JP2010175371A - 検査ソケット - Google Patents

Abstract

【課題】 非常に狭ピッチの電極端子を有し、かつ、ＲＦ信号用端子を有するＩＣなどの検査をする場合でも、高周波・高速の帯域におけるインピーダンスの乱れを生じさせること無く、アイソレーション特性を改善することができる検査ソケットを提供する。
【解決手段】 板状の金属ブロック１１に形成される貫通孔１１ａ内に、少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを含むコンタクトプローブ１２が設けられ、そのコンタクトプローブ１２は、金属ブロック１１から抜け出ないように、絶縁性基板１３により固定されている。コンタクトプローブ１２は、その先端に軸方向に沿って可動するプランジャ１２１、１２２が設けられており、絶縁性基板１３は、コンタクトプローブ１２の肩部で固定している。本発明では、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲のいずれかの場所における絶縁性基板１３にＧＮＤ柱１４またはＧＮＤ壁が形成されている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、ＬＳＩ（大規模集積回路）などのモノリシックＩＣやハイブリッドＩＣ、複数のＩＣとＬＣＲなどのディスクリート部品を組み合せてハイブリッド化し、要求する機能を実現したモジュール部品など（以下、これらを纏めて単にＩＣまたは被検査物という）を検査する際に、検査装置と接続された配線基板などと被検査物の電極端子との接触を確実にする検査ソケットに関する。さらに詳しくは、高周波・高速用（アナログで周波数の高いものを高周波といい、デジタルでパルス幅およびパルス間隔が非常に短いものを高速という、以下両方纏めてＲＦともいう）の被検査物で、電極端子間ピッチが、たとえば０.４ｍｍ程度と非常に小さくなった狭ピッチのＩＣでも、信号を確実に伝達できるように接続することができる検査ソケットに関する。

近年の高集積化、高機能化されるＩＣでは、実際に回路に組み込まれる前に、その特性を検査しておく必要がある。このようなＩＣなどの検査をする場合、検査装置と接続された配線が形成された配線基板の配線端子とＩＣなどの電極端子とをハンダ付などをしないで確実に接触させる必要がある。そのため、たとえば図５（ａ）に示されるように、配線基板２とＩＣ３などの被検査物との間に検査ソケット１を介在させて検査が行われている。なお、図５（ｂ）は、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの部分の拡大説明図である。

この検査ソケット１は、図５に示される例では、金属ブロック１１に設けられた挿入孔内にコンタクトプローブ１２が挿入され、そのコンタクトプローブ１２が金属ブロック１１から抜け出ないように、金属ブロック１１の上下両面に押え板と呼ばれる絶縁性基板１３が図示しないネジなどにより金属ブロック１１に固定される構造になっている。コンタクトプローブ１２は、ＲＦ信号用のコンタクトプローブ１２Sの他、低周波信号用または電源用のコンタクトプローブ１２P、アース用のコンタクトプローブ１２GNDなどがあり、これらのコンタクトプローブ１２がＩＣ３などの電源端子と符合するように設けられている（たとえば特許文献１参照）。

近年のＩＣなどの高集積化、小形化に伴って、ＩＣ３などの電極端子３１のピッチは０.４ｍｍ程度と非常に小さくなってきている。一方、低周波信号用または電源用のコンタクトプローブ１２Pは、金属ブロック１１と接触しないように、絶縁性チューブ１９を介して挿入されればよいが、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sは、同軸構造にしてインピーダンスをマッチングさせないと信号が減衰して正確な検査をすることができない。すなわち、１ＧＨｚ以上のようなＲＦ信号では、コンタクトプローブのように細いリードでは、そのリアクタンス成分により信号伝達が阻害されたり、信号が反射したりすることによる影響を無視できなくなる。たとえば、インダクタンス成分を小さくするため、２ｍｍ程度の短いコンタクトプローブにしても、そのリアクタンス成分を１ｎＨ以下にすることは困難であり、たとえば１ｎＨのプローブは１０ＧＨｚでは６３Ωのインピーダンスになってしまう。

このような問題を解決するため、同軸構造にしてインピーダンスをマッチングさせるために、特定のインピーダンスＺ₀にするには、その内部導体の外径ｄと外部導体の内径Ｄと、その間の誘電体の比誘電率ε_rとの間に、次の関係式（１）を満たす必要がある。そのため、電極端子間のピッチが小さくなり、内部導体とするコンタクトプローブの外径が０.１５ｍｍ程度の限界になってもさらに挿入孔１１ａの径を小さくするには、誘電体の誘電率を小さくしなければならない。そのため、図５に示される例では、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを挿入孔１１ａ内に中空に保持することにより比誘電率をほぼ１と小さくしており、絶縁性基板１３によりコンタクトプローブ１２の抜け出しを防止すると共に、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを挿入孔１１ａの中心に中空で保持する構成になっている。

特開２００４−３２５３０５号公報

前述のように、被検査物の高周波・高速化に伴い、検査ソケットは、金属ブロックの貫通孔内にコンタクトプローブを保持して同軸構造にする構成が採用されている。しかし、このような同軸構造にしても、１０ＧＨｚ以上の高周波・高速の領域になると、挿入損失、反射損失、クロストークなどの特性が劣化してくるという問題が生じてきた。すなわち、コンタクトプローブを保持する、通称押え板と呼ばれる絶縁性基板１３は、０.６ｍｍ程度と非常に薄いものの、この部分では外部導体が無いことになり、同軸構造になっていないため、ＲＦ特性が劣化する。一方、前述の特許文献１に記載の発明では、金属ブロックを３層構造として、外面側の金属蓋に形成した凹部により絶縁性スペーサを介してコンタクトプローブを保持したり、ガラスエポキシのような絶縁基板に、１ｍｍ程度の間隔で貫通孔を形成してその貫通孔内にビアを形成したＧＮＤ基板によりコンタクトプローブ１２を固定する構造も考えられているが、金属蓋の凹部内に絶縁性スペーサを介して固定する構造は、極小の絶縁性スペーサの形成自体が非常に困難であり、組立も非常に困難になるために０.７ｍｍ以下のピッチでは実施し難くなると共に、ＧＮＤ基板を用いる構造でも、ＧＮＤ基板の製造が非常に困難であると共に、ビアの位置によってはコンタクトプローブと接触する危険性もある。

本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、近年の電極端子間隔が非常に狭い狭ピッチの電極端子を有し、かつ、ＲＦ信号用端子を有するＩＣなどの検査をする場合でも、高周波・高速の帯域におけるインピーダンスの乱れを生じさせること無く、また、アイソレーション特性を改善することができる構造の検査ソケットを提供することを目的とする。

本発明による検査ソケットは、被検査物の各電極端子を配線基板の配線と接続する検査ソケットであって、板状の金属ブロックと、該金属ブロックに形成される挿入孔内に、少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブを含んで設けられるコンタクトプローブと、前記コンタクトプローブの先端で軸方向に沿って可動するプランジャを貫通させる貫通孔を有しながら前記コンタクトプローブを固定する絶縁性基板とを有し、前記コンタクトプローブの少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブの周囲のいずれかの場所における前記絶縁性基板にＧＮＤ柱および／またはＧＮＤ壁が形成されている。

ここにコンタクトプローブとは、たとえば金属パイプ内にスプリングを介してリード線（プランジャ）が設けられ、プランジャの一端部は金属パイプから突出するが、他端部は金属パイプから抜け出ないように形成されることにより、プランジャの一端部を押し付ければ金属パイプの端部まで引っ込むが、外力を解除すればスプリングの力によりプランジャが金属パイプから外方に突出する構造のように、リード線（プランジャ）の先端が可動し得る構造のプローブを意味する。また、ＲＦとは、アナログの周波数の高い高周波やデジタルのショートパルスでパルス間隔が小さい高速の両方を含み、正弦波（サイン波）またはパルスの繰返しが１ＧＨｚ程度以上のものを意味する。さらに、被検査物とは、たとえばＬＳＩ（大規模集積回路）などのモノリシックＩＣやハイブリッドＩＣの他、複数のＩＣとＬＣＲなどのディスクリート部品を組み合せてハイブリッド化し、要求する機能を実現したモジュール部品などを含めたデバイスを意味する。さらに、ＧＮＤ柱またはＧＮＤ壁とは、絶縁性基板に設けられた貫通孔または帯状の孔の内壁に金属被膜が形成されたり、内部に金属材料が埋め込まれたりし、その金属被膜または金属材料がアースとされる金属ブロックと電気的に接続された構造のものを意味する。

前記ＧＮＤ柱またはＧＮＤ壁が、前記絶縁性基板に形成された孔の内面に金属被膜が形成された構造にすることにより、予め孔を空けた絶縁性基板に無電解メッキまたは真空蒸着やスパッタリングなどを施すだけで孔の少なくとも内面に金属被膜が形成された円筒体または柱状体にすることができるため、非常に簡単に形成することができる。なお、この絶縁性基板の金属ブロックと接触する側の面で、孔の周囲にもメッキなどにより金属被膜を形成しておくことにより、ＧＮＤ柱を確実に金属ブロックと電気的に接触させることができる。また、メッキなどによる被膜形成ではなく、孔内に金属棒を挿入することもできる。

前記コンタクトプローブが平面的に見て縦横に並んで形成され、前記ＧＮＤ柱が１個のＲＦ用コンタクトプローブと斜め方向に隣接するコンタクトプローブとの間に形成されていることにより、被検査物の電極端子の狭ピッチ化に伴いコンタクトプローブの間隔が非常に狭くなっても、ＧＮＤ柱を設けるスペースを確保することができながら、ＲＦ信号用コンタクトプローブに対するアースとしての機能を充分に発揮する。

前記コンタクトプローブが平面的に見て縦横に並んで形成され、前記ＧＮＤ壁が１個のＲＦ信号用コンタクトプローブと縦または横に隣接する少なくとも１つのコンタクトプローブとの間に、または１個のＲＦ信号用コンタクトプローブと斜め方向に隣接するコンタクトプローブとの間に形成される２個の隣接するＧＮＤ柱および該２個の隣接するＧＮＤ柱を結ぶように形成されてもよい。

前記ＧＮＤ柱およびＧＮＤ壁を構成する金属材料が、前記絶縁性基板の前記金属ブロックとの接触面まで連続して形成されていることにより、ＧＮＤ柱またはＧＮＤ壁と金属ブロックとの電気的接続を確実にすることができるため好ましい。

この構造にすることにより、ＲＦ信号用コンタクトプローブを、金属ブロックの挿入孔の中心に保持する絶縁性基板において、ＲＦ信号用コンタクトプローブの周囲のみにＧＮＤ柱またはＧＮＤ壁を形成することができ、メッキなどの被膜形成工程または金属棒の挿入工程が増える程度で簡単に形成することができながら、コンタクトプローブを固定する絶縁性基板の部分もほぼ同軸構造にすることができる。すなわち、絶縁性基板の部分では、ＲＦ信号用コンタクトプローブの周囲に完全には外部導体は存在しないが、たとえばＧＮＤ柱が、ＲＦ信号用コンタクトプローブの斜め方向（縦横に並ぶコンタクトプローブの対角線方向）の４つの角に設けられることにより、外径が０.１５ｍｍ程度の非常に細いコンタクトプローブに対しては、４つの角部分に設けられるＧＮＤ柱によりほぼ覆われる構造になる。その結果、ＲＦ信号用コンタクトプロの先から先までを、ほぼ同軸構造とすることができ、１０ＧＨｚ以上のＲＦ特性でも大幅に向上させることができる。

本発明による検査用ソケットの一実施形態を説明する上面、そのＢ−Ｂ線断面（コンタクトプローブとＧＮＤ柱とを交互に結ぶ線）およびコンタクトプローブの一例をそれぞれ示す図である。 図１に示される絶縁性基板のＧＮＤ柱部分およびコンタクトプローブを固定する部分を示す一部斜視の断面説明図である。 本発明の他の実施形態であるＧＮＤ壁を形成する例を示す説明図である。 図１に示されるＲＦ信号用コンタクトプローブおよびアース用コンタクトプローブの配置で、図１に示されるような位置にＧＮＤ柱を立てた本発明の構造（Ａ）と、コンタクトプローブの配置は全く同じで、ＧＮＤ柱を立てない従来の構造（Ｂ）の場合とで、挿入損失、反射損失、ニアエンドクロストークおよびファーエンドクロストークの特性をシミュレーションして、それぞれを対比して示した図である。 従来の検査ソケットの構成例を示す説明図である。

つぎに、図面を参照しながら本発明の検査ソケットについて、その一実施形態の平面、そのＢ−Ｂ断面およびコンタクトプローブの断面説明図がそれぞれ示される図１を参照しながら説明をする。

本発明による検査ソケットは、ＩＣなどの被検査物の各電極端子を配線基板の配線と接続するもので、板状の金属ブロック１１に形成される挿入孔１１ａ内に、少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを含むコンタクトプローブ１２が設けられ（図１に示される例では、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sとアース用コンタクトプローブ１２GNDしか示されていないが、実際には、低周波の信号用や電源用のコンタクトプローブも設けられる）、そのコンタクトプローブ１２は、金属ブロック１１から抜け出ないように、絶縁性基板（押え板）１３により固定されている。コンタクトプローブ１２は、その先端に軸方向に沿って可動するプランジャ１２１、１２２が設けられており、絶縁性基板１３は、このプランジャを自由に貫通させ得るように貫通孔１３ａを有していると共に、コンタクトプローブ１２の肩部で固定する凹部１３ｂが形成されている。本発明では、このコンタクトプローブ１２の少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲のいずれかの場所における絶縁性基板１３にＧＮＤ柱１４またはＧＮＤ壁が形成されている。

金属ブロック１１は、ＩＣなどの被検査物の電極端子と接触させるための信号端子用や電源端子用やアース端子用などのコンタクトプローブ１２を保持するもので、たとえば真鍮やアルミニウムなどの金属体を用いることにより、ＲＦ信号用端子に接続するＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを同軸構造にする場合に、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを挿入する挿入孔１１ａの内壁を外部導体とし、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを中心導体（内部導体）として少ない断面積で同軸構造にすることができる。また、ＲＦ信号用でない信号端子または電源端子用（図示せず）の場合には、金属ブロック１１と接触しないように絶縁チューブなどを介して挿入孔１１ａ内に固定され、アース端子用の場合には金属ブロック１１と確実に接触するように導電性のＧＮＤチューブ１６を介して挿入孔１１ａ内に固定されるように、アース用コンタクトプローブ１２GNDが設けられている。この金属ブロック１１の厚さおよび大きさは、通常は、３〜８ｍｍ程度の厚さで、３０〜５０ｍｍ角程度の大きさに形成される。

コンタクトプローブ１２は、たとえば図１（ｃ）に断面説明図が示されるように、金属パイプ１２３内にスプリング１２４とプランジャ（可動ピン）１２１、１２２の一端部が収納され、金属パイプ１２３に設けられた凹み部１２３ａによりプランジャ１２１、１２２が金属パイプ１２３から抜け出ないようにされると共に、スプリング１２４により外方に付勢されており、プランジャ１２１、１２２の先端部を押し付ければスプリング１２４が縮んで金属パイプ１２３内に押し込められ、力が加わらないときはプランジャ１２１の先端部が突出する構造になっている。プランジャの移動量は片側０.３ｍｍ程度であり、上下両方のプランジャ１２１、１２２により、全長を０.６ｍｍ程度押し込められたときに適正なバネ圧が得られ、最も信頼性が高まるように設計されている。金属パイプ１２３の長さは数ｍｍ程度で、たとえば洋白（銅・ニッケル・亜鉛合金）により形成され、プランジャ１２１、１２２は、たとえばＳＫ材またはベリリウム銅などからなる、０.１ｍｍ程度の太さの線材が用いられ、スプリング１２４はピアノ線などにより形成される。

ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sを、挿入孔１１ａ内に中空部を保持して挿入孔１１ａと同心に保持するため、図１に示される例では、金属パイプ１２３の端部の形状に合せた凹部１３ｂと、その凹部１３ｂとほぼ同心でプランジャ１２１を貫通させる貫通孔１３ａが形成された絶縁性基板１３が金属ブロック１１の表面に設けられている。そして、この絶縁性基板１３が、その凹部１３ｂと金属ブロック１１の挿入孔１１ａとが同心状になるように図示しないビスにより金属ブロック１１に固定される構造になっている。図１に示される例は、コンタクトプローブ１２の両端部共に、この絶縁性基板１３で保持される構造になっており、金属ブロック１１の両面に絶縁性基板１３が設けられているが、たとえば下端側の検査装置と接続された配線基板と接続する側は、コンタクトプローブを用いないで直接ハンダ付けなどにより固定することもできる。

絶縁性基板１３は、たとえばポリエーテルイミド（ＰＥＩ）などの樹脂製のものを用いれば、コンタクトプローブ１２が狭ピッチで多数並んでいる場合でも、凹部１３ｂや貫通孔１３ａを樹脂成形により簡単に、しかも精密な寸法で形成することができるため好ましい。しかも、上述の樹脂であれば、機械的強度も大きく、１ｍｍ程度の厚さに形成すれば、数百本以上のコンタクトプローブがある場合でも、反りなどが生じることなく、非常に安定して保持することができる。しかし、電気絶縁性があり、薄くて機械的強度があれば他の材料でも構わない。

本発明では、この絶縁性基板１３で、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲のいずれかの場所に、ＧＮＤ柱１４および／またはＧＮＤ壁１５（図３参照）が形成されている。このＧＮＤ柱１４は、絶縁性基板１３に貫通孔を形成しておき、その貫通孔内に金属材料を埋め込むか、金属棒を挿入するか、貫通孔の内壁に金属被膜をメッキまたは真空蒸着などにより設けることにより形成することができる。この貫通孔は、前述のコンタクトプローブ１２のプランジャ１２１を貫通させ、金属パイプ１２３を固定する貫通孔１３ａや凹部１３ｂを形成するのと同様の方法で形成することができ、前述のように、樹脂成形により絶縁性基板１３を形成すれば、ＧＮＤ柱１４用の貫通孔も同時に形成することができ、非常に簡単に形成することができる。

ＧＮＤ柱１４は、たとえば図２に絶縁性基板１３のコンタクトプローブ１２用の貫通孔１３ａや凹部１３ｂと共に、一部斜視の断面説明図が示されるように、図１および図２に示される例では、絶縁性基板１３に貫通孔が形成され、その内面に無電解メッキにより金属被膜１４ａが形成され、貫通孔内に完全に金属が埋め込まれていないが、完全に埋め込まれるように金属被膜が形成されてもよいし、また、金属被膜の形成に代えて、金属棒（金属ピン）が挿入される構造でもよい。ただし、この貫通孔内の金属材料は、金属ブロック１１と確実に電気的に接触させる必要があり、メッキや真空蒸着などにより金属被膜１４ａを形成する場合には、図１や図２に示されるように、絶縁性基板１３の金属ブロック１１との接触面にも、金属被膜１４ａが連続して形成されることが好ましい。この場合、隣接するコンタクトプローブ１２がアース用のコンタクトプローブ１２GNDであれば、その凹部１３ｂに当接するように形成することができるが、信号用コンタクトプローブ１２Sや電源用コンタクトプローブの場合には、その凹部１３ｂと間隔が確保されるように金属被膜１４ａを形成することが好ましい。それらのコンタクトプローブ１２が金属ブロック１１とショートしないようにする必要があるからである。

無電解メッキや真空蒸着などにより金属被膜１４ａを形成する場合には、金属被膜１４ａを形成する部分以外の部分にレジスト膜などを形成し、たとえばメッキ液に浸漬してＮｉメッキなどを行う。金属ブロック１１などとの電気的接触の向上を図る場合には、さらに、その表面にＡｕやＡｇなどをメッキすることが好ましい。前述のようなＩＣなどの電極端子のピッチ、すなわちコンタクトプローブ１２のピッチが０.５ｍｍ以下になると、このＧＮＤ柱１４を形成する貫通孔の径は、たとえば０.１５〜０.２５ｍｍ程度になるため、メッキをする場合でもメッキ液が浸透し難くなる。その場合には、真空引きをしたり、超音波によりメッキ液を撹拌したりすることにより、内面に金属被膜を形成することができる。また、メッキに代えて、真空蒸着やスパッタリングなどにより所望の金属材料を付着させることにより金属被膜を形成してもよい。この場合も、金属被膜を形成しない部分には、予めマスクを形成しておく。この場合、貫通孔内が完全に金属材料により埋め込まれても構わない。なお、レジスト膜を予め形成しないで、一度全面にメッキなどにより金属被膜を施してから、メッキが不要な部分を削り取る（ドリルで穴を空けたり、ルーターにより削るなど）方法を用いても良い。

このＧＮＤ柱１４は、図１（ａ）に示されるように、コンタクトプローブ１２がマトリクス状に（縦横に並列して）形成されている場合には、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sが縦横に隣接するコンタクトプローブ１２の間ではなく、対角線方向に隣接するコンタクトプローブ１２との間隔が一番広く、斜め方向に隣接するコンタクトプローブ１２との間に形成することが好ましい。また、同軸構造の効果を得やすくするために、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sから周囲の各ＧＮＤ柱１４までの距離を同一にすることが好ましい。このＧＮＤ柱１４は、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲に形成されればよく、他の低周波の信号用や電源用のコンタクトプローブ、アース用コンタクトプローブ１２GNDだけが縦横で相互に隣接する場合には、設ける必要はない。

前述の例では、絶縁性基板１３に設けられた貫通孔内に金属被膜を形成する例であったが、ＧＮＤ柱１４は、このような構造に限定されるものではなく、前述のように、貫通孔内に金属材料が完全に埋め込まれてもよく、また、金属棒などが埋め込まれてもよい。さらに、図１などに示されるように、円筒または円柱状でなくても、他の形状でも構わない。板状の形状にしてＧＮＤ壁１５に形成した例が図３に示されている。

ＧＮＤ壁１５の場合、たとえば図３（ａ）に示されるように、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲のコンタクトプローブ１２の間に、帯状の貫通孔を形成し、その内面に前述と同様の金属被膜１５ａを形成することにより、ＧＮＤ壁１５を形成することができる。このＧＮＤ壁１５を形成する部分の貫通孔を図２と同様に図３（ａ）のＢ−Ｂ断面と一部斜視で示した図が図３（ｂ）に示されている。しかし、このＧＮＤ壁１５も、金属ブロック１１側には、その金属ブロック１１と確実に接触するように金属被膜１５ａが形成されている。この場合、縦横に並ぶコンタクトプローブ１２の間隙部は非常に狭いため、ＧＮＤ壁１５の厚さは非常に薄くなるか、または途切れても構わない。その観点からは、図１に示されるように、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの斜め方向に隣接するコンタクトプローブ１２との間隙部にＧＮＤ柱１４を形成し、そのＧＮＤ柱１４を結ぶようにＧＮＤ壁１５を形成することにより、ＧＮＤ柱１４の中間部のＧＮＤ壁１５の厚さが薄くなったり、途切れたりしても、ＧＮＤ柱１４の効果をさらに高める効果がある。

図１（ａ）に示されるように、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sが４本とアース用コンタクトプローブ１２GNDがその周囲に１２本配置された構造で、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの斜め方向の周囲にＧＮＤ柱１４を形成した本発明の構造と、コンタクトプローブの配置は図１（ａ）と同じで、ＧＮＤ柱１４が全く設けられない従来の構造の両方で、電磁界解析ソフトによってシミュレーションを行い、挿入損失、反射損失、ニアエンドクロストーク、ファーエンドクロストークをそれぞれ調べた。その結果が、本発明のソケットを用いた場合をＡ、ＧＮＤ柱１４が形成されない従来の構造のソケットの場合をＢとして、それぞれ図４（ａ）〜（ｄ）に示されている。

まず、挿入損失は、図４（ａ）から明らかなように、１０ＧＨｚ以上の高周波・高速になると、本発明の構造Ａの挿入損失が小さくなくなり、改善が見られる。また、反射損失は、図４（ｂ）に示されるように、１２ＧＨｚ付近までは、従来構造Ｂの方がよい特性を示すが、１２ＧＨｚを超えると本発明の構造Ａに比べ、反射損失が増加する。一般的に、反射損失は−１０ｄＢ以下であれば使用可能と考えられているので、従来の構造では、１７ＧＨ付近より高い周波数帯では使用できなくなるが、本発明の構造（Ａ）によれば、２０ＧＨｚ以上でも使用可能となる。さらに、ニアエンドクロストークおよびファーエンドクロストークの特性が、それぞれ図４（ｃ）〜（ｄ）に示されるように、いずれの場合も、ＤＣ（直流）から２０ＧＨｚまでのほぼ全域で、本発明の構造によれば、１８ｄＢから２５ｄＢ程度の改善が見られる。

以上のように、ＲＦ信号端子を有しながら、電極端子が狭ピッチとなるＩＣなどを検査する場合、金属ブロックを用いてＲＦ信号用コンタクトプローブを中空保持することにより同軸構造にすることが従来から行われているが、そのコンタクトプローブ１２Sを中空に保持する絶縁性基板１３が金属ブロック１１の上面側および／または下面側に設けられており、その絶縁性基板１３の部分は同軸構造に形成することができないが、本発明によれば、その絶縁性基板１３のＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲にＧＮＤ柱１４および／またはＧＮＤ壁１５が設けられているため、ＲＦ信号用コンタクトプローブ１２Sの周囲を外部導体により完全に被覆する同軸構造にはならないが、周囲の大部分を被覆することができ、同軸構造にしたのと同等の効果を発揮することができる。すなわち、挿入損失と反射損失の特性は、１０〜１２ＧＨｚを超える周波数帯で特に顕著な効果が現れ、また、クロストーク特性は、全周波数帯域でその効果が顕著に認められる。

本発明によれば、ＬＳＩ（大規模集積回路）などのモノリシックＩＣやハイブリッドＩＣ、要求される機能を実現したモジュール部品などの電極端子が非常に狭ピッチとなった被検査物の電気的特性を正確に検査するのに利用することができる。

１１ 金属ブロック
１１ａ 挿入孔
１２ コンタクトプローブ
１２１ プランジャ
１２３ 金属パイプ
１３ 絶縁性基板
１３ａ 貫通孔
１３ｂ 凹部
１４ ＧＮＤ柱
１５ ＧＮＤ壁

Claims (5)

1. 被検査物の各電極端子を配線基板の配線と接続する検査ソケットであって、板状の金属ブロックと、該金属ブロックに形成される挿入孔内に、少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブを含んで設けられるコンタクトプローブと、前記コンタクトプローブの先端で軸方向に沿って可動するプランジャを貫通させる貫通孔を有しながら前記コンタクトプローブを固定する絶縁性基板とを有し、前記コンタクトプローブの少なくともＲＦ信号用コンタクトプローブの周囲のいずれかの場所における前記絶縁性基板にＧＮＤ柱および／またはＧＮＤ壁が形成されてなる検査ソケット。
2. 前記ＧＮＤ柱またはＧＮＤ壁が、前記絶縁性基板に形成された孔の内面に金属被膜が形成されてなる請求項１記載の検査ソケット。
3. 前記コンタクトプローブが平面的に見て縦横に並んで形成され、前記ＧＮＤ柱が１個のＲＦ用コンタクトプローブと斜め方向に隣接するコンタクトプローブとの間に形成されてなる請求項１または２記載の検査ソケット。
4. 前記コンタクトプローブが平面的に見て縦横に並んで形成され、前記ＧＮＤ壁が１個のＲＦ信号用コンタクトプローブと縦または横に隣接する少なくとも１つのコンタクトプローブとの間に、または１個のＲＦ信号用コンタクトプローブと斜め方向に隣接するコンタクトプローブとの間に形成される２個の隣接するＧＮＤ柱および該２個の隣接するＧＮＤ柱を結ぶように形成されてなる請求項１、２または３記載の検査ソケット。
5. 前記ＧＮＤ柱およびＧＮＤ壁を構成する金属材料が、前記絶縁性基板の前記金属ブロックとの接触面まで連続して形成されてなる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の検査ソケット。

Images