JPH05291367A - プローブ装置 - Google Patents
プローブ装置Info
- Publication number
- JPH05291367A JPH05291367A JP4119760A JP11976092A JPH05291367A JP H05291367 A JPH05291367 A JP H05291367A JP 4119760 A JP4119760 A JP 4119760A JP 11976092 A JP11976092 A JP 11976092A JP H05291367 A JPH05291367 A JP H05291367A
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- JP
- Japan
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- semiconductor wafer
- wafer
- probe
- thin film
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- Pending
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- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 例えば半導体ウエハ上のＩＣチップについて
ノイズによる悪影響を受けずに精度の高い電気的測定を
可能とし、かつ静電破壊を防止すること。 【構成】 ウエハ保持台１１上に半導体ウエハＷを保持
し、テストヘッドとウエハＷとをプロ−ブカ−ド２のプ
ロ−ブ針２１を介して電気的に接続して、半導体ウエハ
Ｗの電気的特性を測定するプローブ装置において、ウエ
ハ保持台１１を、導電性基台１４上に例えば臭酸アルマ
イトからなる絶縁性薄膜を設けると共に、導電性基台１
４の下面側にセラミック層１５を設けて構成する。
ノイズによる悪影響を受けずに精度の高い電気的測定を
可能とし、かつ静電破壊を防止すること。 【構成】 ウエハ保持台１１上に半導体ウエハＷを保持
し、テストヘッドとウエハＷとをプロ−ブカ−ド２のプ
ロ−ブ針２１を介して電気的に接続して、半導体ウエハ
Ｗの電気的特性を測定するプローブ装置において、ウエ
ハ保持台１１を、導電性基台１４上に例えば臭酸アルマ
イトからなる絶縁性薄膜を設けると共に、導電性基台１
４の下面側にセラミック層１５を設けて構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プローブ装置に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造においては、半導
体ウエハにＩＣチップを形成した後、各チップに分断し
てパッケージングするが、パッケージングする前に不良
チップを排除するためにプローブ装置により半導体ウエ
ハの各チップに対してプローブテストと呼ばれる電気的
測定が行われる。
体ウエハにＩＣチップを形成した後、各チップに分断し
てパッケージングするが、パッケージングする前に不良
チップを排除するためにプローブ装置により半導体ウエ
ハの各チップに対してプローブテストと呼ばれる電気的
測定が行われる。
【０００３】従来のプローブ装置は、例えば図３に示す
ように筐体１内にＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能なウエ
ハ保持台１１を配置すると共に、このウエハ保持台１１
の上方側に、プローブ針２１を備えたプローブカード２
を設け、常時突出方向に付勢されたいわゆるポゴピン２
２を備えたインサートリング２３を介して、前記プロー
ブカード２を筐体１に装着し、更に図示しないテスタに
電気的に接続されたテストヘッド３のパフォーマンスボ
ード３１を前記インサートリング２３の上面に対して接
離するように回動自在に設けて構成されている。
ように筐体１内にＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能なウエ
ハ保持台１１を配置すると共に、このウエハ保持台１１
の上方側に、プローブ針２１を備えたプローブカード２
を設け、常時突出方向に付勢されたいわゆるポゴピン２
２を備えたインサートリング２３を介して、前記プロー
ブカード２を筐体１に装着し、更に図示しないテスタに
電気的に接続されたテストヘッド３のパフォーマンスボ
ード３１を前記インサートリング２３の上面に対して接
離するように回動自在に設けて構成されている。
【０００４】このような装置ではウエハ保持台１１を上
昇させてプローブ針２１を半導体ウエハＷ内のＩＣチッ
プの電極パッドに位置合わせした状態で接触させると共
に、テストヘッド３のパフォーマンスボード３１をイン
サートリング２３のポゴピン２２を介してプローブカー
ド２に電気的に接触させ、図示しないテスタにより電気
的測定を行ってＩＣチップの良否を判定するようにして
いる。
昇させてプローブ針２１を半導体ウエハＷ内のＩＣチッ
プの電極パッドに位置合わせした状態で接触させると共
に、テストヘッド３のパフォーマンスボード３１をイン
サートリング２３のポゴピン２２を介してプローブカー
ド２に電気的に接触させ、図示しないテスタにより電気
的測定を行ってＩＣチップの良否を判定するようにして
いる。
【０００５】そしてウエハ保持台１１として、例えば特
開昭６２−２９１９３７号公報には、セラミック基台１
２の表面に導電性薄膜１３を設けて構成し、表面の導電
性薄膜１３をテスタのアース側に接続して電気的測定を
行うものが記載されており、導電性薄膜１３は、例えば
同軸ケ−ブルによりテスタ内にて接地されている。
開昭６２−２９１９３７号公報には、セラミック基台１
２の表面に導電性薄膜１３を設けて構成し、表面の導電
性薄膜１３をテスタのアース側に接続して電気的測定を
行うものが記載されており、導電性薄膜１３は、例えば
同軸ケ−ブルによりテスタ内にて接地されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上述のよ
うに半導体ウエハと接触する面に設けられた導電性薄膜
１３をテスタ内にて接地すると、プロ−ブ針２１を介し
て導電性薄膜１３とテスタとを結ぶ閉ル−プが形成され
てしまうので、半導体ウエハのデバイスに所定の電気信
号を与えることができず正確な電気的測定を行うことが
できない。また前記同軸ケーブルを導電性薄膜１３から
取り外した場合でも当該薄膜１３自体が一種のアンテナ
として機能して外部から電磁波を拾ってしまい、精度の
高い測定を行うことが困難であり、こうしたことからウ
エハをチップに分断し、ＩＣをパッケ−ジした後に厳し
い測定を行わなければならなかった。
うに半導体ウエハと接触する面に設けられた導電性薄膜
１３をテスタ内にて接地すると、プロ−ブ針２１を介し
て導電性薄膜１３とテスタとを結ぶ閉ル−プが形成され
てしまうので、半導体ウエハのデバイスに所定の電気信
号を与えることができず正確な電気的測定を行うことが
できない。また前記同軸ケーブルを導電性薄膜１３から
取り外した場合でも当該薄膜１３自体が一種のアンテナ
として機能して外部から電磁波を拾ってしまい、精度の
高い測定を行うことが困難であり、こうしたことからウ
エハをチップに分断し、ＩＣをパッケ−ジした後に厳し
い測定を行わなければならなかった。
【０００７】一方デバイスの高集積化に伴って高速化、
省電力化を図るためにＩＣの動作電圧も例えば３．３
Ｖ、２．４Ｖなどと低くなる傾向にある。このため測定
電圧が低くなっており、ノイズとなる信号レベルも可成
り低くなってきている。またＣＣＤ受光素子などは、受
光するために開放された構造となっているので外部から
電磁波を取り込みやすく、従って動作電圧の低いＩＣや
ＣＣＤ受光素子などは特に測定精度が悪くなる。
省電力化を図るためにＩＣの動作電圧も例えば３．３
Ｖ、２．４Ｖなどと低くなる傾向にある。このため測定
電圧が低くなっており、ノイズとなる信号レベルも可成
り低くなってきている。またＣＣＤ受光素子などは、受
光するために開放された構造となっているので外部から
電磁波を取り込みやすく、従って動作電圧の低いＩＣや
ＣＣＤ受光素子などは特に測定精度が悪くなる。
【０００８】また、上述の公報の装置において、ウエハ
保持台１１の表面に導電性薄膜１３を形成しない場合に
は、セラミック基台１２の表面にウエハが載置されるの
でノイズの影響はなくなるが、この場合にはウエハの電
気的特性の測定中にセラミック基台１２の表面に電荷が
蓄電されその帯電量が大きくなって、静電破壊が起こ
り、ウエハが損傷するおそれがある。
保持台１１の表面に導電性薄膜１３を形成しない場合に
は、セラミック基台１２の表面にウエハが載置されるの
でノイズの影響はなくなるが、この場合にはウエハの電
気的特性の測定中にセラミック基台１２の表面に電荷が
蓄電されその帯電量が大きくなって、静電破壊が起こ
り、ウエハが損傷するおそれがある。
【０００９】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、ノイズによる悪影響を受け
ずに精度の高い測定を行うことができ、かつ静電破壊を
防止することのできるプロ−ブ装置を提供することにあ
る。
たものであり、その目的は、ノイズによる悪影響を受け
ずに精度の高い測定を行うことができ、かつ静電破壊を
防止することのできるプロ−ブ装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、被検査体保持
台上に保持された被検査体の電極パッドに接触手段を介
してテストヘッドを電気的に接触し、被検査体の電気的
特性を測定するプローブ装置において、前記被検査体保
持台は、導電性基台上に絶縁性薄膜を設けてなることを
特徴とする。
台上に保持された被検査体の電極パッドに接触手段を介
してテストヘッドを電気的に接触し、被検査体の電気的
特性を測定するプローブ装置において、前記被検査体保
持台は、導電性基台上に絶縁性薄膜を設けてなることを
特徴とする。
【００１１】
【作用】被検査体保持台の導電性基台が一種のアンテナ
として機能して周囲の電磁波を拾うことがあるが、被検
査体保持台の表面、即ち被検査体が保持される表面には
絶縁性薄膜が設けられているので、電磁波に起因するノ
イズが被検査体に伝達されることがない。また、表面の
絶縁部分が薄膜で構成されているので、静電気による静
電破壊も生じにくい。
として機能して周囲の電磁波を拾うことがあるが、被検
査体保持台の表面、即ち被検査体が保持される表面には
絶縁性薄膜が設けられているので、電磁波に起因するノ
イズが被検査体に伝達されることがない。また、表面の
絶縁部分が薄膜で構成されているので、静電気による静
電破壊も生じにくい。
【００１２】
【実施例】図１は本発明の実施例を示す縦断側面図、図
２は本発明の実施例の要部を示す分解拡大斜視図であ
る。
２は本発明の実施例の要部を示す分解拡大斜視図であ
る。
【００１３】１はプローブ装置本体の外装部をなす筐体
であり、この筐体１内には、駆動機構１０によりＸ、
Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能なウエハ保持台１１が設置さ
れている。ウエハ保持台１１の上方側には、プローブ針
２１を備えたプローブカード２が設けられている。この
プローブカード２は、常時突出方向に付勢されたいわゆ
るポゴピン２２を備えたインサートリング２３を介して
筐体１に装着されている。このインサ−トリング２３の
上方側には、図示しないテスタに電気的に接続されたテ
ストヘッド３のパフォーマンスボード３１が、前記イン
サートリング２３の上面に対して接離するように回動自
在に設けられている。
であり、この筐体１内には、駆動機構１０によりＸ、
Ｙ、Ｚ、θ方向に移動可能なウエハ保持台１１が設置さ
れている。ウエハ保持台１１の上方側には、プローブ針
２１を備えたプローブカード２が設けられている。この
プローブカード２は、常時突出方向に付勢されたいわゆ
るポゴピン２２を備えたインサートリング２３を介して
筐体１に装着されている。このインサ−トリング２３の
上方側には、図示しないテスタに電気的に接続されたテ
ストヘッド３のパフォーマンスボード３１が、前記イン
サートリング２３の上面に対して接離するように回動自
在に設けられている。
【００１４】前記ウエハ保持台１１は、例えばアルミニ
ウムからなる、同軸ケーブルにより図示しないテスタの
アース側に接続された導電性基台１４の表面に、絶縁性
薄膜１５を設けると共に、導電性基台１４の下面側に、
プロ−ブ装置本体から当該導電性基台１４を電気的にフ
ロ−ティングさせるようにセラミック層１６を設けて構
成されている。
ウムからなる、同軸ケーブルにより図示しないテスタの
アース側に接続された導電性基台１４の表面に、絶縁性
薄膜１５を設けると共に、導電性基台１４の下面側に、
プロ−ブ装置本体から当該導電性基台１４を電気的にフ
ロ−ティングさせるようにセラミック層１６を設けて構
成されている。
【００１５】前記絶縁性薄膜１５は厚さが例えば１０μ
ｍ厚のシュウ酸アルマイトまたは絶縁性セラミックコー
ティング層あるいはテフロン樹脂（ポリテトラフルオロ
エチレン）からなる。この絶縁性薄膜１５の厚さは、静
電気による絶縁破壊を防止するために例えば５〜３０μ
ｍが好ましい。
ｍ厚のシュウ酸アルマイトまたは絶縁性セラミックコー
ティング層あるいはテフロン樹脂（ポリテトラフルオロ
エチレン）からなる。この絶縁性薄膜１５の厚さは、静
電気による絶縁破壊を防止するために例えば５〜３０μ
ｍが好ましい。
【００１６】前記ウエハ保持台１１には、半導体ウエハ
Ｗのクランプ機構４が設けられ、測定時にはこのクラン
プ機構４により半導体ウエハＷがウエハ保持台１１の表
面に保持される。このクランプ機構４は、取付け部材４
１をウエハ保持台１１に固定し、この取付け部材４１に
クランプ部材４２を矢印で示す方向に回転できるように
軸支して構成されている。クランプ部材４２の半導体ウ
エハＷを保持する保持面４３は、絶縁材料であって発塵
の少ない例えばテフロン樹脂によりコーティングされて
いる。
Ｗのクランプ機構４が設けられ、測定時にはこのクラン
プ機構４により半導体ウエハＷがウエハ保持台１１の表
面に保持される。このクランプ機構４は、取付け部材４
１をウエハ保持台１１に固定し、この取付け部材４１に
クランプ部材４２を矢印で示す方向に回転できるように
軸支して構成されている。クランプ部材４２の半導体ウ
エハＷを保持する保持面４３は、絶縁材料であって発塵
の少ない例えばテフロン樹脂によりコーティングされて
いる。
【００１７】次に上述実施例の作用について述べる。ウ
エハ保持台１１の表面の絶縁性薄膜１５上に被検査体で
ある半導体ウエハＷを載置し、クランプ機構４のクラン
プ部材４２により半導体ウエハＷの周縁部をクランプし
て保持する。次いで、駆動機構１０によりウエハ保持台
１１を上昇させてプローブ針２１を半導体ウエハＷのＩ
Ｃチップの電極パッドに接近させ、例えば、顕微鏡やＣ
ＲＴによりテストヘッド３の図示しない窓を介して観察
しながら半導体ウエハＷのＩＣチップの電極パッドに対
するプローブ針２１のＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置合わせ
を行う。
エハ保持台１１の表面の絶縁性薄膜１５上に被検査体で
ある半導体ウエハＷを載置し、クランプ機構４のクラン
プ部材４２により半導体ウエハＷの周縁部をクランプし
て保持する。次いで、駆動機構１０によりウエハ保持台
１１を上昇させてプローブ針２１を半導体ウエハＷのＩ
Ｃチップの電極パッドに接近させ、例えば、顕微鏡やＣ
ＲＴによりテストヘッド３の図示しない窓を介して観察
しながら半導体ウエハＷのＩＣチップの電極パッドに対
するプローブ針２１のＸ、Ｙ、Ｚ、θ方向の位置合わせ
を行う。
【００１８】その後パフォーマンスボード３１側から例
えば周波数１００ＭＨｚで検査パルスをプローブカード
２を介して半導体ウエハＷのＩＣチップに入力し、テス
トヘッド３ではＩＣチップ側から出力されたパルスに基
づいて所定の電気的特性を測定する。
えば周波数１００ＭＨｚで検査パルスをプローブカード
２を介して半導体ウエハＷのＩＣチップに入力し、テス
トヘッド３ではＩＣチップ側から出力されたパルスに基
づいて所定の電気的特性を測定する。
【００１９】このような実施例によれば、ウエハ保持台
１１の導電性基台１４が一種のアンテナとして機能して
周囲の電磁波を拾うことがあっても、ウエハ保持台１１
の表面が絶縁性薄膜１５により構成されているので、こ
の電磁波に起因するノイズが半導体ウエハＷに伝達され
ることがない。従って、ノイズによる悪影響を受けずに
正確な電気的測定を行うことができる。
１１の導電性基台１４が一種のアンテナとして機能して
周囲の電磁波を拾うことがあっても、ウエハ保持台１１
の表面が絶縁性薄膜１５により構成されているので、こ
の電磁波に起因するノイズが半導体ウエハＷに伝達され
ることがない。従って、ノイズによる悪影響を受けずに
正確な電気的測定を行うことができる。
【００２０】また、クランプ部材４２の半導体ウエハＷ
の保持面４３が絶縁材料によりコーティングされている
ので、当該保持面４３からも電磁波に起因するノイズが
半導体ウエハＷに伝達されることがない。
の保持面４３が絶縁材料によりコーティングされている
ので、当該保持面４３からも電磁波に起因するノイズが
半導体ウエハＷに伝達されることがない。
【００２１】しかも、ウエハ保持台１１の半導体ウエハ
Ｗが接触する表面が絶縁性薄膜１５により構成されてい
るので、半導体ウエハＷと接触する表面の絶縁部分が薄
く、静電破壊を防止でき、半導体ウエハＷを損傷するこ
とがない。この理由は、導電性基台１４の表面に絶縁性
薄膜１５を形成した場合には、ウエハＷの帯電量がそれ
程大きくならないと考えられる。なお、ウエハ保持台１
１の表面の絶縁部分が厚い場合、例えばセラミックによ
り保持台を構成した場合には、測定時に半導体ウエハＷ
が徐々に帯電し、この帯電電荷が大きくなり半導体ウエ
ハＷが静電破壊するおそれがある。
Ｗが接触する表面が絶縁性薄膜１５により構成されてい
るので、半導体ウエハＷと接触する表面の絶縁部分が薄
く、静電破壊を防止でき、半導体ウエハＷを損傷するこ
とがない。この理由は、導電性基台１４の表面に絶縁性
薄膜１５を形成した場合には、ウエハＷの帯電量がそれ
程大きくならないと考えられる。なお、ウエハ保持台１
１の表面の絶縁部分が厚い場合、例えばセラミックによ
り保持台を構成した場合には、測定時に半導体ウエハＷ
が徐々に帯電し、この帯電電荷が大きくなり半導体ウエ
ハＷが静電破壊するおそれがある。
【００２２】以上、被検査体が半導体ウエハである場合
について実施例を説明したが、被検査体は、半導体ウエ
ハに限らずＬＣＤ基板などであってもよい。また被検査
体に測定信号を与える接触手段としては、プロ−ブ針に
限らず導電ゴム性の接触子などであってもよい。
について実施例を説明したが、被検査体は、半導体ウエ
ハに限らずＬＣＤ基板などであってもよい。また被検査
体に測定信号を与える接触手段としては、プロ−ブ針に
限らず導電ゴム性の接触子などであってもよい。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、導電性基台上に絶縁性
薄膜を設けて被検査体保持台を構成しているので、ノイ
ズによる悪影響を受けずに精度の高い電気的測定を行う
ことができると共に、被検査体に静電破壊による損傷を
与えることがない。
薄膜を設けて被検査体保持台を構成しているので、ノイ
ズによる悪影響を受けずに精度の高い電気的測定を行う
ことができると共に、被検査体に静電破壊による損傷を
与えることがない。
【図１】本発明の実施例を示す縦断側面図である。
【図２】本発明の実施例の要部を示す分解拡大斜視図で
ある。
ある。
【図３】従来のプローブ装置を示す縦断側面図である。
Ｗ 半導体ウエハ １１ ウエハ保持台 １３ 絶縁性薄膜 １４ 導電性基台 １５ 絶縁性薄膜 １６ セラミック層 ２ プローブカード ２１ プローブ針 ３ テストヘッド ４ クランプ機構
Claims (1)
- 【請求項１】 被検査体保持台上に保持された被検査体
の電極パッドに接触手段を介してテストヘッドを電気的
に接触し、被検査体の電気的特性を測定するプローブ装
置において、 前記被検査体保持台は、導電性基台上に絶縁性薄膜を設
けてなることを特徴とするプローブ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119760A JPH05291367A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | プローブ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4119760A JPH05291367A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | プローブ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05291367A true JPH05291367A (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=14769498
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4119760A Pending JPH05291367A (ja) | 1992-04-13 | 1992-04-13 | プローブ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05291367A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007113949A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Genesis Technology Inc | デバイス試験機構、ハンドラおよびデバイスの試験方法 |
-
1992
- 1992-04-13 JP JP4119760A patent/JPH05291367A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007113949A (ja) * | 2005-10-18 | 2007-05-10 | Genesis Technology Inc | デバイス試験機構、ハンドラおよびデバイスの試験方法 |
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