高速電気信号及び光信号特性評価に加え、高価な半導体集積回路及び光作動素子を搭載した高速光通信モジュール用回路基板のモジュール製造途中工程での特性評価が重要になってきている。

この高速光通信モジュール製造途中工程での回路基板の評価には、評価基板を用いる方法や高速・高周波用同軸プローブを用いる方法等がある。

この種の評価基板を用いる方法としては、図９に示すものが知られている（例えば、特許文献１参照。）。図９は評価基板を示す断面図である。

図９に示すように、この特許文献１に開示された評価基板１２０は、ポリイミド樹脂等の樹脂材からなる第1及び第２の誘電体層１０１、１０２と、シリコーンゴムからなる緩衝層１０３と、絶縁フィルム１０４と、突起状の接触端子１０６と、緩衝層１０３及び絶縁フィルム１０４の間に設けられ、接触端子１０６から引き出された第1の導体１０５と、第1の誘電体層１０１の一端部に設けられ、第1の導体１０５と半田１０７により接続された第２の導体１０８と、第１の誘電体層１０１の上面に設けられ、第２の導体１０８に接続された端子１０９と、絶縁フィルムの第1の導体１０５を形成した対向面に、接触端子１０６と等距離に離間して形成された接地（グランド）用の第３の導体１１０から構成されている。

絶縁フィルム１０４及び第1の導体１０５は、その周辺部が第２の誘電体層１０２より外側に延長するように設けられ、第２の誘電体層１０２の外側で滑らかに折り曲げられている。そして、図示していないが評価対象の半導体集積回路或いは回路基板の端子に接触端子１０６を接触し、半導体集積回路或いは回路基板の端子から出力された信号は、第1の導体１０５、第２の導体１０８、端子１０９を介して評価装置に送信される。

なお、第３の導体１１０は、インピーダンス整合するために設けられたものであり、接触端子１０６及び端子１０９は、説明の簡略化のため一個づつしか図示していないが実際には複数個形成されている。

一方、高速・高周波用同軸プローブを用いる方法としては、高速光通信モジュール用回路基板の出力用信号線路及び接地導体に針あてする方法や同軸プローブの先端を出力用信号線路及び接地導体に半田付けし、同軸プローブを固定する方法が知られている。（非特許文献１参照）。
特開平１０−２３９３４８号公報（頁１６、図４） Ｃａｎｄｏｘ Ｓｙｓｔｅｍｓ社"１．２７ｍｍピッチ小型同軸プローブ ＣＰ４００−０１"、[online]、[平成１５年６月３日検索]、インターネット＜URL；http://www.candox.co.jp/products/probe/cp400_01/cp400_01.html＞

上述した評価基板を用いる方法においては、半導体集積回路或いは回路基板の端子から出力された信号は、第1の導体１０５、第２の導体１０８、端子１０９を介して評価装置に送信されるが、第1の導体１０５、第２の導体１０８、及び端子１０９は、周囲を接地導体等で取り囲まれていないので、高速・高周波領域でインピーダンスの乱れを抑制できず、例えばＧｂｐｓ以上の高速光通信モジュール及び回路基板の高精度を要求される特性評価に用いるのは困難である。
一方、上述した高速・高周波用同軸プローブを用いる方法においては、高速光通信モジュール用回路基板の出力用信号線路に針あてするためのプローブ先端（以後シグナルプローブと呼称する）は、接地（グランド）導体に接地するためのプローブ先端（以後グランドプローブと呼称する）とはプローブ内部のインピーダンスの乱れを抑制するように適切なピッチで配置され、同軸化されているので高速・高周波領域まで高精度に高速光通信モジュール用回路基板の特性を評価できる。

ところが、高速・高周波用同軸プローブは、評価基板に比べて数倍以上高価であり、高速光通信モジュール用回路基板の信号線路及び接地（グランド）導体の間隔に合わせてシグナルプローブ及びグランドプローブのピッチ間隔を変更した場合には、開発要素が加わり、更にコスト高となり、しかもラインアップ製品に比べ発注〜納入まで標準以上の期間を要する等の問題点を有している。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、低コスト及び短納期で、高精度な評価が可能な高速光通信モジュール用評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板を提供することにある。

上記目的を達成するために、本発明の一態様の評価基板は、評価対象と電気的に接触して、電気特性評価をするための評価基板であって、誘電体層の第１主面に設けられた接地導体と、前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられ、前記評価対象と電気的に接触するための信号導体と、前記信号導体の前記誘電体層に接する第1主面と対向する第２主面に設けられた突起部とを具備し、前記信号導体は、前記評価対象と前記突起部を介して電気的に接触されることを特徴とする。

更に、上記目的を達成するために、本発明の一態様の評価方法は、誘電体層の第１主面に設けられた第1の接地導体と、前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられた信号導体と、前記誘電体層の第２主面に前記信号導体と等距離をもって離間形成された第２の接地導体と、前記誘電体層に設けられて前記第１及び第２の接地導体を接続するビアと、前記信号導体及び第２の接地導体上にそれぞれ設けられた突起部とを有する評価基板を用いて、信号線路及び接地線路を有する回路基板の電気的特性を評価する評価方法であって、前記回路基板の信号線路及び前記接地線路と前記評価基板の前記信号導体及び前記第２の接地導体の突起部とをそれぞれ接触せる工程と、前記評価基板を用いて前記信号線路の出力信号の特性評価する工程とを具備することを特徴とする。

更に、上記目的を達成するために、本発明の一態様の回路基板は、評価基板の信号導体と電気的に接触されて、電気特性が評価される回路基板であって、誘電体層の第１主面に設けられ、出力信号を出力する信号線路と、前記誘電体層の第１主面に前記信号線路と等距離をもって離間形成された接地線路と、前記信号線路及び前記接地線路上にそれぞれ設けられた突起部とを具備し、前記信号線路は、前記評価基板の信号導体と前記突起部を介して電気的に接触されることを特徴とする。

本発明によれば、低コスト及び短納期で、高精度な評価が可能な高速光通信モジュール用評価基板及びそれを用いた評価方法、回路基板を提供することができる。

以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明する。

まず、本発明の実施例１に係る高速光通信モジュール用評価基板について、図面を参照して説明する。図１は、高速光通信モジュール用評価基板を示す斜視図、図２は図１のＡ−Ａ線に沿う高速光通信モジュール用評価基板の断面図である。

図１に示すように、高速光通信モジュール用評価基板２０は、比誘電率及び誘電正接の優れたガラスエポキシ樹脂、ＢＴ(ビスマレイド・トリアジン)レジン（Ｒ）、及びテフロン（Ｒ）等からなる誘電体層１を有する。この誘電体層１の下面（第1主面）全面には、第１の接地導体２ａが設けられている。一方、この誘電体層１の上面（第２主面）には、一端部の両側から、これと反対の他端部に向かって延び、且つ他端部において連接されたＵ字状の第２の接地導体２ｂが設けられている。

この第１の接地導体２ａと第２の接地導体２ｂとは、図２に示すように、誘電体層１に設けた複数のビア５により電気的に接続されている。また、このＵ字状の第２の接地導体２ｂで囲まれた誘電体１の上面部分には、信号導体３が第２の接地導体２ｂと等距離をもって離間形成されている。この第１の接地導体２ａ、第２の接地導体２ｂ、及び信号導体３は、熱伝導度に優れた低抵抗の銅（Ｃｕ）からなる。なお、第１の接地導体２ａを銅（Ｃｕ）の代わりにＡｕ／Ｎｉメッキで形成してもよい。本実施例では、信号導体３と第２の接地導体２ｂの距離は、インピーダンス整合が取れるように最適化している。

そして、信号導体３及びその両側の第２の接地導体２ｂの一端部上には、突起部４が設けられている。この突起部４は、金(Ａｕ)メッキにより高さ２０μｍの円筒形に形成している。なお、この突起部４は、円筒形に限らず、角型、角錐型、半球型、或いは円錐型に形成してもよい。また、突起部４は、信号導体３及び信号導体３の両側に設けられた第２の接地導体２ｂにそれぞれ１個づつ設けているが、複数個設けてもよい。

第２の接地導体２ｂの他端部の両側には、評価基板２０を高速信号評価装置に固定するための嵌合穴６が設けられている。また、信号導体３の他端部には、高速・高周波用同軸ケーブル１０が設けられている。この同軸ケーブル１０は、中心部に導体7が設けられ、この導体７の周囲には同軸的に誘電体層８を介して接地導体10が設けられており、この導体７は信号導体３に接続され、接地導体９は第２の接地導体２ｂ上に半田等により固定されている。そして、この同軸ケーブル１０により評価基板２０からの信号を高速信号評価装置に伝達するようになっている。

次に、この評価基板２０を用いて測定対象である１０Ｇｂｐｓ高速光通信モジュール用回路基板の評価方法について説明する。

図３は、１０Ｇｂｐｓ高速光通信モジュール用回路基板の評価方法を示す斜視図、図４は図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図５は図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。

図３に示すように、１０Ｇｂｐｓ高速光通信モジュール用回路基板３０は、誘電体層１aの上面（第１主面）に１０Ｇｂｐｓ信号を伝送する平板の出力用信号線路１３とこの両側に平板の接地線路２ｃが出力用信号線路１３と平行して等距離をもって離間形成されている。ここで、説明の都合上、回路基板３０の誘電体層１aの下面（第２主面）に設けられた誘電体層、信号線路、及び接地線路と、誘電体層１ａの上面（第１主面）に設けられた出力用信号線路１３及び接地線路２ｃ以外の半導体装置、信号線路、及び接地線路については図示及び説明を省略する。

一方、評価基板２０は、高速信号評価装置に次のようにして取り付けられる。すなわち、評価基板２０を、その第１の接地導体２ａを上向きにし、第２の接地導体２ｂ及び信号導体３を下向きにして配置する。そして、図５に示すように、評価基板２０の嵌合穴６及び高速信号評価装置の支持アーム１２の嵌合穴１６に、嵌合軸１１をそれぞれ嵌合させて評価基板２０を支持アーム１２に固定し、同軸ケーブル１０を高速信号評価装置に接続する。ここで、２本の支持アーム１２は、水平に高速信号評価装置に取りつけられているので、評価基板２０は、支持アーム１２と平行に取りつけられる。このため、評価基板２０と回路基板３０は平行に対向配置することができる。

次に、図４に示すように、この評価基板２０を下方に降下させて信号導体３上に設けられた突起部４を回路基板３０の出力用信号線路１３に、また第２の接地導体２ｂ上に設けられた突起部４を接地線路２ｃにそれぞれ接触させる。 続いて、回路基板３０の出力用信号線路１３における１０Ｇｂｐｓ信号を、評価基板２０を介して高速信号評価装置に伝送し、高速信号評価装置で出力振幅、ｔｒ(立ち上がり時間)、ｔｆ（立下り時間）、動作帯域等の高速・高周波特性を評価する。

上述したように、本実施例の高速光通信モジュール用評価基板では、高速光通信モジュール用回路基板の構造、材料、及び設計ルールを元にして、回路基板の作成時に同時に作成できるので、高速・高周波同軸ケーブルに比べて低コストで、且つ短納期で作成できる。

そして、円筒形で柔らかい金属の金（Ａｕ）を高速光通信モジュール用回路基板との接触に用いているので、回路基板との良好なコンタクトが得られ、半田付け等が不要なので繰り返し使用できる。

また、回路基板３０における信号導体１３からの信号を内部インピーダンスの乱れが少ない同軸ケーブル１０に伝送しており、第２の接地導体２ｂ及び信号導体３の間隔、幅及び厚さを変化させずに、突起部４の幅及び高さを調整することによりインピーダンス整合が図れるので、安定した高速・高周波特性を取得することができる。

そして、本実施例の回路基板の評価方法では、評価基板２０が支持アーム１２により、回路基板３０と平行に設置され、評価基板２０の信号導体３及び第２の接地導体２ｂに設けられた円筒型の突起部４と回路基板３０の出力用信号線路１３及び接地線路２ｃが平行にそれぞれ接触し、しかも突起部４が軟金属であるのので、評価基板２０と回路基板３０との接触が低抵抗で且つ安定した接触が得られる。そして、信号導体３からの１０Ｇｂｐｓ信号を信号導体３と接続する内部インピーダンスの乱れが少ない高速・高周波用同軸ケーブル１０に伝送している。

従って、１０Ｇｂｐｓ高速光通信モジュールの製造工程途中段階の回路基板３０であっても安定して高精度に高速・高周波特性を評価できる。

次に、本発明の実施例２に係る評価対象である高速光通信モジュール用回路基板について、図面を参照して説明する。図６は、高速光通信モジュール用回路基板を示す斜視図である。

本実施例では、回路基板の出力側以外の信号線路にも突起部を設け評価基板による特性評価を可能とし、合わせて突起部により信号線路のインピーダンス整合を図っている。

図６に示すように、高速光通信モジュール用回路基板３０ａでは、複数の誘電体層１を積層した積層基板５０を有する。ここでは説明の都合上、積層基板５０は、３層の誘電体層１ｂ、１ｃ、１ｄからなる場合を示す。

第１の誘電体層１ｂの下面（第１主面）には、接地導体２ｄが全面に設けられ、第１の誘電体層１ｂの上面（第２主面）には、第２の誘電体層１ｃが、第２の誘電体層１ｃの上面（第２主面）には、第３の誘電体層１ｄがそれぞれ設けられている。

この誘電体層１ｄ上の中央部には、高速信号を処理するための半導体集積回路３１が設けられている。半導体集積回路３１の入力側には、高速信号を伝送する複数の信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃが設けられ、信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの一端部には突起部４ｂが、また他端部には半導体集積回路３１との接続を図るためのビア５ａがそれぞれ設けられている。

半導体集積回路３１の出力側には、半導体集積回路で処理された１０Ｇｂｐｓ信号を伝送する出力用信号線路１３ｄが設けられている。そして、半導体集積回路３１、信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの周囲には、これらと等距離をもって離間された接地線路２ｅが設けられ、この接地線路２ｅは、複数のビア５ｃにより接地導体２ｄに接続されている。

出力用信号線路１３ｄの一端部には、半導体集積回路３１との接続を図るためのビア５ｂが設けられ、出力用信号線路１３ｄの他端部及びこの出力用信号線路１３ｄの他端部の両側に設けられた接地線路２ｅには突起部４ｂがそれぞれ設けられている。

なお、ビア５ａ、５ｂは、図示していないが積層基板５０内に設けられた信号線路及び半導体集積回路３１の下面に設けられたビア及び導体により半導体集積回路３１に接続されている。

上述したように、本実施例の高速光通信モジュール用回路基板では、出力用信号線路１３ｄ及び接地線路２ｅに突起部４ｂを設けているので、突起部を設けていない通常の評価基板との良好なコンタクトが得られ、実施例１と同様に高速光通信モジュール用回路基板における出力側の高速・高周波特性を安定して正確に評価できる。

また、半導体集積回路３１の入力側の信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃにそれぞれ突起部４ａを設けているので、突起部を設けていない通常の評価基板との良好なコンタクトが得られ、高速光通信モジュール用回路基板における入力側の高速・高周波特性を安定して正確に評価できる。

更に、信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃに設けられた突起部４ａの大きさ、高さを変化させることにより、信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの幅、長さを変更せずに信号線路１３ａ、１３ｂ、１３ｃの所望の特性インピーダンスが得られるので高速光通信モジュール用回路基板の設計自由度が向上し、高速光通信モジュール用回路基板の小型化が図れる。

次に、本発明の実施例３に係る評価対象である高速光通信モジュールの評価方法について、図面を参照して説明する。図７は、高速光通信モジュールの評価方法を示す斜視図、図８は図７のＤ−Ｄ線に沿う加圧部品で加圧された状態の高速光通信モジュール及び評価基板を示す断面図である。

図７に示すように、評価基板２０ａは、方形状の形状を有し、誘電体層１ｅの下面（第１主面）全面に第１の接地導体２ｆが設けられ、誘電体層１ｅの上面（第２主面）に平板の信号導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄが設けられ、この信号導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄと等距離で離間され、第１の接地導体２ｆと複数のビア５ｄで接続された第２の接地導体２ｇが設けられている。信号導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ上の一端部には、突起部４ｃがそれぞれ２個づつ設けられている。ここでは、突起部４ｃを２個づつ設けているが、１個づつ設けてもよい。

ここで、図示していないが評価基板２０ａには、図１と同様に導体信号部３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ上の他端部にそれぞれ同軸ケーブルの導体が接続され、同軸ケーブルの接地導体が評価基板２０ａの第２の接地導体２ｇにそれぞれ接続固定されている。そして複数の高速・高周波用同軸ケーブルは、高速光通信モジュール４０を評価する高速信号評価装置に接続されている。

高速光通信モジュール４０は、方形型の形状を有し、一側面に誘電体層１ｆで絶縁分離された平板の信号端子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄが外方に突出されている。

加圧部品４１は、絶縁性で方形型の形状を有し、高速光通信モジュール４０と評価基板２０ａとを接触させるための部品である。

まず、図８に示すように、高速光通信モジュール４０の信号端子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄの直下に評価基板２０ａの信号導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄをそれぞれ向かい合うようにセットする。次に、加圧部品４１を用いて高速光通信モジュール４０の信号端子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄを加圧することにより、高速光通信モジュール４０の信号端子１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄと評価基板２０ａの信号導体３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ上に設けられた突起部４ｃとをそれぞれ接触する。

次に、高速信号評価装置から高速光通信モジュール４０へ電源及び信号を入力し、高速光通信モジュール４０の信号端子から高速信号を出力し、その出力信号を高速・高周波用同軸ケーブルから高速信号評価装置へ伝送し、高速信号評価装置で高速光通信モジュール４０のエラーレート、ジッター、動作帯域、出力振幅等の高速・高周波特性を評価する。

上述したように、本実施例の高速光通信モジュールの評価方法では、評価基板２０ａの信号導体に設けられた突起部４ｃと高速光通信モジュール４０の信号端子とを加圧部品４１により加圧して接触させているので、評価基板２０ａと高速光通信モジュール４０との接触が低抵抗になり、且つ安定した接触が得られる。そして、高速光通信モジュール４０の出力信号を信号導体と接続する内部インピーダンスの乱れが少ない高速・高周波用同軸ケーブルに伝送している。

従って、高速光通信モジュール４０の高速・高周波特性を安定して高精度に評価できる。

本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更して実施してもよい。

例えば、評価基板は、信号導体の両側に等距離で離間された接地導体を設けた裏面接地導体付コプレーナ型伝送線路を用いているが、信号導体の両側に等距離で離間された接地導体を設けないマイクロストリップ型伝送線路を用いてもよい。

また、上記実施例２では、回路基板の出力用信号線路及び入力用信号線路にそれぞれ突起部を設けているが、出力用信号線路又は入力用信号線路の一方にのみ突起部を設けてもよい。

更に、高速・高周波モジュール用回路基板及びその評価基板としては、大容量ルータ、携帯電話基地局、交換機、ストレージ機器等にも適用できる。

本発明の実施例１に係る高速光通信モジュール用評価基板を示す斜視図。 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。 本発明の実施例１に係る１０Ｇｂｐｓ高速光通信モジュール用回路基板の評価方法を示す斜視図。 図３のＢ−Ｂ線に沿う断面図。 図３のＣ−Ｃ線に沿う断面図。 本発明の実施例２に係る高速光通信モジュール用回路基板を示す斜視図。 本発明の実施例３に係る高速光通信モジュールの評価方法を示す斜視図。 図７のＤ−Ｄ線に沿う加圧部品で加圧された状態の高速光通信モジュール及び評価基板を示す断面図。 従来の評価基板を示す断面図。

符号の説明

１、１ａ、１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、８、１０１、１０２ 誘電体層
２ａ、２ｂ、２ｃ、２ｄ、２ｆ、２ｇ、９ 接地導体
２ｅ 接地線路
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ 信号導体
４、４ａ、４ｂ、４ｃ 突起部
５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ ビア
６、１６ 嵌合穴
７ １０５、１０８、１１０ 導体
１０ 同軸ケーブル
１１ 嵌合軸
１２ 指示アーム
１３ １３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ 信号線路
１４ａ、１４ｂ、１４ｃ、１４ｄ、１０９ 信号端子
２０、２０ａ、１２０ 評価基板
３０、３０ａ 回路基板
３１ 半導体集積回路
４０ 高速光通信モジュール
４１ 加圧部品
５０ 積層基板
１０３ 緩衝層
１０４ 絶縁フィルム
１０６ 接触端子
１０７ 半田

Claims (9)

1. 評価対象と電気的に接触して、電気特性評価をするための評価基板であって、
   誘電体層の第１主面に設けられた接地導体と、
   前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられ、前記評価対象と電気的に接触するための信号導体と、
   前記信号導体の前記誘電体層に接する第1主面と対向する第２主面に設けられた突起部と、
   を具備し、
   前記信号導体は、前記評価対象と前記突起部を介して電気的に接触されることを特徴とする評価基板。
2. 評価対象と電気的に接触して、電気特性評価をするための評価基板であって、
   誘電体層の第１主面に設けられた第1の接地導体と、
   前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられ、前記評価対象と電気的に接触するための信号導体と、
   前記誘電体層の第２主面に前記信号導体と等距離をもって離間形成され、且つ前記評価対象と電気的に接触するための第２の接地導体と、
   前記誘電体層に設けられて前記第１及び第２の接地導体を接続するビアと、
   前記導体信号部及び第２の接地導体上にそれぞれ設けられた突起部と、
   を具備し、
   前記信号導体及び前記第２の接地導体は、前記評価対象と前記突起部を介してそれぞれ電気的に接触されることを特徴とする評価基板。
3. 評価対象と電気的に接触して、電気特性評価をするための評価基板であって、
   誘電体層の第１主面に設けられた第1の接地導体と、
   前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられ、前記評価対象と電気的に接触するための信号導体と、
   前記誘電体層の第２主面に前記信号導体と等距離をもって離間形成され、且つ前記評価対象と電気的に接触するための第２の接地導体と、
   前記誘電体層に設けられて前記第１及び第２の接地導体を接続するビアと、
   前記信号導体及び第２の接地導体上の一端部にそれぞれ設けられた突起部と、
   中心部に設けられた導体とこの導体を電気的絶縁層を介して同軸的に囲撓する第３の接地導体を有し、且つ前記導体が前記信号導体の他端部に電気的接続され、前記第３の接地導体が前記第２の接地導体に電気的接続された同軸ケーブルと、
   を具備し、
   前記信号導体及び前記第２の接地導体は、前記評価対象と前記突起部を介してそれぞれ電気的に接触されることを特徴とする評価基板。
4. 前記突起部の形状は、円筒形、角型、角錐型、半球型、又は円錐型であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の評価基板。
5. 前記突起部は、複数個設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載の評価基板。
6. 誘電体層の第１主面に設けられた第1の接地導体と、前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられた信号導体と、前記誘電体層の第２主面に前記信号導体と等距離をもって離間形成された第２の接地導体と、前記誘電体層に設けられて前記第１及び第２の接地導体を接続するビアと、前記信号導体及び第２の接地導体上にそれぞれ設けられた突起部とを有する評価基板を用いて、信号線路及び接地線路を有する回路基板の電気的特性を評価する評価方法であって、
   前記回路基板の信号線路及び前記接地線路と前記評価基板の前記信号導体及び前記第２の接地導体の突起部とをそれぞれ接触せる工程と、
   前記評価基板を用いて前記信号線路の出力信号の特性評価する工程と、
   を具備することを特徴とする評価方法。
7. 誘電体層の第１主面に設けられた第1の接地導体と、前記誘電体層の第１主面と対向する第２主面に設けられた信号導体と、前記誘電体層の第２主面に前記信号導体と等距離をもって離間形成された第２の接地導体と、前記誘電体層に設けられて前記第１及び第２の接地導体を接続するビアと、前記信号導体及び前記第２の接地導体上にそれぞれ設けられた突起部とを有する評価基板を用いて、外囲器の外方に取出された信号端子及び接地端子を有する高速・高周波モジュールの電気的特性を評価する評価方法であって、
   前記高速・高周波モジュールの前記信号端子及び前記接地端子と前記評価基板の前記信号導体及び前記第２の接地導体の突起部とをそれぞれ接触させる工程と、
   前記高速・高周波モジュールの前記信号端子の出力信号を前記評価基板を用いて特性評価する工程と、
   を具備することを特徴とする評価方法。
8. 評価基板の信号導体と電気的に接触されて、電気特性が評価される回路基板であって、
   誘電体層の第１主面に設けられ、出力信号を出力する信号線路と、
   前記誘電体層の第１主面に前記信号線路と等距離をもって離間形成された接地線路と、
   前記信号線路及び前記接地線路上にそれぞれ設けられた突起部と、
   を具備し、
   前記信号線路は、前記評価基板の信号導体と前記突起部を介して電気的に接触されることを特徴とする回路基板。
9. 評価基板の信号導体と電気的に接触されて、電気特性が評価される回路基板であって、
   誘電体層の第１主面に設けられ、出力信号を外部へ出力する第１の信号線路と、
   前記誘電体層の第１主面に前記第１の信号線路と等距離をもって離間形成された接地線路と、
   前記第１の信号線路及び前記接地線路上にそれぞれ設けられた第１の突起部と、
   誘電体層の第１主面に設けられ、入力信号を入力する第２の信号線路と、
   前記第２の信号線路上に設けられた第２の突起部と、
   を具備し、
   前記第1の信号線路は、前記評価基板の信号導体と前記第1の突起部を介し、前記第２の信号線路は、前記評価基板の信号導体と前記第２の突起部を介してそれぞれ電気的に接触されることを特徴とする回路基板。

Images