TWI668459B - 導電性接觸子單元 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種導電性接觸子單元，係具備導電性接觸子保持器，該導電性接觸子保持器係收容被使用於相對於預定電路構造進行信號輸出輸入的信號用導電性接觸子且具有同軸構造，該導電性接觸子保持器係具有：保持器基板，係形成有收容信號用導電性接觸子的開口部；及保持構件，係收容在開口部且形成有保持一個或複數個信號用導電性接觸子的保持孔，且該導電性接觸子單元具有：短截部，係形成從保持孔往與該保持孔之軸線方向正交的方向延伸的中空空間。

Description

導電性接觸子單元
本發明係關於一種收容相對於預定電路構造進行信號輸出輸入之信號用導電性接觸子的導電性接觸子單元。
以往，在有關半導體積體電路之電特性檢查的技術領域中，已知一種對應於半導體積體電路之外部接觸用電極而配設有複數個導電性接觸子的導電性接觸子單元的相關技術。此種的導電性接觸子單元係具有具備複數個導電性接觸子、導電性接觸子保持器(holder)及檢查電路的構成，該導電性接觸子保持器係形成有收容導電接觸子的開口部，該檢查電路係具有與導電性接觸子電性連接的檢查電路(例如，參照專利文獻1)。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2002-124552號公報
近年來，伴隨半導體積體電路之小型化及動作之高速化，已被要求採用導電性接觸子單元亦為小型且可高速動作的構成。一般在輸出輸入高頻之電信號的情況下，會產生被稱為介入損失(insertion loss)的信號之損失。在導電性接觸子單元中，為了使其高精度地進行高速動作，重要的是在使檢查對象動作時所使用的頻域中之例如產生共振的頻率中，減低該介入損失。
本發明係有鑑於上述而開發完成者，其目的在於提供一種能減低特定之頻率中的介入損失的導電性接觸子單元。
本發明之導電性接觸子單元，係具備：信號用導電性接觸子，係相對於預定電路構造輸出輸入信號且具有：第一柱塞(plunger)，係與前述預定電路構造接觸；第二柱塞，係與相對於前述預定電路構造進行前述信號之輸出輸入的電路基板連接；以及彈簧構件，係以伸縮自如的方式將前述第1及第2柱塞連結；以及導電性接觸子保持器，係收容用於相對於預定電路構造進行信號輸出輸入的前述信號用導電性接觸子且具有同軸(coaxial)構造，前述導電性接觸子保持器係具有：保持器基板，係形成有可供前述信號用導電性接觸子插通的開口部；及保持構件，係收容在前述開口部且形成有保持一個或複數個前述信號用導電性接觸子的保持孔，且該導電性接觸子單元具有：短截部(stub)，係形成有從前述保持孔往與該保持孔之中心 軸正交的方向延伸的中空空間。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中，前述短截部係將從前述保持孔之中心軸方向的位置且係從前述信號輸入時前述第一柱塞前端至該短截部為止的長度設為D1、從前述保持孔之中心軸起的該短截部之延伸方向的長度設為L1時，滿足以下式：
(其中，ASRW：駐波比(standing wave ratio)(ASRW=Z0/Za、Z0為特性阻抗(impedance)、Za為純電阻(<Z0)、ASRW(附有上線)：ASRW之共軛複數、λ：特定的頻率的波長)。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中，前述保持器基板及前述保持構件係分別由形成沿著與前述開口部之軸線方向交叉之方向的交界來分割該導電性接觸子保持器的二個構成構件所構成，前述二個構成構件之間形成有前述短截部。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中，前述短截部之延伸方向的前端與前述保持器基板的外周面接觸。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，更具有：調整構件係插入在前述短截部之延伸方向的前端側，可調整該短截部之延伸方向的長度。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中：前述保持器基板及前述保持構件係分別由在與前述開口部之軸線方向交叉之方向分割的二個構成構件所構成，前述短截部係形成在前述二個構成構件之中的一方。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中：前述短截部係形成有相對於前述保持孔之中心軸呈旋轉對稱的圓盤狀的中空空間。
又，本發明之導電性接觸子單元，係具備：信號用導電性接觸子，係相對於預定電路構造輸出輸入信號且具有：第一柱塞，係與前述預定電路構造接觸；第二柱塞，係與相對於前述預定電路構造進行前述信號之輸出輸入的電路基板連接；以及彈簧構件，係以伸縮自如的方式將前述第1及第2柱塞連結；以及保持器基板，係形成有分別收容複數個前述信號用導電性接觸子的複數個收容部，前述第一柱塞及前述第二柱塞之中之至少一方的柱塞係形成有短截部，該短截部係從外表面往與前述柱塞之軸線方向正交的方向突出。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中，前述短截部係將從前述第一柱塞之軸線方向的位置且係前述第一柱塞之前端至該短截部為止的長度設為D2、從前述第一柱塞之中心軸起的長度且係與前述軸線方向正交的方向的長度設為L2時，滿足以下式：
(其中，BSRW：駐波比(BSRW=Za/Z0、Z0為特性阻抗、Za為純電阻(>Z0)、BSRW(附有上線)：BSRW之共軛複數、λ：特定的頻率的波長)。
又，本發明之導電性接觸子單元係如上述之發明，其中：前述短截部係相對於形成有該短截部之柱塞的軸線呈旋轉對稱的圓盤狀。
依據本發明，則達成能減低特定之頻域中的介入損失的功效。
1‧‧‧半導體積體電路
2‧‧‧電路基板
3、3A至3C、40‧‧‧導電性接觸子保持器
4、18‧‧‧導電性接觸子
5‧‧‧保持器構件
6、11a、41‧‧‧第一基板
7、11b、42‧‧‧第二基板
8‧‧‧第一開口部
9‧‧‧第二開口部
10‧‧‧第三開口部
11、11A‧‧‧保持器基板
11c‧‧‧第三基板
13、13a、14、14A、14B‧‧‧絕緣構件
14a、53b、54b、61b、61c、61e‧‧‧大徑部
15、15a、15b、15A至15E‧‧‧信號用導電性接觸子
16‧‧‧接地用導電性接觸子
17‧‧‧供電用導電性接觸子
20、21、21A至21E‧‧‧針狀構件
21a、21b、21f、30、30A、55‧‧‧短截部
21c‧‧‧凸緣部
21d、21e‧‧‧軸部
22‧‧‧彈簧構件
30a、55a‧‧‧第一切口部
30b、55b‧‧‧第二切口部
43、44‧‧‧開口部
51‧‧‧絕緣性管件
51a、52a‧‧‧第一構件
51b、52b‧‧‧第二構件
52‧‧‧導電性管件
53、54‧‧‧保持器孔
53a、54a、61a、61d‧‧‧小徑部
50‧‧‧保持構件
60、60A、60B‧‧‧保持板
61、61A‧‧‧孔部
100a至100c、200a至200c‧‧‧電極
300‧‧‧調整構件
D1‧‧‧第一柱塞前端至短截部為止的長度
L1‧‧‧保持孔之中心軸起的短截部之延伸方向的長度
N1‧‧‧中心軸
第1圖係顯示本發明之實施形態1的導電性接觸子單元之整體構成的示意圖。
第2圖係顯示構成本發明之實施形態1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第3圖係顯示在使用本發明之實施形態1的導電性接觸子單元時有關導電性接觸子與導電性接觸子保持器之間的電性相互作用的示意圖。
第4圖係顯示構成本發明之實施形態1的導電性接觸 子單元的導電性接觸子保持器之主要部分的構造的剖視圖。
第5圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第6圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例2的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第7圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第8圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例4的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第9圖係顯示構成本發明之實施形態2的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第10圖係顯示構成本發明之實施形態3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第11圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第12圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例2 的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第13圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第14圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例4的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
第15圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例5的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
以下，與圖式一起詳細說明用以實施本發明的形態。再者，本發明並非是藉由以下的實施形態所限定。又，以下之說明中所參照的各圖，只不過是以能理解本發明之內容的程度來概略地顯示形狀、大小及位置關係，從而，本發明並非僅由各圖所例示的形狀、大小及位置關係所限定。
(實施形態1)
首先，針對實施形態1的導電性接觸子單元加以說明。本實施形態1的導電性接觸子單元係相對於半導體積體電路等的預定之電路構造進行電信號之輸出輸入、電力供給及接地電位供給，特別是為了進行穩定的接地電位供給，而具有使進行接地電位供給的接地用導電性接觸子、 與由導電性材料所形成的導電性接觸子保持器進行電性連接所得的構成。再者，本說明書中的所謂同軸構造，係指信號用的導電性接觸子之中心軸、與圓筒狀的接地內面之中心軸呈一致的同軸構造。
第1圖係顯示本實施形態1的導電性接觸子單元之構造的示意圖。如第1圖所示，本實施形態1的導電性接觸子單元係具備：電路基板2，係具有進行供給至半導體積體電路1的信號之生成等的電路；導電性接觸子保持器3，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部(在第1圖中省略圖示)；以及導電性接觸子4，係收容在導電性接觸子保持器3之開口部內。又，用以抑制在使用時發生半導體積體電路1之位置偏移的保持器構件5係配置於電路基板2上且係配置於導電性接觸子保持器3之外周。
電路基板2係具備：用以檢查檢查對象的半導體積體電路1之電特性的檢查電路。又，電路基板2係具有：將用以相對於導電性接觸子4而電性連接內建之電路的電極(在第1圖中省略圖示)配置於與導電性接觸子保持器3之接觸面上所得的構成。
導電性接觸子保持器3係用以收容導電性接觸子4。具體而言，導電性接觸子保持器3係具備藉由金屬等之導電性材料所形成的保持器基板、以及被覆保持器基板表面所需之區域的絕緣構件。此外，保持器基板係具有：在與導電性接觸子4之配設場所對應的區域形成有 開口部且在此種開口部收容導電性接觸子4的構造。
導電性接觸子4係用以電性連接備置於電路基板2內的電路、與半導體積體電路1之間。導電性接觸子4係按照相對於半導體積體電路供給的信號之種類等而大致區分為三個圖案(pattern)，具體而言係具有：信號用導電性接觸子，係用以相對於半導體積體電路1輸出輸入電信號；接地用導電性接觸子，係相對於半導體積體電路1供給接地電位；以及供電用導電性接觸子，係相對於半導體積體電路1供給電力。再者，以下在總稱信號用導電性接觸子、接地用導電性接觸子及供電用導電性接觸子時係稱為導電性接觸子，而在針對各者加以說明時則使用各自的名稱。
第2圖係針對導電性接觸子保持器3和導電性接觸子4之詳細構成加以顯示的部分剖視圖。如第2圖所示，導電性接觸子保持器3係具備：保持器基板11，係具有使用螺釘構件來接合藉由導電性材料所形成的第一基板6及第二基板7的構成，並且形成有貫通第一基板6及第二基板7的第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10；以及絕緣構件13及絕緣構件14，係被覆第一開口部8及第三開口部10之內面及保持器基板11之表面。再者，將信號用的導電性接觸子之中心軸與保持器基板11之內面的中心軸呈一致的構造稱為同軸構造。
針對導電性接觸子之構造加以說明。信號用導電性接觸子15、接地用導電性接觸子16及供電用導 電性接觸子17，因有關所執行之功能不同的具體構造能夠視為同樣，故而以下係針對作為代表的信號用導電性接觸子15之構造進行說明。
信號用導電性接觸子15係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21之間且電性連接針狀構件20、21間，並且用以使信號用導電性接觸子15朝向長軸方向伸縮。針狀構件20、針狀構件21及彈簧構件22係具有：以各自之軸線與第一開口部8之軸線一致的方式收容於第一開口部8且能夠朝向此種軸線方向移動的構成。在本說明書中，用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接的針狀構件(在本實施形態1中為針狀構件21)係相當於第一柱塞(plunger)，與備置於電路基板2的電極電性連接的針狀構件(在本實施形態1中為針狀構件20)係相當於第二柱塞。
針狀構件20，係用以與配置於電路基板2之表面上的電極電性連接。具體而言，針狀構件20，係在電路基板2側具有尖銳端且具有此種尖銳端與備置於電路基板2的電極接觸的構成。由於針狀構件20係能夠藉由彈簧構件22之伸縮作用而朝向軸線方向移動，所以能夠對應於備置於電路基板2的電極之凹凸以最佳的狀態來接觸，並且藉由彈簧構件22所為的伸長方向之按壓力，在已減低 接觸電阻的狀態下與電極接觸。
又，亦如第2圖所示，針狀構件20係具有往與軸線垂直之方向突出的凸緣(flange)部。如以上所述，由於第一開口部8之內徑係以在保持器基板11之下側表面近旁變窄的方式所形成，所以隨著針狀構件20朝向下側移動，上述凸緣部會與設置於第一開口部8之內面的絕緣構件13抵接且使針狀構件20止動。
針狀構件21係用以在使用本實施形態1的導電性接觸子單元時相對於備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接。具體而言，針狀構件21係具有在半導體積體電路1側之端部與連接用電極接觸的構成。又，針狀構件21係具有與針狀構件20同樣能夠藉由彈簧構件22之伸縮作用而朝向軸線方向移動，並且藉由具有往與軸線垂直之方向突出的凸緣部而止動的構造。導電性接觸子係藉由具有以上的構成來電性連接備置於電路基板2的電極與備置於半導體積體電路1的連接用電極之間。
保持器基板11(第一基板6、第二基板7)係藉由具有導電性的材料所形成且具有作為導電性接觸子保持器3之母材的功能。具體而言，保持器基板11係藉由導電性材料所形成。
第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10係分別用以收容相對於半導體積體電路1進行信號之輸出輸入的信號用導電性接觸子15、進行接地電位供給的接地用導電性接觸子16、以及進行電力供給的供電用導電性 接觸子17。此等的開口部係分別為圓柱狀且以貫通保持器基板11的方式所形成，並且執行作為藉由形成此種形狀而收容的導電性接觸子之定位手段及導引手段的功能。第一開口部8等係分別藉由相對於第一基板6及第二基板7進行蝕刻(etching)、衝裁成形、或進行使用了雷射、電子束、離子束(ion beam)、線放電(wire discharge)等的加工所形成。
第一開口部8及第三開口部10係以其內徑成為比第二開口部9之內徑更大形成在內面的絕緣構件13、14之部分的方式所形成。此是為了使第二開口部9發揮導引功能及接地功能而形成與接地用導電性接觸子16之外徑大致相等。另一方面，第一開口部8及第三開口部10係為了具有透過絕緣構件13、14而收容信號用導電性接觸子15及供電用導電性接觸子17的功能。再者，第二開口部9之直徑，只要是可以保持接地用導電性接觸子16的直徑，亦可第二開口部9之直徑和接地用導電性接觸子16之外徑不同。
又，第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10，係為了導電性接觸子之止動而分別以內徑在保持器基板11之上下的外表面近旁變窄的方式所形成。如將在後面所述，由於導電性接觸子係具有止動用的突起部，所以形成為縮窄內徑的構成以使此種的突起部和開口部在上下之表面近旁抵接。再者，由於是採用在上下雙方之表面近旁縮窄內徑的構成，所以在製作時能夠將導電性接觸子 收容於第一開口部8等，故而保持器基板11係採用被分割成第一基板6和第二基板7的構造。
絕緣構件13、14係具有藉由形成於第一開口部8及第三開口部10之內面，來電性地將信號用導電性接觸子15及供電用導電性接觸子17、和保持器基板11絕緣的功能。又，絕緣構件13、14係具有藉由亦形成於保持器基板11之外表面上，來電性地將半導體積體電路1及電路基板2、和保持器基板11絕緣的功能。在本實施形態中，有關構成絕緣構件13、14的材料及絕緣構件13、14之厚度等並沒有特別限制，只要是能充分地執行絕緣功能則能夠使用具有任意之材料及厚度來構成絕緣構件13、14。再者，絕緣構件13、14，亦可構成本發明之保持構件，例如藉由塗佈(coating)等來形成皮膜狀。又，亦可一體或個別地在第一開口部8及第三開口部10之內面分割配置圓筒狀之絕緣構件，在保持器基板11之外表面上分割配置板狀之絕緣構件。
在保持器基板11(第一基板6、第二基板7)及絕緣材料13、14係形成有具有連接於第一開口部8的開口且往與第一開口部8之貫通方向正交之方向延伸的短截部30。短截部30係形成有由第一切口部30a及第二切口部30b所構成的圓盤狀之中空空間，該第一切口部30a係形成於第一基板6和第二基板7在積層時相對向的面且形成於第一基板6及絕緣構件14側之面，該第二切口部30b係形成於第二基板7及絕緣構件13側之面。
接著，針對本實施形態1的導電性接觸子單元之在半導體積體電路檢查時的導電性接觸子與導電性接觸子保持器3之間的電性相互作用加以說明。第3圖係顯示在使用本實施形態1的導電性接觸子單元時有關導電性接觸子4與導電性接觸子保持器3之間的電性相互作用的示意圖。再者，在第3圖中係為了容易說明導電性接觸子單元之優點起見，而顯示信號用導電性接觸子15a及信號用導彈性接觸子15b鄰接後的構成。
首先，針對接地用導電性接觸子16中的電性作用加以說明。本實施形態1中的接地用導電性接觸子16，係構成：不僅透過電極100c、200c對半導體積體電路1供給來自電路基板2的電位，還接受來自保持器基板11的電位並相對於半導體積體電路1供給接地電位。亦即，亦如第2圖所示，保持器基板11係具有：在收容接地用導電性接觸子16的第二開口部9之內面未形成絕緣構件，第二開口部9之內面係與接地用導電性接觸子16之外周面直接接觸，具體而言如第3圖所示，與伴隨收縮動作而撓曲的彈簧構件22直接接觸的構成。此外，如上述，由於保持器基板11係藉由導電性材料所形成，所以接地用導電性接觸子16和保持器基板11能電性連接。從而，由於內部電荷能夠在接地用導電性接觸子16與保持器基板11之間自由地往返，所以接地用導電性接觸子16所供給的電位、和保持器基板11的電位係成為相等的值。
其次，針對信號用導電性接觸子15a、15b 中的電性作用加以說明。信號用導電性接觸子15a、15b，係分別從電極200a、200b接收在電路基板2內所生成的電信號，且將所接收的電信號透過電極100a、100b相對於半導體積體電路1進行輸出輸入。
接著，針對供電用導電性接觸子17中的電性作用加以說明。在第4圖中雖然並未圖示，但是供電用導電性接觸子17係從電路基板2之電極接收在電路基板2內所生成的供電用之電力，且透過半導體積體電路1之電極而相對於半導體積體電路1進行輸出輸入該所接收的電力。
第4圖係顯示構成本發明之實施形態1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器之主要部分的構造的剖視圖。第4圖係顯示檢查時的信號用導電性接觸子15之狀態、與第一開口部8和其近旁之部分。在短截部30中，如第4圖所示，在將從信號輸入時(檢查時：參照第3圖)的信號用導電性接觸子15之前端，直至短截部30中的中心軸N1方向之中央部(在此為第一基板6與第二基板7之接觸面)為止的長度設為D1，將從第一開口部8之中心軸N1往與第一開口部8之中心軸N1方向(貫通方向)正交的方向，且係往短截部30所延伸之方向延伸的長度設為L1時，長度D1及長度L1，係可以藉由下式(1)、(2)而分別求出。再者，第一開口部8之中心軸N1、與藉由絕緣構件13、14而形成於第一開口部8之內周的保持孔之中心軸係呈一致。
其中，ASRW：駐波比(ASRW=Z0/Za、Z0為特性阻抗、Za為純電阻(<Z0)、ASRW(附有上線)：ASRW之共軛複數、λ：共振頻率的波長。
共振頻率，係指使作為檢查對象的半導體積體電路1動作時所使用的頻域(frequency domain)之中之例如產生共振的頻率。再者，亦能夠設定在共振頻率以外的頻率。
藉由在與式(1)中所算出之長度D1對應的位置，形成以式(2)中所算出之長度L1來延伸的短截部30，因短截部30會成為特定的頻率中的匹配電路，故而可以使駐波衰減且減低介入損失。再者，所謂特定的頻率，係指在使用區域內使介入損失減低的對象之頻率，特別是，由於介入損失會在產生共振的頻率中局部變大，所以藉由本發明使介入損失減低所得的功效會較大。
在以上所述的實施形態1中，係在收容導電性接觸子的導電性接觸子保持器3中，於收容信號用導電性接觸子15的第一開口部8形成有短截部30。依據本實施形態1，則藉由在令使用頻域內的特定之頻率中的駐波衰減的位置形成短截部30，就可以使用信號用導電性接觸子15，並且減低特定之頻域中的介入損失。
又，在本實施形態1中，藉由將收容導電 性接觸子的導電性接觸子保持器3之母材作為藉由導電性材料所形成的保持器基板11，就能夠執行藉由接地用導電性接觸子16所為的接地電位供給功能之效率化、以及有關信號用導電性接觸子15及供電用導電性接觸子17的電磁波之遮蔽功能。由於此等的功能係依存於保持器基板11之電位穩定性較大，所以能夠藉由提高保持器基板11之電位穩定性，來更提高接地電位供給功能及電磁波之遮蔽功能。
(實施形態1之變化例1)
第5圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態1中，雖然已說明短截部30是由構成保持器基板11的第一基板6和第二基板7上所形成的切口部30a、30b所構成，但是不限於此。如第5圖所示，亦可形成為僅將第一基板6側帶有切口而成的短截部30A。如此，短截部係能夠按照形成位置而形成於構成保持器基板11的第一基板6與第二基板7中之一方的基板。
(實施形態1之變化例2)
第6圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例2的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態1中，雖然已針對一端連接於第一開口部8，另一端閉塞著的短截部30(短路短截部(short stub))加以說明，但是不限於此。 如第6圖所示，短截部30之另一端，亦可為已到達保持器基板11之外表面的開路短截部(open stub)。
(實施形態1之變化例3)
第7圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。亦可藉由相對於以上所述之變化例2的開路短截部，從保持器基板11之外表面側插入調整構件，並將開路短截部之一端密封來形成短路短截部。具體而言，能夠藉由使用第7圖所示的調整構件300來調整以上所述的短截部30之長度L1。
(實施形態1之變化例4)
第8圖係顯示構成本發明的實施形態1之變化例4的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態1中，雖然已說明在第一開口部8之貫通方向形成有一個短截部30，但是不限於此。如第8圖所示，亦可沿著第一開口部8之貫通方向形成複數個(第8圖中為二個)短截部(短截部31、32)。此時，保持器基板11A係由三個基板(第一基板11a、第二基板11b及第三基板11c)所構成，且在位於積層方向之中央部的基板(第三基板11c)之表面係形成有絕緣構件13a。如此，短截部係能夠按照使其衰減的頻率而形成複數個。
(實施形態2)
第9圖係顯示構成本發明之實施形態2的導電性接觸 子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態1雖然已針對使用金屬材料來形成保持器基板11，且在其外表面設置有絕緣構件13、14的導電性接觸子保持器加以說明，但是本實施形態2的保持器基板係由絕緣性材料所構成。
第9圖所示的導電性接觸子單元係具有：信號用之導電性接觸子18，係以長邊方向之兩端來與作為互為不同之二個被接觸體的半導體積體電路1及電路基板2接觸；以及導電性接觸子保持器40，係依照預定之型樣(pattern)來收容並保持複數個導電性接觸子18。導電性接觸子18之構成係與以上所述的信號用導電性接觸子15相同。
導電性接觸子保持器40係使用樹脂、可加工陶瓷(machinable ceramic)、矽(silicon)等的絕緣性材料所形成，且由位於第9圖之上面側的第一基板41與位於下面側的第二基板42積層而成。在第一基板41及第二基板42係分別各形成有相同數目之用以插通複數個導電性接觸子18的開口部43及44。開口部43及44，係以彼此之軸線一致的方式所形成。開口部43及44之形成位置，係依半導體積體電路1之配線圖案而決定。
在開口部43及44係收容有保持導電性接觸子的保持構件50。保持構件50係具有：可供導電性接觸子18貫通的筒狀之絕緣性管件51；以及設置於絕緣性管件51之外周的導電性管件52。
絕緣性管件51，係使用氟系樹脂(例如，聚四氟乙烯(polytetrafluoroethylene))等的絕緣性材料所形成，且由位於第9圖之上面側的第一構件51a與位於下面側的第二構件51b積層而成。在第一構件51a及第二構件51b係分別形成有用以收容導電性接觸子18的保持器孔53及54。收容信號用導電性接觸子15的保持器孔53及54係以彼此之軸線一致的方式所形成。
保持器孔53及54係皆形成沿著貫通方向而構成直徑不同之附有段差的孔形狀。亦即，保持器孔53係由小徑部53a及大徑部53b所構成，該小徑部53a係在導電性接觸子保持器40之上端面具有開口，該大徑部53b之直徑係比該小徑部53a之直徑更大。另一方面，保持器孔54係由小徑部54a及大徑部54b所構成，該小徑部54a係在導電性接觸子保持器40之下端面具有開口，該大徑部54b之直徑係比該小徑部54a之直徑更大。此等的保持器孔53及54之形狀係依所收容的導電性接觸子18之構成而決定。針狀構件20之凸緣部係藉由抵接於保持器孔54之小徑部54a與大徑部54b之交界壁面，而具有防止導電性接觸子18從導電性接觸子保持器40脫離的止脫功能。又，針狀構件21之凸緣部係藉由抵接於保持器孔53之小徑部53a與大徑部53b之交界壁面，而具有防止導電性接觸子18從導電性接觸子保持器40脫離的止脫功能。
導電性管件52，係藉由銅、銀、或以其等作為主成分的合金、或是鍍覆等的導電性材料所形成。導 電性管件52係具有覆蓋絕緣性管件51的第一構件51a之外周的第一構件52a、以及覆蓋絕緣性管件51的第二構件51b之外周的第二構件52b，且被覆絕緣性管件51之外周面。導電性管件52係與半導體積體電路1及電路基板2之接地電極接觸。
在保持構件50(絕緣性管件51、導電性管件52)係具有與保持器孔53、54連接的開口，且形成有往與保持器孔53、54之貫通方向正交的方向延伸的短截部55。短截部55係形成有由第一切口部55a及第二切口部55b所構成的圓盤狀之中空空間，該第一切口部55a係形成於第一構件51a和第二構件51b在積層時相對向的面且形成於第一構件51a側之面，該第二切口部55b係形成於第二構件51b側之面。短截部55之形成位置及延伸方向之長度係可以藉由上式(1)、(2)而分別求出。
在以上所述的實施形態2係在收容導電性接觸子的導電性接觸子保持器40中，於收容導電性接觸子18的保持構件50形成有短截部55。依據本實施形態2，則藉由在令使用頻域中的駐波衰減的位置形成短截部55，就可以使用導電性接觸子18並且減低預定之頻域中的介入損失。
再者，亦能夠將以上所述的實施形態2之構成應用於供電用導電性接觸子17。
又，在以上所述的實施形態2中，雖然已在保持構件50中說明絕緣性管件51及導電性管件52分別 由二個構件(第一及第二構件)所構成，但是亦可為第一構件與第二構件之一部分連接的一體構成。此時，短截部所形成的中空空間，例如是構成非圓盤狀。
(實施形態3)
第10圖係顯示構成本發明之實施形態3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態1、2中，雖然已說明在導電性接觸子保持器側形成短截部，但是在本實施形態3中則是在導電性接觸子側設置短截部。
本實施形態3的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3A，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15A、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3A之開口部內。
本實施形態3的信號用導電性接觸子15A係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21A，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21A之間且電性連接針狀構件20、21A間，並且用以使信號用導電性接觸子15A朝向長軸方向伸縮。針狀構件20和彈簧構件22，係與以上所述的信號用導電性接觸子15之構成同樣。
針狀構件21A係在針狀構件21A之中心軸 N2方向之中央部具有短截部21a。短截部21a，係構成從針狀構件21A之側面往與針狀構件21A之長邊方向正交的方向突出而成的圓盤狀。在短截部21a中，如第10圖所示，在將從針狀構件21A之前端直至短截部21a中的中心軸N2方向之中央部為止的長度設為D2，將從針狀構件21A之中心軸N2往與針狀構件21A之中心軸N2方向(貫通方向)正交的方向延伸的長度設為L2時，長度D2及長度L2，係可以藉由下式(3)、(4)而分別求出。
其中，BSRW：駐波比(BSRW=Za/Z0、Z0為特性阻抗、Za為純電阻(>Z0)、BSRW(附有上線)：BSRW之共軛複數、λ：共振頻率的波長。
與實施形態1同樣，共振頻率，係指使作為檢查對象的半導體積體電路1動作時所使用的頻域之中之例如產生共振的頻率。再者，亦能夠設定在共振頻率以外的頻率。
導電性接觸子保持器3A係具備：保持器基板11，係由以上所述的第一基板6及第二基板7所構成；絕緣構件13及絕緣構件14A，係被覆第一開口部8及第三開口部10之內面及保持器基板11之表面；以及保持板60，係設置於絕緣構件14A側且收容並保持針狀構件21A之一部分。絕緣構件14A係在第一開口部8中形成具有一樣直 徑的孔。
保持板60係具有分別連通至第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10的孔部。在此，係針對保持信號用導電性接觸子15A的孔部61加以說明。如第10圖所示，孔部61係構成直徑沿著貫通方向而不同之附有段差的孔形狀。孔部61係由小徑部61a及大徑部61b所構成，該小徑部61a係在導電性接觸子保持器3A之上端面具有開口，該大徑部61b之直徑係比該小徑部61a之直徑更大。孔部61之形狀係依所收容的信號用導電性接觸子15A之構成而決定。例如，大徑部61b之貫通方向的長度係設定為比在檢查時短截部21a移動的距離(行程(stroke))更大。藉此，可以防止針狀構件21A之行程因保持板60而受到限制。
在本實施形態3中，短截部21a能夠卡止於小徑部61a和大徑部61b所構成的段差部。另一方面，針狀構件20之凸緣係能夠卡止於絕緣構件13之段差部。藉此，可以防止信號用導電性接觸子15A從導電性接觸子保持器3A脫落。
有關保持接地用導電性接觸子16及供電用導電性接觸子17的孔部，既可構成與孔部61相同的形狀，又可形成以相同直徑延伸的圓筒狀之中空空間。
在以上所述的實施形態3係在信號用導電性接觸子15A中，於針狀構件21A設置短截部21a。依據本實施形態3，則藉由在令使用頻域中的駐波衰減的位置 形成短截部21a，就可以使用信號用導電性接觸子15A並且減低特定之頻域中的介入損失。
(實施形態3之變化例1)
第11圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例1的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態3中，雖然已說明僅藉由保持板60之大徑部61b來確保短截部21a所移動的針狀構件21A之行程之例，但是不限於此。在本變化例1係藉由分別形成於保持板60A、和絕緣構件14B的孔來確保針狀構件21A之行程。
本變化例1的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3B，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15A、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3B之開口部內。
導電性接觸子保持器3B係具備：保持器基板11，係由以上所述的第一基板6及第二基板7所構成；絕緣構件13及絕緣構件14B，係被覆第一開口部8及第三開口部10之內面及保持器基板11之表面；以及保持板60A，係設置於絕緣構件14B側且收容並保持針狀構件21A之一部分。
保持板60A，係具有分別連通至第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10的孔部。在此，係針對 保持信號用導電性接觸子15A的孔部61A加以說明。如第11圖所示，孔部61A係構成直徑沿著貫通方向而不同之附有段差的孔形狀。孔部61A係由小徑部61a及大徑部61c所構成，該小徑部61a係在導電性接觸子保持器3B之上端面具有開口，該大徑部61c之直徑係比該小徑部61a之直徑更大。
即便是在本變化例1中，短截部21a仍能夠卡止於小徑部61a和大徑部61c所構成的段差部。藉此，可以防止信號用導電性接觸子15A從導電性接觸子保持器3B脫落。
又，在絕緣構件14A係形成有與大徑部61c連接且具有與大徑部61c相同之直徑的大徑部14a。
大徑部14a、61c之形狀係依所收容的信號用導電性接觸子15A之構成而決定。例如，大徑部14a、61c之貫通方向的長度係設定為比在檢查時短截部21a移動的距離(行程)更大。藉此，可以防止針狀構件21A之行程因保持板60A而受到限制。
(實施形態3之變化例2)
第12圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例2的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態3雖然已說明在針狀構件21A形成一個短截部21a之例，但是不限於此。在本變化例2中，針狀構件21B係具備二個短截部(短截部21a、21b)。
本變化例2的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3A，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15B、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3A之開口部內。
本變化例2的信號用導電性接觸子15B係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21B，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21B之間且電性連接針狀構件20、21B間，並且用以使信號用導電性接觸子15B朝向長軸方向伸縮。針狀構件20和彈簧構件22，係與以上所述的信號用導電性接觸子15之構成同樣。
在針狀構件21B係沿著針狀構件21B之中心軸方向而設置有二個短截部(短截部21a、21b)。短截部21a、21b係從針狀構件21B之側面往與針狀構件之長邊方向正交的方向突出而成。短截部21a、21b係以個別使特定之頻率中的駐波衰減的方式所設置。短截部21a、21b例如是可以藉由上式(3)、(4)而求出配設位置和突出長度。
(實施形態3之變化例3)
第13圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例3的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的實施形態3雖 然已說明短截部21a比凸緣部更設置於針狀構件21A之前端側且短截部具有止脫功能之例(參照第10圖)，但是不限於此。本變化例3係在針狀構件21C中，於比凸緣部21c更靠基端側(彈簧構件22側)形成有短截部21a。
本變化例3的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3C，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15C、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3C之開口部內。
本變化例3的信號用導電性接觸子15C係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21C，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21C之間且電性連接針狀構件20、21C間，並且用以使信號用導電性接觸子15C朝向長軸方向伸縮。針狀構件20和彈簧構件22，係與以上所述的信號用導電性接觸子15的構成同樣。
在針狀構件21C，係沿著針狀構件21C之中心軸N3方向設置有短截部21a與凸緣部21c。短截部21a係設置於比凸緣部21c更靠基端側。
在導電性接觸子保持器3C中，針狀構件21C之凸緣部21c係能夠抵接於孔部61的小徑部61a與大徑部61b之交界壁面。藉此，可以防止信號用導電性接觸 子15C從導電性接觸子保持器3B脫落。
(實施形態3之變化例4)
第14圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例4的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。在以上所述的變化例3雖然已說明短截部21a與凸緣部21c分離所設置之例，但是有的情況亦藉由使衰減的駐波之頻率來使凸緣部21c與短截部21a相接觸。
本變化例4的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3C，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15D、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3C之開口部內。
本變化例4的信號用導電性接觸子15D係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21D，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21D之間且電性連接針狀構件20、21D間，並且用以使信號用導電性接觸子15D朝向長軸方向伸縮。針狀構件20和彈簧構件22係與以上所述的信號用導電性接觸子15之構成同樣。
在針狀構件21C係沿著針狀構件21C之中心軸方向設置有短截部21a、和凸緣部21c。短截部21a 係設置於比凸緣部21c更靠基端側且與凸緣部21c相接觸。
(實施形態3之變化例5)
第15圖係顯示構成本發明的實施形態3之變化例5的導電性接觸子單元的導電性接觸子保持器及導電性接觸子之詳細構造的部分剖視圖。
本變化例5的導電性接觸子單元係具備：以上所述的電路基板2(未圖示)；導電性接觸子保持器3D，係配置於電路基板2上且具有預定之開口部；以及導電性接觸子(信號用導電性接觸子15E、接地用導電性接觸子16、供電用導電性接觸子17)，係收容於導電性接觸子保持器3C之開口部內。
導電性接觸子保持器3D係具備：保持器基板11，係由以上所述的第一基板6及第二基板7所構成；絕緣構件13及絕緣構件14，係被覆第一開口部8及第三開口部10之內面及保持器基板11之表面；以及保持板60B，係設置於絕緣構件14B側且收容並保持針狀構件21E之一部分。
保持板60B係具有分別連通至第一開口部8、第二開口部9及第三開口部10的孔部。在此，係針對保持信號用導電性接觸子15E的孔部61B加以說明。如第15圖所示，孔部61B係構成直徑沿著貫通方向而不同之附有段差的孔形狀。孔部61B係由小徑部61d及大徑部61e所構成，該小徑部61d係在導電性接觸子保持器3D之上 端面具有開口，該大徑部61e之直徑係比該小徑部61d之直徑更大。
在本變化例5中，針狀構件21E之凸緣部係能夠卡止於絕緣構件14所形成的段差部。藉此，可以防止信號用導電性接觸子15E從導電性接觸子保持器3D脫落。
信號用導電性接觸子15E係具備：針狀構件20，係用以與備置於電路基板2的電極電性連接；針狀構件21E，係用以在使用時與備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接；以及彈簧構件22，係設置於針狀構件20與針狀構件21E之間且電性連接針狀構件20、21E間，並且用以使信號用導電性接觸子15E朝向長軸方向伸縮。針狀構件20和彈簧構件22係與以上所述的信號用導電性接觸子15之構成同樣。
針狀構件21E係具有：軸部21d、21e，係構成針狀構件21E之軸；以及短截部21f，係設置於軸部21d、21e之間。軸部21d、21e之直徑為相同。短截部21f係構成從針狀構件21E之側面往與中心軸正交的方向突出而成的圓盤狀。短截部21f係可以藉由上式(3)、(4)，求出從針狀構件21E之前端直至短截部21f中的中心軸方向之中央部為止的長度(長度D2)、以及從針狀構件21E之中心軸往與針狀構件21E之中心軸方向(貫通方向)正交的方向延伸的長度(長度L2)。
在已藉由上述(4)而決定長度L2時，該長度 L2係與針狀構件21E的軸部21d、21e之直徑相同，或是在變得比軸部21d、21e之直徑更小的情況下，亦可縮小該軸部21d、21e之直徑。
即便是在以上說明的變化例1至5的構成中，藉由在令使用頻域中之駐波衰減的位置形成短截部，仍可以使用信號用導電性接觸子15A至15D並且減低特定之頻域中的介入損失。
再者，在以上所述的實施形態3及變化例1至5中，雖然已說明在用以於使用時備置於半導體積體電路1的連接用電極電性連接的針狀構件21A至21E設置短截部之例，但是可在用以與備置於電路基板2的電極電性連接的針狀構件20設置短截部，也可在針狀構件20與針狀構件21A至21E之雙方設置短截部。
再者，在以上所述的實施形態1至3中雖然已說明短截部是構成圓盤狀，但是亦可為構成橢圓狀、或延伸成角柱狀的孔或突起。只要是衰減共振頻率之駐波的短截部，則短截部之形狀係不限於圓盤狀。
[產業上之可利用性]
如以上說明，本發明的導電性接觸子單元，係適於減低特定之頻率中的介入損失。

Claims (8)

  1. 一種導電性接觸子單元，係具備：信號用導電性接觸子，係相對於預定電路構造輸出輸入信號，且具有：第一柱塞，係與前述預定電路構造接觸；第二柱塞，係與相對於前述預定電路構造進行前述信號之輸出輸入的電路基板連接；以及彈簧構件，係以伸縮自如的方式將前述第1及第2柱塞連結；以及導電性接觸子保持器，係收容用於相對於前述預定電路構造進行信號輸出輸入的前述信號用導電性接觸子，且具有同軸構造；前述導電性接觸子保持器係具有：保持器基板，係形成有可供前述信號用導電性接觸子插通的開口部；及保持構件，係收容在前述開口部，且形成保持一個或複數個前述信號用導電性接觸子的保持孔；且該導電性接觸子單元具有：短截部，係形成從前述保持孔往與該保持孔之中心軸正交的方向延伸的中空空間；前述短截部係將從於輸入前述信號時的前述第一柱塞前端至該短截部為止的前述保持孔之中心軸方向的長度設為D1、從前述保持孔之中心軸起的該短截部之延伸方向的長度設為L1時，滿足以下式：
    Figure TWI668459B_C0001
    Figure TWI668459B_C0002
    (其中，ASRW：駐波比(ASRW=Z0/Za、Z0為特性阻抗、Za為純電阻(<Z0)、ASRW(附有上線)：ASRW之共軛複數、λ：特定頻率下的波長)。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之導電性接觸子單元，其中，前述保持器基板及前述保持構件係分別由形成沿著與前述開口部之軸線方向交叉之方向的交界來分割該導電性接觸子保持器的二個構成構件所構成，前述二個構成構件之間形成有前述短截部。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所述之導電性接觸子單元，其中，前述短截部之延伸方向的前端與前述保持器基板的外周面接觸。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之導電性接觸子單元，更具有：調整構件，係插入在前述短截部之延伸方向的前端側，可調整該短截部之延伸方向的長度。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之導電性接觸子單元，其中：前述保持器基板及前述保持構件係分別由在與前述開口部之軸線方向交叉之方向分割的二個構成構件所構成，前述短截部係形成在前述二個構成構件之中的一方。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之導電性接觸子單元，其中：前述短截部係形成相對於前述保持孔之中心軸呈旋轉對稱的圓盤狀的中空空間。
  7. 一種導電性接觸子單元，係具備；信號用導電性接觸子，係相對於預定電路構造輸出輸入信號，且具有：第一柱塞，係與前述預定電路構造接觸；第二柱塞，係與相對於前述預定電路構造進行前述信號之輸出輸入的電路基板連接；以及彈簧構件，係以伸縮自如的方式將前述第1及第2柱塞連結；以及保持器基板，係形成有分別收容複數個前述信號用導電性接觸子的複數個收容部；前述第一柱塞及前述第二柱塞之中之至少一方的柱塞係形成有短截部，該短截部係從外表面往與前述柱塞之軸線方向正交的方向突出；前述短截部係將從前述第一柱塞之前端至該短截部為止的前述第一柱塞之軸線方向的長度設為D2、從前述第一柱塞之中心軸起的長度且係與前述軸線方向正交的方向的長度設為L2時，滿足以下式：
    Figure TWI668459B_C0003
    Figure TWI668459B_C0004
    (其中，BSRW：駐波比(BSRW=Za/Z0、Z0為特性阻抗、Za為純電阻(>Z0)、BSRW(附有上線)：BSRW之共軛複數、λ：特定頻率下的波長)。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之導電性接觸子單元，其中：前述短截部係相對於形成有該短截部之柱塞的軸線呈旋轉對稱的圓盤狀。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102019130780A1 (de) * 2019-11-14 2021-05-20 Rosenberger Hochfrequenztechnik Gmbh & Co. Kg Mehrfachverbinder, Baugruppenverbindung und Verfahren sowie Vorrichtung zur Herstellung eines Mehrfachverbinders
KR20220136403A (ko) * 2020-03-24 2022-10-07 닛폰 하츠죠 가부시키가이샤 프로브 유닛
US20230087891A1 (en) * 2021-09-23 2023-03-23 Apple Inc. Pass-through connectors for connector systems

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI276804B (en) * 2001-04-13 2007-03-21 Sumitomo Electric Industries Contact probe
TW201208213A (en) * 2010-06-01 2012-02-16 3M Innovative Properties Co Contact holder
US8344747B2 (en) * 2008-02-01 2013-01-01 Nhk Spring Co., Ltd. Probe unit
TW201331587A (zh) * 2011-10-07 2013-08-01 Nhk Spring Co Ltd 探針單元
TW201702392A (zh) * 2015-03-31 2017-01-16 日本發條股份有限公司 合金材料、接觸探針及連接端子

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5414369A (en) 1992-11-09 1995-05-09 Nhk Spring Co., Ltd. Coil spring-pressed needle contact probe modules with offset needles
JPH06201725A (ja) * 1992-11-09 1994-07-22 Nhk Spring Co Ltd 導電性接触子及び導電性接触子ユニット
JP2002124552A (ja) 2000-10-13 2002-04-26 Seiko Instruments Inc プローブカード及び半導体検査装置
JP4916717B2 (ja) * 2005-12-27 2012-04-18 日本発條株式会社 導電性接触子ホルダおよび導電性接触子ユニット
EP2093576A4 (en) * 2006-12-15 2010-09-22 Nhk Spring Co Ltd CONDUCTIVE CONTACT SUPPORT, CONDUCTIVE CONTACT UNIT AND METHOD FOR MANUFACTURING A CONDUCTIVE CONTACT SUPPORT
TWI482973B (zh) * 2009-04-03 2015-05-01 Nhk Spring Co Ltd 彈簧用線材、接觸探針及探針單元
JP6436711B2 (ja) * 2014-10-01 2018-12-12 日本発條株式会社 プローブユニット

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI276804B (en) * 2001-04-13 2007-03-21 Sumitomo Electric Industries Contact probe
US8344747B2 (en) * 2008-02-01 2013-01-01 Nhk Spring Co., Ltd. Probe unit
TW201208213A (en) * 2010-06-01 2012-02-16 3M Innovative Properties Co Contact holder
TW201331587A (zh) * 2011-10-07 2013-08-01 Nhk Spring Co Ltd 探針單元
TW201702392A (zh) * 2015-03-31 2017-01-16 日本發條股份有限公司 合金材料、接觸探針及連接端子

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