JPH01316979A - ホール効果測定装置 - Google Patents
ホール効果測定装置Info
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- JPH01316979A JPH01316979A JP63149011A JP14901188A JPH01316979A JP H01316979 A JPH01316979 A JP H01316979A JP 63149011 A JP63149011 A JP 63149011A JP 14901188 A JP14901188 A JP 14901188A JP H01316979 A JPH01316979 A JP H01316979A
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- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 35
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
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- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 5
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Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はホール素子のホール効果を測定するホール効果
ilN定装置に関する。
ilN定装置に関する。
第4図に従来のホール効果測定装置を示す。ホルダ41
.42に保持された磁性体(例えば電磁石)43.44
が対向配置され、磁性体43゜44の間にホール素子5
0が挿入されている。ホール素子50上には十文字状に
直交する位置に4つの電極が形成されており、対向する
一対の電極に電流供給端子45が接触し、他方の一対の
電極にホール効果検出端子47が接触し、これらの端子
45.47が各電極と例えば半田付けされる。
.42に保持された磁性体(例えば電磁石)43.44
が対向配置され、磁性体43゜44の間にホール素子5
0が挿入されている。ホール素子50上には十文字状に
直交する位置に4つの電極が形成されており、対向する
一対の電極に電流供給端子45が接触し、他方の一対の
電極にホール効果検出端子47が接触し、これらの端子
45.47が各電極と例えば半田付けされる。
電流供給端子45は直流電源46に接続されてホール素
子50に電流が供給される。これによりホール効果検出
端子47では電圧が生じるため、この電圧を電圧計48
によって検出してホール効果の測定が行われる。なお、
磁性体43.44としては永久磁石、電極石などが使用
され、一般的には1〜10キロガウスの磁界内で測定が
行われる。
子50に電流が供給される。これによりホール効果検出
端子47では電圧が生じるため、この電圧を電圧計48
によって検出してホール効果の測定が行われる。なお、
磁性体43.44としては永久磁石、電極石などが使用
され、一般的には1〜10キロガウスの磁界内で測定が
行われる。
そして、このような測定が終了した後は、別のホール素
子を同様にセットしてホール効果の測定を行う。
子を同様にセットしてホール効果の測定を行う。
このように、従来の測定装置はホール素子毎に測定を行
うものである。従って、ホール素子のセットやホール素
子の電極と各端子の半田付けがホール素子毎に必要とな
り、操作が煩雑で、迅速性に欠けたものとなっている。
うものである。従って、ホール素子のセットやホール素
子の電極と各端子の半田付けがホール素子毎に必要とな
り、操作が煩雑で、迅速性に欠けたものとなっている。
そこで本発明は、ホール効果の測定を簡便且つ迅速に行
うことができるホール効果測定装置を提供する。
うことができるホール効果測定装置を提供する。
本発明に係るホール効果測定装置は、ホール素子が形成
された半導体ウェーハが載置される磁性基板と、少なく
とも一対の電流供給プローブ針およびホール効果検出プ
ローブ針を有してなり、各プローブ針が各ホール素子の
電極に接触するように半導体ウェーハと相対的にステッ
プ移動するブローμとを備えていることを特徴とする。
された半導体ウェーハが載置される磁性基板と、少なく
とも一対の電流供給プローブ針およびホール効果検出プ
ローブ針を有してなり、各プローブ針が各ホール素子の
電極に接触するように半導体ウェーハと相対的にステッ
プ移動するブローμとを備えていることを特徴とする。
本発明に係るホール効果測定装置は、以上の通りに構成
されるので、ブローμはそのステップ移動により半導体
ウェーハ状態でのホール効果の測定を行うように作用す
る。
されるので、ブローμはそのステップ移動により半導体
ウェーハ状態でのホール効果の測定を行うように作用す
る。
以下、本発明のいくつかの実施例を図面により説明する
。なお、図面の説明において、同一要素は同一符号を付
して対応させて、重複する説明は省略する。
。なお、図面の説明において、同一要素は同一符号を付
して対応させて、重複する説明は省略する。
第1図は本発明の第1実施例を示す斜視図、第2図はそ
の作動を示す側面図である。ホール効果測定装置は、磁
性基板1と、ブローμ10とを備えて構成される。磁性
基板1は上部が扁平な円盤形状に成形されており、表面
からは磁力線が均一に出るようになっている。この磁性
基板1は永久磁石あるいは電磁石からなり、電磁石の場
合には磁界の強度調整が可能なため、より良好である。
の作動を示す側面図である。ホール効果測定装置は、磁
性基板1と、ブローμ10とを備えて構成される。磁性
基板1は上部が扁平な円盤形状に成形されており、表面
からは磁力線が均一に出るようになっている。この磁性
基板1は永久磁石あるいは電磁石からなり、電磁石の場
合には磁界の強度調整が可能なため、より良好である。
ブローμ10は磁性基板1上方に対向して設けられてい
る。このブローμ10または磁性基板のいずれか一方ま
たは双方は相互にステップ移動するように制御されるも
のである。ブローμ10は中央に検査穴が開口されたプ
ローブカード11と、プローブカード11に取り付けら
れ先端部が検査穴から下方に延びるプローブ針12.1
2および13.13とを備えている。
る。このブローμ10または磁性基板のいずれか一方ま
たは双方は相互にステップ移動するように制御されるも
のである。ブローμ10は中央に検査穴が開口されたプ
ローブカード11と、プローブカード11に取り付けら
れ先端部が検査穴から下方に延びるプローブ針12.1
2および13.13とを備えている。
これらプローブ針12.13は90度間隔で配設され、
対向する一対のプローブ針12.12は直流電流14に
接続されて電流供給プローブ針12.12となっており
、対向する他の一対のプローブ針13.13は電圧計1
5に接続されてホール効果検出プローブ針13.i3と
なっている。
対向する一対のプローブ針12.12は直流電流14に
接続されて電流供給プローブ針12.12となっており
、対向する他の一対のプローブ針13.13は電圧計1
5に接続されてホール効果検出プローブ針13.i3と
なっている。
さらにプローブカード11の上面には支持アーム2が立
設されており、この支持アーム2に円柱状の磁性部材3
が取り付けられている。磁性部材3は永久磁石または電
磁石からなり、プローブカード11の検査穴上に設けら
れている。これにより磁性部材3は磁性基板1と対向し
て磁性基板1との間で均一に強い磁界を形成するように
作用する。
設されており、この支持アーム2に円柱状の磁性部材3
が取り付けられている。磁性部材3は永久磁石または電
磁石からなり、プローブカード11の検査穴上に設けら
れている。これにより磁性部材3は磁性基板1と対向し
て磁性基板1との間で均一に強い磁界を形成するように
作用する。
被検体となるホール素子21は、例えばGa P。
GaAs、InPなどの化合物半導体からなり、ダイシ
ング工程以前の半導体ウェーハ20の形態で供給される
。この半導体ウェーハ20は素子形成面が上面となるよ
うに磁性基板1上に載置されてΔN定に供される。なお
、各ホール素子21には十字方向の位置に電極22が形
成されており、この電極22に各プローブ針12.12
および13゜13が接触して測定が行われる。
ング工程以前の半導体ウェーハ20の形態で供給される
。この半導体ウェーハ20は素子形成面が上面となるよ
うに磁性基板1上に載置されてΔN定に供される。なお
、各ホール素子21には十字方向の位置に電極22が形
成されており、この電極22に各プローブ針12.12
および13゜13が接触して測定が行われる。
次に、測定方法を説明する。
磁性基板1および磁性部材3は対向する磁極が異極とな
るように設けられており、これにより磁力線Bが第2図
に図示のように磁性基板1、磁性部材3間に発生する。
るように設けられており、これにより磁力線Bが第2図
に図示のように磁性基板1、磁性部材3間に発生する。
この磁場においては磁性部材3と磁性基板1とが対向す
る部分で磁石線Bが平行となっており、測定に最も適し
た場所となっている。この状態で半導体ウェーハ20を
磁性基板1上に載置する。そして、ブローμ10をステ
ップ移動させながら、プローブ針12.12および13
.13を各ホール素子21の電極22に接触させる。か
かる接触は電流供給プローブ針12゜12とホール効果
検出プローブ針13.13とが直交位置から電極22に
接触するため、電流供給プローブ針12.12から直流
電流を供給することによりホール効果検出プローブ針1
3.13がホール電圧を測定することができる。この測
定では磁性部材3がプローブカード11の検査穴上、す
なわちプローブ針12,12,13.13上に位置して
おり、磁石線Bが平行となっているため、正確な1il
PJ定を行うことができる。このようにして半導体ウェ
ーハ20の−のホール素子21を測定した後は、ブロー
μ10をステップ移動され、隣接するホール素子を測定
し、以後、同様にしてステップ移動させて測定を続行す
る。
る部分で磁石線Bが平行となっており、測定に最も適し
た場所となっている。この状態で半導体ウェーハ20を
磁性基板1上に載置する。そして、ブローμ10をステ
ップ移動させながら、プローブ針12.12および13
.13を各ホール素子21の電極22に接触させる。か
かる接触は電流供給プローブ針12゜12とホール効果
検出プローブ針13.13とが直交位置から電極22に
接触するため、電流供給プローブ針12.12から直流
電流を供給することによりホール効果検出プローブ針1
3.13がホール電圧を測定することができる。この測
定では磁性部材3がプローブカード11の検査穴上、す
なわちプローブ針12,12,13.13上に位置して
おり、磁石線Bが平行となっているため、正確な1il
PJ定を行うことができる。このようにして半導体ウェ
ーハ20の−のホール素子21を測定した後は、ブロー
μ10をステップ移動され、隣接するホール素子を測定
し、以後、同様にしてステップ移動させて測定を続行す
る。
このような構成では半導体ウェーハの形態での測定が可
能であり、しかもプローブ針をホール素子の電極に接触
させるだけであるので、測定が簡便となり、迅速に行う
ことができる。
能であり、しかもプローブ針をホール素子の電極に接触
させるだけであるので、測定が簡便となり、迅速に行う
ことができる。
第2図は本発明の第2実施例を示し、磁性部材3が鉄心
を除去したコイルのみからなる電極石によって形成され
ている。鉄心を除去することによってコイルの内部には
空洞部分5が形成され、この空洞部分5がプローブカー
ド11の検査穴上に位置するように設けられている。こ
の空洞部分5は覗き穴として使用されるものであり、覗
き穴5が検査穴上に位置することにより、覗き穴5を通
しで半導体ウェーハ20のホール素子21へのプローブ
針12.12,13.13の接触位置の調整が可能とな
り、位置決めが確実且つ容易となるメリットがある。
を除去したコイルのみからなる電極石によって形成され
ている。鉄心を除去することによってコイルの内部には
空洞部分5が形成され、この空洞部分5がプローブカー
ド11の検査穴上に位置するように設けられている。こ
の空洞部分5は覗き穴として使用されるものであり、覗
き穴5が検査穴上に位置することにより、覗き穴5を通
しで半導体ウェーハ20のホール素子21へのプローブ
針12.12,13.13の接触位置の調整が可能とな
り、位置決めが確実且つ容易となるメリットがある。
本発明は上記実施例に限定されるものではなく、種々変
更が可能である。例えば、磁性基板1により十分な磁場
が形成される場合には磁性部材3を省略しても良い。ま
た、電流供給プローブ針12゜12およびホール効果検
出プローブ針13.13は少なくとも各−封有していれ
ば良く、それぞれの複数対配設しても良い。さらに、ホ
ール素子を一部に組み込んだ集積回路にも適用すること
ができる。
更が可能である。例えば、磁性基板1により十分な磁場
が形成される場合には磁性部材3を省略しても良い。ま
た、電流供給プローブ針12゜12およびホール効果検
出プローブ針13.13は少なくとも各−封有していれ
ば良く、それぞれの複数対配設しても良い。さらに、ホ
ール素子を一部に組み込んだ集積回路にも適用すること
ができる。
以上、詳細に説明したように本発明は、電流供給プロー
ブ針とホール効果検出プローブ針を有するブローμによ
り、半導体ウェーハ状態のホール素子を測定するように
したので、ホール効果のn1定を半導体ウェーハを単位
として行うことができ、その測定を簡便且つ迅速に行う
ことができる。
ブ針とホール効果検出プローブ針を有するブローμによ
り、半導体ウェーハ状態のホール素子を測定するように
したので、ホール効果のn1定を半導体ウェーハを単位
として行うことができ、その測定を簡便且つ迅速に行う
ことができる。
第1図は、本発明の第1実施例を示す斜視図、第2図は
、そのal定状態を示す側面図、第3図は、第2実施例
の要部を示す平面図および断面図、第4図は、従来装置
の斜視図である。 1・・・磁性基板、3・・・磁性部材、5・・・覗き穴
、〕0・・・ブローμ、12・・・一対の電流供給プロ
ーブ針、13・・・一対のホール効果検出プローブ針、
20・・・半導体ウェーハ、21・・・ホール素子。 実施例の斜視図 第1図 実施例の作用 第2図 変形例の構成 第3図
、そのal定状態を示す側面図、第3図は、第2実施例
の要部を示す平面図および断面図、第4図は、従来装置
の斜視図である。 1・・・磁性基板、3・・・磁性部材、5・・・覗き穴
、〕0・・・ブローμ、12・・・一対の電流供給プロ
ーブ針、13・・・一対のホール効果検出プローブ針、
20・・・半導体ウェーハ、21・・・ホール素子。 実施例の斜視図 第1図 実施例の作用 第2図 変形例の構成 第3図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、ホール素子が形成された半導体ウェーハが載置され
る磁性基板と、 少なくとも一対の電流供給プローブ針およびホール効果
検出プローブ針を有してなり、各プローブ針が各ホール
素子の電極に接触するように半導体ウェーハと相対的に
ステップ移動するプローバと を備えていることを特徴とするホール効果測定装置。 2、前記プローバには、前記磁性基板との間で磁界を形
成する磁性部材が磁性基板に対向して設けられている請
求項1記載のホール効果測定装置。 3、前記磁性部材には、前記磁性基板方向に開口した覗
き穴が形成されている請求項2記載のホール効果測定装
置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63149011A JPH01316979A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ホール効果測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63149011A JPH01316979A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ホール効果測定装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01316979A true JPH01316979A (ja) | 1989-12-21 |
Family
ID=15465723
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63149011A Pending JPH01316979A (ja) | 1988-06-16 | 1988-06-16 | ホール効果測定装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01316979A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011053183A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Fujikura Ltd | 磁界プローバ及び磁界印加方法 |
TWI418817B (zh) * | 2011-04-18 | 2013-12-11 | Univ Shu Te | Hall effect measurement device with light measurement function |
CN108872686A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 具有集成的霍尔测量特征的半导体探针测试卡 |
-
1988
- 1988-06-16 JP JP63149011A patent/JPH01316979A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011053183A (ja) * | 2009-09-04 | 2011-03-17 | Fujikura Ltd | 磁界プローバ及び磁界印加方法 |
TWI418817B (zh) * | 2011-04-18 | 2013-12-11 | Univ Shu Te | Hall effect measurement device with light measurement function |
CN108872686A (zh) * | 2017-05-11 | 2018-11-23 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 具有集成的霍尔测量特征的半导体探针测试卡 |
EP3410134A1 (en) * | 2017-05-11 | 2018-12-05 | Infineon Technologies Austria AG | Semiconductor probe test card with integrated hall measurement features |
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