JP2007178163A - 検査ユニットおよびそれに用いる検査プローブ用外皮チューブ組立体 - Google Patents
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Abstract
【課題】 金属性ブロックではなく絶縁性ブロックを用いながら、RF信号用プローブを外部導体の中心部に中空を介して保持する具体的な構造を提供することにより、RF信号用プローブを同軸構造とし、電源用プローブやグランド用プローブを太くして、狭ピッチ化対応の検査ユニットおよびそれに用いる外皮チューブ組立体を提供する。
【解決手段】 絶縁性ブロック2の貫通孔内に、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブ31およびグランド用プローブ1GNDを挿入し得るグランドソケット32が導電性部材33により固着された外皮チューブ組立体3挿入され、外皮チューブ31の中心部にRF信号用プローブ1RFSIGが固定され、グランドソケット32内にはグランド用プローブ1GNDが挿入されている。その他のプローブ1は、直接絶縁性ブロック2の貫通孔内に挿入され、固定手段4により固定されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 絶縁性ブロック2の貫通孔内に、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブ31およびグランド用プローブ1GNDを挿入し得るグランドソケット32が導電性部材33により固着された外皮チューブ組立体3挿入され、外皮チューブ31の中心部にRF信号用プローブ1RFSIGが固定され、グランドソケット32内にはグランド用プローブ1GNDが挿入されている。その他のプローブ1は、直接絶縁性ブロック2の貫通孔内に挿入され、固定手段4により固定されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、たとえば携帯電話機に組み込まれる増幅回路やミキサ回路、フィルタ回路、メモリ、CPUなど、高周波・高速用(アナログで周波数の高いものを高周波といい、デジタルでパルス幅およびパルス間隔が非常に短いものを高速という、以下両方纏めてRF用ともいう)回路のモジュールやICなどを回路基板などに組み込む前にその電気的特性を検査する場合に、その被検査デバイスと検査装置との接続を確実にする高周波・高速用デバイスの検査ユニットおよびそれに用いる検査プローブ用外皮チューブ組立体に関する。さらに詳しくは、RF信号用プローブは比較的少なく、むしろ電源用プローブを太くする必要がありながら、被検査デバイスの電極端子間のピッチが1〜0.3mm程度の非常に狭ピッチの場合でもノイズの影響をなくすることができる検査ユニットおよびそれに用いる検査プローブ用外皮チューブ組立体に関する。
半導体ウェハ、ICあるいはモジュールなどのRF用デバイスに、電気信号を入力してそのデバイスの特性を調べる検査が一般的に行われる。このようなRFデバイスの電気的特性の検査を行う場合、測定装置に接続されるリードの端部が集められた配線基板とデバイスの電極端子などと接続するプローブが設けられたICソケットなどの検査ユニットが用いられる。このICソケットは、樹脂ブロックなどに貫通孔をあけてその中に接続用ピンを挿入するもので、RF信号用ではノイズの影響を無くしようとすると、同軸構造にする必要があり、ピン間隔が広くなって、最近のデバイスにおける端子間ピッチの狭ピッチ化に対応することができなくなってきている。
このような問題を解決するため、たとえば図9に示されるように、信号ピン71の周りに誘電体層72を形成してその外周に導電体膜73を設け、それぞれの径を特定のインピーダンスになるように形成することにより同軸構造を形成し、その外周側にアース構造体74を形成し、その中にグランドピン75を埋め込み、絶縁材料からなるソケットベース76に挿入することにより、ICソケットを形成することが開示されている(たとえば特許文献1参照)。
一方、本願出願人は、最近とみに高周波・高速化しているデバイスを検査する場合に、RF信号へのノイズの影響を効率的に除去するため、金属ブロックに貫通孔を開けてその中に接続用のコンタクトプローブを挿入する構造の検査ユニットを開発し、種々の改良を続けている。このような金属ブロックを用いた検査ユニットとしては、たとえば図10(a)に示されるように、金属パイプ内にスプリングとプランジャの一端部を入れてそのスプリングによりプランジャを外部に突出させ、押えれば縮むコンタクトプローブを用い、ノイズの影響を防止するための金属ブロック61内にRF信号用コンタクトプローブ63、電源用コンタクトプローブ64、グランド用コンタクトプローブ65によりそれぞれの各電極端子を接続する構成が採用されている。このRF信号用プローブ63は、ノイズの侵入を防止するため、同軸構造に形成されている。なお、図10(a)において、67は同軸ケーブル、68はコンタクトプローブ外周の金属パイプを押える押え板である。また、ICを検査するICソケットでも、外形は異なるものの、コンタクトプローブ近傍の構成は同様である。
前述の図10(a)では、RF信号用コンタクトプローブ63が2本(入出力用)と、電源用およびアース用のコンタクトプローブ64、65がそれぞれ1本で示されているが、実際にはそれぞれ多数個形成されており、しかも最近のICなどの高集積化に伴い、多い場合には、1cm2当り600個程度の電極端子がマトリクス状に設けられる場合もあり、各電極端子のピッチは0.4mmぐらいの狭ピッチのものが出現してきている。
このような狭ピッチになると、RF信号用コンタクトプローブの誘電体層を含めた外径を細くしなければならないが、同軸線路の中心導体の直径dと外部導体の内径Dとの間には、その間の誘電体の比誘電率をεrとして、次式(1)の関係を満たす特性インピーダンス(たとえば50Ω)に合せる必要がある。この式(1)を満たすために、誘電体として比誘電率の小さい材料を用いることにより、外部導体の内径Dを小さくすることができるが、現在最も比誘電率の小さい誘電体として比誘電率が2.1のポリテトラフルオロエチレンのチューブを用いて、最も細いコンタクトプローブ(外径が0.15mm)を用いても、同軸線路の特性インピーダンスを50Ωにするには、外部導体の内径(金属ブロックに設ける貫通孔の内径)が、0.5mm程度となり、0.4mmピッチに対応することができない。
このような問題を解決するため、図10(b)に示されるように、コンタクトプローブ63の外周の少なくとも2箇所に誘電体リング69を固着することにより、金属ブロックの貫通孔内に空隙を介してコンタクトプローブを同心に保持し、コンタクトプローブを中心導体とし、金属ブロック61の貫通孔内壁を外部導体とする同軸構造が考えられている(たとえば特許文献2参照)。このような構造にすることにより、中心導体とするコンタクトプローブと外部導体とする金属ブロックの貫通孔内面との間の誘電体の大部分を比誘電率が1の空気にすることができるため、狭ピッチ化を図ることができる。
特開2005−149854号公報
特開2004−170182号公報
前述のように、RF信号用には、コンタクトプローブの少なくとも2箇所に誘電体リングを設けて金属ブロックの貫通孔内に挿入する構造にすることにより、同軸構造の中心導体と外部導体との間の誘電率を小さくすることができ、同じ太さのコンタクトプローブに対して貫通孔の孔径を小さくすることができるため、狭ピッチ化に対応することができると共に、金属ブロックで形成されているため、どこにでもRF信号用プローブを配置することができるという自由度が高い点で好ましい。しかし、検査をする製品によっては、RF信号用プローブとしては、1本または数本程度で、他は低周波・低速用信号または電源用もしくはグランド用のプローブである場合も結構多い。このような場合、電源用プローブやグランド用プローブは太くしたい場合が多いが、電源用プローブは金属ブロックと接触しないように絶縁膜を介在させなければならず、また、グランド用プローブは金属ブロックとの接触を確実にするためにソケットに挿入されていなければならない。このため、狭ピッチ化により電源用コンタクトプローブやグランド用コンタクトプローブを太くすることができないという問題がある。
一方、たとえ図9に示されるように絶縁性ブロックに検査用ピンを挿入する構造にしても、誘電体の比誘電率を小さくすることができないため、狭ピッチ化には限界がある。
本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、電極端子間隔が極めて狭ピッチ化された近年のRF用デバイスを検査する場合でも、RF信号用プローブの数が少ない場合には、金属性ブロックではなく絶縁性ブロックを用いると共に、RF信号用プローブを外部導体の中心部に中空を介して保持する具体的な構造を提供することにより、電源用プローブやグランド用プローブを太くしながら、RF信号用プローブは、内部導体と外部導体の間を空気にして比誘電率を1とした同軸構造にして、狭ピッチ化に対応することができる構造の検査ユニットおよびそれに用いる外皮チューブ組立体を提供することを目的とする。
本発明による検査ユニットは、絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブおよびグランド用プローブを挿入し得るグランドソケットが導電性部材により固着された外皮チューブ組立体と、前記外皮チューブの中心部に保持して固定されるRF信号用プローブと、前記グランドソケット内に挿入されるグランド用プローブと、前記絶縁性ブロックに設けられる貫通孔内に挿入される一般用プローブと、前記絶縁性ブロックの少なくとも一面側に設けられ、前記各プローブの先端部のみを突出させながら該各プローブを前記絶縁性ブロックから抜け出ないようにすると共に、前記RF信号用のプローブを前記外皮チューブの中心部に固定する固定手段とを有している。
ここにRF信号とは、アナログの高周波信号やデジタルでパルス間隔が短い信号の両方を含み、正弦波(サイン波)またはパルスの繰返しが1GHz程度以上のものを意味する。また、プローブとは、配線基板の端子電極と被検査デバイスの電極端子とを接続する接続ピンを意味し、その接続ピンの先端が可動するコンタクトプローブや可動しないで一定の長さのピンの場合の両方を含む意味である。なお、コンタクトプローブとは、たとえば金属パイプ内にスプリングを介してリード線(プランジャ)が設けられ、プランジャの一端部は金属パイプから突出するが、他端部は金属パイプから抜け出ないように形成されることにより、プランジャの一端部を押し付ければ金属パイプの端部まで引っ込むが、外力を解除すればスプリングの力によりプランジャが金属パイプから外方に突出する構造のように、リード線の先端が可動し得る構造のプローブを意味する。さらに、一般用プローブとは、同軸構造を必要としない程度の低周波・低速の信号用プローブ、電源用プローブ、グランド用プローブなどを意味する。
前記外皮チューブ組立体は、前記外皮チューブに複数個のグランドソケットが固着されることが好ましい。外皮チューブ組立体において、外皮チューブが存在する部分では、外皮チューブを外部導体として、またRF信号用プローブを中心導体として同軸構造が形成される。一方、中心導体としてのRF信号用プローブに対し外部導体となるべき外皮チューブが存在しない領域にあっては、グランドソケットに挿入されたグランド用プローブが外部導体として機能し、このグランド用プローブに高周波電流が流れる。このような高周波電流は、グランド用プローブが1本の場合でも流れるが、グランド用プローブの数を2本、3本、4本と増やせば電流の分布がその分平準化されて同軸構造に近づくことになり、高周波特性が向上する。なお、複数個とは、たとえば外皮チューブの対向する両側(180°)または90°隣の2個、さらにこれらの組合せによる3個または4個とすることができる。
前記グランドソケットに、該グランドソケット内に挿入されるグランド用プローブとの接触を良好にする接触手段が設けられることにより、グランド用プローブの挿入の際にグランド用プローブに力がかかるのを防止して、グランド用プローブを変形させることなく、グランドソケットとグランド用プローブとの接触を確実にすることができる。なお、接触手段とは、たとえばグランドソケットに孔を開けておき、その孔から接着剤やハンダ材を流し込むことによる接着、グランドソケットを外部からポンチなどにより潰しによる突出部での接触、グランドソケットに割を入れることによる圧接、グランドソケットの一部を絞って細くすることによる接触などの手段を含むものである。
本発明による検査ユニットは、また、絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブおよびグランド用プローブが導電性部材により固着された外皮チューブ組立体と、前記外皮チューブの中心部に保持して固定されるRF信号用プローブと、前記絶縁性ブロックに設けられる貫通孔内に挿入される一般用プローブと、前記絶縁性ブロックの少なくとも一面側に設けられ、前記各プローブの先端部のみを突出させながら該各プローブを前記絶縁性ブロックから抜け出ないようにすると共に、前記RF信号用プローブを前記外皮チューブの中心部に固定する固定手段とを有する構造にすることもできる。
本発明による検査プローブ用外皮チューブ組立体は、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブと、該外皮チューブに導電性部材により固着され、グランド用プローブを挿入して固定し得るグランドソケットとからなり、該外皮チューブの中心部に同軸構造を構成するようにRF信号用プローブを保持し、前記グランドソケット内にグランド用プローブが挿入されることにより高周波・高速デバイスの検査用プローブとされるものである。
また、本発明による検査プローブ用外皮チューブ組立体は、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブと、該外皮チューブに導電性部材により固着されるグランド用プローブとからなり、該外皮チューブの中心部に同軸構造を構成するようにRF信号用プローブが保持されることにより高周波・高速デバイスの検査用プローブとされる構造にすることもできる。
本発明の検査ユニットによれば、絶縁性ブロックを用いながらも、RF信号用プローブを内部導体とし、外部導体との間に空隙を介して同軸構造としているため、前述の(1)式の比誘電率を1と最も小さくすることができると共に、所望の特性インピーダンスで、かつ、その間隔を小さくすることができる。このため、高周波・高速デバイスで電極端子の数が増え、たとえば0.4mm程度に狭ピッチ化する場合でも、外径がφ0.15mm程度のプローブを使用することができる。しかも、コンタクトプローブを挿入するベースは絶縁性ブロックであるため、電極用プローブは絶縁性ブロックと接触してもショートの危険性は全くなく、充分に太くすることができる。また、外皮チューブの中心部にプローブを挿入する際に一端部側は絶縁性ブロックの凹部で固定され、他端部は別途設けられる固定手段により固定されるため、RF用コンタクトプローブを外皮チューブの中心軸上に正確に固定することができ、RF用プローブと外皮チューブとの間が中空であってもしっかりとその間隔を保持することができる。その結果、0.4mm程度の狭ピッチ化に対応しながら、RF特性を確保することができ、さらに電源用プローブおよびグランド用プローブを充分に太くすることができる。
また、本発明による検査プローブ用外皮チューブ組立体を、絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入し、その中心部にコンタクトプローブなどの接続ピン(プローブ)を挿入して、たとえばプローブなどの先端部のみを突設させながら前記プローブを絶縁性ブロックから抜け出ないように設けた貫通孔を有する絶縁板からなる固定手段により固定するだけで、狭ピッチのデバイス検査用ユニットでも、RF信号用には同軸構造を用いながら、電源用プローブやグランド用プローブを太くすることができる検査ユニットを簡単に形成することができる。
つぎに、図面を参照しながら本発明の検査ユニットおよびそれに用いる外皮チューブ組立体について説明をする。
図1に本発明の検査ユニットの一例であるICソケットの断面説明図、その一部拡大断面説明図、外皮チューブ組立体3の斜視説明図およびコンタクトプローブ部分の一例の拡大断面説明図をそれぞれ示す。絶縁性ブロック2の貫通孔の一部にあってはその内部に、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブ31とグランド用プローブを挿入し得るグランドソケット32とが導電性部材33により固着されて形成された外皮チューブ組立体3が挿入される。外皮チューブ31の中心部にはRF信号用プローブ1RFSIGが固定され、グランドソケット32内にはグランド用プローブ1GNDが挿入されている。また、電源用プローブ1POW、低周波・低速信号用プローブ1LSIG、およびRF用プローブ1RFSIGと対に設けられていないグランド用プローブ1GNDが、絶縁性ブロック2の他の貫通孔内に直接挿入され、これらのプローブ1は、それぞれの一端部が図1(b)に示されるように、絶縁性ブロック2に設けられる貫通孔内の段差で固定されると共に、他端部が固定手段4により抜け出ないように固定されている。
すなわち、図1に示される例では、樹脂などからなる絶縁性ブロック2に、検査用デバイスの電極端子の位置に合せて貫通孔が形成され、その貫通孔内にその電極端子の種類に合せて信号用プローブ1LSIG、電源用プローブ1POW、およびグランド用プローブ1GNDが挿入されるが、RF信号用プローブ1RFSIGが挿入される部分には、前述の外皮チューブ組立体3を挿入し得る大きさの貫通孔が設けられ、その貫通孔内に外皮チューブ組立体3が挿入される。そして、前述のように外皮チューブ組立体3にあっては外皮チューブ31およびグランドソケット32内にRF信号用プローブ1RFSIGおよびグランド用プローブ1GNDがそれぞれ挿入され、これらを含む全てのプローブ1(1RFSIG、1LSIG、1POW、1GND)が固定手段4により固定されている。そして、このICソケットにおいては、絶縁性ブロック2に設けられた位置決めピン6を図示しない検査基板の所定の位置に合せて検査基板と各プローブ1とを接続させ、上部に設けられたデバイスガイド板5の凹部内にICなどの被検査デバイスを挿入することにより、前記ICなどの電極端子とプローブ1とを接続させて検査が行われる。なお、図1に示される例では、各プローブとして先端のピンがスプリングなどにより可動するコンタクトプローブが用いられているが、このような可動するピンでなくても、通常の接触ピンでも構わない。
外皮チューブ組立体3は、図1(c)にその一例が示されるように、同軸構造の外部導体を構成する外皮チューブ31と、グランド用コンタクトプローブ1GNDとの接触を確実に取るためのグランドソケット32とが、その外周の一部で導電性接着部材33などにより固着されている。外皮チューブ31は、たとえばリン青銅(PB)、洋白(NS)などの金属材料からなり、たとえば0.4mmピッチの場合、肉厚が0.03mm程度(外径0.38mm、内径0.32mm程度)の金属円筒体からなり、その内径Dは、この外皮チューブ31内に挿入されるRF信号用コンタクトプローブ1RFSIGの外径dに対して前述の式(1)の関係を満たすように設定されている。この例では、D=0.32mm、d=0.15mmである。グランドソケット32も同じ材料からなり、外径が0.38mm程度、内径が0.32mm程度で、さらにその内側に0.02mm程度の厚さの導電性接着剤または後述するその他の接触手段を設けることにより、内部に挿入されるグランド用コンタクトプローブ1GNDと確実に接触するようにされている。
導電性接着部材33は、溶接、ハンダ付けのハンダ材、導電性接着剤などを用いることができる。また、外皮チューブ31とグランドソケット32とを接着するのではなく、これらを1つの金属体から切削加工などにより一体に形成することもできる。後者の場合、導電性接着部材33は、両者間の金属部分が該当する。なお、外皮チューブ31およびグランドソケット32の長さは、たとえば3.5mm程度で、その中に挿入されるコンタクトプローブは、そのプランジャの先端部から他端部までの長さがほぼ5mm程度に形成される。
外皮チューブ31とグランドソケット32とを接合した外皮チューブ組立体3は、図1(c)に示されるように、1個の外皮チューブ31と1個のグランドソケット32とを接合した構造には限定されず、たとえば、外皮チューブ組立体3にコンタクトプローブ1を挿入した状態でその軸方向と垂直な上面から見た図2に示されるように、1個の外皮チューブ31に対して、互いに180°離れた位置で接合される2個のグランドソケット32が設けられる構造(図2(b)参照)や、1個の外皮チューブ31に対して、互いに90°離れた位置で接合される2個のグランドソケット32が設けられる構造(図2(c)参照)や、1個の外皮チューブ31に対して互いに180°離れた2個と90°離れた1個の合計3個のグランドソケット32が設けられる構造(図1(d)参照)や、1個の外皮チューブ31の周りに90°ずつ離れた位置に合計4個のグランドソケット32が設けられる構造(図2(e)参照)など種々の構造に形成することができる。このグランドソケット32を設ける数および位置は、検査されるデバイスの電極端子の配置にもよるが、RF信号用コンタクトプローブの周りには、できるだけ多くのグランド用コンタクトプローブが設けられる方が、より一層インピーダンスの乱れを少なくすることができるため好ましい。
これらの複数個のグランドソケット32が設けられた外皮チューブ組立体3が用いられる場合には、その構造に合せて前述の絶縁性ブロック2に貫通孔が開けられる。なお、図2(a)は図1(c)の構造を示しており、最外周の線は絶縁性ブロック2に設けられる貫通孔21の形状を示している(他の図では、この貫通孔は省略されている)。
グランドソケット32には、その中に挿入されるグランド用コンタクトプローブ1GNDとの接触を良好にするように、前述の導電性接着剤などの接触手段(32a、32b、32c)が設けられていることが好ましい。そのため、グランドソケット32は、バネ性のある材料、たとえばリン青銅などにより形成されている。この接触手段としては、たとえば接触部に導電性接着剤やハンダ材などを塗布して接着することが確実な接触を得られると共に、グランド用コンタクトプローブが移動しない点で好ましい。この場合、グランドソケット32に孔を開けておいて、グランド用プローブ1GNDの挿入後にその孔から接着剤やハンダ材を注入することにより確実に接合させることができる。また、図3(a)に示されるように、グランドソケット32の外部からポンチにより潰し32aを形成しておけば、その部分で確実にグランド用コンタクトプローブ1GNDと接触させることができるし、図3(b)に示されるように、グランドソケット32に割り32bを入れ、かつ、径を細めにしておくことにより、グランド用コンタクトプローブ1GNDを挿入しても、グランド用コンタクトプローブ1GNDが変形することなく確実に接触させることができる。さらに、図3(c)に示されるように、グランドソケット32の一部に絞り32cを形成しておくことにより、潰しの場合と同様に、グランド用コンタクトプローブ1GNDとの接触を確実にすることができる。
さらに、前述のように、グランドソケット32内にグランド用コンタクトプローブ1GNDを導電性接着剤などにより固着することを考えると、たとえば図4に示されるように、外皮チューブ31とグランド用コンタクトプローブ1GNDとを直接導電性接合部材33で接合することもできる。この場合は、グランドソケットは不要となり、この場合の外皮チューブ組立体は、外皮チューブとグランド用プローブとからなっている。なお、この場合でも機能的には、前述の外皮チューブ31とグランドソケット32とが接合され、そのグランドソケット32内にグランドプローブ1GNDが挿入されたものと同じであり、これを前述の外皮チューブ組立体3と置き換えてそのまま使用することができる。
プローブ1としては、図1に示される例では、スプリングにより先端部のプランジャが可動するように設けられ、被検査デバイスや配線基板との接触を確実にできるコンタクトプローブが用いられているが、必ずしもこのような可動ピンによるものでなくても良い。図1に示されるコンタクトプローブは、たとえば図1(d)に断面説明図が示されるように、金属パイプ13内にスプリング14とプランジャ11、12の一端部が収納され、金属パイプ13に設けられたくびれ部13aにより、プランジャ11、12が金属パイプ13から抜け出ないようにされると共にスプリング14により外方に付勢され、プランジャ11、12の先端部を押し付ければスプリング14が縮んで金属パイプ13内に押し込められ、力が加わらないときはプランジャ11の先端部がたとえば1mm程度突出する構造になっている。図1(d)に示される例では、両端にプランジャ11、12が設けられる構造になっているが、少なくとも被検査デバイスと接触する一方の側がプランジャ11となる構造になっていればよい。なお、金属パイプ13の長さは数mm程度で、たとえば洋白(銅・ニッケル・亜鉛合金)により形成され、プランジャ11、12は、たとえばSK材またはベリリウム銅などからなる、0.1mm程度の太さの線材が用いられ、スプリング14はピアノ線などにより形成される。
このコンタクトプローブ1の構造は、信号用、電源用、およびグランド用のいずれの用途に対するものであってもほぼ同様の構造であるが、RF信号用コンタクトプローブ1RFSIGにあっては、前述のように、外皮チューブ31の内壁を外部導体とする同軸構造にするため、その外径dと外皮チューブ31の内径Dとの関係は前述の式(1)を満たすように設定され、たとえば0.4mmピッチ(コンタクトプローブが0.4mmのピッチでマトリクス状に設けられるもの)の検査ユニットにする場合、dがφ0.15mmに設定され、外皮チューブ31の内径Dがφ0.35mm程度に設定されている。低周波・低速信号用、電源用およびグランド用のコンタクトプローブ1LSIG、1POW、1GNDはできるだけ太い方がよく、ピッチに応じて絶縁性ブロック2に設けられる貫通孔に挿入できる太さで形成される。なお、これらのコンタクトプローブ1は、絶縁性ブロック2の貫通孔内に挿入されるため、金属ブロックの場合と異なりショートの問題は一切なく、直接挿入することができる。
絶縁性ブロック2は、被検査デバイスであるICやモジュールの電極端子と接触させるためのRFおよび低周波・低速の信号用コンタクトプローブ1SIGや電源用コンタクトプローブ1POWなどを保持するもので、たとえばポリエーテルイミド(PEI)、ポリイミド(PI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)、ポリアミドイミド(PAI)などの樹脂を用いることができ、板状の樹脂ブロックに前述の外皮チューブ組立体3用および各コンタクトプローブ1用の貫通孔をマトリクス状に設けたり、それらの貫通孔が形成されるようにモールド成形により形成することもできる。この場合、外皮チューブ組立体3が設けられる位置や、外皮チューブ組立体3のグランドソケット32の数または位置などが異なる場合には、マトリクス状に貫通孔を形成した樹脂ブロックを型成形などにより形成しておいて、外皮チューブ組立体3の挿入部分だけを、後からドリルなどにより加工することもできる。
この絶縁性ブロック2の厚さおよび大きさは、ICと配線が施された配線基板とを仲介するだけのICソケットや、同軸ケーブルなどが接続された基板と接続する検査治具など、用途によって異なるが、通常は、3〜8mm程度の厚さで、30〜50mm角程度の大きさに形成される。なお、図1に示される例では、デバイスガイド板5に近い一端部側(図の上側)に段差を設けた貫通孔を形成することにより、コンタクトプローブ1の一端部を固定する構造になっているが、後述する絶縁性基板による固定手段にすることもできる(すなわち、絶縁性ブロックとその上下2面に固定手段を設けた3層構造にすることもできる)。
固定手段4は、各コンタクトプローブ1を絶縁性ブロック2の貫通孔内に挿入した後に、絶縁性ブロック2の一面側に図示しないビスなどにより固定されるもので、各コンタクトプローブ1の先端部(プランジャ)を突出させながら、その肩部が固定されて絶縁性ブロック2から抜け出ないようにすると共に、RF信号用のコンタクトプローブ1RFSIGを外皮チューブ31の中心部で同心になるように固定している。そのため、コンタクトプローブ1のプランジャ11を自由に突出させる突出孔(貫通孔)が形成されると共に、コンタクトプローブ1が外に飛び出ないようにその肩部を固定する段差部が形成されている。すなわち、この固定手段4は、RF信号用コンタクトプローブ1RFSIGを外皮チューブ31の中心に保持し、かつ、各コンタクトプローブ1が飛び出ないように保持できれば良く、1〜1.5mm厚程度のPEI、液晶ポリエステル(LCP;Liquid Crystal Polymer)などからなる絶縁性基板などを用いることができる。
図1に示される例では、コンタクトプローブ1の一端部側(固定手段4が設けられる側と反対側)は、絶縁性基板により固定しないで、絶縁性ブロック2に直接段差付きの貫通孔が形成され、その段差部内に前述と同様にコンタクトプローブ1の肩部で固定する構造に形成されている。しかし、図1に示される例には限定されず、前述のように、たとえばコンタクトプローブ1の一端部側にも絶縁性基板を配設して前述の他端部と同様の固定手段4とすることもできる。なお、RF信号用プローブ1RFSIGは、中空で保持されるため、固定手段4が設けられる前の段階では、傾いて倒れており、その数が多い場合には、固定手段4を挿入しにくい場合がある。そのような問題を避けるためには、図示されていないが、たとえばコンタクトプローブ1の他端部側にシリコーンゴムなどからなるOリングなどを挿入して外皮チューブ31の内径に嵌合させたり、ポリイミドやポリテトラフルオロエチレンのような薄い(たとえば75μm程度の)絶縁シートを絶縁性ブロック2の表面に挿入して、全てのピンを予めほぼ垂直に保持することもできる。なお、この絶縁シートや固定手段4の貫通孔は、図示しない位置決めピンなどに挿入することにより、しっかりと位置決めできるようになっている。
RF信号用プローブ1RFSIGが1本で、グランド用プローブが1本または2本の場合でのデバイスのリターンロスと挿入損失をシミュレーションした結果を図5〜8に示す。図中Aは図1に示される樹脂ブロック2を、Bは従来の金属ブロックを用いた場合をそれぞれ示す。なお、図5はグランド用プローブが1本の場合のリターンロス、図6はグランド用プローブが1本の場合の挿入損失、図7はグランド用プローブが2本の場合のリターンロス、図8はグランド用プローブが2本の場合の挿入損失をそれぞれ示す図である。図5〜8から明らかなように、両者のリターンロス特性に殆ど差は見られなかった。図6の挿入損失において、グランド用プローブが1本のときにやや大きな相違が見られるが、10GHzまでの特性差は約0.4dBであり、樹脂ソケットの本方式の方が損失が少ないので、事実上問題はない。これは、絶縁性ブロック2および絶縁性の固定手段4を用いても、RF信号用プローブ1RFSIGの周囲を外皮チューブ31によって同軸構造に形成すれば、完全に金属ブロックにより囲む構成にしなくてもそれ程影響を受けないことを示しており、むしろ電源用プローブやグランド用プローブを太くすることによる効果が大きいことを示している。
以上のように、本発明によれば、絶縁性ブロックを用いながら、非常に狭ピッチでもRF信号用プローブを内軸と外軸との間を中空にした同軸構造に形成することができる。その結果、非常にRF特性が向上しながら、周囲が絶縁性ブロックであるため、電源用プローブやグランド用プローブを太くしても接触の危険性がなく、充分に太くすることができる。このように、樹脂ソケットを使用するために通常では同軸構造がとれないものでも、本発明により同軸構造を形成できるため、RF特性が向上する。
1 コンタクトプローブ
2 絶縁性ブロック
3 外皮チューブ組立体
4 固定手段
11、12 プランジャ
13 金属パイプ
21 貫通孔
31 外皮チューブ
32 グランドソケット
33 導電性接着部材
2 絶縁性ブロック
3 外皮チューブ組立体
4 固定手段
11、12 プランジャ
13 金属パイプ
21 貫通孔
31 外皮チューブ
32 グランドソケット
33 導電性接着部材
Claims (6)
- 絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブおよびグランド用プローブを挿入し得るグランドソケットが導電性部材により固着された外皮チューブ組立体と、前記外皮チューブの中心部に保持して固定されるRF信号用プローブと、前記グランドソケット内に挿入されるグランド用プローブと、前記絶縁性ブロックに設けられる貫通孔内に挿入される一般用プローブと、前記絶縁性ブロックの少なくとも一面側に設けられ、前記各プローブの先端部のみを突出させながら該各プローブを前記絶縁性ブロックから抜け出ないようにすると共に、前記RF信号用のプローブを前記外皮チューブの中心部に固定する固定手段とを有する検査ユニット。
- 前記外皮チューブ組立体が、前記外皮チューブに複数個のグランドソケットが固着されることにより形成されてなる請求項1記載の検査ユニット。
- 前記グランドソケットに、該グランドソケット内に挿入されるグランド用プローブとの接触を良好にする接触手段が設けられてなる請求項1または2記載の検査ユニット。
- 絶縁性ブロックと、該絶縁性ブロックの貫通孔内に挿入される、同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブおよびグランド用プローブが導電性部材により固着された外皮チューブ組立体と、前記外皮チューブの中心部に保持して固定されるRF信号用プローブと、前記絶縁性ブロックに設けられる貫通孔内に挿入される一般用プローブと、前記絶縁性ブロックの少なくとも一面側に設けられ、前記各プローブの先端部のみを突出させながら該各プローブを前記絶縁性ブロックから抜け出ないようにすると共に、前記RF信号用プローブを前記外皮チューブの中心部に固定する固定手段とを有する検査ユニット。
- 同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブと、該外皮チューブに導電性部材により固着され、グランド用プローブを挿入して固定し得るグランドソケットとからなり、該外皮チューブの中心部に同軸構造を構成するようにRF信号用プローブを保持し、前記グランドソケット内にグランド用プローブが挿入されることにより高周波・高速デバイスの検査用プローブとされる検査プローブ用外皮チューブ組立体。
- 同軸構造の外部導体を構成する導電性の外皮チューブと、該外皮チューブに導電性部材により固着されるグランド用プローブとからなり、該外皮チューブの中心部に同軸構造を構成するようにRF信号用プローブが保持されることにより高周波・高速デバイスの検査用プローブとされる検査プローブ用外皮チューブ組立体。
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