JP2014013196A - 高周波プローブ - Google Patents

Abstract

【課題】交換が容易で、伝送特性に優れ、しかも、安価かつ微細ピッチに対応できる高周波プローブを提供する。
【解決手段】外部機器からの同軸ケーブル４２が接続されるコネクタ３１と、一端が被検査体の電極に接触される接触子１２とされる信号配線体およびグランド配線体が微小電気機械システム技術によって基材上に形成されたＭＥＭＳプローブ１０１と、ＭＥＭＳプローブ１０１とコネクタ３１との間に設けられて信号配線体およびグランド配線体の他端からなる端子部とコネクタ３１のコネクタ端子４７とを導通させるインピーダンス整合された高周波基板３３と、を備え、ＭＥＭＳプローブ１０１が高周波基板３３に対して着脱可能とされている。
【選択図】図６

Description

本発明は、高周波帯域で駆動するデバイスなどを検査する際に用いられる高周波プローブに関する。

近年、電子機器に搭載される半導体デバイスの微細化の開発が積極的に行われているなか、これらを試験するために、電極の微細ピッチ化に対応可能かつ高周波（例えば、２０ＧＨｚ以上）の周波数帯域のデバイスの特性検査が可能な高周波プローブが必要となってきている。

デバイスの検査用プローブとしては、基板上にメッキ析出させて間隔が一定に設けられた信号線とＧＮＤ線と、プローブ針と、コネクタ接点に接続されたコネクタと、信号線の周囲を電気的に絶縁する中空構造と、これらを覆うメタルボディとを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。

また、一方の先端で被検査体の信号電極およびグランド電極に押し付け他方の端部に電気信号を入出力する第一の伝送路を有する先端ユニットと、外部接続コネクタ、中継基板、先端部ガイドおよび先端ユニット位置決め部を有する本体ユニットと、本体ユニットの先端部ガイドおよび先端ユニット位置決め部に嵌め込まれた先端ユニットの第一の伝送路を第二の伝送路に押し付けて電気的に接続する押さえブロックとを備えるものも知られている（例えば、特許文献２参照）。

特開２０１１−１９６８２１号公報 特開平１１−２５８２７０号公報

ところで、フォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を用いてウエハ上に配線を形成し、その配線を基板上に転写して製造されるような特許文献１に記載のプローブでは、転写工程によって基板へ配線を貼り付けることとなる。したがって、基板と配線との間に接着材が介在し、このため、伝送損失が増大して高周波伝送特性が劣化してしまう。また、検査対象となるデバイスの種類が変わった際に、プローブ針を配線ごと交換しなければならず、その交換作業に多大な手間を要するとともに、コストが嵩んでしまう。また、デバイスに対して接触子を円滑に接触させるために、プローブの配線部分は、コネクタから接触子までの距離がある程度長くなり、伝送損失が増大してしまうという問題もある。

特許文献２に記載のプローブは、接触子を有する先端ユニットを交換して各種のデバイスに対応することが可能であるが、コネクタを除くほぼ大半の部品を交換することとなり、コストが嵩んでしまう。

本発明の目的は、交換が容易で、伝送特性に優れ、しかも、安価かつ微細ピッチに対応できる高周波プローブを提供することにある。

上記課題を解決することのできる本発明の高周波プローブは、
外部機器からのケーブルが接続されるコネクタと、
一端が被検査体の電極に接触される接触子とされる配線体が微小電気機械システム技術によって基材上に形成されたプローブと、
前記プローブと前記コネクタとの間に設けられて前記配線体の他端からなる端子部と前記コネクタの端子とを導通させるインピーダンス整合された高周波基板と、を備え、
前記プローブが前記高周波基板に対して着脱可能とされていることを特徴とする。

また、本発明の高周波プローブにおいて、
前記高周波基板は、表面に信号配線パターンとグランド配線パターンとを有し、
前記グランド配線パターンは、前記高周波基板の裏面に形成された金メッキ層に導通していることが好ましい。

また、本発明の高周波プローブにおいて、
前記高周波基板は、補強板上に配置され、
前記プローブは、前記高周波基板を挟んで前記補強板に装着されるアタッチメントに固定され、
前記配線体の前記端子部は、前記補強板への前記アタッチメントの装着方向へ向かって屈曲され、
前記アタッチメントが前記補強板に装着されることで、前記配線体の前記端子部が前記高周波基板の配線パターンに押し付けられて導通されることが好ましい。

また、本発明の高周波プローブにおいて、
前記高周波基板は、補強板上に配置され、
前記プローブは、前記補強板に装着され、前記配線体の端子部が前記高周波基板の配線パターンに接合されることが好ましい。

また、本発明の高周波プローブにおいて、
前記補強板は、前記高周波基板の裏面に形成された前記金メッキ層と面接触する金メッキ層を有することが好ましい。

また、本発明の高周波プローブにおいて、
前記プローブは、前記配線体が前記基材に直接接合されて設けられ、前記配線体の一部が前記基材の外縁から突出されて前記接触子とされていることが好ましい。

本発明の高周波プローブによれば、微小電気機械システム技術によって極小サイズ化が可能なプローブとコネクタとの間、すなわち、コネクタから先の信号等の電気経路の大部分がインピーダンス整合された高周波基板に置き換えられている。これにより、確実かつ容易にインピーダンス整合を図ることができ、電気信号の損失、反射を最小限に抑制できる。従って、高周波領域で良好な電気特性を確保できる。
しかも、プローブが着脱可能であるため、プローブを交換して電極ピッチ等の異なる各種の被検査体に対応させることができる。また、プローブだけを交換することができるので、プローブ以外の他の部材の全てを再利用することができ、大幅なコストダウンを図ることができる。
また、極小サイズ化が可能なプローブを用いたことで、プローブを交換した際のプローブ毎の特性の差異を抑制することができる。

本発明に係る高周波プローブの一実施形態を示す使用時の姿勢での斜視図である。 本発明に係る高周波プローブの組み立て側から視た斜視図である。 高周波プローブの先端部における斜視図である。 プローブアッシを取り外した状態の高周波プローブの斜視図である。 高周波プローブの分解斜視図である。 高周波プローブの断面図である。 高周波プローブの一部の拡大斜視図である。 高周波基板の斜視図である。 高周波基板の裏面側から視た斜視図である。 高周波基板の拡大斜視図である。 高周波基板の概略断面図であり、（ａ）はソルダーレジストが形成された部分の概略断面図であり、（ｂ）はソルダーレジストが形成されていない部分の概略断面図である。 補強板の斜視図である。 プローブアッシの裏面側から視た斜視図である。 組み付け前の状態のコネクタアッシ及びプローブアッシの先端部における側面図である。 ＭＥＭＳプローブの斜視図である。 組み付けた状態のコネクタアッシ及びプローブアッシの先端部における側面図である。 変形例に係る高周波プローブの先端部における斜視図である。 コンデンサの設置状態を示す高周波基板の一部の斜視図である。 コンデンサの設置状態を示すＭＥＭＳプローブの一部の斜視図である。

以下、本発明に係る高周波プローブの実施の形態の一例を、図面を参照して説明する。

図１および図２に示すように、本実施形態に係る高周波プローブ１１は、図示しないマニピュレータの先端に装着される取付ブロック１５を有している。この高周波プローブ１１は、図３に示すように、先端部に接触子１２を有しており、マニピュレータによって移動されて半導体デバイス等の被検査体の電極に接触子１２が押し付けられて導通される。そして、この状態で、被検査体の検査が行われる。

マニピュレータに取り付けられる取付ブロック１５は、アルミニウムから形成されたもので、その表面には、絶縁メッキが施されている。この取付ブロック１５には、その先端に、後述する一対の挿通孔１６（図５参照）が形成されており、これらの挿通孔１６には、それぞれ固定ボルト１７が挿通される。

また、高周波プローブ１１は、図４に示すように、コネクタアッシ２１と、このコネクタアッシ２１に着脱可能に取り付けられるプローブアッシ２２とを有している。コネクタアッシ２１は、取付ブロック１５の挿通孔１６に挿通された固定ボルト１７によって取付ブロック１５に締結固定されている。また、プローブアッシ２２は、コネクタアッシ２１に、固定ネジ２３によって固定されている。

まず、図５〜図１２を参照してコネクタアッシ２１の構成について説明する。

図５に示すように、コネクタアッシ２１は、コネクタ３１、コネクタブロック３２、高周波基板３３、補強板３４およびフランジ３５を有している。

図６に示すように、コネクタ３１は、導電性金属材料から形成されたもので、コネクタブロック３２に固定されている。このコネクタ３１には、その中心に信号導体４０が設けられている。また、このコネクタ３１には、後端側に接続穴４１が形成されており、この接続穴４１に、試験装置等の外部機器からの同軸ケーブル（ケーブルの一例）４２が挿し込まれて接続される。

同軸ケーブル４２は、中心導体４３の周囲に絶縁体４４、外部導体４５及び外被４６が順に設けられたもので、コネクタ３１と接続される端末部分では、中心導体４３および外部導体４５が露出されている。そして、このように中心導体４３および外部導体４５を露出させた同軸ケーブル４２の端末部分を接続穴４１に挿し込むと、中心導体４３が信号導体４０に導通され、また、外部導体４５がコネクタ３１に導通される。

また、コネクタ３１には、前方側へ延在するコネクタ端子（コネクタの端子の一例）４７を有している。このコネクタ端子４７には、その中心に、信号導体４０に接続された端子線４８が設けられており、この端子線４８の端部は、コネクタ端子４７の端部から突出されている。

コネクタブロック３２には、その後面側にコネクタ３１が取り付けられている。コネクタブロック３２は、導電性金属材料から形成されたものである。コネクタブロック３２には、端子挿入孔５１が形成されており、この端子挿入孔５１にコネクタ３１のコネクタ端子４７が挿入されている。

そして、図７に示すように、コネクタブロック３２の前面側には、端子挿入孔５１に挿入されたコネクタ端子４７の端子線４８が突出されている。また、コネクタブロック３２は、両側から前方へ向かって突出する固定部５２を有しており、これらの固定部５２には、上下に貫通する挿通孔５３（図５参照）が形成されている。

図８および図９に示すように、高周波基板３３は、平面視略三角形状に形成されており、後端から先端へ向かって次第に幅が狭くされている。この高周波基板３３には、その表面における中心に、信号配線パターン（配線パターンの一例）６２が前後方向にわたって形成されている。また、高周波基板３３の表面には、信号配線パターン６２の両側に、隙間をあけてグランド配線パターン（配線パターンの一例）６３が形成されている。信号配線パターン６２は、その幅寸法が２４０±５μｍとされており、また、信号配線パターン６２とグランド配線パターン６３との間隔は、２１５±５μｍとされている。

この高周波基板３３には、後端側に、一対の取付孔６４が形成されている。また、この高周波基板３３には、前後方向の中間部分に、一対の固定孔６５および一対の位置決め孔６６が形成されている。さらに、図１０に示すように、この高周波基板３３には、グランド配線パターン６３における信号配線パターン６２側の縁部近傍に、前後方向に沿って配列する複数のスルーホール６７が形成されている。

図１１（ａ）に示すように、高周波基板３３は、フッ素樹脂からなる基材７１を有しており、図８および図１０において斜線が付された部分は、この基材７１の表面に、銅層７２および表面保護用のソルダーレジスト層７５がこの順に積層されて構成されている。また、図１１（ｂ）に示すように、図８および図１０において斜線が付された部分の外側の部分は、基材７１の表面に、銅層７２、無電解ニッケル層７３および無電解金めっき層７４がこの順に積層されて構成されている。この高周波基板３３は、周波数特性を調整した基板であり、例えば、インピーダンスを所定値（約５０Ω）に整合させたものである。

この高周波基板３３の具体的な特性としては、誘電正接が、０．００１より小さくされており、比誘電率が２．３より小さくされている。なお、この高周波基板３３は、誘電正接が０．０００１〜０．００１であれば、より優れた高周波特性が得られる。また、高周波基板３３の比誘電率としては、１．０〜２．３であることが好ましい。また、この高周波基板３３には、表面、裏面およびスルーホール６７の内面に金メッキが施されている。これにより、高周波基板３３は、表面側のグランド配線パターン６３と裏面側の金メッキ層とがスルーホール６７を介して導通されることとなる。そのため、グランドの面積をより広くとることができるため、優れた高周波特性が得られる。また、高周波基板３３の裏面全体に金メッキを施すことで、より優れた高周波特性が得られる。

図１２に示すように、補強板３４は、平面視略三角形状に形成されており、後端から先端へ向かって次第に幅が狭くされている。この補強板３４は、アルミニウムからなる板体から形成されたもので、その外面には、金メッキが施されている。この補強板３４には、後端側に、一対の取付孔８４が形成されている。また、この補強板３４には、前後方向の中間部分に、一対の固定孔８５および一対の位置決め孔８６が形成されている。

図５に示すように、フランジ３５は、略直方体形状に形成されたもので、その両側部近傍には、ネジ孔９１が形成されている。このフランジ３５は、導電性金属材料から形成されたものである。

コネクタ３１、コネクタブロック３２、高周波基板３３、補強板３４およびフランジ３５からなるコネクタアッシ２１を取付ブロック１５に組み付けるには、まず、取付ブロック１５の挿通孔１６へ固定ボルト１７を挿入する。そして、この固定ボルト１７を、コネクタブロック３２の固定部５２の挿通孔５３へ挿入する。さらに、この固定ボルト１７を、高周波基板３３の取付孔６４、補強板３４の取付孔８４へ順に挿入し、フランジ３５のネジ孔９１へねじ込む。

このようにして取付ブロック１５にコネクタアッシ２１を組み付けると、図６および図７に示すように、高周波基板３３および補強板３４が互いに重ね合わされてコネクタブロック３２の固定部５２とフランジ３５とで挟持される。これにより、高周波基板３３のグランド配線パターン６３が取付ブロック１５の固定部５２に当接されて導通される。さらに、高周波基板３３の信号配線パターン６２には、コネクタ３１の端子線４８の端部が押し付けられて導通接触される。また、補強板３４は、フランジ３５と当接されて導通される。これにより、高周波基板３３のグランド配線パターン６３は、スルーホール６７、裏面側の金メッキ層および補強板３４を介してフランジ３５と導通される。

次に、図１３〜図１６を参照して、プローブアッシ２２の構成について説明する。

図１３および図１４に示すように、プローブアッシ２２は、ＭＥＭＳプローブ（プローブの一例）１０１と、アタッチメント１０２とを有している。

図１５に示すように、ＭＥＭＳプローブ１０１には、その表面における中心に、前後方向に延びる信号配線体（配線体の一例）１１１が形成されている。また、ＭＥＭＳプローブ１０１の表面には、信号配線体１１１の両側に、隙間をあけてグランド配線体（配線体の一例）１１２が形成されている。これらの信号配線体１１１およびグランド配線体１１２は、絶縁材料からなる基材１１３の上面に形成されている。

このＭＥＭＳプローブ１０１は、先端側に、接触子１２が設けられている。この接触子１２は、信号配線体１１１の一端からなる信号接触子１１４と、グランド配線体１１２の一端から信号接触子１１４に沿って延びるグランド接触子１１５とから構成されており、これらの信号接触子１１４およびグランド接触子１１５が所定ピッチで並列に配置されている。

また、ＭＥＭＳプローブ１０１は、後端側に、端子部１２１が設けられている。端子部１２１は、信号配線体１１１の他端から延びる信号端子部１２２と、グランド配線体１１２の他端から延びるグランド端子部１２３とを有している。端子部１２１を構成する信号端子部１２２およびグランド端子部１２３は、それぞれ基材１１３側へ屈曲されている。

このＭＥＭＳプローブ１０１は、ＳＯＩ（Silicon-On-Insurator）ウエハまたはセラミックス等の薄膜基材からなる基材１１３上にフォトリソグラフィー等の微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳ技術を用い、ニッケル合金からなる信号配線体１１１およびグランド配線体１１２を一括形成して金メッキを施したものである。

図１３および図１４に示すように、アタッチメント１０２は、先端へ向かって次第に幅が狭まる平面視略三角形状に形成されている。このアタッチメント１０２には、その先端側に、取付凹部１３１が形成されており、この取付凹部１３１に、ＭＥＭＳプローブ１０１の基材１１３と反対側が接着固定される。また、アタッチメント１０２には、後端側に、一対の位置決めピン１３２が設けられている。さらに、アタッチメント１０２には、位置決めピン１３２よりも前方側に、一対のネジ孔１３３が形成されている。このアタッチメント１０２は、アルミニウムから形成されたもので、位置決めピン１３２を除く外面に、金メッキが施されている。

ＭＥＭＳプローブ１０１およびアタッチメント１０２からなるプローブアッシ２２をコネクタアッシ２１の補強板３４に組み付けるには、プローブアッシ２２をコネクタアッシ２１の高周波基板３３に重ね合わせ、アタッチメント１０２の位置決めピン１３２を、高周波基板３３の位置決め孔６６および補強板３４の位置決め孔８６に挿し込む。このようにすると、プローブアッシ２２がコネクタアッシ２１に対して所定位置に位置決めされる。この状態で、補強板３４側から補強板３４の固定孔８５および高周波基板３３の固定孔６５へ固定ネジ２３を挿し込み、アタッチメント１０２のネジ孔１３３へねじ込む。

このようにすると、プローブアッシ２２がコネクタアッシ２１の高周波基板３３に位置決めされて重ね合わされた状態で補強板３４に締結固定される。すると、図１６に示すように、補強板３４への装着方向である基材１１３側へ屈曲されていた信号端子部１２２およびグランド端子部１２３が高周波基板３３の信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３に押し付けられて弾性変形する。これにより、信号端子部１２２およびグランド端子部１２３が、それぞれの弾性力で信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３を押圧し、よって、互いに確実に導通される。

上記構造の高周波プローブ１１は、マニピュレータによって移動されて半導体デバイス等の被検査体の電極に接触子１２が押し付けられて導通される。これにより、外部機器である試験装置からの検査信号は、同軸ケーブル４２の中心導体４３からコネクタ３１の信号導体４０および端子線４８を介して高周波基板３３の信号配線パターン６２に伝送され、さらに、ＭＥＭＳプローブ１０１の信号配線体１１１へ伝送され、この信号配線体１１１の一端の信号接触子１１４から被検査体に送信される。

また、被検査体のグランドの電極は、ＭＥＭＳプローブ１０１のグランド接触子１１５が接触されることで、ＭＥＭＳプローブ１０１のグランド配線体１１２を介して高周波基板３３のグランド配線パターン６３と導通する。

このグランド配線パターン６３は、同軸ケーブル４２の外部導体４５に対してコネクタ３１を介して導通されたコネクタブロック３２に接触されて導通されている。さらに、このグランド配線パターン６３は、スルーホール６７、高周波基板３３の裏面側の金メッキ層および補強板３４を介してフランジ３５と導通されている。また、このフランジ３５は、同軸ケーブル４２の外部導体４５に対してコネクタ３１を介して導通されたコネクタブロック３２に固定ボルト１７で導通されている。さらに、ＭＥＭＳプローブ１０１のグランド配線体１１２は、金メッキされたアタッチメント１０２に導通され、このアタッチメント１０２を介して高周波基板３３のグランド配線パターン６３に導通されている。

このように、高周波プローブ１１では、ＭＥＭＳプローブ１０１のグランド配線体１１２と同軸ケーブル４２の外部導体４５とのグランドの導通経路が確実に確保されている。

したがって、被検査体のグランドの電極にＭＥＭＳプローブ１０１のグランド接触子１１５が接触することで、被検査体のグランドの電極が同軸ケーブル４２の外部導体４５に確実に導通されて接地されることとなる。特に、金メッキされた補強板３４の金メッキ層に対して、高周波基板３３の金メッキされた裏面の金メッキ層が面接触していることで、極めて良好な接地状態が確保される。これにより、被検査体に対する高精度な検査が可能とされる。

また、被検査体の種類の変更や検査による消耗のためにＭＥＭＳプローブ１０１を異なるピッチのものや新たなものに変更する場合は、まず、固定ネジ２３を弛めてプローブアッシ２２をコネクタアッシ２１から取り外す。次いで、アタッチメント１０２からＭＥＭＳプローブ１０１を取り外し、変更するＭＥＭＳプローブ１０１をアタッチメント１０２に接着固定する。

その後は、ＭＥＭＳプローブ１０１がアタッチメント１０２に固定されたプローブアッシ２２をコネクタアッシ２１の高周波基板３３に重ね合わせ、アタッチメント１０２の位置決めピン１３２を、高周波基板３３の位置決め孔６６および補強板３４の位置決め孔８６に挿し込む。そして、補強板３４側から補強板３４の固定孔８５および高周波基板３３の固定孔６５へ固定ネジ２３を挿し込み、アタッチメント１０２のネジ孔１３３へねじ込む。

このように、上記実施形態に係る高周波プローブ１１によれば、微小電気機械システム技術によって極小サイズ化が可能なＭＥＭＳプローブ１０１を用いたことにより、コネクタ３１から先の信号等の電気経路の大部分（９０％以上）を、インピーダンス整合した高周波基板３３とすることができる。これにより、確実かつ容易にインピーダンス整合を図ることができ、電気信号の損失、反射を最小限に抑制できる。

ここで、ＭＥＭＳプローブ１０１は、信号配線体１１１およびグランド配線体１１２を基材１１３に直接接合させて形成するため、転写することで接着材によって接着して接合する構造と比較して電気信号の劣化を極めて小さくすることができる。また、微小電気機械システム技術であるＭＥＭＳプロセスで加工することで、接触子１２を１００μｍピッチ以下に容易にかつ高精度に形成することができる。

しかも、ＭＥＭＳプローブ１０１が交換可能であるため、ＭＥＭＳプローブ１０１を交換して電極ピッチ等の異なる各種の被検査体に容易に対応させることができる。また、ＭＥＭＳプローブ１０１だけを交換することができるので、ＭＥＭＳプローブ１０１以外のアタッチメント１０２等の他の部材の全てを再利用することができ、大幅なコストダウンを図ることができる。
また、極小サイズ化が可能なＭＥＭＳプローブ１０１を用いたことで、ＭＥＭＳプローブ１０１を交換した際のプローブ毎の特性の差異を抑制することができる。

また、屈曲した信号端子部１２２およびグランド端子部１２３を高周波基板３３の信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３に押し付けて互いに接触させる構成のため、信号端子部１２２およびグランド端子部１２３がそれぞれの弾性力で互いに確実に導通させることができる。また、アタッチメント１０２と補強板３４の組み付けを解除することで、ＭＥＭＳプローブ１０１を高周波基板３３から簡単に離間させることができる。

また、信号配線体１１１およびグランド配線体１１２の両端を基材１１３の外縁から突出させることで、ＭＥＭＳプローブ１０１に接触子１２および端子部１２１を極めて容易に設けることができる。これにより、ＭＥＭＳプローブ１０１の低コスト化及び製造時間の短縮化を図ることができる。

なお、上記実施形態では、ＭＥＭＳプローブ１０１を固定したアタッチメント１０２を固定ネジ２３でコネクタアッシ２１の補強板３４に組み付ける構造としたが、ＭＥＭＳプローブ１０１が高周波基板３３に対して着脱可能であれば、固定構造は固定ネジ２３によるものに限らない。

次に、ＭＥＭＳプローブ１０１の固定構造が異なる変形例に係る高周波プローブについて説明する。
図１７は、変形例に係る高周波プローブの先端部における斜視図である。

図１７に示すように、変形例に係る高周波プローブ１１では、ＭＥＭＳプローブ１０１の端子部１２１を構成する信号端子部１２２およびグランド端子部１２３が、屈曲されることなく側方へ延在されている。また、この高周波プローブ１１では、アタッチメント１０２がなく、ＭＥＭＳプローブ１０１は、補強板３４に直接装着されている。そして、このＭＥＭＳプローブ１０１の信号端子部１２２およびグランド端子部１２３が高周波基板３３の信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３に、例えば、半田等の接合材によって導通接合されている。

この高周波プローブ１１によれば、ＭＥＭＳプローブ１０１の信号端子部１２２およびグランド端子部１２３が、高周波基板３３の信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３に確実に接合されているので、不連続部分による反射を抑制することができ、良好な電気特性を確保できる。

また、半田を溶かすなどによって信号端子部１２２およびグランド端子部１２３と信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３との接合を解除して補強板３４からＭＥＭＳプローブ１０１を取り外すことで、ＭＥＭＳプローブ１０１を容易に交換することもできる。

なお、ＭＥＭＳプローブ１０１の信号端子部１２２およびグランド端子部１２３を高周波基板３３の信号配線パターン６２およびグランド配線パターン６３に接合する方法としては、半田付けに限らず、接合箇所に設けたバンプによって接合させたり、導電性接着剤によって接合させても良い。

また、上記実施形態の高周波プローブ１１において、ノイズを除去するために、信号電気経路とグランドとの間にコンデンサを設けるのが好ましい。
図１８は、コンデンサの設置状態を示す高周波基板の一部の斜視図、図１９は、コンデンサの設置状態を示すＭＥＭＳプローブの一部の斜視図である。

図１８に示すように、コンデンサ１４１は、高周波基板３３における信号配線パターン６２とグランド配線パターン６３とに掛け渡すように設けても良く、また、図１９に示すように、ＭＥＭＳプローブ１０１における信号配線体１１１とグランド配線体１１２とに掛け渡すように設けても良い。

１１：高周波プローブ、１２：接触子、３１：コネクタ、３３：高周波基板、３４：補強板、４２：同軸ケーブル（ケーブルの一例）、４７：コネクタ端子（コネクタの端子の一例）、６２：信号配線パターン（配線パターンの一例）、６３：グランド配線パターン（配線パターンの一例）、１０１：ＭＥＭＳプローブ（プローブの一例）、１０２：アタッチメント、１１１：信号配線体（配線体の一例）、１１２：グランド配線体（配線体の一例）、１１３：基材、１２１：端子部

Claims (6)

1. 外部機器からのケーブルが接続されるコネクタと、
   一端が被検査体の電極に接触される接触子とされる配線体が微小電気機械システム技術によって基材上に形成されたプローブと、
   前記プローブと前記コネクタとの間に設けられて前記配線体の他端からなる端子部と前記コネクタの端子とを導通させるインピーダンス整合された高周波基板と、を備え、
   前記プローブが前記高周波基板に対して着脱可能とされていることを特徴とする高周波プローブ。
2. 請求項１に記載の高周波プローブであって、
   前記高周波基板は、表面に信号配線パターンとグランド配線パターンとを有し、
   前記グランド配線パターンは、前記高周波基板の裏面に形成された金メッキ層に導通していることを特徴とする高周波プローブ。
3. 請求項２に記載の高周波プローブであって、
   前記高周波基板は、補強板上に配置され、
   前記プローブは、前記高周波基板を挟んで前記補強板に装着されるアタッチメントに固定され、
   前記配線体の前記端子部は、前記補強板への前記アタッチメントの装着方向へ向かって屈曲され、
   前記アタッチメントが前記補強板に装着されることで、前記配線体の前記端子部が前記高周波基板の配線パターンに押し付けられて導通されることを特徴とする高周波プローブ。
4. 請求項２に記載の高周波プローブであって、
   前記高周波基板は、補強板上に配置され、
   前記プローブは、前記補強板に装着され、前記配線体の端子部が前記高周波基板の配線パターンに接合されることを特徴とする高周波プローブ。
5. 請求項３または４に記載の高周波プローブであって、
   前記補強板は、前記高周波基板の裏面に形成された前記金メッキ層と面接触する金メッキ層を有することを特徴とする高周波プローブ。
6. 請求項１から５のいずれか一項に記載の高周波プローブであって、
   前記プローブは、前記配線体が前記基材に直接接合されて設けられ、前記配線体の一部が前記基材の外縁から突出されて前記接触子とされていることを特徴とする高周波プローブ。

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